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[发明专利]减材式铜蚀刻-CN202180056912.9在审
发明人：杨文兵;林染;萨曼莎·西亚姆华·坦;莫汉德·布鲁里;潘阳 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2021-08-12 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：提供了一种原子层蚀刻方法，以用于在等离子体处理室中蚀刻衬底上铜或铜合金，其包含多个循环。多个循环中的每一个循环包含铜改性阶段和活化阶段。铜改性阶段包含：使改性气体流入等离子体处理室，使改性气体转变为改性等离子体，以及将铜或铜合金暴露于改性等离子体，其中至少有一部份的铜或铜合金被改性。该活化阶段包含：使活化气体流入等离子体处理室，其中活化气体包含含氢气体，将活化气体转变为活化等离子体，并将经改性的铜或铜合金暴露于活化等离子体，其中至少形成可挥发的铜或铜合金络合物。
减材式铜蚀刻

[发明专利]铜与等离子体改性后的碳纤维结合形成的新型铜-CN02151951.X无效
发明人：黄金富 -专利权人：黄金富
申请日： 2002-11-14 - 公布日： 2004-06-02 - 主分类号： C22C47/02 文献下载
摘要：一种新型铜，其特征在于，所述新型铜是普通铜(1)是与经等离子体(2)环境改性后的碳纤维(3)结合而形成的。处理碳纤维(3)的等离子体(2)环境可以是气体经电离形成的，等离子体环境可被所加电场和磁场所单独或联合作用，使等离子体产生移动及旋转，按预定程序对碳纤维进行改性处理，再让经等离子体环境改性后的碳纤维与普通铜结合，制造出优良品质的新型铜。
等离子体改性碳纤维结合形成新型

[发明专利]铜等离子体蚀刻方法及显示面板的制造方法-CN201811011271.1在审
发明人：金湘甲;洪雯杓;赵炫珉;权成容;尹皓园 -专利权人：三星显示有限公司;高丽大学校世宗产学协力团
申请日： 2018-08-31 - 公布日： 2019-04-09 - 主分类号： H01L21/3213 文献下载
摘要：本发明涉及铜等离子体蚀刻方法以及显示面板制造方法。根据示例性实施方式的铜等离子体蚀刻方法包括：将基板放置在等离子体蚀刻设备的处理室中的基座上；将包括氯化氢的蚀刻气体供应到处理室中；等离子体蚀刻在基板中的含有铜的导电层；以及在等离子体蚀刻期间将基座的温度保持在
蚀刻铜等离子体等离子体蚀刻显示面板等离子体蚀刻设备基板放置蚀刻气体温度保持导电层氯化氢基板制造

[发明专利]评价激光改性时等离子体与最终改性效果之间关系的方法-CN201610579001.5有效
发明人：虞钢;解晓宇;郑彩云;何秀丽;李少霞;宁伟健 -专利权人：中国科学院力学研究所
申请日： 2016-07-21 - 公布日： 2019-02-05 - 主分类号： G06T7/00 文献下载
摘要：本发明提供了评价激光改性时等离子体与最终改性效果之间关系的方法，包括如下步骤：利用激光器对铜铬合金触头表面进行激光改性，通过图像采集设备采样铜铬合金触头表面激光改性时产生的等离子体图像；将等离子体图像导入图像处理软件，提取该等离子体图像的特征信息，然后建立当前等离子体图像的特征信息与此时激光改性层效果之间的对应关系；调整激光器的改性参数，重复前述步骤，获取调整后改性参数下的等离子体图像，再建立该等离子体图像与此时激光改性层效果之间的对应关系；全部对应关系建立完毕后，即可根据不同等离子体图像确定相应的激光改性后铜铬合金触头表面的改性层效果。本发明根据表现出的等离子体图像即可确定最终改性层效果。
评价激光改性等离子体最终效果之间关系方法

[发明专利]一种等离子体发生装置-CN202111650642.2在审
发明人：陈臻阳;张威;唐电;李斯;杨志权 -专利权人：湖南红太阳光电科技有限公司
申请日： 2021-12-29 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： H05H1/46 文献下载
摘要：本发明公开了一种等离子体发生装置，包括：微波发生器、水冷法兰、等离子体反应腔和冷却水套，等离子体反应腔两端分别通过水冷法兰与微波发生器连接，水冷法兰用于对微波发生器上的微波能量输出口进行冷却降温；等离子体反应腔内设有铜天线，微波发生器通过铜天线将同轴微波传导进入等离子体反应腔内；等离子体反应腔上开设有多个进气孔和等离子输出孔，进气孔用于向等离子体反应腔内输入待电离的工艺气体，等离子输出孔用于将等离子体反应腔内电离完成的工艺气体导入工艺腔中；冷却水套安装在等离子体反应腔外围，以实现等离子体反应腔冷却降温。本发明具有结构紧凑、操作简单、所产生的等离子密度高等优点，适用于大面积的平板式薄膜沉积设备。
一种等离子体发生装置

[发明专利]一种微波屏蔽管及磁场增强平板PECVD设备-CN202010710368.2有效
发明人：周继承;徐伟 -专利权人：中南大学
申请日： 2020-07-22 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： C23C16/511 文献下载
摘要：本发明涉及等离子体生产领域，尤其涉及一种微波屏蔽管及磁场增强平板PECVD设备，包括壳体、沿送料方向设置在壳体内部的至少两个等离子体发生装置，等离子体发生装置下方设置有基片台，等离子体发生装置内部设置有同轴圆波导，等离子体发生装置顶部设置有上进气管，等离子体发生装置底部两侧设置有下进气管；壳体底部连通有真空机组；同轴圆波导包括同轴设置的石英玻璃管、铜天线、微波屏蔽管，石英玻璃管在铜天线外侧，微波屏蔽管设置在石英玻璃管、铜天线之间，微波屏蔽管侧壁上下两端设有开口。本发明提供一种改善微波等离子体源所产生等离子体的长度、轴向均匀性以及稳定性的PECVD设备，以提升产能和性能。
一种微波屏蔽磁场增强平板 pecvd 设备

[实用新型]一种微波屏蔽管磁场增强平板PECVD设备-CN202021456885.3有效
发明人：周继承;徐伟 -专利权人：中南大学
申请日： 2020-07-22 - 公布日： 2021-03-12 - 主分类号： C23C16/511 文献下载
摘要：本实用新型涉及等离子体生产领域，尤其涉及一种微波屏蔽管磁场增强平板PECVD设备，包括壳体、沿送料方向设置在壳体内部的至少两个等离子体发生装置，等离子体发生装置下方设置有基片台，等离子体发生装置内部设置有同轴圆波导，等离子体发生装置顶部设置有上进气管，等离子体发生装置底部两侧设置有下进气管；壳体底部连通有真空机组；同轴圆波导包括同轴设置的石英玻璃管、铜天线、微波屏蔽管，石英玻璃管在铜天线外侧，微波屏蔽管设置在石英玻璃管、铜天线之间，微波屏蔽管侧壁上下两端设有开口。本实用新型提供一种改善微波等离子体源所产生等离子体的长度、轴向均匀性以及稳定性的PECVD设备，以提升产能和性能。
一种微波屏蔽磁场增强平板 pecvd 设备

[发明专利]氧化亚铜微粒子的制造方法、氧化亚铜微粒子、和导体膜的制造方法-CN201480031552.7有效
发明人：木下晶弘;上村直仁 -专利权人：日清工程株式会社
申请日： 2014-03-31 - 公布日： 2017-05-17 - 主分类号： C01G3/02 文献下载
摘要：氧化亚铜微粒子的制造方法具有使用铜化合物的粉末与热等离子体火焰生成氧化亚铜微粒子的生成步骤。该热等离子体火焰来自于惰性气体。生成步骤具有使用载气体使铜化合物的粉末分散，且将铜化合物的粉末供给至热等离子体火焰中，或者使铜化合物的粉末分散于水而成为浆料，且使浆料液滴化供给至热等离子体火焰中的步骤。进一步，优选地，生成步骤更具有将冷却气体供给至热等离子体火焰的终端部的步骤。
氧化亚铜微粒子制造方法导体

[发明专利]等离子体炬阴极及其制备方法-CN202110311276.1在审
发明人：王俊明;朱晓军;房金刚;孙李平;吴堃 -专利权人：新奥科技发展有限公司
申请日： 2021-03-24 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： B22F7/06 文献下载
摘要：本公开涉及等离子体炬技术领域，尤其涉及一种等离子体炬阴极及其制备方法。其中等离子体炬阴极的制备方法包括采用热等静压的方式将陶瓷管固定在阴极芯的表面；采用放电等离子烧结的方式将铜基座固定在所述陶瓷管的表面。在铜基座与阴极芯之间设置陶瓷管，陶瓷管起到隔离的作用，能够阻止铜基座对阴极芯的干扰，提高阴极芯材料的利用率，继而提高等离子体炬在运行过程中的稳定性和寿命。
等离子体阴极及其制备方法

[发明专利]一种制备铜铟镓硒薄膜的等离子体协助硒化工艺及装置-CN201110406154.7有效
发明人：罗派峰;任宇航;黄治 -专利权人：尚越光电科技有限公司
申请日： 2011-12-08 - 公布日： 2012-05-09 - 主分类号： C23C16/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种制备铜铟镓硒薄膜的等离子体协助硒化工艺及装置，采用热蒸发Se结合PECVD装置作为独立的等离子体气源系统，同时搭配加热源采用电阻丝加热或卤光灯光照加热的硒化炉对铜铟镓硒前驱体薄膜进行硒化，等离子体气源系统和硒化炉结合部采用热丝管连接以保持等离子体反应活性。
一种制备铜铟镓硒薄膜等离子体协助化工装置

[发明专利]减少缘于有含铜合金部件处理室的铜污染的系统和方法-CN201610228014.8有效
发明人：方浩全;丁易洪;张大卫 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2016-04-13 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明涉及减少缘于有含铜合金部件处理室的铜污染的系统和方法。用于减少在衬底处理系统中的铜污染的系统和方法包括在衬底处理系统的处理室中的衬底上执行等离子体处理。部件被设置在所述处理室中并由包含铜的合金制成。所述等离子体处理使用包含氢分子的处理气体混合物。在所述衬底上执行所述等离子体处理之前并且在所述衬底被布置在处理室内之前，使用调节等离子体处理来调节在所述处理室中的部件，所述调节等离子体处理包括包含氧分子和形成气体的处理气体混合物。
减少缘于铜合金部件处理污染系统方法

[发明专利]铜铟镓硒薄膜及其制备方法、装置、太阳能电池-CN201811216853.3在审
发明人：来霸;卫成刚 -专利权人：华夏易能（南京）新能源有限公司
申请日： 2018-10-18 - 公布日： 2019-01-25 - 主分类号： H01L31/0392 文献下载
摘要：本发明关于一种铜铟镓硒薄膜及其制备方法、装置、太阳能电池。该方法包括：在惰性气体的等离子体环境下，对带钼膜的衬底蒸发硒；蒸发硒过程中，对衬底施以第一偏置电压值，使惰性气体的等离子体形成等离子体荷能粒子并轰击衬底上的硒原子；在对衬底施加的偏置电压从第一偏置电压值降至第二偏置电压值的过程中，共蒸发铟、镓和硒，使等离子体荷能粒子轰击衬底上的铟原子、镓原子和硒原子；共蒸发铜和硒，得到富铜的薄膜；在对衬底施以第三偏置电压值，且在具有惰性气体的等离子体环境下，共蒸发铟、镓和硒，使等离子体荷能粒子轰击衬底上的铟原子、镓原子和硒原子，得到富铟的铜铟镓硒薄膜。该技术方案可获得晶体结构优良、缺陷少的铜铟镓硒薄膜。
衬底偏置电压铜铟镓硒薄膜等离子体惰性气体共蒸发硒原子等离子体环境太阳能电池粒子轰击铟原子镓原子制备蒸发等离子体形成晶体结构钼膜薄膜轰击粒子施加

[发明专利]气‑液两相介质阻挡放电脱除氮氧化物的装置及其应用-CN201610648049.7在审
发明人：杨国清;曹一崧;邵朱夏;王德意;闫梦瑶;付菁 -专利权人：西安理工大学
申请日： 2016-08-09 - 公布日： 2017-01-04 - 主分类号： B01D53/32 文献下载
摘要：本发明公开的气‑液两相介质阻挡放电脱除氮氧化物的装置及其应用，包括等离子体反应器，等离子体反应器有一个柱状铜电极和个液相水电极；液相水电极连接接地不锈钢棒；柱状铜电极的顶部焊接有不锈钢棒连接低温等离子体实验电源，低温等离子体实验电源连接示波器、调压器；示波器、调压器与电源连接；柱状铜电极和液相水电极间形成放电区域，放电区域一侧有光谱仪的光纤探头，光谱仪与计算机连接；等离子体反应器通过气体导管a与缓冲瓶连接，气体导入管a通过气体导入管b连接烟气分析仪；缓冲瓶通过气管连接储气罐；等离子体反应器通过烟气管与气体导入管b连接。本发明的装置采用气‑液两相介质阻挡放电产生的低温等离子体来去除氮氧化物。
两相介质阻挡放电脱除氧化物装置及其应用

[发明专利]无粘合剂柔韧层合制品及其制作方法-CN97190378.6无效
发明人： N·E·贝尔克瑟尔;T·贝尔斯特雷瑟尔;S·K·赫安;M·K·普罗科;D·B·鲁瑟尔 -专利权人：加一特克公司
申请日： 1997-04-14 - 公布日： 2003-10-15 - 主分类号： B32B15/08 文献下载
摘要：本发明涉及改进的无粘合剂柔韧层合制品，包括：具有等离子体处理表面的聚合物膜；粘附在该等离子体处理表面上的包含镍或镍合金的镍粘结层；以及粘附在该镍粘结层上的铜晶粒层。在一个实施方案中，在上述铜晶粒层上粘附有另一铜层。本发明还涉及制作上述无粘合剂柔韧层合制品的方法，该方法包括以下步骤：(A)使聚合物膜的至少一面与包含由无镀金属阴极产生的电离氧的等离子体接触，以形成等离子体处理表面；(B)在上述等离子体处理表面上沉积镍或镍合金粘结层；和(C)在上述镍粘结层上沉积铜晶粒层。该方法还包括任选步骤(D)在步骤(C)所得铜晶粒层上沉积另一铜层。
粘合剂柔韧制品及其制作方法

[发明专利]一种测量等离子体分布参数的方法、系统及装置-CN202210752272.1在审
发明人：邓云坤;蒋仕;陈立;石桓通;李兴文;彭晶;赵现平;王科;张枭;李桥安;张鹏成;李东;杨伟荣 -专利权人：云南电网有限责任公司电力科学研究院
申请日： 2022-06-29 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： G01R31/327 文献下载
摘要：本发明涉及一种测量等离子体分布参数的方法、系统及装置，本发明提供的技术方案，通过获取断路器电弧等离子体产生的具有绝对强度信息的辐射光谱，之后根据所述辐射光谱中的光谱铜谱线，利用自蚀数据处理算法，得出等离子体密度分布参数与温度分布参数本发明提供的技术方案，能够准确获得铜电极断路器电弧对电极烧蚀过程中的等离子体密度、温度参数分布，进而明确铜电极断路器电弧对电极烧蚀的影响。
一种测量等离子体分布参数方法系统装置

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