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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]防止钨插塞腐蚀的方法-CN200910197374.6无效
发明人：王心 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2009-10-19 - 公布日： 2011-05-04 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种防止钨插塞腐蚀的方法，包括：提供形成有钨插塞的半导体衬底，所述的钨插塞与形成在钨插塞上但并未完全覆盖钨插塞的金属导线互连，采用弧光或紫外光照射所述金属导线，至消除所述金属导线上的正电荷。采用所述的防止钨插塞腐蚀的方法，由于采用弧光或者紫外光照射的方法，去除了金属导线上的正电荷，因此，在随后的清洗工艺中，避免了金属导线和钨插塞上的电势差，避免了电化学反应的发生，避免了钨插塞被腐蚀。
防止钨插塞腐蚀方法

[发明专利]改善研磨颗粒残留的方法-CN200810203805.0有效
发明人：潘继岗;王亦磊 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2008-12-01 - 公布日： 2010-06-23 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明提出一种改善研磨颗粒残留的方法，包括：研磨接触孔密度低的第一晶圆至形成钨插塞，......研磨接触孔密度低的第n-1晶圆至形成钨插塞；研磨带有金属钨层的控片；研磨接触孔密度高的第n晶圆至形成钨插塞，......研磨接触孔密度高的第m-1晶圆至形成钨插塞；以此类推直至整批的晶圆全部研磨完成；在晶圆表面用化学试剂浸泡，进行研磨清洗。本发明提高了钨插塞的电性能。
改善研磨颗粒残留方法

[发明专利]半导体装置的配线结构和形成所述配线结构的方法-CN200810005304.1无效
发明人：许元九;朴栋均;朴济宪;曹永周;罗圭泰 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2008-01-30 - 公布日： 2008-08-06 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：一种半导体装置的配线结构，所述半导体装置的配线结构包括绝缘间层、插塞和导电图案。绝缘间层在基板上具有穿过其的开口。插塞包括钨并填充开口。插塞通过利用源气体的反应的沉积过程而形成。导电图案结构与插塞接触，并且包括第一钨层图案和第二钨层图案。第一钨层图案通过沉积过程形成。第二钨层图案通过物理气相沉积(PVD)过程形成。
半导体装置结构形成述配线方法

[发明专利]一种半导体器件及其制造方法-CN201611040773.8有效
发明人：许谢慧娜;曾笑梅 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2016-11-23 - 公布日： 2020-01-03 - 主分类号： H01L23/49 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件及其制造方法，包括：基底，在所述基底中形成有钨插塞；部分位于所述钨插塞上的金属导线，所述金属导线与所述钨插塞之间形成有衬垫层。与现有工艺相比，本发明提出的半导体器件，可避免其中的钨插塞发生金属原电池腐蚀，有效提高器件的良率和可靠性。
半导体器件钨插塞金属导线基底衬垫层原电池良率制造腐蚀金属

[发明专利]插塞结构的制作方法和插塞结构-CN200810204556.7有效
发明人：杨瑞鹏;保罗;胡宇慧;苏娜 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2008-12-09 - 公布日： 2010-06-23 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种插塞结构的制作方法和插塞结构，所述方法包括：提供衬底，所述衬底上具有半导体器件层和半导体器件层上的具有通孔的金属前介质层；在包括通孔内部的金属前介质层的表面上形成钨种子层；在所述钨种子层上形成钨诱导层，所述钨诱导层的晶粒尺寸大于所述钨种子层；在所述钨诱导层上形成钨膜层，该钨膜层将通孔内部填充；平坦化通孔外的金属前介质层的表面，形成插塞结构。所述方法形成钨膜层之前，先在钨种子层之上形成具有较大晶粒尺寸的钨诱导层，而后再在钨诱导层上形成的钨膜层也具有较大的晶粒尺寸，因而晶界较少，对电子运动的散射减少，能够提高电子迁移率，降低电阻率，无须后续的退火工艺便能够形成具有较低电阻的钨插塞
结构制作方法

[发明专利]防止钨插塞腐蚀的方法-CN03100239.0有效
发明人：游宗龙;马思尊;张国华 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2003-01-06 - 公布日： 2004-07-28 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种在半导体元件的制作工艺中防止钨插塞腐蚀的方法，其中在基底上已形成有钨插塞，且钨插塞与形成在基底上的导线耦接。然后，利用除电装置处理基底，以除去在导线蚀刻制作工艺中累积在导线表面上的电荷。
防止钨插塞腐蚀方法

[发明专利]防止钨插塞腐蚀的方法-CN02146273.9有效
发明人：陈中泰;董克伟;钟嘉麒;李俊鸿 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2002-10-17 - 公布日： 2003-11-05 - 主分类号： H01L21/321 文献下载
摘要：一种在半导体元件的工艺中防止钨插塞腐蚀的方法，其中在一基底上已形成有一钨插塞且该钨插塞与形成在基底上的导线耦接。
防止钨插塞腐蚀方法

[发明专利]清除钨插塞合金化处理后表面形成的氧化层的方法-CN200610028778.9无效
发明人：李阳柏;张传民;文静;林军 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2006-07-10 - 公布日： 2008-01-16 - 主分类号： C23F3/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种清除钨插塞合金化处理之后表面形成的氧化层的方法，采用化学机械抛光的方法清除钨插塞表面上形成的氧化物，所述抛光液采用非氧化性研磨料包括气相二氧化硅、胶体二氧化硅、二氧化铈(CeO_{采用本发明提供的方法工艺简单，并且能有效清除钨插塞上的氧化层，同时并不会对钨插塞造成污染和损伤。抛光之后，钨插塞与金属导线之间的接触电阻明显变小。}
清除钨插塞合金处理表面形成氧化方法

[发明专利]具有无势垒结构的氧化钨电阻式随机存取存储器-CN201810052603.4有效
发明人：赖二琨;李岱萤;李峰旻 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2018-01-19 - 公布日： 2021-08-13 - 主分类号： H01L27/24 文献下载
摘要：本揭露提供一种基于氧化钨存储元件的存储装置及其制造方法。存储装置包括一插塞，插塞从基板的顶表面向上延伸穿过一介电层；一底电极，底电极的外表面具有钨，底电极从插塞的顶表面向上延伸；一绝缘材料，绝缘材料环绕底电极并且与底电极的外表面的钨接触；一存储元件，位于底电极的上表面，存储元件包括一氧化钨化合物，且存储元件可编程为至少两种电阻态；以及一顶电极，顶电极上覆并接触存储元件。插塞具有一第一侧向尺寸，底电极具有一侧向尺寸，侧向尺寸平行于插塞的第一侧向尺寸，且侧向尺寸小于插塞的第一侧向尺寸。
有无结构氧化钨电阻随机存取存储器

[发明专利]导电插塞结构及其形成方法-CN201510736229.6在审
发明人：张冠群;何朋;蒋剑勇 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2015-11-03 - 公布日： 2017-05-10 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种导电插塞结构及其形成方法，其中方法包括提供半导体衬底；在所述半导体衬底中形成接触孔；形成填充满所述接触孔的钨导电层，所述钨导电层包括至少两层层叠的钨导电单元层，所述钨导电单元层为钨成核层和位于钨成核层表面的钨体层所述导电插塞的形成方法提高了钨导电层填充接触孔的能力。
导电结构及其形成方法

[发明专利]检测钛缺失的方法-CN200710094311.9有效
发明人：张博;徐云 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2007-11-28 - 公布日： 2009-06-10 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明公开了一种检测钛缺失的方法，钨插塞与其上的金属层之间包括金属钛阻挡层，所述方法包括如下步骤：第1步，确保钨插塞下方的金属层具有一条或多条平行铝线，每条铝线连接且只连接两个相邻的钨插塞，每个钨插塞连接且只连接一条铝线；第2步，使用包含氯气的刻蚀气体在钨插塞上方的金属层刻蚀一道或多道平行沟槽，每道沟槽都在上下方向对应且只对应于第1步所述的铝线所在位置，每道沟槽都使两个相邻的钨插塞的部分顶部暴露于刻蚀气体；第3步，在第
检测缺失方法

[发明专利]一种二极管选择元件阵列结构及制造方法-CN201310040155.3有效
发明人：陈秋峰;王兴亚 -专利权人：厦门博佳琴电子科技有限公司
申请日： 2013-02-01 - 公布日： 2014-08-06 - 主分类号： H01L21/822 文献下载
摘要：型半导体衬底上间隔形成浅隔离槽，浅隔离槽之间形成胚体柱，其中之一为P结胚体柱，其余为N结胚体柱；在浅隔离槽中填满绝缘层；在P型半导体衬底上形成N阱；在N阱上层掩埋第一P型扩散层；N结胚体柱上形成N型扩散层，N型扩散层上层形成钨插塞，钨插塞与N型扩散层连接形成二极管第一极；P结胚体柱上延伸形成第二P型扩散层，第二P型扩散层上层形成钨插塞，钨插塞与第二P型扩散层连接形成二极管第二极；N阱一侧上层形成N型扩散层，N型扩散层上层形成钨插塞，钨插塞与N型扩散层连接形成N阱的接触点电极。
一种二极管选择元件阵列结构制造方法

[发明专利]钨插塞的制造方法-CN200810112806.4无效
发明人：保罗 -专利权人：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2008-05-26 - 公布日： 2009-12-02 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种钨插塞的制造方法，包括：提供具有介质层的半导体基底，在所述介质层中具有介质孔；在所述介质孔中和介质层上沉积厚度小于2500埃的钨金属层，且所述钨金属层至少填满所述介质孔；平坦化所述钨金属层，去除所述介质层上以及所述介质孔开口上方多余的钨金属层本发明可改善形成的钨插塞的腐蚀缺陷。
钨插塞制造方法

[发明专利]一种制造钨插塞过程中消除钨穿刺的方法-CN200710094421.5无效
发明人：姚毅;杨欣;孙勤 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2007-12-11 - 公布日： 2009-06-17 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种制造钨插塞过程中消除钨穿刺的方法，该方法在晶片淀积氮化硅的过程中先通入氨气，氨气去除钨表面的氧化物并在钨表面形成一层氮化物，然后再淀积氮化硅。由此本发明可以防止金属钨在后续工艺中由于氧化而形成穿刺，提升制造钨插塞的良品率，且对原有工艺变化不大。
一种制造钨插塞过程消除穿刺方法

[发明专利]具有间隙的铁电电容-CN02118154.3无效
发明人：陈旭顺;龙翔澜 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2002-04-23 - 公布日： 2003-11-05 - 主分类号： H01L21/70 文献下载
摘要：本发明的铁电电容具有一扩散挡层，在进行高温工艺时，可保护钨插塞，防止高温氧扩散进入而与钨插塞反应，形成一层钨氧化层，且另一方面本发明的结构具有导体间隙，可使得本发明具有自对准功效，亦即通过此间隙结构来与导体层做电性连接，只要此导体层能与接触窗钨插塞耦接，即不会影响其电性表现。
具有间隙电容

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