专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种检测硝酸根离子的方法-CN202011190984.6在审
  • 尹坦姬;秦伟;王贺敏 - 中国科学院烟台海岸带研究所
  • 2020-10-30 - 2022-03-11 - G01N27/26
  • 本发明涉及电化学传感器领域,具体地说是一种检测硝酸根离子的方法。具体是,将工作电极和对电极放置在检测区,将参比电极硝酸根离子选择电极放置在待测区,利用盐桥将检测区与待测区相连,在工作电极与硝酸根离子选择电极之间施加恒定电压促使过氧化氢在工作电极上发生氧化反应获得氧化电流;通过改变硝酸根浓度调控硝酸根离子选择电极电位使工作电极电位发生变化,进而使过氧化氢的氧化电流发生变化;依据过氧化氢氧化电流的变化,实现硝酸根浓度的测定。本发明将离子选择电极测定硝酸根的传统电位信号转变成电流信号,该发明检测硝酸根兼具离子选择电极的高选择和电流信号的高灵敏度特点。
  • 一种检测硝酸离子方法
  • [发明专利]一种处理废酸液的集成膜系统及方法-CN202210348781.8在审
  • 刘会娟;陈青柏;吉庆华;刘锐平;兰华春;曲久辉 - 清华大学
  • 2022-04-01 - 2022-07-12 - C02F9/06
  • 本申请提供了一种处理废酸液的集成膜系统及方法,该系统包括串联设置的扩散渗析单元和选择电渗析单元;所述扩散渗析单元中设置有阴离子交换膜,相邻阴离子交换膜间存在供液体流过的隔室;所述选择电渗析单元设置有依次重叠设置的阻氢阴离子交换膜以及单价选择离子交换膜,阻氢阴离子交换膜和单价选择离子交换膜之间存在供液体流过的隔室。提出了废酸液回收及浓缩资源化的技术路线,兼具扩散渗析浓差渗析、选择电渗析高效选择迁移浓缩的特征,能够实现废酸液中酸的高效回收与浓缩资源化,克服了常规扩散渗析工艺应用于废酸液处理过程中的效率低、耗水量大
  • 一种处理废酸液集成系统方法
  • [实用新型]离子选择电极电解质模块-CN201921055353.6有效
  • 曾爱良 - 深圳市康立生物医疗有限公司;梅州康立高科技有限公司
  • 2019-07-08 - 2020-05-12 - G01N27/333
  • 本实用新型提供了一种离子选择电极电解质模块,包括离子选择电极模块、泵模块、试剂包模块,所述试剂包模块的出液口通过所述泵模块与所述离子选择电极模块的进液口连接,所述离子选择电极模块的废液出液口通过所述泵模块与所述试剂包模块的废液进液口连接,所述离子选择电极模块的进液口、废液出液口之间连通有流液通道,所述流液通道垂直于水平面。本实用新型的有益效果是:将离子选择电极电解质模块作为一个完全独立的模块,与全自动生化分析仪等一起可以大大降低样本出错的概率;流路采用垂直流路方案,能够消除A、B标液或样本中的气泡,防止流路管道中的气泡进入电极测样管道中影响测试结果
  • 离子选择性电极电解质模块
  • [发明专利]一种磷酸氧催化剂的制备方法及其用途-CN201810136369.3有效
  • 刘瑞霞;贺滨;张瑞锐;陈雪景;代飞;张锁江 - 中国科学院过程工程研究所
  • 2018-02-09 - 2020-09-11 - B01J27/198
  • 本发明涉及一种磷酸氧催化剂、采用低共熔溶剂强化制备的方法及其用途。所述方法包括:1)源、低共熔溶剂、苯甲醇和C3~C8的一元醇混合,得到混合料,反应,其中,所述低共熔溶剂为氯化胆碱与有机多元醇形成的低共熔溶剂;2)将步骤(1)所得反应产物与磷源混合,升温至100℃~200℃,继续反应,得到磷酸氧前驱体;3)焙烧,得到磷酸氧催化剂。该方法使用绿色廉价的低共熔溶剂强化制备磷酸氧催化剂,克服了磷酸氧催化剂依靠贵金属提高其性能,产生二次污染、成本高、制备过程复杂等缺点。该磷酸氧催化剂在用于催化正丁烷选择氧化制顺酐反应时,改进了收率低、选择差等难题,克服了传统催化剂改进方法中成本高、污染大的缺点。
  • 一种磷酸催化剂制备方法及其用途
  • [发明专利]芯片、其制备方法及电子设备-CN202210391100.6在审
  • 黄伟川;陈东奇;谢雨思;林军 - 华为技术有限公司
  • 2022-04-14 - 2023-10-27 - H01L23/532
  • 在金属填充层和第一金属层之间插入第二金属层,可以简化选择生长金属填充层之前的预处理工艺,在形成通孔后且未选择生长金属填充层前仅需进行氧气等离子体处理,去除通孔内壁在刻蚀过程中产生的悬挂键和刻蚀副产物,针对第二金属层在氧气等离子体处理过程中被氧化的连接区,通过选择生长金属填充层时预先在高温下通入的反应气体,可以还原第二金属层被氧化的连接区,替代现有的在选择生长金属填充层前的氢气等离子体处理,减少了氧气等离子体处理和氢气等离子体处理之间平衡的问题,提高了选择生长金属填充层在第二金属层和第二介质层之间的选择,提升了金属填充层的选择生长品质。
  • 芯片制备方法电子设备

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