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[发明专利]立体配线基板的制造方法、立体配线基板、立体配线基板用基材-CN201580065134.4在审
发明人：道脇茂 -专利权人：名幸电子有限公司
申请日： 2015-10-30 - 公布日： 2017-08-01 - 主分类号： H05K3/22 文献下载
摘要：包括准备工序，在该准备工序中，准备具有50％以上的断裂伸长率的树脂膜(1)；第一金属膜形成工序，在该第一金属膜形成工序中，在所述树脂膜的表面上形成第一金属膜(3)；图案形成工序，在该图案形成工序中，对所述第一金属膜进行图案处理，以形成所期望的图案；立体成型工序，在该立体成型工序中，对所述树脂膜进行加热和加压从而立体成型；以及第二金属膜形成工序，在该第二金属膜形成工序中，在形成有图案的所述第一金属膜上形成第二金属膜(21)，在所述第一金属膜形成工序中，将金属以粒子状堆积，以将所述第一金属膜形成疏松状。
立体配线基板制造方法配线基板用基材

[发明专利]显示面板用阵列基板的制造方法-CN202010601725.1有效
发明人：中泽昭则 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2020-06-28 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： G02F1/1362 文献下载
摘要：一种显示面板用阵列基板的制造方法，其制造适用于显示面板时抑制缺陷产生的阵列基板，其包括：形成规定形状的金属膜(51)的金属膜形成工序；在金属膜(51)的上层侧形成有绝缘性的绝缘膜(52)的绝缘膜形成工序；及在绝缘膜(52)的上层侧形成有导电性的导电膜(54)的导电膜形成工序；在金属膜(51)形成工序后且所述绝缘膜形成工序前，实施金属膜形状检查工序，所述金属膜形状检查工序检查金属膜(51)是否形成为如所述规定形状，在金属膜形状检查工序中，金属膜(51)被识别在所述规定形状以外的区域中形成有突出部分的情况下，在所述绝缘膜形成工序之前，对所述突出部分实施激光照射工序，修正金属膜(51)的形状。
显示面板阵列制造方法

[发明专利]导电性薄膜的制造方法及导电性薄膜-CN201880006578.4在审
发明人：一木孝彦 -专利权人：富士胶片株式会社
申请日： 2018-01-29 - 公布日： 2019-08-27 - 主分类号： H01B13/00 文献下载
摘要：本发明提供一种能够获得导电性薄膜的导电性薄膜的制造方法，该导电性薄膜具备具有与透明树脂基板的优异的密合性的金属细线。并且，提供一种导电性薄膜。导电性薄膜的制造方法依次具有：在透明树脂基板的至少一侧的主面上，以与透明树脂基板相接的方式，形成含有镍作为主要成分的第1金属膜的工序；在第1金属膜上形成含有铜作为主要成分的第2金属膜的工序；在第2金属膜上形成在供形成金属细线的区域具备开口部的抗蚀剂膜的工序；去除开口部内的第2金属膜的工序；通过镀覆法，在开口部内且第1金属膜上形成第3金属膜的工序；去除抗蚀剂膜的工序；去除第1金属膜上的第2金属膜的工序；及将第3金属膜作为掩模，去除第1金属膜的工序。
金属膜导电性薄膜去除透明树脂基板开口部金属细线抗蚀剂膜制造密合性镀覆掩模

[发明专利]非线性元件和电光学装置及其制造方法以及电子仪器-CN02121713.0无效
发明人：渡边吉祥;关琢巳;直野秀昭;田口聪志 -专利权人：精工爱普生株式会社
申请日： 2002-04-03 - 公布日： 2002-12-11 - 主分类号： G02F1/136 文献下载
摘要：在形成液晶装置的元件基板(20)时,在底层形成工序(a)中在元件基板(20)的表面上形成底层(61)后在第一金属膜形成工序(b)中形成由至少含Ta的金属膜构成的第一金属膜(62)。接着在绝缘膜形成工序(c)中对第一金属膜(62)在含水蒸气的氛围中进行高压退火处理,从而在第一金属膜(62)的表面上形成绝缘膜(63)。然后在第二金属膜形成工序中,在绝缘膜(63)的表面上形成第二金属膜,制造非线性元件。
非线性元件光学装置及其制造方法以及电子仪器

[发明专利]金属膜形成方法-CN201510540239.2有效
发明人：织田真也;人罗俊实 -专利权人：株式会社FLOSFIA
申请日： 2015-08-28 - 公布日： 2020-01-21 - 主分类号： C23C16/448 文献下载
摘要：提供一种能够有利于工业上形成密合性优良的金属膜的金属膜形成方法以及通过其方法形成的金属膜。一种在基体上形成金属膜的金属膜形成方法，包括在氧化剂、胺化合物或者质子酸的有机溶剂中,使金属溶解或分散形成原料溶液，将原料溶液雾化产生雾的雾化工序，将载气提供给所述雾的载气供给工序,通过所述载气将所述雾提供给所述基体的供给工序和使所述雾热反应，在所述基体表面的一部分或者全部层积金属膜的金属膜形成工序。
金属膜形成方法

[发明专利]金属膜形成方法-CN201911347903.6有效
发明人：织田真也;人罗俊实 -专利权人：株式会社FLOSFIA
申请日： 2015-08-28 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： C23C16/448 文献下载
摘要：提供一种能够有利于工业上形成密合性优良的金属膜的金属膜形成方法以及通过其方法形成的金属膜。一种在基体上形成金属膜的金属膜形成方法，包括在氧化剂、胺化合物或者质子酸的有机溶剂中,使金属溶解或分散形成原料溶液，将原料溶液雾化产生雾的雾化工序，将载气提供给所述雾的载气供给工序,通过所述载气将所述雾提供给所述基体的供给工序和使所述雾热反应，在所述基体表面的一部分或者全部层积金属膜的金属膜形成工序。
金属膜形成方法

[发明专利]显示面板用基板的制造方法-CN201811197186.9在审
发明人：伊藤俊克;大东彻;今井元;前田昌纪;北川英树;原义仁;川崎达也 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2018-10-15 - 公布日： 2019-04-26 - 主分类号： G02F1/1362 文献下载
摘要：提供一种显示面板用基板的制造方法，能削减工序数。其特征在于，具备：透明导电膜形成工序，在覆盖设置于玻璃基板(31)的TFT(32)的平坦化膜(47)上形成透明导电膜(51)；金属膜形成工序，在透明导电膜形成工序之后进行，以覆盖透明导电膜(51)的形式形成金属膜(52)；配线形成工序，在金属膜形成工序之后进行，通过对金属膜(52)进行蚀刻而形成配线(50)；以及透明电极形成工序，在配线形成工序之后进行，通过对透明导电膜(51)进行蚀刻而形成与配线(50)连接的像素电极
透明导电膜形成工序配线金属膜形成工序蚀刻显示面板金属膜基板玻璃基板平坦化膜透明电极像素电极形式形成覆盖制造削减

[发明专利]半导体装置的制造方法、记录介质和基板处理装置-CN201980100576.6在审
发明人：小川有人;高和康太 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2019-09-18 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： H01L21/285 文献下载
摘要：本发明能够形成具有平坦性的膜。交替进行以下工序，在所述基板上形成多层含金属膜：在基板上形成含金属膜的工序；以及，对于所述基板供给处理气体，进行在含金属膜的表面上的晶体层分隔膜的形成工序和含金属膜的表面上的异常生长核的除去工序中的任一者或两者的工序
半导体装置制造方法记录介质处理

[发明专利]半导体器件的制造方法以及半导体器件-CN200610073921.6有效
发明人：坂田敦子;和田纯一;尾本诚一;羽多野正亮;山下创一;东和幸;中村直文;山田雅基;木下和哉;坚田富夫;莲沼正彦 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2006-01-23 - 公布日： 2006-10-18 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：提供一种与布线材料的密接性良好且具有高阻挡性的金属膜的半导体器件及其制造方法。通过下述工序形成高密度的金属膜和金属氧化膜，其中包括：在第一基板温度，放出在表面形成有凹部的绝缘膜中和绝缘膜表面的氧化源的工序；在低于第一基板温度的第二基板温度下，在绝缘膜上形成金属膜的工序；在形成金属膜后，利用残留在绝缘膜中的氧化源，使金属膜的至少一部分氧化的工序。
半导体器件制造方法以及

[发明专利]带对准标记的基板的制造方法-CN201811015011.1有效
发明人：前田昌纪;原义仁;大东彻;今井元;北川英树;伊藤俊克;川崎达也 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2018-08-31 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：阵列基板(10B)的制造方法具备：第1金属膜形成工序，通过形成第1金属膜(23)并对其进行图案化，形成具有包括开口的下层侧对准标记(39)的下层侧对准标记构成部(40)；第2金属膜成膜工序，形成第2金属膜(25)；光致抗蚀剂膜形成工序，通过形成光致抗蚀剂膜(41)并对其进行图案化，形成与下层侧对准标记的至少一部分重叠的下层侧对准标记重叠部(42)；蚀刻工序，通过选择性地蚀刻并除去第1金属膜(23)和第2金属膜中的与光致抗蚀剂膜的下层侧对准标记重叠部不重叠的部分，形成包括第2金属膜的上层侧对准标记(38)；以及光致抗蚀剂膜剥离工序，剥离光致抗蚀剂膜。
对准标记制造方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN03816402.7有效
发明人：木村孝浩;内堀千寻 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2003-07-24 - 公布日： 2005-09-14 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置的制造方法，其包括：通过在半导体基板的上方形成的有机层间绝缘膜(22)的上面形成金属膜(24)，在有机层间绝缘膜(22)和金属膜(24)的界面上得到防止金属扩散用的碳化金属膜(23)的工序；通过对于碳化金属膜(23)有选择性地除去金属膜(24)，在有机层间绝缘膜(22)的上面残留碳化金属膜(23)的工序。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体器件的制造方法以及半导体器件-CN200810125628.9有效
发明人：坂田敦子;和田纯一;尾本诚一;羽多野正亮;山下创一;东和幸;中村直文;山田雅基;木下和哉;坚田富夫;莲沼正彦 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2006-01-23 - 公布日： 2009-01-21 - 主分类号： H01L23/532 文献下载
摘要：本发明的发明名称是半导体器件的制造方法以及半导体器件，本发明提供一种与布线材料的密接性良好且具有高阻挡性的金属膜的半导体器件的制造方法以及半导体器件。通过下述工序形成高密度的金属膜和金属氧化膜，其中包括：在第一基板温度，放出在表面形成有凹部的绝缘膜中和绝缘膜表面的氧化源的工序；在低于第一基板温度的第二基板温度下，在绝缘膜上形成金属膜的工序；在形成金属膜后，利用残留在绝缘膜中的氧化源，使金属膜的至少一部分氧化的工序。
半导体器件制造方法以及

[发明专利]表面光亮品的制造方法-CN201380048049.8有效
发明人：冈部俊雄;山本修二;佐藤大辅 -专利权人：三惠技研工业株式会社
申请日： 2013-09-06 - 公布日： 2016-10-26 - 主分类号： B32B15/02 文献下载
摘要：所述制造方法具备：利用化学镀在基材(21)的底涂层(22)上形成第一金属膜(23)的工序；利用电镀在其上形成第二金属膜(24)并且使由第一金属膜(23)、第二金属膜(24)构成的多层金属膜的各膜相互间的结合力高于底涂层(22)与第一金属膜(23)的结合力的工序；利用基材(21)与多层金属膜的内部应力差将多层金属膜整体地由裂纹(26)不连续地分割而形成由岛状结构的微细多层金属区域(25)的集合体构成且具有整体式的光亮面的视认性的岛状金属膜的工序；以及以覆盖微细多层金属区域(25)且进入裂纹(26)而与底涂层(22)接触的方式形成透光性的顶涂层(27)的工序。
表面光亮制造方法

[发明专利]半导体装置的制造方法、基板处理装置及程序-CN201780086010.3在审
发明人：出贝求;中谷公彦;芦原洋司 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2017-03-31 - 公布日： 2019-09-20 - 主分类号： H01L21/285 文献下载
摘要：本发明的课题是提供对于具有不同材质的表面的基板使膜选择性良好地选择性生长的技术。解决的手段是：具有(a)对于在表面形成有第一金属膜和与所述第一金属膜相比培养时间长的绝缘膜的基板，交替供给含金属气体和反应气体，从而在所述基板上形成第二金属膜的工序，和(b)对于所述基板供给蚀刻气体，将在所述绝缘膜上形成的第二金属膜除去，而使在所述第一金属膜上形成的所述第二金属膜残留的工序，交替重复(a)和(b)，从而使得所述第二金属膜在所述第一金属膜上选择性生长。
金属膜基板选择性生长绝缘膜基板处理装置半导体装置含金属气体表面形成反应气体基板供给交替供给交替重复膜选择性蚀刻气体残留制造

[发明专利]薄膜晶体管基板的制造方法和薄膜晶体管基板-CN201811125993.X在审
发明人：菊池哲郎;大东彻;今井元;铃木正彦;西宫节治;上田辉幸;原健吾 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2018-09-26 - 公布日： 2019-04-09 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：阵列基板的制造方法具备：第1金属膜形成工序；栅极绝缘膜形成工序；半导体膜形成工序；第2金属膜形成工序；光致抗蚀剂膜形成工序，使用半色调掩模将形成在第2金属膜的上层侧的光致抗蚀剂膜图案化；第1蚀刻工序，将第2金属膜中的与光致抗蚀剂膜不重叠的部分选择性地除去；低电阻化工序，将半导体膜中的与光致抗蚀剂膜不重叠的像素电极构成部选择性地进行低电阻化处理而形成像素电极；第2膜厚部除去工序，将光致抗蚀剂膜的第2膜厚部选择性地除去；以及第2蚀刻工序，将与光致抗蚀剂膜的第1膜厚部不重叠的第2金属膜的电极间部选择性地除去。
光致抗蚀剂膜薄膜晶体管基板形成工序不重叠金属膜膜厚部金属膜形成工序蚀刻半导体膜低电阻化像素电极光致抗蚀剂膜图案制造半色调掩模栅极绝缘膜阵列基板开口率电极上层缓和

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