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[发明专利]半导体装置的制造方法-CN202180051208.4在审
发明人：山崎舜平;小松良宽;大野敏和;柳泽悠一;笹川慎也 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2021-08-06 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： C23C16/40 文献下载
摘要：沉积第一绝缘体，在第一绝缘体上沉积金属氧化物，在金属氧化物上沉积第二绝缘体，在第二绝缘体上沉积氧化膜，通过进行热处理，第一绝缘体中、第二绝缘体中及氧化物中的氢移动到金属氧化物且被吸収，金属氧化物通过ALD法沉积。
半导体装置制造方法

[发明专利]用于抗微生物应用的氧化还原活性金属/金属氧化物复合物-CN201780056467.X在审
发明人：张玉根;衣光舜 -专利权人：新加坡科技研究局
申请日： 2017-09-15 - 公布日： 2019-04-26 - 主分类号： C23C22/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种制备金属氧化物/金属复合物的方法，其包括将金属氧化物从液体中的分散体中沉积在金属表面上；或者，在金属存在下，将金属氧化物从液体中的分散体中沉积在基底上；或者将金属氧化物从金属盐溶液中沉积在金属基底上通过该方法获得的金属氧化物/金属复合物由于在金属氧化物/金属异质结处释放高浓度的氧化还原活性物质(ROS)而显示出协同的抗微生物活性。本发明还涉及金属氧化物/金属复合物作为抗微生物涂层的用途。
金属氧化物金属复合物沉积氧化还原活性分散体金属/金属氧化物复合物制备金属氧化物抗微生物活性抗微生物涂层金属盐溶液金属异质结金属表面抗微生物金属基基底协同金属释放应用

[发明专利]纳米间隙的制备方法及其应用-CN201510532295.1在审
发明人：蔡洪冰;吴昱昆;王晓平;罗毅 -专利权人：中国科学技术大学
申请日： 2015-08-24 - 公布日： 2015-12-30 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种纳米间隙的制备方法，通过在沉积第一金属薄膜的样品上进行光刻处理，得到部分光刻胶保护第一金属薄膜的样品，然后刻蚀除去未被光刻胶保护的第一金属，得到刻蚀后的样品，在刻蚀后的样品上沉积金属氧化物，得到沉积有金属氧化物的样品；对沉积有金属氧化物的样品中水平方向的金属氧化物刻蚀，得到去除水平方向金属氧化物的样品；在去除水平方向金属氧化物的样品上沉积第二金属，得到沉积第二金属薄膜的样品；将沉积第二金属薄膜的样品中的光刻胶、光刻胶上的金属薄膜以及金属氧化物去除，得到纳米间隙；实验结果表明，本发明提供的纳米间隙的制备方法，不仅具有寻址能力，而且纳米间隙的间隙宽度均一性好且成功率高。
纳米间隙制备方法及其应用

[发明专利]抑制放射性物质沉积的方法和系统-CN201080023836.3有效
发明人：矢板由美;福松辉城;青井洋美;闰间裕 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2010-05-28 - 公布日： 2012-05-09 - 主分类号： G21D1/00 文献下载
摘要：本发明公开了抑制放射性物质沉积的方法和系统。通过氧化物膜除去步骤和钛氧化物沉积步骤有效抑制放射性物质，在所述氧化物膜除去步骤中，除去金属材料表面上的氧化物膜，所述金属材料表面与含有放射性物质的冷却剂接触，在所述钛氧化物沉积步骤中，在已除去所述氧化物膜之后，在所述金属材料表面上沉积钛氧化物。
抑制放射性物质沉积方法系统

[发明专利]用于半导体装置制造的衬底处理方法-CN201810626640.1有效
发明人：拉马·I·赫格德 -专利权人：恩智浦美国有限公司
申请日： 2018-06-15 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：提供一种去除氧化物层的方法。金属层沉积在形成于锗衬底的顶表面处的氧化物层上。金属氧化物层沉积在所述金属层上。所述金属氧化物层包括与所述金属层相同的金属材料。所述金属层和所述氧化物层反应并且与所述金属氧化物层组合以在退火处理期间形成介电层。在所述退火处理期间，所述氧化物层与所述金属层反应并且被去除。
用于半导体装置制造衬底处理方法

[发明专利]阳光控制涂层-CN03803637.1有效
发明人：詹姆斯·J·芬利;詹姆斯·P·蒂尔;哈里·布海 -专利权人： PPG工业俄亥俄公司
申请日： 2003-02-11 - 公布日： 2005-07-06 - 主分类号： B32B17/10 文献下载
摘要：本发明提供了一种涂层，该涂层具有第一抗反射层(16)，例如包含金属氧化物膜(22)，例如，氧化锌膜，沉积在金属合金氧化物膜(20)上，例如，锡酸锌膜；沉积于所述第一抗反射层上、包含银的第一红外反射金属膜(24)；沉积于所述红外反射金属膜上的第二抗红外反射层(30)，包含第一氧化物膜(34)，例如，氧化锌膜，沉积于所述第一氧化物膜上的金属合金氧化物膜(34)，例如，锡酸锌膜，以及沉积在所述锡酸锌膜上的第二金属氧化物膜(36)，例如，另一层氧化锌膜；沉积于所述第二抗反射层上包含银的第二红外反射金属膜(40)；沉积于所述第二红外反射金属膜上的第三抗反射层(46)，包含第一氧化物膜(48)，例如氧化锌膜，沉积于所述第一氧化锌膜上的金属合金氧化物膜，例如锡酸锌膜(50)，沉积于所述锡酸锌膜上的第二金属氧化物膜(52)，例如氧化锌膜；和沉积在所述第三抗反射层上包含银的第三红外反射金属膜(58)。
阳光控制涂层

[发明专利]磁阻传感器上自对准反射/保护覆盖层的制造及该传感器-CN200310119726.9无效
发明人：维托尔德·库拉;亚历山大·迈克尔·泽尔特瑟 -专利权人：日立环球储存科技荷兰有限公司
申请日： 2003-12-03 - 公布日： 2004-06-16 - 主分类号： G11B5/39 文献下载
摘要：一种磁阻传感器，通过使用包括沉积在下分层结构上的自由层的传感器结构并沉积覆盖在自由层上面的氧化物结构来制造。氧化物结构的沉积包括步骤：沉积覆盖在自由层上面的缓冲层，其中缓冲层是沉积的缓冲层金属，沉积覆盖并接触缓冲层的覆盖层，覆盖层是覆盖层金属的覆盖层金属氧化物，以及氧化缓冲层以形成缓冲层金属氧化物。
磁阻传感器对准反射保护覆盖层制造

[发明专利]一种双金属氧化物改性硼燃料及制备方法-CN202210462386.2有效
发明人：冯昊;秦利军;李丹;龚婷;李建国;胡逸云;张王乐;惠龙飞 -专利权人：西安近代化学研究所
申请日： 2022-04-28 - 公布日： 2023-02-14 - 主分类号： C06B33/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种双金属氧化物改性硼燃料及制备方法，该方法采用浸渍‑沉淀沉积法或沉淀沉积‑浸渍法对硼粉表面进行双金属氧化物改性，形成双金属氧化物改性硼燃料；所述的双金属氧化物为氧化铋和氧化钒的复合二元双金属氧化物；所述的双金属氧化物改性硼燃料中的氧化铋和氧化钒的含量分别为0.1wt.％～5wt.％。本发明采用沉淀沉积‑浸渍法和浸渍‑沉淀沉积法在硼粉表面负载氧化铋和氧化钒两种金属氧化物，形成具有高反应活性的双金属氧化物改性硼燃料。相比于纯硼粉具有较低氧化放热峰温和较短的点火延迟时间，并且两种金属氧化物组分的占比很低，可以在不影响硼粉能量密度的前提下有效改善硼粉的点火和燃烧性能，具有较大的应用潜力。
一种双金属氧化物改性燃料制备方法

[发明专利]一种金银纳米颗粒分散氧化物光学薄膜制备方法-CN200510011554.2无效
发明人：张波萍;焦力实;张芸;刘玮书 -专利权人：北京科技大学
申请日： 2005-04-11 - 公布日： 2005-09-21 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明供了一种金银纳米颗粒分散氧化物光学薄膜制备方法，属于金属纳米颗粒与无机非金属材料复合材料技术领域。在溅射设备内同时安装Au、Ag和氧化物三个溅射靶，在每个溅射靶和基板前分别设置遮板，通过对金属和氧化物的沉积速度的单独控制，制备出具有纳米层状特征的金银纯金属纳米颗粒分散氧化物复合薄膜；具体步骤为：先制备Au或Ag纳米颗粒单层膜，再沉积氧化物膜，然后沉积Au或Ag纳米颗粒单层膜，之后再沉积一层氧化物膜。按上述顺序交替沉积，制成具有层状结构的金银纯金属纳米颗粒分散氧化物薄膜。其优点在于：具有优良的非线形光学特性。
一种金银纳米颗粒分散氧化物光学薄膜制备方法

[发明专利]金属氧化物在金属表面上的选择性沉积-CN202010267196.6在审
发明人： A·伊利贝里;M·吉文斯;S·邓;G·A·维尼 -专利权人： ASMIP控股有限公司
申请日： 2020-04-08 - 公布日： 2020-10-23 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：提供了相对于氧化物表面在金属或金属性表面上选择性沉积金属氧化物膜的方法。衬底的氧化物表面可相对于金属或金属性表面被选择性地钝化，例如通过将衬底暴露于硅烷化剂。自气相反应物相对于经钝化的氧化物表面在金属或金属性表面上选择性地沉积金属氧化物。
金属氧化物表面上选择性沉积

[发明专利]金属氧化物薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板-CN202311006657.4在审
发明人：陶灵芝;朱健;刘华 -专利权人：昆山龙腾光电股份有限公司
申请日： 2023-08-10 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种金属氧化物薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板，金属氧化物薄膜晶体管的制作方法包括：提供衬底；在衬底上沉积形成栅极；在衬底上形成覆盖栅极的栅极绝缘薄膜层，并对栅极绝缘薄膜层图案化形成栅极绝缘层；在栅极绝缘层沉积一层金属氧化物半导体薄膜；对金属氧化物半导体薄膜中的氧缺陷位置进行掺杂处理；在金属氧化物半导体薄膜上沉积一层蚀刻阻挡薄膜层；对蚀刻阻挡薄膜层蚀刻图案化形成蚀刻阻挡层；对金属氧化物半导体薄膜蚀刻图案化形成金属氧化物半导体层；以及沉积形成第二金属薄膜层，并对第二金属薄膜层图案化形成源极和漏极；其中，源极和漏极相互间隔并覆盖部分金属氧化物半导体层与金属氧化物半导体层接触连接。
金属氧化物薄膜晶体管及其制作方法阵列

[发明专利]来自次氧化物的自对准结构-CN201880057132.4有效
发明人： S·冈迪科塔;S·S·罗伊;A·B·玛里克 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2018-08-28 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：所述方法包括：在基板特征中形成金属次氧化物膜，以及氧化所述次氧化物膜以形成自对准结构，所述自对准结构包括金属氧化物。在一些实施例中，可沉积金属膜，并接着处理金属膜以形成金属次氧化物膜。在一些实施例中，可重复沉积和处理金属膜以形成金属次氧化物膜的工艺，直到在基板特征内形成预定深度的金属次氧化物膜为止。
来自氧化物对准结构

[发明专利]无银低辐射系数太阳能控制涂层-CN200680027341.1无效
发明人： D·A·斯特里克勒;S·瓦拉纳西 -专利权人：皮尔金顿北美公司
申请日： 2006-07-25 - 公布日： 2008-07-30 - 主分类号： C03C17/34 文献下载
摘要：多层、低辐射系数、太阳能控制制品包含介电基底，沉积在基底上的第一介电金属氧化物层，沉积在第一介电金属氧化物上的第一高导电无银金属氧化物层，和沉积在第一高导电无银金属氧化物层上的第二介电金属氧化物。
无银低辐射系数太阳能控制涂层

[发明专利]疏水涂层的制备方法，实施该方法的设备以及具有疏水涂层的载体-CN200580016655.7无效
发明人： A·霍里克特;H·蒙蒂高德;J·－C·吉伦 -专利权人：法国圣戈班玻璃厂
申请日： 2005-05-26 - 公布日： 2007-06-06 - 主分类号： C03C17/42 文献下载
摘要：在载体上，特别在玻璃载体上制备涂层的方法，其中在该载体上沉积金属氧化物薄层，让这个薄层经受蚀刻操作，使其表面变得粗糙，然后在变得粗糙的表面上涂布能与所述第一金属氧化物层粘附的第二涂层，根据本发明，第一金属氧化物或金属氧氮化物与至少一种第二金属氧化物或金属氧氮化物一起沉积，第二金属氧化物或金属氧氮化物分配在沉积层中。在蚀刻操作中，使用用等离子体活化的气体，该气体除去至少一种第二金属氧化物或金属氧氮化物少于第一金属氧化物或金属氧氮化物，从而蚀刻后在该表面上形成由至少一种第二金属氧化物或金属氧氮化物构成的凸起的不规则性
疏水涂层制备方法实施设备以及具有载体

[发明专利]电化学电池结构及其制造方法-CN200610163033.3无效
发明人：巴里·M·麦克格里高;石田方哉 -专利权人：精工爱普生株式会社
申请日： 2006-11-27 - 公布日： 2007-05-30 - 主分类号： H01L51/48 文献下载
摘要：本发明涉及一种形成用于电化学电池的、具有金属氧化物颗粒和粘合剂的金属氧化物层的方法，包括：沉积金属氧化物层；以及在金属氧化物层上沉积聚合物键合剂。另外，本发明涉及一种形成电化学电池的方法，包括：形成包括彼此间隔的多个相邻金属氧化物单元的金属氧化物层；以及向金属氧化物层上施加压力。此外，本发明涉及一种形成包括使用上述方法形成的金属氧化物层的电化学电池的方法。
电化学电池结构及其制造方法

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