专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种利用模具冲压成形C型金属封严环的方法-CN202310288047.1在审
  • 龚志辉 - 湖南大学
  • 2023-03-23 - 2023-07-21 - B21D53/18
  • 本申请涉及一种利用模具冲压成形C型金属封严环的方法,包括如下步骤:步骤1、根据C型金属封严环的截面设计尺寸,计算出C型金属封严环坯料的尺寸,并焊接成环形坯料;步骤2、根据C型金属封严环截面长度尺寸设计出截面为半圆的半圆环尺寸;步骤3、依据半圆环尺寸设计成形模具,加工出半圆环;步骤4、依据C型金属封严环的设计尺寸制造成形模具,加工出所需的C型金属封严环;步骤5、将所加工的C型金属封严环置于模具内,采用滚轮旋压的方式对开口处进行整形该方法实施简单,效率高,可以实现C型金属封严环的自动化生产。
  • 一种利用模具冲压成形金属封严环方法
  • [发明专利]一种高效金属熔滴湿润角测试仪-CN202310553310.5在审
  • 侯书增;张徽坤;伍志明;孙巍峰;程雪;翟博;谢宁;罗程远 - 四川轻化工大学
  • 2023-05-17 - 2023-08-01 - G01N13/00
  • 本发明提供了一种高效金属熔滴湿润角测试仪,包括箱体和机架,箱体置于机架上;金属样品处理结构,设置于箱体,金属样品处理结构至少包括夹持部和加热部;熔滴承载结构,设置于机架并置于箱体的底部;转动结构,与熔滴承载结构连接,以驱动熔滴承载结构转动;升降结构,与所述熔滴承载结构连接,以驱动所述熔滴承载结构上下移动进而调整金属熔滴的滴落高度;图像采集和处理装置,以对多个金属熔滴进行图像采集以及湿润角分析。用于测试金属熔体与被测样品板之间的湿润角,一次可测量多个金属熔滴样本、操作简单、可靠性高、加热效率高并且能加热高熔点金属、具有创造真空或保护性气氛环境等能力。
  • 一种高效金属湿润测试仪
  • [发明专利]微电极制备方法及微电极-CN202310302879.4在审
  • 李哲;左安昊;方儒卿 - 清华大学
  • 2023-03-23 - 2023-08-01 - B81C1/00
  • 该微电极制备方法包括:将金属探针放置于绝缘套管中;在所述金属探针的针尖处对所述绝缘套管加热;沿所述绝缘套管的轴向拉动所述绝缘套管,使所述绝缘套管在所述针尖处断裂,并露出所述针尖;剩余的所述绝缘套管熔化并粘接于所述金属探针的外壁采用金属探针制备微电极,金属探针具有针尖,采用加热拉伸方法将绝缘套管套设在金属探针的外壁,以在金属探针的外壁形成绝缘层,并使得金属探针的针尖露出,无需进行打磨即可作为微电极使用,简化制备过程,避免出现打磨导致的断裂问题
  • 微电极制备方法
  • [发明专利]一种金属减振器高周疲劳失效寿命测试与评估方法-CN202310288694.2在审
  • 彭云强;贾东;陈志;钟卫洲 - 中国工程物理研究院总体工程研究所
  • 2023-03-23 - 2023-08-11 - G01M13/00
  • 本发明公开了一种金属减振器高周疲劳失效寿命测试与评估方法,根据初始和试验结束时测量的剩余预紧量,结合减振器位移振幅~寿命演化曲线,可以预测出金属减振器剩余预紧量~寿命演化曲线;以金属减振器位移振幅等于剩余预紧量时的循环次数做为其疲劳失效寿命;借助金属减振器在不同载荷水平下获取的峰谷值位移~寿命曲线和剩余预紧量~寿命曲线绘制疲劳失效评定图,通过测量服役金属减振器剩余预紧量,可实现其剩余疲劳寿命评估;本发明可以很方便的测试或预测出金属减振器疲劳失效寿命,结合绘制的疲劳失效评定图,亦可实现服役金属减振器剩余疲劳寿命预测,该发明对于金属减振器结构安全性、可靠性评估具有重要意义。
  • 一种金属减振器疲劳失效寿命测试评估方法
  • [发明专利]半导体元件结构的制备方法-CN202211719278.5在审
  • 林诗恩;秦瑞临 - 南亚科技股份有限公司
  • 2022-12-30 - 2023-08-08 - H01L21/768
  • 该制备方法包括:提供一基底;在该基底上形成一第一金属化线及一第二金属化线,其中该第一金属化线及该第二金属化线沿一第一方向延伸;在该第一金属化线与该第二金属化线之间形成一第一隔离特征及一第二隔离特征,其中该第一金属化线、该第二金属化线、该第一隔离特征以及该第二隔离特征定义一孔径;形成一轮廓修饰子以修饰该孔径在平面视图中的轮廓;以及在该孔径内形成一触点特征。
  • 半导体元件结构制备方法

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