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[发明专利]接触电阻的测试版图及测试方法-CN202210272810.7在审
发明人：王学伟;杜青松 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2022-03-18 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本公开实施例提供一种接触电阻的测试版图及测试方法；其中，所述测试版图包括：有源层，所述有源层包括若干个有源区图案；第一接触栓塞层，所述第一接触栓塞层包括多个重复设置的第一接触栓塞图案；第二接触栓塞层，所述第二接触栓塞层包括多个重复设置的第二接触栓塞图案；第一金属层和第二金属层；所述有源层、所述第一接触栓塞层和所述第一金属层构成第一版图，所述第一版图用来形成第一接触栓塞结构；所述有源层、所述第一接触栓塞层、所述第一金属层、所述第二接触栓塞层和所述第二金属层构成第二版图，所述第二版图用来形成并联的第一接触栓塞结构和第二接触栓塞结构。
接触电阻测试版图方法

[发明专利]阻变存储器、存算器件、芯片及阻变存储器的制备方法-CN201911159814.9在审
发明人：许晓欣;吕杭炳;张锐;王侃文;刘明 -专利权人：华为技术有限公司;中国科学院微电子研究所
申请日： 2019-11-22 - 公布日： 2021-05-25 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本申请实施例公开了一种阻变存储器、存算器件、芯片及阻变存储器的制备方法，该阻变存储器包括：钨栓塞，用于连接与所述阻变存储器连接的晶体管；存储单元，用于存储数据，所述存储单元位于所述钨栓塞的上方并包括：金属栓塞，位于所述钨栓塞的上方，所述金属栓塞的轴向尺寸与径向尺寸的比值小于所述钨栓塞的轴向尺寸与径向尺寸的比值，所述金属栓塞作为所述存储单元的下电极；阻变层，位于所述金属栓塞的上方，用于存储数据；上电极，位于所述阻变层的上方由此，通过在钨栓塞上制备一个轴向尺寸与径向尺寸的比值较小的金属栓塞作为下电极，可以避免钨栓塞内部的孔洞影响阻变存储器的稳定性，提高了器件的可靠性。
存储器器件芯片制备方法

[发明专利]一种多功能液态金属栓塞剂及其制备和应用-CN201910107454.1有效
发明人：汪达伟;饶伟 -专利权人：中国科学院理化技术研究所
申请日： 2019-02-02 - 公布日： 2022-03-08 - 主分类号： A61L24/02 文献下载
摘要：本发明提供一种多功能液态金属栓塞剂及其制备和应用；所述多功能液态金属栓塞剂包括液态金属、功能性纳米颗粒和高分子材料；所述液态金属呈球状，构成栓塞剂的内核，在液态金属表面分散所述功能性纳米颗粒，所述高分子材料包覆在所述内核和功能性纳米颗粒的外部本发明提出的多功能液态金属栓塞剂，可以实现栓塞、CT成像、MRI成像、载药、热转换、磁性、等功能，有望实现将靶向的栓塞治疗与化疗、热疗、放疗相结合；本发明提出的多功能液态金属微球栓塞剂制备方法，为更加快速、便捷地制备多功能化、多疗效、诊疗一体的微球栓塞剂提供了可能。
一种多功能液态金属栓塞及其制备应用

[发明专利]半导体元件结构及其制备方法-CN202110514803.9在审
发明人：蔡子敬 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2021-05-10 - 公布日： 2021-11-12 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：该半导体元件结构包含半导体基底，具有图案密集区以及图案稀疏区；绝缘组件，界定出第一主动区以及第二主动区在图案密集区中；第一掺杂区以及第二掺杂区，位在第一主动区与第二主动区中；第一金属栓塞以及第二金属栓塞，第一金属栓塞设置在第一掺杂区上，第二金属栓塞设置在第二主动区中的第一掺杂区上；第三金属栓塞以及第四金属栓塞，设置在半导体基底的图案稀疏区上；以及介电层，设置在半导体基底的图案密集区与图案稀疏区上，介电层位在第一金属栓塞与第二金属栓塞之间的第一部分通过第一气隙与半导体基底分开设置，以及介电层位在第三金属栓塞与第四金属栓塞之间的第二部分直接接触半导体基底。
半导体元件结构及其制备方法

[发明专利]一种液态金属栓塞剂-CN202211401347.8在审
发明人：孙旭阳;高尚 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2022-11-09 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： A61L24/02 文献下载
摘要：本发明涉及医用材料，特别涉及一种液态金属栓塞剂。所述液态金属栓塞剂包括液态金属微球。所述液态金属微球由包括如下重量份的液态金属制备得到：铋5‑40份、铟15‑50份、锡5‑20份、锌0.1‑10份、镓2‑40份。本发明提出的新型液态金属栓塞剂，制备方式简便，栓塞效果佳，同时可联合化疗、热疗等肿瘤治疗方式实现高效治疗。另外该栓塞剂还具有CT成像、MRI成像以及热成像等功能。
一种液态金属栓塞

[发明专利]活性金属微球、基于活性金属微球的复合栓塞剂及其应用-CN202210469169.6在审
发明人：刘庄;程亮;巩飞;杨乃霖 -专利权人：刘庄;苏州大学
申请日： 2022-04-30 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： A61L24/02 文献下载
摘要：本发明提供了活性金属微球、基于活性金属微球的复合栓塞剂及其应用，属于医药技术领域。本发明所述复合栓塞剂由碘油和活性金属微球或纳米氢化物组成，其中碘油作为分散剂和保护剂，可以延缓活性金属微球或纳米氢化物与水反应速率。本发明涉及的活性金属微球以及纳米氢化物制备方法简单，可短时间内大批量制备。本发明所制备的复合栓塞剂经介入手术局部递送到肝癌组织，碘油沉积到肝癌组织引起栓塞治疗，同时活性金属或氢化物原位释放氢气诱发氢气治疗，从而放大栓塞治疗效果。本发明所述的复合栓塞剂利用活性金属或氢化物原位释放氢气、氢氧化物等调控肿瘤微环境，表现出比单纯碘油栓塞治疗更好的联合栓塞治疗效果。
活性金属基于复合栓塞及其应用

[发明专利]一种血管栓塞剂及其注射装置和用途-CN201310248676.8有效
发明人：王倩;刘静 -专利权人：清华大学
申请日： 2013-06-21 - 公布日： 2013-09-25 - 主分类号： A61K9/00 文献下载
摘要：一种血管栓塞剂，由液态金属和/或液态金属合金构成，所述液态金属和液态金属合金的熔点在60℃以下，密度大于血液密度，无毒，所述血管栓塞剂可混有纳米粒子或放射性元素或化疗药物，本发明同时提供了所述血管栓塞剂的注射装置，具有加热和测温功能，该血管栓塞剂同时可作为影像设备造影剂、肿瘤热疗增敏剂以及用于制备肿瘤放疗、化疗药物，栓塞剂在治疗后可以吸出血管。
一种血管栓塞及其注射装置用途

[实用新型]半导体装置-CN201821011027.0有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2018-06-28 - 公布日： 2019-02-19 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：本实用新型提供一种半导体装置，该半导体装置包括一晶圆，晶圆包含基板和在基板上的绝缘层，绝缘层具有空洞；在绝缘层上形成金属层，金属层在空洞里面填充形成为金属栓塞，金属栓塞的顶面凹陷于绝缘层的上表面的深度在100纳米以内，利用金属栓塞的顶面和绝缘层的上表面经由化学机械研磨的主研磨步骤和后研磨步骤所达成。本实用新型有效改善了金属栓塞凹陷缺陷，提升了金属栓塞导电性能，提高了产品成品率。
绝缘层金属栓塞半导体装置本实用新型金属层上表面顶面基板晶圆空洞化学机械研磨产品成品率凹陷缺陷导电性能研磨主研磨填充

[发明专利]半导体器件、形成栓塞的方法-CN201010608248.8有效
发明人：张海洋;林益世 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2010-12-27 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种半导体器件、形成栓塞的方法，形成栓塞的方法包括：提供第一衬底；在第一衬底上依次形成剥离层和金属层；利用压印模具拓印金属层，形成位于剥离层上的金属凸柱；形成碳单原子层，覆盖金属凸柱的表面；形成粘附层，覆盖碳单原子层的表面以及剥离层暴露的表面；去除剥离层；转移金属凸柱和粘附层至第二衬底上，第二衬底为半导体衬底，第二衬底中形成有器件结构；去除粘附层；在金属凸柱之间形成超低k介质层，位于超低k介质层中的金属凸柱以及位于金属凸柱表面的碳单原子层作为栓塞，栓塞与器件结构电连接。本发明形成的栓塞，比铜、钨作为材料的栓塞具有更好的导电性，可以降低RC延迟，提高半导体器件的性能，促进半导体技术的发展。
半导体器件形成栓塞方法

[实用新型]一种用于金属壳绝缘涂装的栓塞-CN202022556674.3有效
发明人：岩间敏一 -专利权人：众智达汽车部件（常州）有限公司
申请日： 2020-11-06 - 公布日： 2021-08-27 - 主分类号： B05B12/24 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于金属壳绝缘涂装的栓塞，它包括栓塞本体、空气管和导线，所述栓塞本体的轴向开设有通气孔和导线孔，所述空气管的一端插接在通气孔内，所述空气管的另一端位于栓塞本体的外侧，所述导线插接在导线孔内并且贯穿整个栓塞本体本实用新型提供一种用于金属壳绝缘涂装的栓塞，它可以在金属壳不产生变形的情况下进行封闭，封闭结构连接牢固，拆装方便，成本更低。
一种用于金属绝缘栓塞

[发明专利]一种栓塞材料及其制备方法和用途-CN201310513272.7有效
发明人：范田园;周双;卢晓静 -专利权人：北京大学
申请日： 2013-10-25 - 公布日： 2014-01-29 - 主分类号： A61L31/04 文献下载
摘要：本发明提供一种栓塞材料及其制备方法和用途，该栓塞材料由反应物原料制成，所述反应物原料包括：1重量份的海藻酸钠及0.1重量份以上的磁性金属离子，其中，海藻酸钠与磁性金属离子形成配合物。本发明的栓塞材料使医生在栓塞术中和术后能够通过MRI直接地监测栓塞剂所处位置，提高了栓塞治疗的疗效和安全性。
一种栓塞材料及其制备方法用途

[发明专利]一种栓塞剂及其制备方法-CN202010576097.6有效
发明人：王玉峰;王莹莹;梁志兴;邱海平 -专利权人：珠海神平医疗有限公司
申请日： 2020-06-22 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： A61K9/02 文献下载
摘要：本发明属于医药技术领域，具体涉及一种栓塞剂及其制备方法。栓塞剂包括紫胶形成的栓塞主体或者紫胶改性的聚乙烯醇缩丁醛形成的栓塞主体，所述栓塞主体中包载有金属微粒显影剂。本方案通过使用紫胶作为栓塞主体，解决了现有的栓塞剂由于含有二甲基亚砜等物质对血管刺激性强的技术问题。本方案通过对栓塞主体进行紫胶改性处理，解决了其负载的金属微粒逃逸的技术问题，并且可以实现栓塞治疗、放疗和化疗等治疗方式的联合。本方案的液态栓塞剂可以用于肿瘤治疗和出血性血管疾病的治疗中。
一种栓塞及其制备方法

[发明专利]密封组件-CN201210229754.5有效
发明人： B·R·陶尔 -专利权人：卡特彼勒公司
申请日： 2012-06-28 - 公布日： 2013-01-02 - 主分类号： F02F11/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有栓塞部件和负荷部件的两件式密封组件。栓塞部件包括能够形成金属对金属密封的突出部或咬边。负荷部件被旋转就位，使得其提供对栓塞部件的轴向力并提高金属对金属密封的质量。来自负荷部件的旋转力因零力矩接合部没有被传递给栓塞部件。因此，本发明的密封组件能够在高压下密封并避免在密封区域形成泄漏路径。
密封组件

[发明专利]一种铜制程整合无源器件制造工艺及其制成的无源器件-CN201310077668.1有效
发明人：王伟;谢红梅 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-03-11 - 公布日： 2017-12-29 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种铜制程整合无源器件制造工艺及其制成的无源器件，该工艺包括在Si晶圆衬底上生长一层绝缘基底，再由下至上依次制备第一金属层、第一绝缘层、第二金属层、第二绝缘层；第三绝缘层、第三金属层、绝缘介质层、钝化保护层；在第二绝缘层上制作穿透第二绝缘层且延伸至第二金属层的第一栓塞导通孔和穿透第二绝缘层且延伸至第一金属层的第二栓塞导通孔；将铜填入第一栓塞导通孔和第二栓塞导通孔中；在第三绝缘层中正对第一栓塞导通孔和第二栓塞导通孔的位置处制作穿透第三绝缘层的延长通孔，并在延长通孔中填入金属铜。本发明将Cu作为连接金属栓塞导通第一金属层和位于延长通孔中的金属铜，增加了金属层的厚度，提高了Q值，节省了成本。
一种铜制整合无源器件制造工艺及其制成

[发明专利]半导体装置与半导体装置形成方法-CN201710600507.4有效
发明人：王喻生;林钰庭 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-07-21 - 公布日： 2023-01-06 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体装置，包括：金属硅化物区域，形成于半导体材料中，金属硅化物区域包括第一材料及第二材料，第一材料包括金属，第二材料包括氯、氟或其组合，金属硅化物区域的最上部有具有第一浓度的第二材料；盖层，于金属硅化物区域及接触栓塞开口的侧壁上；以及接触栓塞，形成于盖层之上，填充接触栓塞开口。
半导体装置形成方法

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