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[发明专利]多端子氮化镓功率晶体管-CN202180089113.1在审
发明人：吉尔伯托·库拉托拉 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2021-01-11 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H01L29/417 文献下载
摘要：本发明涉及一种氮化镓(Gallium Nitride，GaN)功率晶体管(100、300、500、600)，包括：源极焊盘(S)；漏极焊盘(D)；第一栅极焊盘(G1)和第二栅极焊盘(GN)；多个单元块(101)，每个单元块包括源极区(120)、漏极区(130)和栅极区(110)；源极金属化层，所述源极金属化层使所述多个单元块(101)的所述源极区(120)与所述源极焊盘(S)接触；漏极金属化层(115)，所述漏极金属化层(115)使所述多个单元块(101)的所述漏极区(130)与所述漏极焊盘(D)接触；第一栅极金属化层，所述第一栅极金属化层使所述单元块(101)的第一部分的所述栅极区(110)与所述第一栅极焊盘(G1)接触；第二栅极金属化层，所述第二栅极金属化层使所述单元块(101)的第二部分的所述栅极区(110
多端氮化功率晶体管

[发明专利]接触结构-CN201910112883.8在审
发明人：朴灿鲁;蔡东辰 -专利权人：格芯公司
申请日： 2019-02-13 - 公布日： 2019-09-17 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：所述方法包括：使位于邻近栅极结构之间并且位于源极/漏极金属化的金属化覆盖层下方的隔离区凹陷；将所述金属化覆盖层平面化至所述邻近栅极结构的水平；以及形成在所述邻近栅极结构的侧面上并且在所述邻近栅极结构上方延伸的到所述源极/漏极金属化的源极/漏极接触。
栅极结构金属化源极/漏极接触结构邻近覆盖层半导体结构隔离区平面化凹陷侧面延伸制造

[发明专利]用于激光雷达应用的改进的电子设备-CN202210356417.6在审
发明人： A·F·M·皮扎迪;S·A·斯梅兹;F·尤克拉诺;R·莱托 -专利权人：意法半导体股份有限公司;意法半导体(鲁塞)公司
申请日： 2022-03-30 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： G01S7/481 文献下载
摘要：电子设备能够被耦合到多个激光二极管并且包括控制开关，控制开关具有被耦合到漏极金属化结构的漏极并且具有被耦合到第一源极金属化结构的源极，第一源极金属化结构能够被电耦合到激光二极管的阴极。多个第一开关中的每个具有被耦合到漏极金属化结构的漏极和被耦合到相应第二源极金属化结构的源极，第二源极金属化结构能够被耦合到激光二极管的阳极。第二源极金属化结构在对准方向上彼此对准，在与对准方向正交的方向上覆盖第一开关的相应源极，并且能够在与对准方向正交的方向上对准相应激光二极管。第一开关的源极中的至少一个源极能够在与对准方向正交的方向上对准相应激光二极管。
用于激光雷达应用改进电子设备

[实用新型]电子设备、激光驱动模块、激光照明模块和激光雷达装置-CN202220730718.6有效
发明人： A·F·M·皮扎迪;S·A·斯梅兹;F·尤克拉诺;R·莱托 -专利权人：意法半导体股份有限公司;意法半导体(鲁塞)公司
申请日： 2022-03-30 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： H01S5/042 文献下载
摘要：电子设备能够被耦合到多个激光二极管并且包括控制开关，控制开关具有被耦合到漏极金属化结构的漏极并且具有被耦合到第一源极金属化结构的源极，第一源极金属化结构能够被电耦合到激光二极管的阴极。多个第一开关中的每个具有被耦合到漏极金属化结构的漏极和被耦合到相应第二源极金属化结构的源极，第二源极金属化结构能够被耦合到激光二极管的阳极。第一开关的源极中的至少一个源极能够在与对准方向正交的方向上对准相应激光二极管。本公开能够最小化寄生电感和整体尺寸，并且优化热性能、可靠性和整体成本。
电子设备激光驱动模块照明激光雷达装置

[发明专利]具有凹洞板互联的半导体封装-CN200880001385.6有效
发明人：孙明;石磊;刘凯 -专利权人：万国半导体股份有限公司
申请日： 2008-04-30 - 公布日： 2010-06-02 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：此封装包含有引线框架、半导体芯片、图案化源极连接、半导体芯片漏极区域与封装材料，引线框架具有漏极引脚、源极引脚和栅极引脚，半导体芯片耦合到引线框架上，并具有若干金属化源极区域和一个金属化栅极区域，图案化源极连接上形成有若干个凹洞，并用以使栅极引脚至半导体芯片的金属化栅极区域连接，半导体芯片漏极区域耦接于漏极引脚，而封装材料覆盖于至少一部分的半导体芯片、漏极引脚、源极引脚与栅极引脚。
具有凹洞板互联半导体封装

[发明专利]具有凹洞板互连的半导体封装-CN201110354530.2有效
发明人：孙明;石磊;刘凯 -专利权人：万国半导体股份有限公司
申请日： 2008-04-30 - 公布日： 2012-02-08 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：此封装包含有引线框架、半导体芯片、图案化源极板、半导体芯片漏极区域与封装材料，引线框架具有漏极引脚、源极引脚和栅极引脚，半导体芯片耦合到引线框架上，并具有若干金属化源极区域和一个金属化栅极区域，图案化源极板上形成有若干个凹洞，并用以使栅极引脚至半导体芯片的金属化栅极区域连接，半导体芯片漏极区域耦接于漏极引脚，而封装材料覆盖于至少一部分的半导体芯片、漏极引脚、源极引脚与栅极引脚。
具有凹洞互连半导体封装

[发明专利]具有氮化硅阻挡层的SGT器件及制备方法-CN202110477496.1有效
发明人：李泽宏;莫家宁;王彤阳;叶俊;肖璇 -专利权人：电子科技大学;无锡华润华晶微电子有限公司
申请日： 2021-04-29 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明提供一种具有氮化硅阻挡层的SGT器件及制备方法，包括从下至上依次层叠设置的金属化漏极、N+衬底、N‑漂移区和金属化源极；N‑漂移区中具有沟槽栅结构、P型掺杂区、P+重掺杂区和N+重掺杂区；沟槽栅结构包括氧化层、控制栅电极、氮化硅阻挡层和屏蔽栅电极；当器件正向导通时，控制栅电极接正电位，金属化漏极接正电位，金属化源极接零电位；当器件反向阻断时，控制栅电极和金属化源极短接且接零电位，金属化漏极接正电位；本发明具有较大的正向电流
具有氮化阻挡 sgt 器件制备方法

[发明专利]半导体结构-CN200810080434.1有效
发明人：柯志欣;陈宏玮;葛崇祜;官大明;李文钦 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2008-02-19 - 公布日： 2008-11-12 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体结构，包括：半导体基底；栅介电层，位于半导体基底上；栅极，位于栅介电层上；深源极/漏极区，邻近栅极；硅化物区，位于深源极/漏极区上；以及，增高式金属化源极/漏极区，介于硅化物区与栅极之间其中，增高式金属化源极/漏极区邻接硅化物区。本发明可增加MOS元件的驱动电流与降低漏电流。
半导体结构

[发明专利]电荷补偿半导体器件-CN201310747469.7有效
发明人： S.加梅里特;F.希尔勒;H.韦伯 -专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2013-12-31 - 公布日： 2017-09-26 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种半导体器件具有源极金属化部、漏极金属化部以及半导体主体。该半导体主体包括与漏极金属化部接触的第一导电性类型的漂移层、在最大掺杂浓度方面高于漂移层的第一导电性类型的缓冲（和场阻止）层以及第二导电性的多个补偿区，每个与漂移和缓冲层形成pn结并与源极金属化部进行接触每个补偿区包括在第二部分与源极金属化部之间的第一部分。第一部分和漂移层形成具有等于零的净掺杂的第一区域。第二部分和缓冲层形成第一导电性的第二区域。当在漏极和源极金属化部之间施加器件击穿电压的超过30%的反向电压时，在第二区域中形成空间电荷区。
电荷补偿半导体器件

[发明专利]JFET及其制造方法-CN201510111462.5有效
发明人： J.P.康拉特;C.奥夫拉尔;H-J.舒尔策;R.希米尼克 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2015-03-13 - 公布日： 2018-11-13 - 主分类号： H01L29/808 文献下载
摘要：源极金属化和栅极金属化被布置在第一表面上。漏极金属化被布置在第二表面上。在与第一表面基本上正交的横截平面中，半导体基体包含：与源极金属化和漏极金属化欧姆接触的第一半导体区；与栅极金属化欧姆接触、彼此间隔开并且与第一半导体区形成相应的第一pn结的至少两个第二半导体区；以及与第一半导体区形成第二该至少一个基体区与源极金属化欧姆接触。该至少一个基体区的至少部分在到第一表面上的投影中被布置在两个第二半导体区之间。
jfet 及其制造方法

[发明专利]源漏完全硅金属化的场效应晶体管及其制造方法-CN202010174767.1有效
发明人：吴健 -专利权人：上海晶丰明源半导体股份有限公司
申请日： 2020-03-13 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本发明涉及一种源漏完全硅金属化的场效应晶体管及其制造方法，属于涉及半导体技术领域。采用了该发明的源漏完全硅金属化的场效应晶体管，其高压器件源极侧N+掺杂区的大小由制程中所采用的第二侧墙层的大小决定，因此，其Lnp可足够小且尺寸均匀，同时，源极侧也可被硅金属化，电阻更小，且本发明的源漏完全硅金属化的场效应晶体管的制造方法可通过采用标准制程实现
完全金属化场效应晶体管及其制造方法

[发明专利]功率半导体芯片的铜金属化结构及其制作方法-CN201410213221.7有效
发明人：刘国友;覃荣震;黄建伟 -专利权人：株洲南车时代电气股份有限公司
申请日： 2014-05-20 - 公布日： 2014-07-30 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：本发明提供了一种功率半导体芯片的铜金属化结构及其制作方法。所述功率半导体芯片包括发射极/源极区、栅极区和集电极/漏极区，在每一个电极区对应铜金属化结构依次包括阻挡层、籽铜层、铜金属化层，该铜金属化结构还包括增强层，其中，增强层位于籽铜层和铜金属化层之间，或者，增强层位于阻挡层和籽铜层之间，或者，增强层位于铜金属化层的上方。这种铜金属化结构能够减少铜金属化层的厚度，因而有利于降低铜金属化的工艺难度和成本，并且能够保证铜引线键合点的寿命与可靠性。
功率半导体芯片金属化结构及其制作方法

[发明专利]源极/漏极结构上方具有接触件的半导体结构及其形成方法-CN201510530224.8有效
发明人：巫凯雄;鬼木悠丞 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2015-08-26 - 公布日： 2018-08-28 - 主分类号： H01L29/66 文献下载
摘要：该方法包括在衬底中形成源极/漏极结构以及在源极/漏极结构上方形成金属层。用于制造半导体结构的方法还包括实施退火工艺，从而使得部分金属层与源极/漏极结构反应，以在源极/漏极结构上形成金属化层。用于制造半导体结构的方法还包括实施蚀刻工艺以去除金属化层上的金属层的未反应的部分，以及在金属化层上方形成接触件。本发明实施例还涉及源极/漏极结构上方具有接触件的半导体结构及其形成方法。
源极结构上方具有接触半导体及其形成方法

[发明专利]半导体组件及半导体封装-CN202010123545.7在审
发明人： G.内鲍尔;A.米尔钱达尼 -专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2020-02-27 - 公布日： 2020-09-04 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：第二半导体器件包括第一晶体管器件，该第一晶体管器件具有源极电极、栅极电极和漏极电极、前表面和后表面。前金属化位于第二半导体器件的前表面上，并且后金属化位于第二半导体器件的后表面上。前金属化包括耦合到源极电极的第一电源接触垫，第一电源接触垫安装在管芯垫上。后金属化包括电耦合到漏极电极的第二电源接触垫和与第二电源接触垫和漏极电极电绝缘的辅助横向再分布结构。
半导体组件封装

[发明专利]具有薄板内联机的半导体封装-CN200680033342.7有效
发明人：孙明;石磊;何约瑟;刘凯;张晓天 -专利权人：万国半导体股份有限公司
申请日： 2006-09-12 - 公布日： 2008-09-10 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体封装，包括一具有漏极、源极、栅极引脚的导线架，一半导体晶粒耦合该导线架，半导体晶粒具有金属化源极区域与栅极区域，其藉由一保护区域分开，一图案化源极连接，其耦合源极引脚至半导体晶粒金属化栅极区域，一半导体晶粒汲极区域耦合至漏极引脚，及一封装体覆盖半导体晶粒及漏极、源极与栅极引脚的至少一部分。
具有薄板联机半导体封装

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