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[发明专利]重结晶用的碳化硅微粉的生产方法-CN201310420115.1有效
发明人：刘长春;任江;任霞;其他发明人请求不公开姓名 -专利权人：大连长信碳化硅微粉有限公司
申请日： 2013-09-03 - 公布日： 2014-01-01 - 主分类号： C01B31/36 文献下载
摘要：重结晶用碳化硅微粉的生产方法，属于碳化硅粉化工领域，经过改性后的碳化硅微粉，在配制重结晶泥浆时，需水量小于等于15％，适合注浆等工艺成型，烧结后的重结晶碳化硅制品体积密度在2.65g/cm3以上，在20成型性均能达到了国外先进水平，能很好的应用在重结晶碳化硅窑具上。
重结晶碳化硅生产方法

[实用新型]一种重结晶钛-碳化硅陶瓷膜过滤装置-CN202320066914.2有效
发明人：刘磊;权晓艳;郭益志 -专利权人：西安力致节能环保科技有限公司
申请日： 2023-01-10 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： B01D61/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种重结晶钛‑碳化硅陶瓷膜过滤装置，包括过滤装置主体（1）、化学清洗装置（2）和产水箱（3），所述过滤装置主体（1）包括进水泵（1‑1）、前置过滤器（1‑2）、重结晶钛‑碳化硅膜柱（1‑3）和反洗压力柱（1‑4），进水泵（1‑1）输出端连接前置过滤器（1‑2），前置过滤器（1‑2）输出端连接重结晶钛‑碳化硅膜柱（1‑3），重结晶钛‑碳化硅膜柱（1‑3）连接反洗压力柱（1‑4），所述重结晶钛‑碳化硅膜柱（1‑3）的化学清洗端连接化学清洗装置（2），重结晶钛‑碳化硅膜柱（1‑3）的产水端连接产水箱（3）。
一种重结晶碳化硅陶瓷膜过滤装置

[发明专利]重结晶碳化硅制品专用碳化硅粒度砂生产方法-CN200910256513.8无效
发明人：刘士文;郑明金;秦洪亮;秦祥生;王勇 -专利权人：昌乐鑫源碳化硅微粉有限公司
申请日： 2009-12-15 - 公布日： 2010-06-23 - 主分类号： C01B31/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种重结晶碳化硅制品专用碳化硅粒度砂生产方法，为将中位径80-100μm的碳化硅粒度砂经整形处理、分离、提纯、水洗、脱水、烘干得表面圆滑的重结晶碳化硅制品专用碳化硅粒度砂。采用本发明的生产方法生产重结晶碳化硅制品专用碳化硅粒度砂，方法简单易行，便于操作，生产的粒度砂粒度集中、流性动好、振实密度大、杂质少、无细粉、且采用本方法生产的所有碳化硅的表面圆滑，外形都是近球形，用于重结晶碳化硅制品生产
重结晶碳化硅制品专用粒度生产方法

[发明专利]重结晶碳化硅制品等静压成型工艺-CN201911321859.1在审
发明人：刘骏 -专利权人：湖南太子新材料科技有限公司
申请日： 2019-12-20 - 公布日： 2021-06-22 - 主分类号： C04B35/565 文献下载
摘要：本发明属于重结晶碳化硅制品成型领域，尤其涉及重结晶碳化硅制品等静压成型工艺。本发明提供的重结晶碳化硅制品等静压成型工艺，包括以下步骤：将如下重量份的原料混合：碳化硅粒度砂70‑85份，碳化硅微粉15‑30份，粘接剂0.7‑2份；将混合料装袋封口；将混合料等静压成型，压力为175‑240MPa，得到素坯；将素坯保压，保压时间为120‑170s，得到生坯；将生坯分别进行卸压、开盖取出、毛坯加工和烧结，得到重结晶碳化硅制品。本发明制得的碳化硅制品素坯中配入的粒度砂和微粉分布均匀、结合紧密，致密化的素坯，颗粒紧密接触，容易烧结，烧结制品的密度高，重结晶碳化硅制品的性能和附加值高。
重结晶碳化硅制品静压成型工艺

[发明专利]重结晶用碳化硅微粉的表面改性方法-CN201610392565.8有效
发明人：郝文虎;龚志刚;马光明;韩宇;张霞;龚星宇;陈冠宇;于棋;闫凡龙;尹丽娜;刘文兵 -专利权人：山田研磨材料有限公司;山东山田新材科研有限公司
申请日： 2016-06-02 - 公布日： 2018-11-16 - 主分类号： C04B35/565 文献下载
摘要：本发明公开了一种重结晶用碳化硅微粉的表面改性方法，属于碳化硅生产技术领域。解决了现有技术成本高、生产周期长、劳动强度大，所得产品在配制重结晶用碳化硅泥浆时固含量较低，不能用于注浆等工艺成型的问题。其包括以下步骤：将混合改性剂和电导率为30‑50μs/cm的去离子水加入搅拌桶中混合搅拌20‑50分钟；取碳化硅微粉加入搅拌桶，搅拌混合20‑50分钟；取碳化硅研磨介质加入搅拌桶，混合搅拌55‑60小时；将搅拌好的物料过筛，筛除碳化硅研磨介质；将筛除碳化硅研磨介质的物料烘干、破碎后过300‑500目筛即得改性重结晶用碳化硅微粉。本发明可用于对重结晶用碳化硅微粉进行表面改性。
重结晶碳化硅表面改性方法

[实用新型]碳化硅单晶生长装置-CN202120795447.8有效
发明人：付芬;张洁;王旻峰;邓树军;汪良 -专利权人：福建北电新材料科技有限公司
申请日： 2021-04-19 - 公布日： 2021-12-14 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本申请提供一种碳化硅单晶生长装置，包括坩埚主体、坩埚盖体和重结晶抑制件，坩埚主体设有容置槽，坩埚盖体与坩埚主体活动连接，用于打开或关闭容置槽的槽口；容置槽用于容纳碳化硅原料，坩埚盖体朝向容置槽的一侧用于设置碳化硅籽晶；重结晶抑制件设有凹槽以及供气体流动的通道，重结晶抑制件用于设于碳化硅原料的表面，且凹槽的槽口朝向碳化硅籽晶并与碳化硅籽晶具有间距。碳化硅粉料的利用率高，降低生长成本。
碳化硅生长装置

[实用新型]一种化合物半导体单晶生长用BN和碳化硅复合结构坩埚-CN201020277364.1有效
发明人：何军舫;房明浩;刘艳改;黄朝晖 -专利权人：北京博宇半导体工艺器皿技术有限公司
申请日： 2010-08-02 - 公布日： 2011-06-29 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种化合物半导体单晶生长用BN/碳化硅复合坩埚。本实用新型的BN/碳化硅复合坩埚，其特征在于：所述的坩埚由外部重结晶碳化硅支撑层和内部与化合物半导体接触的热解BN内层构成，重结晶碳化硅支撑层的厚度范围为10mm-35mm，热解BN内层的厚度范围为5μm这种坩埚的优点在于：1、热解BN层薄，厚度可以小于1mm，制备成本较低；2、重结晶碳化硅支撑层强度高可以获得更大尺寸坩埚；3、使用后可以容易的实现热解BN层和重结晶碳化硅陶瓷支撑层的分离，在重结晶碳化硅陶瓷支撑层内壁可以再次制备热解
一种化合物半导体生长 bn 碳化硅复合结构坩埚

[发明专利]ITO板状靶材高温烧结用高纯度重结晶碳化硅陶瓷的生产方法-CN201811648655.4在审
发明人：郭啸鹏;郭玉广;刘啸龙 -专利权人：唐山富达莱新材料有限公司
申请日： 2018-12-30 - 公布日： 2019-04-26 - 主分类号： C04B35/565 文献下载
摘要：本发明涉及碳化硅特种陶瓷的技术领域，本发明涉及碳化硅特种陶瓷的技术领域，尤其是一种ITO板状靶材用高纯度重结晶碳化硅陶瓷的生产方法。在重结晶碳化硅原材料的基础上，添加占原材料总质量比0.1％～5％的硅溶胶；利用石膏模具注浆成型获得所需形状的坯体；坯体干燥后，通过高温烧结为陶瓷制品，高温炉内烧成温度为2500℃。与现有技术相比，本发明不仅去除了原材料中的杂质有机碳，提高了重结晶碳化硅陶瓷的纯度，而且又提高了重结晶碳化硅陶瓷的密度，延长了使用寿命。
重结晶碳化硅陶瓷板状靶材高温烧结特种陶瓷高纯度碳化硅坯体干燥石膏模具使用寿命陶瓷制品注浆成型高温炉硅溶胶有机碳质量比坯体烧成生产

[实用新型]一种多工位旋转炉-CN202222529706.X有效
发明人：李永法 -专利权人：洛阳鲁威窑炉有限公司
申请日： 2022-09-23 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： F27B7/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种多工位旋转炉，包括管式电路炉体和控制柜，管式电路炉体上设置有重结晶碳化硅管，重结晶碳化硅管两端延伸出管式电路炉体，重结晶碳化硅管两端分别连接有左法兰和右法兰，管式电路炉体外面靠近左法兰和右法兰的所在位置分别固定有左法兰支架和右法兰支架本实用新型现有旋转炉的重结晶碳化硅管没有主动送料措施，导致送料进重结晶碳化硅管时物料容易堆积在进料口，堆积的物料影响烧结效果，造成烧结失败或烧结出料的物料不满足需求。
一种多工位旋转

[发明专利]一种利用粉石英加工碳化硅重结晶烧结高纯陶瓷磨料的方法-CN201911240719.1有效
发明人：朱忠铜;李若普;李业平;廖述斌 -专利权人：江西拓普准晶新材料股份有限公司
申请日： 2019-12-06 - 公布日： 2021-08-24 - 主分类号： C04B35/565 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用粉石英加工碳化硅重结晶烧结高纯陶瓷磨料的方法，将粉石英、石墨粉按重量比1:0.7混合均匀，通过焙烧炉中进行加热至1700‑1800℃，保温进行碳化生成立方碳化硅粉体；然后将步骤一的碳化硅粉体和未反应的粉石英及石墨粉混合物再次进行搅拌混合，混合均匀后，再放入石墨化炉中进行加热，加热至2900‑3000℃，保温进行重结晶烧结生成碳化硅颗粒；然后清洗、干燥、破碎并分级得到碳化硅磨料。本发明利用粉石英与石墨混合进行碳化来合成碳化硅粉体，然后再通过对碳化硅粉体与粉石英及石墨粉混合再进行重结晶烧结，制作成高纯碳化硅陶瓷磨料，可以极大的提高碳化硅陶瓷磨料的硬度和强度。
一种利用石英加工碳化硅重结晶烧结高纯陶瓷磨料方法

[发明专利]一种高纯碳化硅粉及其制备方法-CN201910483306.X有效
发明人：靳婉琪;耶夫亨·布乐琴科;王超;贾河顺;王雅儒 -专利权人：山东天岳先进科技股份有限公司
申请日： 2019-06-04 - 公布日： 2021-02-19 - 主分类号： C01B32/956 文献下载
摘要：本申请公开了一种高纯碳化硅粉及其制备方法，属于半导体材料制备领域。该高纯碳化硅粉的制备方法包括下述步骤：提供β碳化硅粉和/或α碳化硅粉作为初碳化硅粉料；将初碳化硅粉料重结晶，制得碳化硅多晶块；将碳化硅多晶块除碳提纯，制得高纯碳化硅粉；所述重结晶的温度不低于2500℃。本申请通过重结晶的方法提高制得的高纯碳化硅粉的纯度，无需经过湿法冶金或酸洗步骤除杂，污染小、毒性小、操作性高；并且纯碳化硅粉在600‑799℃下通氧气的除碳提纯步骤使得碳化多晶块的去碳效果好、制得的高纯碳化硅粉的氧化程度低，高纯碳化硅粉用于生长碳化硅单晶的氧杂质影响小；该制备方法可制得纯度不低于99.9999％的高纯碳化硅粉，且高纯碳化硅粉的粒度可控。
一种高纯碳化硅及其制备方法

[发明专利]重结晶碳化硅制品成型及烧结工艺-CN201911321857.2在审
发明人：刘骏 -专利权人：湖南太子新材料科技有限公司
申请日： 2019-12-20 - 公布日： 2021-06-22 - 主分类号： C04B35/565 文献下载
摘要：本发明属于重结晶碳化硅制品成型领域，尤其涉及重结晶碳化硅制品成型及烧结工艺，包括以下步骤：将如下重量份的原料混合：细SiC粉末20‑50份，粗SiC颗粒80‑50份，以获得混合料；把混合料加入适量的去离子水，添加混合料质量的0％‑0.6％的分散剂；将浆料注浆成型；将SiC坯体放入烧结炉内烧结，得到重结晶碳化硅制品。本发明能够把固相含量控制在60％‑69％之间，减小SiC颗粒之间的距离，在注浆成型失水的过程中，细SiC粉末能够通过短距离移动填充孔隙，使致密度提高，产生的孔隙分布均匀，能获得较高的坯体密度，坯体的颗粒堆积均匀，孔隙率较小，重结晶碳化硅制品的密度大，结晶碳化硅制品的性能较高。
重结晶碳化硅制品成型烧结工艺

[实用新型]一种重结晶碳化硅烧结装置-CN202020620817.X有效
发明人：李利东;付官星;张文举 -专利权人：郑州锦荣耐磨材料有限公司
申请日： 2020-04-22 - 公布日： 2021-02-12 - 主分类号： F27D17/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种重结晶碳化硅烧结装置，属于烧结装置技术领域，其包括重结晶碳化硅烧结炉，所述重结晶碳化硅烧结炉的上表面与第一连接管的底端相连通，所述第一连接杆的另一端设置有弯头，所述弯头的上表面固定连接有驱动装置该重结晶碳化硅烧结装置，通过电机、排风扇叶、电机、螺旋叶片和微生物反应液之间的相互配合，使得该烧结装置可以有效的将重结晶碳化硅烧结炉产生的有机气体进行吸收处理，使得工作人员不易将过多的有机气体吸入体内，
一种重结晶碳化硅烧结装置

[发明专利]碳化硅晶体生长坩埚及生长方法-CN202111361145.0在审
发明人：杨弥珺;赵新田 -专利权人：宁波合盛新材料有限公司
申请日： 2021-11-17 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本发明公开一种碳化硅晶体生长坩埚，通过设置石墨柱将碳化硅颗粒原料隔开或采用石墨腔体分装碳化硅颗粒原料的方式将碳化硅颗粒原料分堆隔开，可减缓碳化硅晶体生长过程中陶瓷体的重结晶，避免陶瓷体由于重结晶导致其气孔道堵塞，同时碳化硅颗粒原料与碳化硅颗粒原料之间以及碳化硅颗粒原料与石墨体(石墨柱外壁或石墨腔体内壁)之间形成用于碳化硅气相流动的输送通道，该输送通道能够实现碳化硅气相高效输送，进而延长碳化硅晶体的长晶时间，提高碳化硅晶体的长晶效率本发明还提出一种碳化硅晶体生长方法，可实现气流高效输送，提高长晶效率，避免高密度无孔道的陶瓷体的产生。
碳化硅晶体生长坩埚生长方法

[发明专利]一次性重结晶圆环状碳化硅加热盘及其制备方法-CN202310572540.6在审
发明人：刘娜 -专利权人：山东鑫亿新材料科技有限公司
申请日： 2023-05-18 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： C04B35/565 文献下载
摘要：本发明属于加热盘及其制备方法的技术领域，具体涉及一次性重结晶圆环状碳化硅加热盘及其制备方法。本发明所述的一次性重结晶圆环状碳化硅加热盘，是由以下原料按照质量百分比制成的：碳化硅：95.3‑97.98％；氮化硼：0.02‑0.20％；水溶胶：2.0‑4.5％；所述的水溶胶为糖和聚乙烯醇的混合物。本发明提供的一次性重结晶圆环状碳化硅加热盘，电气性能稳定性好，合格率高；本发明还提供其制备方法。
一次性重结晶圆环碳化硅加热及其制备方法

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