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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]具有磁性装置的集成电路芯片-CN200710166937.6无效
发明人： T·A·阿甘;J·赖锜 -专利权人：北极光股份有限公司
申请日： 2007-11-05 - 公布日： 2009-02-25 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：提供一逻辑栅阵列，逻辑栅包含一硅基板，位于硅基板上的第一逻辑栅层，位在第一逻辑栅层之上的第二逻辑栅层，与一连接线层介于第一和第二逻辑栅层之间，用以连接第一和第二逻辑栅层的磁栅，其中第一逻辑栅层、第二逻辑栅层和连接线层都以介层窗电性连接
具有磁性装置集成电路芯片

[发明专利]系统构建方法、装置以及存储介质-CN202210977457.2在审
发明人：张雷;陈凌云;李宁;张一鹏;汪文彬;季彤;王蕾;朱虹;马超;胡千益;罗怀芳;朱婧妍;张斯雯;吴丽娟 -专利权人：德邦证券股份有限公司
申请日： 2022-08-15 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： G06F8/35 文献下载
摘要：其中，一种系统构建方法，包括：根据待构建的目标系统的业务需求从预设的抽象业务逻辑模型中确定业务逻辑层，其中业务逻辑模型包括第一业务逻辑层、第二业务逻辑层、第三业务逻辑层、第四业务逻辑层以及第五业务逻辑层；以及利用业务逻辑层构建目标系统。
系统构建方法装置以及存储介质

[发明专利]一种实现软件复用的方法和装置-CN201019185059.1有效
发明人：邱颖昭 -专利权人：腾讯科技(深圳)有限公司
申请日： 2010-03-02 - 公布日： 2011-09-21 - 主分类号： G06F9/44 文献下载
摘要：本发明公开了一种实现软件复用的方法和装置，该方法包括：根据软件应用设置框架中的公共逻辑代码，创建公共逻辑代码层；根据软件实现的差异创建差异化逻辑代码层；通过所述公共逻辑代码层和差异化逻辑代码层构建显示界面本发明中，根据软件应用设置框架中的公共逻辑代码和差异逻辑代码分别创建公共逻辑代码层和差异化逻辑代码层，通过公共逻辑代码层和差异化逻辑代码层构建显示界面，从而可以使具有公共逻辑代码的相似软件产品达到软件复用的目的
一种实现软件方法装置

[发明专利]一种APP的UI和逻辑分离开发框架-CN202210460031.X在审
发明人：詹斌;张英鹏;刘大全;张磊 -专利权人：重庆长安汽车股份有限公司
申请日： 2022-04-28 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： G06F9/54 文献下载
摘要：本发明公开了一种APP的UI和逻辑分离开发框架，包括UI层、UI适配层和业务逻辑层；UI层包括View，View能够获取用户的输入信息，然后将输入信息传递给UI适配层，根据UI适配层提供的数据进行刷新；UI适配层包括View代理和UI逻辑模块，View代理能够从UI层得到用户输入信息，UI逻辑模块能够从业务逻辑层获取数据，调用UI层提供的接口进行界面的刷新；还能够监听UI层的事件，根据不同的事件，调用业务逻辑层提供的相应功能；业务逻辑层包含业务逻辑的实现代码，为UI适配层提供所有数据和逻辑处理。本发明通过UI适配层实现了界面展示和业务逻辑之间的隔离。
一种 app ui 逻辑分离开发框架

[发明专利]嵌入逻辑式闪存器件及其侧墙形成方法-CN201410071745.7有效
发明人：平延磊;金海波 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2014-02-28 - 公布日： 2018-02-13 - 主分类号： H01L27/11521 文献下载
摘要：本发明提供了一种嵌入逻辑式闪存器件及其侧墙形成方法，该方法包括提供半导体衬底；刻蚀闪存栅堆叠层以形成闪存栅极，并在闪存栅极周围形成闪存栅偏移侧墙；刻蚀逻辑栅堆叠层以形成逻辑栅极，并在逻辑栅极周围和闪存栅偏移侧墙周围形成逻辑栅偏移侧墙；形成覆盖所述逻辑区域和闪存区域的介质叠层，该介质叠层包括内层介质层、位于该内层介质层上的中层介质层以及位于该中层介质层上的外层介质层；刻蚀介质叠层，以在所述逻辑区域内的逻辑栅偏移侧墙周围形成逻辑栅侧墙，以及在所述闪存区域内的逻辑栅偏移侧墙周围形成闪存栅侧墙。本发明能够将逻辑器件和闪存器件的侧墙形成工艺集成在一起，并且可以满足逻辑器件和闪存器件的性能要求。
嵌入逻辑闪存器件及其形成方法

[发明专利]分层的业务管理系统-CN200910194944.6无效
发明人：张诚纯;郭磊劼;张仁良 -专利权人：上海杉达学院
申请日： 2009-09-01 - 公布日： 2011-04-06 - 主分类号： G06F9/44 文献下载
摘要：本发明揭示了一种分层的业务管理系统，包括数据库层、持久层、业务逻辑层和表示层。数据库层存放业务数据。持久层耦合到数据库层，对数据库层进行操作，进行业务数据的交换，该持久层由Hibernate对象关系映射框架实现。业务逻辑层耦合到持久层，从持久层获取业务数据，对业务数据引用业务逻辑，其中业务逻辑包括对获取的业务数据的数据类型、数据取值范围的判断，其中业务逻辑层不直接与数据库层进行数据交换。表示层耦合到业务逻辑层，提供交互界面与用户交互，获取用户指令后指示业务逻辑层获取业务数据并应用业务逻辑。
分层业务管理系统

[发明专利]显示组件和空调器-CN201810845804.X在审
发明人：武晓丽;马璐璐;陈梦;倪金 -专利权人：青岛海高设计制造有限公司
申请日： 2018-07-27 - 公布日： 2020-02-07 - 主分类号： F24F11/52 文献下载
摘要：本发明公开了一种显示组件和空调器，包括自下而上依次叠加的逻辑电路层、发光材料层和透明导电层；还包括与所述逻辑电路层和所述透明导电层连接的控制板；所述逻辑电路层包括若干模式图案电路逻辑分区，且所述模式图案电路逻辑分区之间彼此绝缘；所述控制板，用于基于空调器产生的模式选择信号，选通目标模式图案电路逻辑分区上电，基于场致发光原理，通过逻辑电路层、发光材料层、透明导电层相互叠加的方式，结合逻辑电路层上模式图案电路逻辑分区的选择实现空调不同模式图标的显示
透明导电层电路逻辑模式图案发光材料层分区控制板空调器空调工作模式模式选择信号场致发光逻辑分区目标模式图案电路显示效果显示组件依次叠加模式图上电选通绝缘叠加空调

[发明专利]业务流程展现控制系统-CN200810207281.2无效
发明人：姜良玉;强益;刘国庆;马雪莲;佟伟 -专利权人：上海宝钢钢材贸易有限公司
申请日： 2008-12-18 - 公布日： 2009-07-08 - 主分类号： G06Q10/00 文献下载
摘要：本发明揭示了一种业务流程展现控制系统，包括：数据资源层；业务逻辑层；表现层，根据业务逻辑层输出的逻辑结果进行表现；控制器层，控制器层包括数个控制器，用户通过控制器访问业务流程展现控制系统，其中每一个用户唯一的对应一个控制器，每一个控制器具有权限控制模块；其中，数据资源层的相关数据资源和业务逻辑层的业务逻辑对于控制器层和表现层屏蔽，控制器层中的控制器每一次接收到用户指令，根据用户权限确定该用户指令是否是用户权限所允许的用户指令，如果不被允许，提供给该用户拒绝表现，如果被允许，控制器层将用户指令提供给业务逻辑层，业务逻辑层实现业务逻辑后将逻辑结果提供给表现层，表现层向用户提供相应的逻辑结果的表现。
业务流程展现控制系统

[发明专利]一种业务逻辑和流转逻辑的解耦方法和装置-CN202110260057.5在审
发明人：韩光;冯文化;李晓峰;孙自鹏 -专利权人：中国软件与技术服务股份有限公司
申请日： 2021-03-10 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： G06F9/54 文献下载
摘要：本发明涉及一种业务逻辑和流转逻辑的解耦方法和装置。该方法的步骤包括：在业务流程引擎中划分业务逻辑层和流转逻辑层，在业务逻辑层和流转逻辑层之间设置解耦中间层；业务逻辑层接收应用系统输入的业务和表单数据，对其进行解析以获得流程数据，将流程数据通过解耦中间层传输至流转逻辑层；流转逻辑层根据流程数据执行具体的流程任务并获取执行结果，通过解耦中间层将执行结果传输至业务逻辑层；业务逻辑层对执行结果进行业务语义化和封装，并将处理结果反馈至应用系统。本发明通过业务逻辑和流转逻辑的解耦，极大的提升了产品的可读性和可维护性，技术框架升级简单，二次开发时不易影响到产品整体功能和稳定性，便于与应用系统对接。
一种业务逻辑流转方法装置

[发明专利]一种基于MEMS工艺的非易失性、非可逆多逻辑复用的逻辑器件-CN201310347361.9无效
发明人：娄文忠;丁旭冉;赵越;刘鹏;王辅辅 -专利权人：北京理工大学
申请日： 2013-08-09 - 公布日： 2013-11-20 - 主分类号： B81B7/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于MEMS工艺的非易失性非可逆多逻辑复用的逻辑器件，该器件包括硅基底、逻辑层、绝缘层和控制开关组层，通过接通控制开关组层中不同的控制电极来断开导线层中的导线，实现其逻辑功能的变化。通过配置逻辑器件的端口可以实现与、或、非不同逻辑功能的输出。本发明涉及半导体器件领域，提高了芯片的逻辑度，降低了逻辑芯片的功耗，实现了一块芯片多种逻辑功能复用。
一种基于 mems 工艺非易失性可逆逻辑器件

[发明专利]一种级联逻辑门控式有源电子标签的监测系统-CN201610845677.4有效
发明人：赵挺生;周炜;朱水元;张勇;刘文;唐菁菁;高斯敏;谢文祥;徐树铭 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2016-09-23 - 公布日： 2017-10-27 - 主分类号： G06K19/07 文献下载
摘要：本发明属于电子标签领域，并公开了一种级联逻辑门控式有源电子标签的监测系统。该系统以事件监测层为最底层，逻辑门层为上层的倒立树状结构，事件监测层和逻辑门层都有多个节点，事件监测层每个节点安放电子标签A，逻辑门层每个节点上安放电子标签B，电子标签A将每个事件的安全状态进行呈现，并将每个事件的逻辑状态传递给上一层的电子标签B，电子标签B中的逻辑门控状态评估模块将下一层的逻辑状态进行逻辑运算后将该逻辑节点的安全状态进行显示，并将该节点的逻辑状态传递给上一层的电子标签B，由此建立以逻辑节点为终点的多级级联逻辑式系统。
一种级联逻辑门控有源电子标签监测系统

[实用新型]一种级联逻辑门控式有源电子标签的监测系统-CN201621078728.7有效
发明人：赵挺生;周炜;朱水元;张勇;刘文;唐菁菁;高斯敏;谢文祥;徐树铭 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2016-09-23 - 公布日： 2017-08-18 - 主分类号： G05B19/048 文献下载
摘要：本实用新型属于电子标签领域，并公开了一种级联逻辑门控式有源电子标签的监测系统。该系统以事件监测层为最底层，逻辑门层为上层的倒立树状结构，事件监测层和逻辑门层都有多个节点，事件监测层每个节点安放电子标签A，逻辑门层每个节点上安放电子标签B，电子标签A将每个事件的安全状态进行呈现，并将每个事件的逻辑状态传递给上一层的电子标签B，电子标签B中的逻辑门控状态评估模块将下一层的逻辑状态进行逻辑运算后将该逻辑节点的安全状态进行显示，并将该节点的逻辑状态传递给上一层的电子标签B，由此建立以逻辑节点为终点的多级级联逻辑式系统。
一种级联逻辑门控有源电子标签监测系统

[发明专利]一种基于网络的求职招聘系统-CN201610255487.7在审
发明人：钱建新;黄松;鞠云兴 -专利权人：江苏梦想人才服务有限公司
申请日： 2016-04-21 - 公布日： 2016-09-28 - 主分类号： G06Q10/10 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于网络的求职招聘系统，包括应用层、业务逻辑层以及数据层，应用层，通过WebService方式与业务逻辑层进行通信，供操作者输入相关操作指令；业务逻辑层，将各类逻辑进行分类封装，以WebService方式与应用层通信，封装的各类逻辑相互之间不产生影响；数据层，与业务逻辑层进行通信，为系统提供基础数据存储和管理；通过操作者在应用层内的相关操作，提取使用业务逻辑层内的各类逻辑，并通过各类逻辑的相关指向性功能在数据层内提取并显示在应用层的相关数据信息
一种基于网络求职招聘系统

[发明专利]一种网络拓扑构建方法、装置、电子设备和存储介质-CN202211077856.X在审
发明人：黄映丰;卞正皑;陈震 -专利权人：中国电信股份有限公司
申请日： 2022-09-05 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： H04L41/12 文献下载
摘要：包括：获取物理层要素、逻辑层要素和应用层要素；所述物理层要素包括物理实体对象、物理实体关系，所述逻辑层要素包括逻辑实体对象、逻辑实体关系和逻辑实体约束，所述应用层要素包括应用实体对象、应用实体关系和应用实体约束；确定所述物理实体对象、所述逻辑实体对象和所述应用实体对象为有向图顶点，确定所述物理实体关系、所述逻辑实体关系、所述逻辑实体约束、所述应用实体关系和所述应用实体约束为有向图边，构造邻接矩阵；依据所述邻接矩阵构建网络拓扑通过本发明实施例进行网络拓扑构建，可以实现应用层－逻辑层－物理层的跨协议层有机关联和定位。
一种网络拓扑构建方法装置电子设备存储介质

[发明专利]半导体器件的形成方法-CN201610067392.2有效
发明人：高超;江红;张永福;王哲献;李冰寒 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2016-01-29 - 公布日： 2018-07-27 - 主分类号： H01L27/11521 文献下载
摘要：一种半导体器件的形成方法，包括：在逻辑栅极膜表面形成第二介质层；去除存储区以及隔离区的第二介质层；去除存储区的逻辑栅极膜以及第一介质层顶部的逻辑栅极膜，保留第二隔离区的逻辑栅极膜；去除第一介质层和第二介质层，在第二隔离区的逻辑栅极膜顶部和侧壁表面、第一隔离区表面、存储栅极膜表面、以及部分逻辑区的逻辑栅极膜顶部表面形成图形化掩膜层；以图形化掩膜层为掩膜，刻蚀逻辑区的逻辑栅极膜直至暴露出逻辑区基底表面，形成逻辑栅极结构，在形成逻辑栅极结构后，第二隔离区剩余逻辑栅极膜为支撑栅结构，第二隔离区的图形化掩膜层覆盖支撑栅结构表面；去除图形化掩膜层。
半导体器件形成方法

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