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[实用新型]边缘研磨设备-CN202021234437.9有效
发明人：王强 -专利权人：西安奕斯伟硅片技术有限公司
申请日： 2020-06-29 - 公布日： 2021-02-05 - 主分类号： B24B37/02 文献下载
摘要：本实用新型提供一种边缘研磨设备，该边缘研磨设备包括多个用于进行边缘研磨的研磨垫，边缘研磨设备还包括支撑架、压力传感器和驱动件；研磨垫设置于支撑架上，压力传感器设置于研磨垫和支撑架之间，压力传感器用于检测研磨垫与支撑架之间的压力这样控制支撑架的位置，使得压力传感器检测到的压力值一定，也就是使得研磨垫与待研磨晶圆之间的接触效果是一定的，从而保证研磨效果的稳定性和一致性，进一步的，通过检测支撑架的移动距离，能够检测出研磨垫的磨损情况，有助于提高对于研磨垫寿命检测的准确程度。
边缘研磨设备

[发明专利]抛光垫修整器、抛光垫修整装置及抛光系统-CN201310217195.0有效
发明人：姚力军;大岩一彦;相原俊夫;潘杰;王学泽 -专利权人：宁波江丰电子材料股份有限公司
申请日： 2013-06-03 - 公布日： 2018-02-09 - 主分类号： B24B53/017 文献下载
摘要：一种抛光垫修整器、抛光垫修整装置及抛光系统，所述修整器包括研磨颗粒；基体，具有研磨面，研磨颗粒固结在研磨面上，研磨面包括相连的边缘研磨面和中央研磨面，边缘研磨面环绕在中央研磨面的周围；中央研磨面为平面，且中央研磨面高于边缘研磨面。在对抛光垫进行修整时，由于研磨面的中央研磨面高于边缘研磨面，使得边缘研磨面上的研磨颗粒高于中央研磨面上的研磨颗粒，故当抛光垫修整器进入抛光垫的压入深度较小时，大部分边缘研磨面上的研磨颗粒不会进行研磨，因而减少了位于边缘位置的研磨颗粒的使用频率，降低了位于边缘位置的研磨颗粒的剥落可能；另外，还降低了位于边缘位置的研磨颗粒与抛光垫边缘发生碰撞的可能。
抛光修整装置系统

[发明专利]用于研磨玻璃基板的边缘研磨装置和方法-CN201210436198.9有效
发明人：高营采;金世渊;金渊勋;金俊锡 -专利权人：三星康宁精密素材株式会社
申请日： 2012-11-05 - 公布日： 2014-03-26 - 主分类号： B24B37/005 文献下载
摘要：一种用于研磨玻璃基板的边缘研磨装置和方法，使用该边缘研磨装置以及该用于研磨玻璃基板的方法能将玻璃基板研磨固定量并能将缺陷的发生率降至最低。所述边缘研磨装置包括：边缘研磨单元，该边缘研磨单元在跟随玻璃基板的切割边缘的同时研磨所述切割边缘；测量单元，该测量单元获得所述切割边缘的位置信息；和控制单元，该控制单元从所述测量单元接收所述切割边缘的所述位置信息并基于所述切割单元的所述位置信息控制所述边缘研磨单元的位置
用于研磨玻璃边缘装置方法

[发明专利]一种化学机械研磨方法-CN201611247481.1有效
发明人：陈怡骏 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2016-12-29 - 公布日： 2020-04-07 - 主分类号： B24B37/34 文献下载
摘要：本发明提供一种化学机械研磨方法。所述方法包括：提供待研磨的半导体晶圆；以及对所述半导体晶圆执行化学机械研磨，在研磨过程中将研磨垫边缘位置设定在靠近所述半导体晶圆边缘的外侧位置，以减少所述研磨垫与所述半导体晶圆待研磨表面接触的过程中对所述半导体晶圆边缘的包覆根据本发明的化学机械研磨方法，在化学机械研磨工艺中，通过将研磨垫边缘位置设定在靠近所述半导体晶圆边缘的外侧位置，可有效减小研磨垫对半导体边缘包覆，减少研磨过程中半导体晶圆边缘的过度研磨，从而减少半导体晶圆研磨后中部和边缘的研磨厚度差异，有效提升半导体晶圆的研磨均匀性，改善半导体晶圆的研磨质量。
一种化学机械研磨方法

[发明专利]研磨垫、使用该研磨垫的研磨装置及研磨方法-CN201110453496.4有效
发明人：陈枫 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2011-12-29 - 公布日： 2013-07-03 - 主分类号： B24B37/20 文献下载
摘要：研磨垫、使用该研磨垫的研磨装置及研磨方法。一种研磨垫，包括，第一研磨区，设置于研磨垫边缘，用于研磨晶圆边缘；第二研磨区，所述第二研磨区至少能容纳整个晶圆表面，用于研磨整个晶圆；其中，所述研磨垫的第一研磨区与第二研磨区之间具有沟槽。一种使用该研磨垫的研磨装置，包括研磨台、研磨头及第一输送装置，将所述晶圆放置在研磨垫上，并使晶圆边缘与第一研磨区接触，保持所述研磨台静止，旋转研磨头以研磨晶圆边缘，第一输送装置喷射的液体仅停留在第一研磨区本发明既可研磨整个晶圆表面，又可单独研磨晶圆边缘区域，提高了晶圆研磨的中心区域与边缘区域的均匀性，大大提高半导体器件生产良率。
研磨使用装置方法

[实用新型]硅片研磨和清洗装置-CN201721880326.3有效
发明人：何昆哲;华波;赵厚莹 -专利权人：上海新昇半导体科技有限公司
申请日： 2017-12-28 - 公布日： 2018-08-10 - 主分类号： B24B37/08 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种硅片研磨和清洗装置，包括双面研磨部件、清洗蚀刻部件及边缘研磨部件。所述双面研磨部件包括双面研磨砂轮，所述双面研磨砂轮用于对硅片的两个相对设置的表面进行双面研磨；所述清洗蚀刻部件用于对经过双面研磨的硅片进行清洗蚀刻；所述边缘研磨部件包括边缘砂轮和工作台，所述边缘砂轮位于所述工作台的侧面，所述工作台用于承载经过清洗蚀刻的硅片，所述边缘砂轮用于对位于工作台上的硅片的边缘进行研磨。本实用新型提供的硅片研磨和清洗装置可完成对硅片依次进行双面研磨、清洗蚀刻以及边缘研磨的工艺，在双面研磨和边缘研磨之间对硅片进行清洗蚀刻，可以提高研磨工艺的合格率。
双面研磨硅片砂轮清洗蚀刻边缘研磨硅片研磨清洗装置工作台本实用新型蚀刻部件研磨相对设置合格率承载侧面

[实用新型]研磨垫及采用该研磨垫的研磨装置-CN201420397395.9有效
发明人：陈枫 -专利权人：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2014-07-17 - 公布日： 2014-11-26 - 主分类号： B24B37/26 文献下载
摘要：本实用新型提供一种研磨垫，至少包括：主研磨区及均匀环设于所述主研磨区周围的至少两个边缘研磨区；所述主研磨区与各边缘研磨区之间通过一圆环形沟槽隔离；相邻边缘研磨区之间具有间隙。本实用新型还提供一种采用上述研磨垫的研磨装置，包括研磨平台、设置于所述研磨平台上方的研磨头及用于向所述主研磨区供应液体的第一研磨液供应装置；所述研磨垫铺设于所述研磨平台表面；所述研磨装置还包括用于向所述边缘研磨区供应液体的第二研磨液供应装置本实用新型既可以对晶圆整体部分进行研磨，也可以单独对晶圆边缘部分进行研磨，从而提高研磨均匀性，解决晶圆边缘的残留物问题，提高生产良率。
研磨采用装置

[实用新型]研磨垫及研磨系统-CN201620831364.9有效
发明人：陈科文;游世明 -专利权人：智胜科技股份有限公司
申请日： 2016-08-03 - 公布日： 2017-03-08 - 主分类号： B24B37/26 文献下载
摘要：本实用新型提供一种研磨垫及研磨系统，所述研磨垫包括研磨层，其中研磨层包括中心区域、边缘区域以及位于中心区域以及边缘区域之间的主要研磨区域。至少一环状沟槽位于研磨层的主要研磨区域中。边缘沟槽位于研磨层的边缘区域中，且边缘沟槽包括格状沟槽。至少一径向延伸沟槽位于研磨层的主要研磨区域，且至少一径向延伸沟槽与至少一环状沟槽相连接。本申请技术方案通过环状沟槽、边缘沟槽以及径向延伸沟槽的特别配置，可以使研磨液具有不同的流场分布，进而使特定研磨制程具有较均匀的研磨率。
研磨系统

[发明专利]研磨方法-CN201410043731.4在审
发明人：户川哲二;吉田笃史;渡边敏史 -专利权人：株式会社荏原制作所
申请日： 2014-01-29 - 公布日： 2014-08-06 - 主分类号： B24B21/00 文献下载
摘要：一种研磨方法，使基板(W)旋转，按压第1研磨件(3A)使其与基板(W)的边缘部接触而对该边缘部进行研磨，按压第2研磨件(3B)使其与边缘部接触而对该边缘部进行研磨，所述第2研磨件在基板(W)的径向配置在第1研磨件(3A)的内侧，第1研磨件(3A)具有比第2研磨件(3B)粗的研磨面。采用本发明，可提高研磨速率，且可在基板的边缘部上形成平滑的垂直面。
研磨方法

[发明专利]一种光刻胶涂布设备及涂布方法-CN201811024986.0在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2018-09-04 - 公布日： 2020-03-10 - 主分类号： G03F7/16 文献下载
摘要：本发明提供一种光刻胶涂布设备及涂布方法，所述光刻胶涂布设备包括工作台、边缘研磨模块及喷头模块；通过具有研磨槽的边缘研磨模块，对待研磨半导体衬底的边缘区域进行研磨，以去除位于待研磨半导体衬底的边缘区域的残留光刻胶；在边缘研磨模块进行研磨的同时，通过位于待研磨半导体衬底上方及下方的喷头模块喷涂清洗液，及时有效地去除研磨废料。防止位于半导体衬底边缘区域的光刻胶成为后续工艺中缺陷的产生源，从而提高产品良率。
一种光刻布设方法

[发明专利]一种半导体机台及研磨方法-CN202110008727.4在审
发明人：周小云;黄振伟;王昭钦 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-01-05 - 公布日： 2021-05-11 - 主分类号： B24B9/06 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体机台及研磨方法，包括：第一输入管道，与第一输入管道连接的第一喷嘴，第一研磨垫，第一输入管道用于通入第一研磨液，第一喷嘴用于将第一研磨液喷射至第一研磨垫上，第一研磨垫用于对晶圆的边缘进行研磨这样，根据晶圆边缘的特性提供第一研磨垫，通过第一研磨垫对晶圆的边缘进行研磨，能够实现对晶圆边缘的有效处理，解决对晶圆边缘进行湿法刻蚀处理后晶圆边缘容易坍塌或损伤等问题。
一种半导体机台研磨方法

[实用新型]一种光刻胶涂布设备-CN201821440414.6有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2018-09-04 - 公布日： 2019-03-29 - 主分类号： G03F7/16 文献下载
摘要：本实用新型提供一种光刻胶涂布设备，所述光刻胶涂布设备包括工作台、边缘研磨模块及喷头模块；通过具有研磨槽的边缘研磨模块，对待研磨半导体衬底的边缘区域进行研磨，以去除位于待研磨半导体衬底的边缘区域的残留光刻胶；在边缘研磨模块进行研磨的同时，通过位于待研磨半导体衬底上方及下方的喷头模块喷涂清洗液，及时有效地去除研磨废料。防止位于半导体衬底边缘区域的光刻胶成为后续工艺中缺陷的产生源，从而提高产品良率。
研磨光刻胶涂布半导体边缘研磨衬底边缘区域喷头模块光刻胶去除衬底边缘区域本实用新型产品良率后续工艺产生源清洗液研磨槽有效地工作台喷涂残留

[发明专利]玻璃边缘研磨设备-CN201710296843.4在审
发明人：党张伟;张海博;王江涛;刘荣辉;曹斌 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司
申请日： 2017-04-28 - 公布日： 2017-07-07 - 主分类号： B24B9/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种玻璃边缘研磨设备，所述玻璃边缘研磨设备包括底座；中心基台，所述中心基台设在所述底座上且适于吸附待研磨玻璃板；边沿基台，所述边沿基台沿所述待研磨玻璃板的研磨方向可滑动地设在所述底座上，所述待研磨玻璃板适于支撑在所述边沿基台上；用于对所述待研磨玻璃板的边沿进行研磨的研磨组件，所述研磨组件设在所述边沿基台上且随所述边沿基台一同移动；水平衡装置，所述水平衡装置设在所述边沿基台上且随所述边沿基台一同移动，所述水平衡装置上设有用于喷出驱使所述待研磨玻璃板贴合所述边沿基台的流体的水平衡喷嘴根据本发明实施例的玻璃边缘研磨设备具有研磨效率高、不良率低、可靠性强等优点。
玻璃边缘研磨设备

[发明专利]基于伯努利原理的边缘研磨基座、边缘研磨系统及方法-CN201710262320.8有效
发明人：刘源;保罗·邦凡蒂 -专利权人：上海新昇半导体科技有限公司
申请日： 2017-04-20 - 公布日： 2020-09-22 - 主分类号： B24B31/10 文献下载
摘要：本发明提供一种基于伯努利原理的边缘研磨基座、边缘研磨系统及方法，所述基于伯努利原理的边缘研磨基座包括：吸盘主体，所述吸盘主体内设有空腔，所述吸盘主体上表面设有若干个与所述空腔相连通的出气口，所述吸盘主体底部设有与所述空腔相连通的供气管路本发明的基于伯努利原理的边缘研磨基座在对待研磨晶圆进行边缘研磨时，可以实现伯努利效应以吸附固定待研磨晶圆，由于所述基于伯努利原理的边缘研磨基座与所述待研磨晶圆之间有一层气体作为缓冲，所述带研磨晶圆与所述基于伯努利原理的边缘研磨基座不直接接触，可以有效避免对所述待研磨晶圆背面造成损伤。
基于伯努利原理边缘研磨基座系统方法

[发明专利]研磨装置及研磨方法-CN201810257492.0在审
发明人：王子安;宋伟;李增红;黄汉卿;王河;包珊珊;孟勃;朱明远;苗冬 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司
申请日： 2018-03-27 - 公布日： 2018-07-31 - 主分类号： B24B9/10 文献下载
摘要：本发明技术方案的目的是提供一种研磨装置及研磨方法。该研磨装置包括：研磨轮，用于对待研磨基板的相对两个边缘进行研磨；驱动结构，与所述研磨轮连接，用于驱动所述研磨轮移动；边缘检测结构，与所述驱动结构连接，用于检测待研磨基板的相对两个边缘之间中心线的位置，根据所检测的位置，向所述驱动结构输出控制信号，使所述驱动结构驱动所述研磨轮移动，所述研磨轮的研磨中心面与所述中心线位于同一平面。该研磨装置通过设置边缘检测结构，能够自动地检测待研磨基板的相对两个边缘之间中心线的位置，解决现有技术研磨装置对位存在偏差的问题。
研磨装置研磨轮驱动结构研磨待研磨基板边缘检测检测驱动输出控制研磨基板中心面自动地移动对位

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