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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[实用新型]一种超高纯氢气发生器-CN201420768796.0有效
发明人：俞健;魏浩;黄彦;刘强;谌洪图;杨佳辉;金小贤;李国峰 -专利权人：南京工业大学
申请日： 2014-12-04 - 公布日： 2015-12-09 - 主分类号： C25B1/04 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种超高纯氢气发生器，是一种集电解水制氢、膜纯化于一体的仪器，该仪器可实现产氢纯度≥99.9999％(超高纯)。超高纯氢气发生器由制氢和纯化两部分组成，通过电解水制氢得到粗氢，经干燥、钯膜纯化后获得超高纯氢气。该超高纯氢气发生器由电解槽、气液分离器、干燥器、控压仪表、换热器、钯膜组件、压力表、加热器、真空泵、二通球阀、三通球阀、单向阀以及微调阀组成。本超高纯氢气发生器可实现断电报警、低温报警以及真空保护等功能，具有安全可靠、集成度高、占地小和操作方便等特点。
一种高纯氢气发生器

[发明专利]高集成度工控主板-CN201710814139.3有效
发明人：刘春 -专利权人：上海长风必卓电子科技有限公司
申请日： 2017-09-10 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： G06F1/18 文献下载
摘要：本发明公开一种高集成度工控主板，包括中央数据处理器、平台管理控制模块、EC嵌入式控制器、PCIE/SRIO协议转化模块、PCI/PCIE协议转化模块、千兆网络处理芯片、板载硬盘、CRT显示器、PCIE分路器
集成度主板

[实用新型]高集成度伺服油缸-CN200920296036.3无效
发明人：凌玲;吴百海;罗俭华;李湘伟;陈素清;李卫华 -专利权人：佛山市禅城区永恒液压机械有限公司;广东工业大学
申请日： 2009-12-31 - 公布日： 2010-11-17 - 主分类号： F15B15/14 文献下载
摘要：本实用新型是一种高集成度伺服油缸。
集成度伺服

[外观设计]PCB板(高集成度)-CN201730622584.0有效
发明人：张金水;候旭涛 -专利权人：丽水博远科技有限公司
申请日： 2017-12-08 - 公布日： 2018-06-29 - 主分类号： 14-99 文献下载
摘要：1．本外观设计产品的名称：PCB板(高集成度)。2．本外观设计产品的用途：本外观设计产品用于作为连接电子元器件的载体。3．本外观设计产品的设计要点：产品主视图所展现的设计。
外观设计高集成度电子元器件图片

[发明专利]一种高集成度纳米墙集成电路结构-CN202210413345.4有效
发明人：廖永波;刘金铭;李平;杨智尧;刘仰猛;刘玉婷 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2022-04-20 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：该发明公开了一种高集成度纳米墙集成电路结构，涉及微电子技术和集成电路(IC)领域。基于与传统IC中MOSFET不同的器件物理原理，该发明提出一种具有高集成度的纳米墙集成电路单元结构(Nano‑Wall FET，简称NWaFET)。NWaFET可以提高IC的集成度、显著缩短沟道长度、提高器件沟道宽长比调整的灵活性，节约芯片面积。
一种集成度纳米集成电路结构

[实用新型]小体积LED集成芯片水下大功率彩灯-CN201420696413.3有效
发明人：刘海平 -专利权人：刘海平
申请日： 2014-11-19 - 公布日： 2015-06-03 - 主分类号： F21S2/00 文献下载
摘要：本实用新型提供一种小体积LED集成芯片水下大功率彩灯，它不用复杂的风扇散热结构，体积小、高集成度、超高亮度。并且此技术还可以实现LED集成芯片重复排列使用，可使亮度成倍增加，又能高效散热体积一样小巧。
体积 led 集成芯片水下大功率彩灯

[实用新型]一种用于家庭光纤入户场景下的ONU-CN201820142873.X有效
发明人：吴德春;王寅;符小东 -专利权人：中天宽带技术有限公司
申请日： 2018-01-29 - 公布日： 2018-09-04 - 主分类号： H04Q11/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于家庭光纤入户场景下的ONU，包括：单纤双向BOSA模块、ONU高集成度芯片、CATV模块、WIFI模块、以太网、UART模块、LED模块、电源模块，所述ONU高集成度芯片通过印刷电路板连接单纤双向该高集成度ONU应用简单方便，制造成本低廉、运行可靠性非常高，属于商业级产品，同时使得EPON ONU产品功能多样化，电路集成度进一步提高，成本降低。
高集成度芯片单纤双向家庭光纤以太网本实用新型电路集成度印刷电路板运行可靠性场景产品功能电源模块高集成度制造成本应用

[发明专利]一种超高压多功能多路多阀组-CN201210139460.3无效
发明人：金进星 -专利权人：温州市金星阀门有限公司
申请日： 2012-05-08 - 公布日： 2012-08-22 - 主分类号： F16K11/10 文献下载
摘要：本发明一种超高压多功能多路多阀组，包括阀体，其特征在于：所述的阀体两端是隆起的法兰，一端法兰设有进气口，另一端设有出气口，所述的阀体内设有阀芯，靠进气口端的阀芯上设有止回阀，所述的阀体上设有主阀，与所述的主阀另一面阀体中间外部设有通风口，所述的阀体上还设有针形排气阀，本发明能耐高压、超高压，能耐1000多帕压力，而且采用组合方式，集成度高。
一种超高压多功能多路多阀组

[发明专利]半导体器件的制造方法-CN01145797.X无效
发明人：郑又硕 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2001-12-31 - 公布日： 2003-04-23 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种半导体器件的制造方法，该方法能形成适用于超高集成度半导体器件的优良接触插塞。
半导体器件制造方法

[发明专利]一种混合型布洛赫等离激元光波导结构-CN201710480808.8有效
发明人：孔维敬;万育航;赵文慧 -专利权人：天津职业技术师范大学
申请日： 2017-06-22 - 公布日： 2019-08-13 - 主分类号： G02B6/122 文献下载
摘要：所述混合光波导结构克服了现有表面等离子激元光波导及布洛赫表面激元光波导在光场限制能力和传输损耗之间的矛盾，解决了大尺寸、高集成度光波导器件中的损耗与干扰的问题，为超高集成度光波导芯片的实现提供可能。
一种混合布洛赫离激元光波导结构

[发明专利]一种低损耗混合型表面等离子激元光波导-CN200910080337.7无效
发明人：郑铮;卞宇生;赵欣;朱劲松 -专利权人：国家纳米科学中心;北京航空航天大学
申请日： 2009-03-19 - 公布日： 2010-01-20 - 主分类号： G02B6/10 文献下载
摘要：所述光波导结构克服了现有表面等离子激元光波导在光场限制能力和传输损耗之间的矛盾，解决了大尺寸、高集成度表面等离子激元光波导器件中的损耗与干扰的问题，为超高集成度光波导芯片的实现提供可能。
一种损耗混合表面等离子激元光波导

[发明专利]一种基于集成度的城市中心区自动选址方法-CN201310164017.6无效
发明人：杨俊宴;史宜 -专利权人：东南大学
申请日： 2013-05-03 - 公布日： 2013-09-11 - 主分类号： G06Q10/06 文献下载
摘要：一种基于集成度的城市中心区自动选址方法，首先以城市市区的地理数据为基础数据输入计算机；其次，根据城市平面地形数据绘制空间网络图；再次，测算城市空间网络的全局集成度和局部集成度；最后对空间网络内各个空间单元的全局集成度和局部集成度进行筛选
一种基于集成度城市中心区自动选址方法

[发明专利]高集成度的TR射频模块-CN201410198719.0无效
发明人：李灿;管玉静;廖洁;孙宇;崔玉波 -专利权人：成都雷电微力科技有限公司
申请日： 2014-05-13 - 公布日： 2014-09-17 - 主分类号： H04B1/38 文献下载
摘要：本发明涉及有源相控阵雷达中TR组件的设计技术领域，特别涉及一种高集成度的TR射频模块。高集成度的TR射频模块，由两块1X8模块对扣组合而成，每个1X8模块主要包括盒体，所述盒体内安装有LTCC集成电路、波控子板、波导-微带转换结构、射频输入接口及输出接口，所述波控子板与LTCC集成电路通过金丝焊接连通；所述LTCC集成电路以LTCC基板为载体，在LTCC基板上集成有前级驱动芯片、功分器、8路TR通道及DAC控制芯片。本发明在LTCC多层基板的基础上，集成有芯片及多功能电路，再通过微电子进行互连，使高集成度的TR射频模块具有体积小、集成度高且具有幅度和相位控制功能。
集成度 tr 射频模块

[实用新型]一种高集成度的TR射频模块-CN201420241186.5有效
发明人：李灿;管玉静;廖洁;孙宇;崔玉波 -专利权人：成都雷电微力科技有限公司
申请日： 2014-05-13 - 公布日： 2014-09-03 - 主分类号： H04B1/38 文献下载
摘要：本实用新型涉及有源相控阵雷达中TR组件的设计技术领域，特别涉及一种高集成度的TR射频模块。一种高集成度的TR射频模块，由两块1X8模块对扣组合而成，每个1X8模块主要包括盒体，所述盒体内安装有LTCC集成电路、波控子板、波导-微带转换结构、射频输入接口及输出接口，所述波控子板与LTCC集成电路通过金丝焊接连通；所述LTCC集成电路以LTCC基板为载体，在LTCC基板上集成有前级驱动芯片、功分器、8路TR通道及DAC控制芯片。本实用新型在LTCC多层基板的基础上，集成有芯片及多功能电路，再通过微电子进行互连，使高集成度的TR射频模块具有体积小、集成度高且具有幅度和相位控制功能。
一种集成度 tr 射频模块

[发明专利]集成式霍尔磁传感器及其制造方法-CN202110905921.2在审
发明人：何渊 -专利权人：苏州矩阵光电有限公司
申请日： 2021-08-06 - 公布日： 2021-12-07 - 主分类号： G01R33/07 文献下载
摘要：本发明的实施例公开了集成式霍尔磁传感器及其制造方法。所述集成式霍尔磁传感器包括引线框架；至少两个霍尔元件芯片，所述至少两个霍尔元件芯片设置在引线框架上，并且所述至少两个霍尔元件芯片上下叠置在一起；磁轭，所述磁轭设置在所述至少两个霍尔元件芯片中的顶部霍尔元件芯片的中心，其中所述至少两个霍尔元件芯片串联连接在一起以形成所述集成式霍尔磁传感器。所述集成式霍尔磁传感器具有高灵敏度或超高灵敏度，通过叠置至少一个霍尔芯片于另一个霍尔芯片上大幅提高了封装集成度并提高了霍尔器件输出。
集成霍尔传感器及其制造方法

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