专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]用于对事务重排序来确保每个事务所规定的服务质量的仲裁方法-CN200580052381.7有效
  • P·J·阿尔德沃思;D·克罗克斯福特;A·本森 - ARM有限公司
  • 2005-12-22 - 2009-01-07 - G06F13/362
  • 该方法包括以下步骤:a)接收在主单元与从属单元之间执行数据事务的请求;b)接收与所述数据事务相关联的服务质量要求的指示;c)在考虑到尚待发布的任何其他待决数据事务的情况下,确定在通过互连逻辑传送所述数据事务时可达到的互连服务质量等级;d)确定在一旦所述数据事务被所述从属单元从所述互连逻辑接收到就对所述数据事务进行响应时可达到的从属服务质量等级;以及e)确定组合的互连服务质量等级和从属服务质量等级是否未能达到服务质量要求,如果是的话,则对待决数据事务进行重排序,以便能够达到每个数据事务的服务质量要求。应该理解的是,这使待决数据事务能够被系统地重排序,并且这些重排序的数据事务中的每一个的服务质量等级能够被准确计算,以便确保达到这些数据事务中的每一个的服务质量要求。因此,这使得能够将服务质量的所有方面一起编入预算,并且可以为每个数据事务确定真实的端到端服务质量
  • 用于事务排序确保每个事务所规定服务质量仲裁方法
  • [发明专利]用于遵照要求对系统进行测试的方法-CN202010841772.3在审
  • A.格里姆;J.奥菲 - 罗伯特·博世有限公司
  • 2020-08-20 - 2021-02-26 - G06F11/36
  • 本发明涉及用于遵照要求对系统进行测试的方法。介绍了计算机实施的用于遵照至少一个要求对系统进行测试的方法,该方法具有如下步骤:‑以机器可读取的形式接收所述要求,‑为了遵照所接收到的要求对所述系统进行测试,测定至少一个第一输入变量,‑根据所测定的第一输入变量,模拟所述系统的执行,‑测定所模拟的系统的输出变量,并且根据输出变量测定该系统是否满足要求,‑检查模拟是否满足质量要求,‑如果模拟满足质量要求并且该系统满足要求,则检查,针对所述要求是否达到足够的测试覆盖,‑如果针对所述要求达到了足够的测试覆盖,则针对所述要求的测试完成。
  • 用于遵照要求系统进行测试方法
  • [发明专利]地下工程达到50年防水质量的方法-CN201910571853.3在审
  • 邹新建 - 上海三彩科技发展有限公司
  • 2019-06-19 - 2020-12-22 - E02D19/06
  • 地下工程达到50年防水质量的方法涉及地下工程防水领域,现行地下防水规范采用材料防水方式,但是地下工程渗漏水现象一直无法解决。现在住建部要求地下工程防水质量达到建筑设计年限50年的质量标准,就必须从防水原理去找出更合理的方法。裂缝渗水、温差冷凝水、少量渗水汽化、大量渗水要引排,细裂缝会自愈,大裂缝要定位维修,砼结构存在受力变形、稳定所需的周期以及砼的自然规律,本发明用中空层的引导、遮盖、观察维修,使砼的演变进程不影响室内防水质量和正常使用,是解决地下工程防水质量的合理的物理方法或构造方法。
  • 地下工程达到50防水质量方法
  • [发明专利]一种半导体深孔刻蚀后的工艺监控方法-CN201410345705.7在审
  • 杨涛;李亭亭;洪培真;李俊峰;赵超 - 中国科学院微电子研究所
  • 2014-07-18 - 2016-02-03 - H01L21/66
  • 本发明提供了一种半导体深孔刻蚀后的工艺监控方法,包括以下步骤:a.提供具有预定形状和尺寸的测试结构;b.测量所述测试结构的质量,得到容差范围;c.测量待监控晶圆的质量,并与所述容差范围进行比较,若待监控晶圆的质量值在容差范围内,则认为深孔的刻蚀深度已经达到要求;若不在容差范围内,则深孔的刻蚀深度没有达到工艺要求,需要对刻蚀工艺条件进行调整。本发明采用无损伤的高精度质量量测方法,通过测量硅深孔硅刻蚀后的质量,来间接表征硅深孔刻蚀深度是否达到工艺要求。晶圆整片测量,不需要特定测试结构,方便快捷;且反馈结果直观,快速,准确,且对晶圆无损伤。
  • 一种半导体刻蚀工艺监控方法

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