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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]记忆单元-CN03803495.6有效
发明人： J·德佩;C·克莱恩特;C·鲁德维格 -专利权人：因芬尼昂技术股份公司
申请日： 2003-01-17 - 公布日： 2005-11-16 - 主分类号： H01L29/792 文献下载
摘要：在位于沟槽记忆单元的例子中，一包含第一氧化物层(1)、一氮化物层(2)，以及一面对栅极的第二氧化物层(3)的层序列，存在于侧向沟槽壁上，而该氮化物层(2)则不存在于沟槽底部的弯曲区域(4)之中。
记忆单元

[实用新型]快速开机的移动装置-CN200920235077.1无效
发明人：萧栋斌;刘贵生 -专利权人：无锡华嵘数控机械有限公司
申请日： 2009-08-19 - 公布日： 2010-06-02 - 主分类号： G06F9/445 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种快速开机的移动装置，该装置包含：可移除记忆单元、只读记忆单元、随机存取记忆单元和处理单元；只读记忆单元、随机存取记忆单元分别与处理单元进行连接；可移除记忆单元与只读记忆单元、随机存取记忆单元连接；只读记忆单元与随机存取记忆单元连接；采用本实用新型后开机速度明显加快。
快速开机移动装置

[发明专利]快闪记忆体的扩充装置及其扩充方法-CN200510054927.4无效
发明人：张盛发 -专利权人：巨盛电子股份有限公司
申请日： 2005-03-18 - 公布日： 2006-09-20 - 主分类号： G06F13/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种快闪记忆体的扩充装置及其扩充方法，该扩充装置具有二记忆体装置，该记忆体装置是由一控制单元、一记忆单元、一连接单元、一操作单元、一显示单元及一电源供应单元组成，可将二记忆体装置藉由连接埠与连接单元相互插接，由第一记忆体装置的操作单元透过其控制单元读取第一记忆体装置及第二记忆体装置中记忆单元的资料，并可将第一记忆体装置中记忆单元的资料藉由连接单元及第二记忆体装置的控制单元储存于第二记忆体装置的记忆单元中，或将第二记忆体装置中记忆单元的资料储存于第一记忆体装置的记忆单元中，藉此，可使记忆体装置具有容量的扩充，并可使二记忆体装置不需透过电脑即具有资料交换的功效。
记忆体扩充装置及其方法

[发明专利]记忆体与其冗余修复方法-CN200610087192.X无效
发明人：邱明正;张伟宏;张耀光 -专利权人：奇景光电股份有限公司
申请日： 2006-06-15 - 公布日： 2007-12-19 - 主分类号： G11C29/44 文献下载
摘要：一种记忆体与其冗余修复方法，此记忆体包括第一记忆单元与第二记忆单元。第一记忆单元具有一静态随机存取记忆体单元与一冗余单元，第二记忆单元则耦接至第一记忆单元。其中，若静态随机存取记忆单元包括损毁区块时，决定冗余单元对应于损毁区块的冗余区块，第二记忆单元储存损毁区块的位址与冗余区块的位址。
记忆体与其冗余修复方法

[发明专利]记忆体装置以及其修补方法-CN202110282028.9在审
发明人：吴瑞仁;砂永登志男;杨子澔 -专利权人：江苏时代全芯存储科技股份有限公司;塞席尔商使命科技控股有限公司
申请日： 2021-03-16 - 公布日： 2021-05-25 - 主分类号： G11C29/00 文献下载
摘要：一种记忆体装置以及其修补方法，记忆体装置包含多个常规记忆体电路与冗余记忆体电路。常规记忆体电路包含多个常规记忆体阵列。冗余记忆体电路包含冗余记忆体阵列。多个常规记忆体阵列共用冗余记忆体阵列。当多个常规记忆体阵列中的第一常规记忆体阵列的第一常规记忆体单元毁坏时，冗余记忆体阵列的第一冗余记忆体单元取代第一常规记忆体单元。当多个常规记忆体阵列中的第二常规记忆体阵列的第二常规记忆体单元毁坏时，冗余记忆体阵列的第二冗余记忆体单元取代第二常规记忆体单元。本实施于冗余记忆体单元的分配上更有弹性亦可改善冗余记忆体单元不足够的问题。
记忆体装置及其修补方法

[发明专利]记忆体系统、记忆体控制器及延长记忆体单元寿命的方法-CN202210248018.8在审
发明人：李永辉;廖珮君;林建宏;贺大伟;郭文贤 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-03-14 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： G11C29/44 文献下载
摘要：本揭露是一种记忆体系统、记忆体控制器及延长记忆体单元的寿命的方法。在一个态样中，记忆体控制器向记忆体单元施加具有第一振幅的第一脉冲以将输入数据写入至记忆体单元。在一个态样中，记忆体控制器向记忆体单元施加具有大于第一振幅的第二振幅的第二脉冲以延长记忆体单元的寿命。记忆体单元可包括电阻式记忆体装置或相位变化随机存取记忆体装置。在一个态样中，响应于判定记忆体单元已故障，记忆体控制器向记忆体单元施加第二脉冲以修复记忆体单元。在一个态样中，在记忆体单元故障之前，记忆体控制器周期性地向记忆体单元施加第二脉冲。
记忆体系统控制器延长单元寿命方法

[发明专利]可动态实时备份的数字录像装置-CN200410078169.5无效
发明人：黄世荣;王仁中 -专利权人：映佳科技股份有限公司
申请日： 2004-09-20 - 公布日： 2006-03-29 - 主分类号： H04N5/76 文献下载
摘要：本发明为一种可动态实时备份的数字录像装置，用以实时备份所接收的多媒体信号，包含警报单元、编码单元、记忆控制单元、记忆单元及系统单元，其中多媒体信号经由编码单元压缩为比特流信息，再传输至记忆控制单元备份在记忆单元的第一记忆区块，因应警报单元发出的警报，记忆控制单元在记忆单元配置第二记忆区块，以备份比特流信息，而系统单元透过记忆控制单元读取第一记忆区块与第二记忆区块的备份信息，便得以完整取得警报发出之前及之后，所接收到的多媒体信号
动态实时备份数字录像装置

[发明专利]一种非挥发性静态随机存取记忆体-CN201610167595.9在审
发明人：邱沥毅;简才淦;邹亦淞 -专利权人：邱沥毅
申请日： 2016-03-23 - 公布日： 2016-10-12 - 主分类号： G06F11/14 文献下载
摘要：本发明提出一种非挥发性静态随机存取记忆体，该记忆体具有操作模式、资料备份模式及资料回复模式，该记忆体包括记忆细胞及节能模组，记忆细胞包括锁存器、锁存开关单元、备份记忆单元、备份设定单元、备份启动单元及驱动讯号传输单元，节能模组则包括控制开关单元、备份判断单元及回复开关单元，在资料备份模式下，当备份记忆单元储存的备份资料与锁存器储存的资料不相同时，备份记忆单元会产生一个备份驱动讯号，并输出至备份判断单元，备份判断单元依据驱动讯号导通备份设定单元，以改变备份记忆单元的备份资料，令备份记忆单元正确备份。
一种挥发性静态随机存取记忆体

[发明专利]显示装置的时序控制器及其操作方法-CN201510458208.2有效
发明人：周彦旭;郑婉羚;林芳宜 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2015-07-30 - 公布日： 2017-10-24 - 主分类号： G09G3/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种显示装置的时序控制器，其包括一处理单元以及一记忆单元，处理单元与记忆单元电性耦接，是用以接收一外部显示数据以及一控制信号，记忆单元与一外部记忆单元电性耦接，外部记忆单元包括多个光学查找表，记忆单元是用以根据控制信号储存多个光学查找表中的其中之一，并由储存的光学查找表中输出多个对应目前显示画面的光学数据，其中记忆单元的记忆容量并小于外部记忆单元。
显示装置时序控制器及其操作方法

[发明专利]记忆体装置-CN201811582708.7有效
发明人：吴瑞仁;简汎宇;黄圣财;郑君华 -专利权人：北京时代全芯存储技术股份有限公司
申请日： 2018-12-24 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：一种记忆体装置包含记忆体阵列、位元线驱动电路、字元线驱动电路、读写电路、控制器、参考驱动电路。记忆体阵列包含多个记忆体单元。位元线驱动电路用以解译记忆体位元地址并驱动位元线。字元线驱动电路用以解译记忆体字元地址并驱动字元线。读写电路用以读取、写入或重置记忆体单元。控制器用以切换记忆体阵列工作于单记忆体单元模式或双记忆体单元模式。参考驱动电路用以驱动参考行。参考行包含多个参考单元。参考行与多个参考单元位于记忆体阵列里。本实施可依据需求调整至单记忆体单元模式或双记忆体单元模式。
记忆体装置

[实用新型]记忆体装置-CN201822173521.3有效
发明人：吴瑞仁;简汎宇;黄圣财;郑君华 -专利权人：江苏时代全芯存储科技股份有限公司;铨芯科技股份有限公司
申请日： 2018-12-24 - 公布日： 2019-07-12 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：一种记忆体装置包含记忆体阵列、位元线驱动电路、字元线驱动电路、读写电路、控制器、参考驱动电路。记忆体阵列包含多个记忆体单元。位元线驱动电路用以解译记忆体位元地址并驱动位元线。字元线驱动电路用以解译记忆体字元地址并驱动字元线。读写电路用以读取、写入或重置记忆体单元。控制器用以切换记忆体阵列工作于单记忆体单元模式或双记忆体单元模式。参考驱动电路用以驱动参考行。参考行包含多个参考单元。参考行与多个参考单元位于记忆体阵列里。本实施可依据需求调整至单记忆体单元模式或双记忆体单元模式。
记忆体单元记忆体阵列驱动电路参考行位元线字元线参考驱动电路记忆体装置参考单元读写电路控制器驱动解译读取需求调整记忆体体位重置字元写入

[发明专利]记忆体装置、动态随机存取记忆体阵列与记忆体阵列-CN202110210088.X在审
发明人：藤原英弘;丘奕勋;王奕 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-02-24 - 公布日： 2021-12-28 - 主分类号： G11C11/408 文献下载
摘要：一种记忆体装置、动态随机存取记忆体阵列与记忆体阵列，记忆体装置包括记忆体阵列，记忆体阵列具有：记忆体阵列的第一列中的第一记忆体单元；记忆体阵列的第一列中的第二记忆体单元；第一读取位元线，在列方向上延伸且连接至第一记忆体单元以自第一记忆体单元读取数据；及第二读取位元线，在列方向上延伸且连接至第二记忆体单元以自第二记忆体单元读取数据。
记忆体装置动态随机存取阵列

[发明专利]单词记忆学习系统-CN200910178351.0无效
发明人：林汉忠 -专利权人：林汉忠
申请日： 2009-11-11 - 公布日： 2011-05-11 - 主分类号： G09B7/04 文献下载
摘要：本发明为一种单词记忆学习系统，其主要包含单词记忆练习单元、单词记忆挑战初试单元、单词记忆自我挑战单元、单词记忆超级挑战单元。其中单词记忆练习单元是由系统发出单词的读音，通过发音或是跟读的步骤，在听、看、说各方面练习记忆单词；而单元单词记忆挑战初试单元、单词记忆自我挑战单元、单词记忆超级挑战单元均是系统的数据库采以单词选取模块，配合一具倒数计时功能的计时模块，以提醒使用者在限定时间内键入单词，测试使用者是否已熟记单词，并且在回应不正确时，会给予提示的步骤以强化对单词的记忆效能。
单词记忆学习系统

[发明专利]记忆体单元阵列及其形成方法-CN201910414248.5有效
发明人：翁啟翔;池育德 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-05-17 - 公布日： 2021-04-09 - 主分类号： H01L27/24 文献下载
摘要：一种记忆体单元阵列及其形成方法，记忆体单元阵列包括第一纵行的记忆体单元、第二纵行的记忆体单元、第一位线、第二位线、和源极线。第二纵行的记忆体单元在第一方向上与第一纵行的记忆体单元分隔。第一纵行的记忆体单元和第二纵行的记忆体单元排列在第二方向上。第一位线耦合到第一纵行的记忆体单元并沿第二方向延伸。第二位线耦合到第二纵行的记忆体单元并沿第二方向延伸。源极线沿第二方向延伸，耦合到第一纵行的记忆体单元和第二纵行的记忆体单元。
记忆体单元阵列及其形成方法

[发明专利]随机码产生器及其相关控制方法-CN201810971268.8有效
发明人：吴孟益;陈信铭 -专利权人：力旺电子股份有限公司
申请日： 2018-08-24 - 公布日： 2020-07-28 - 主分类号： G11C16/04 文献下载
摘要：一种半导体芯片中的随机码产生器，包括：PUF记忆单元阵列、控制电路与验证电路。PUF记忆单元阵列包括m×n个PUF记忆单元。控制电路与验证电路连接至该PUF记忆单元阵列。于编程动作时，该控制电路编程该PUF记忆单元阵列。于验证动作时，该验证电路由该PUF记忆单元阵列中判断出p个PUF记忆单元为正常PUF记忆单元，并对应的产生映射信息，且p小于m×n。当该半导体芯片开始运作时，该控制电路根据该映射信息来读取该PUF记忆单元阵列中的该p个正常PUF记忆单元的储存状态，并组成随机码。
随机产生器及其相关控制方法

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