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[发明专利]氧化物薄膜晶体管及其制备方法和反相器及其制备方法-CN201510274195.3有效
发明人：曹鸿涛;王妹;梁凌燕;张胜男;罗浩;李秀霞 -专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请日： 2015-05-26 - 公布日： 2018-03-06 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明公开了一种氧化物薄膜晶体管及其制备方法和反相器及其制备方法，其中氧化物薄膜晶体管包括衬底、栅介质层、氧化物沟道层、源电极、漏电极和覆盖层；栅介质层位于衬底的上方；氧化物沟道层位于栅介质层的上方；源电极和所述漏电极均至少部分位于氧化物沟道层的上方；覆盖层位于氧化物沟道层的上方，且位于源电极和漏电极之间；其中，覆盖层为金属氧化物薄膜。其通过在氧化物薄膜晶体管的氧化物沟道层上方增加设置一层金属氧化物薄膜作为覆盖层，实现金属氧化物薄膜对氧化物沟道层表面态的钝化，进而有效改善氧化物薄膜晶体管的性能。
氧化物薄膜晶体管及其制备方法反相器

[发明专利]一种减少氧化物涂层氚滞留的方法-CN201110049939.3有效
发明人：张鲲;轩伟;王开;康海燕 -专利权人：康海燕
申请日： 2011-03-02 - 公布日： 2011-07-06 - 主分类号： B05D5/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种减少不锈钢试样氧化物涂层表面氚滞留的方法，属于涂层涂覆技术领域。本发明公开的减少氧化物涂层表面氚滞留的方法，包括在不锈钢试样的氧化物涂层表面覆盖一层磷酸盐。本发明的减少氧化物涂层表面氚滞留的方法还可以包括后续的热处理过程，以进一步增加磷酸盐覆盖层的致密度和覆盖密度。本发明通过在氧化物涂层表面覆盖一层磷酸盐，消除氧化物涂层和空气的界面，从而消除与空气相接触的氧化物涂层表面所吸收的氚，达到有效减少氧化物涂层氚滞留的效果。按照本发明方法，氧化物涂层氚吸附量小可以减少到覆盖磷酸盐前的1/10。
一种减少氧化物涂层滞留方法

[发明专利]磁阻传感器上自对准反射/保护覆盖层的制造及该传感器-CN200310119726.9无效
发明人：维托尔德·库拉;亚历山大·迈克尔·泽尔特瑟 -专利权人：日立环球储存科技荷兰有限公司
申请日： 2003-12-03 - 公布日： 2004-06-16 - 主分类号： G11B5/39 文献下载
摘要：一种磁阻传感器，通过使用包括沉积在下分层结构上的自由层的传感器结构并沉积覆盖在自由层上面的氧化物结构来制造。氧化物结构的沉积包括步骤：沉积覆盖在自由层上面的缓冲层，其中缓冲层是沉积的缓冲层金属，沉积覆盖并接触缓冲层的覆盖层，覆盖层是覆盖层金属的覆盖层金属氧化物，以及氧化缓冲层以形成缓冲层金属氧化物。
磁阻传感器对准反射保护覆盖层制造

[发明专利]由铜合金组成的丝材、网和适用于水产养殖的养殖笼-CN201880046525.5在审
发明人：本杰明·菲格里乌斯;蒂莫·奥尔门丁格;丹尼尔·施泰茨;苏珊·博曼 -专利权人：威兰德-沃克公开股份有限公司
申请日： 2018-06-27 - 公布日： 2020-04-21 - 主分类号： C22C9/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种由具有氧化物表面的金属材料组成的丝材，其中，丝材的氧化物表面具有第一氧化物层，该第一氧化物层覆盖部分金属材料并且厚度至少为200nm至2μm；并且丝材的氧化物表面具有第二氧化物层，该第二氧化物层覆盖未被第一氧化物层覆盖的区域中的金属材料根据本发明，第二氧化物层的厚度不超过第一氧化物层厚度的0.01％至10％。本发明还涉及一种网和用于水产养殖的养殖笼。
铜合金组成适用于水产养殖

[发明专利]抗微生物制品及其使用方法-CN201680066215.0有效
发明人：余大华;多内·德米尔戈兹;刘军钪;巴德理·维尔拉哈万;纳里纳·Y·斯捷潘诺娃 -专利权人： 3M创新有限公司
申请日： 2016-11-03 - 公布日： 2021-07-20 - 主分类号： A61L15/18 文献下载
摘要：所述制品包括闭合层；覆盖所述闭合层的基材，其中所述基材具有两个相对的主表面；覆盖所述基材的金属氧化物层，其中所述金属氧化物层包含金属氧化物，并且其中所述金属氧化物层包含小于40重量％的非氧化金属；以及覆盖所述金属氧化物层的金属层
微生物制品及其使用方法

[发明专利]复合材料、其制造方法和锂离子二次电池用负极材料等-CN202080079629.3在审
发明人：利根川明央;井上浩文;香野大辅;白镇硕 -专利权人：昭和电工株式会社
申请日： 2020-11-10 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： C01B32/21 文献下载
摘要：本发明的复合材料包含碳性材料和覆盖所述碳性材料表面的金属氧化物层，所述金属氧化物层以岛状散布的海岛结构覆盖所述碳性材料表面，并且所述金属氧化物层对所述碳性材料的覆盖率为20％以上且80％以下。另外，本发明的复合材料包含碳性材料、以及覆盖所述碳性材料表面的金属氧化物层和无定形碳层，所述金属氧化物层以岛状散布于所述碳性材料表面。本发明的复合材料包含碳性材料和覆盖所述碳性材料表面的金属氧化物层，所述金属氧化物层中存在厚度至少超过10nm的部分，所述金属氧化物的覆盖面积之中厚度为10nm以下的部分的面积比例为70％以上且99％以下此外，本发明的复合材料包含碳性材料、以及覆盖所述碳性材料表面的金属氧化物层和无定形碳层，在所述金属氧化物层中存在厚度至少超过10nm的部分，金属氧化物层的覆盖面积之中厚度为10nm以下的部分的面积比例为
复合材料制造方法锂离子二次电池负极材料

[发明专利]测试键结构及其形成方法-CN201310542821.3在审
发明人：陈建奇 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-11-05 - 公布日： 2015-05-13 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本发明提供一种测试键结构，包括：第一浮栅，第二浮栅、浅沟槽隔离结构，浅沟槽隔离结构表面的氧化物—氮化硅—氧化物膜，位于所述氧化物—氮化硅—氧化物膜表面的控制栅，在所述测试键结构中，氧化物—氮化硅—氧化物膜覆盖于所述浮栅上表面，也覆盖于所述浮栅侧面以及所述浅沟槽隔离结构的表面，这样的氧化物—氮化硅—氧化物膜的形貌能够模拟实际FLASH存储单元中的氧化物—氮化硅—氧化物膜的真实形貌，从而对实际FLASH存储单元中的氧化物—氮化硅—氧化物膜的成膜质量进行更准确的测试与监控。
测试结构及其形成方法

[发明专利]一种柔性有机发光半导体器件阳极结构-CN202111406825.X在审
发明人：姚婷婷;马立云;沈洪雪;李刚;王天齐;彭塞奥;杨扬;金克武;徐佳馨;王金磊;王东;鲍田;苏文静;甘治平 -专利权人：中建材蚌埠玻璃工业设计研究院有限公司;玻璃新材料创新中心（安徽）有限公司
申请日： 2021-11-24 - 公布日： 2022-02-11 - 主分类号： H01L51/52 文献下载
摘要：本发明提供一种柔性有机发光半导体器件阳极结构，包括：柔性基底，柔性基底的上表面覆盖有第一金属氧化物层；合金层，合金层位于第一金属氧化物层上方并覆盖第一金属氧化物层的上表面；金属层，金属层位于合金层上方并覆盖合金层的上表面，通过合金层隔离金属和第一金属氧化物层并促进金属层连续成膜；第二金属氧化物层，第二金属氧化物层位于金属层上方并覆盖金属层的上表面，通过第二金属氧化物层隔离金属层与外部空气；柔性基底、第一金属氧化物层、合金层、金属层和第二金属氧化物层组成柔性有机发光半导体器件阳极。
一种柔性有机发光半导体器件阳极结构

[发明专利]覆盖有硅化合物的氧化物粒子及其制造方法、和含有其的覆盖有硅化合物的氧化物组合物-CN201780033017.9有效
发明人：榎村真一;本田大介 -专利权人： M技术株式会社
申请日： 2017-05-25 - 公布日： 2021-12-28 - 主分类号： C01G9/02 文献下载
摘要：本发明涉及覆盖有硅化合物的氧化物粒子的制造方法，其为金属氧化物粒子表面的至少一部分被硅化合物覆盖而成的覆盖有硅化合物的氧化物粒子的制造方法，其特征在于，通过控制上述覆盖有硅化合物的氧化物粒子中含有的Si‑OH根据本发明，可以提供除了控制疏水性、疏油性或亲水性等润湿性以外，还控制反射率、摩尔吸光系数和透射率中的任一种颜色特性的覆盖有硅化合物的氧化物粒子。
覆盖化合物氧化物粒子及其制造方法含有组合

[发明专利]一种混杂贵金属掺粒子和金属氧化物薄膜的集成气体传感器及其制备方法-CN201410230475.X在审
发明人：章伟;王瑞;高志强;李雨桐;秦薇薇;李涛;许泳;杨楠;蔡依晨;徐玫瑰 -专利权人：南京工业大学;南京益得冠电子科技有限公司
申请日： 2014-05-28 - 公布日： 2014-09-10 - 主分类号： G01N27/26 文献下载
摘要：一种混杂贵金属掺粒子和金属氧化物薄膜的集成气体传感器及其制备方法，包括基片、加热电极、导热绝缘层、检测电极、金属氧化物薄膜，加热电极制备在基片上、导热绝缘层位于加热电极和检测电极之间，金属氧化物薄膜覆盖在检测电极上，其特征在于：在金属氧化物薄膜上沉积有贵金属粒子，贵金属粒子为单原子覆盖在氧化物薄膜上，覆盖度为金属氧化物薄膜表面积的0.05%-10%，颗粒尺寸为0.2nm-0.4nm。本发明能有效提高金属氧化物薄膜气体灵敏度和稳定性，通过掺杂贵金属粒子，测试200ppm乙醇气体，灵敏度由纯金属氧化物的1.51提高到贵金属-金属氧化物的9.46；同时，金属氧化物薄膜的气敏反应温度只需要
一种混杂贵金属粒子金属氧化物薄膜集成气体传感器及其制备方法

[发明专利]一种薄膜晶体管及其制造方法-CN201911166613.1在审
发明人：董波;简锦诚;王海宏;郑帅;文超平 -专利权人：南京中电熊猫液晶显示科技有限公司;南京中电熊猫平板显示科技有限公司;南京华东电子信息科技股份有限公司
申请日： 2019-11-25 - 公布日： 2020-04-21 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明提供一种薄膜晶体管及其制造方法，薄膜晶体管包括栅极、覆盖栅极的栅极绝缘膜、位于栅极绝缘膜上且位于栅极上方的金属氧化物半导体层，还包括覆盖在金属氧化物半导体层上的第一绝缘层、与金属氧化物半导体层同层且分别位于金属氧化物半导体层两端接触的第一氧化物导体和第二氧化物导体、位于第一氧化物导体上的源极、位于第二氧化物导体上的漏极以及第二绝缘层，其中第二绝缘层覆盖第一绝缘层、源极、漏极和栅极绝缘膜。本发明第一氧化物导体和第二氧化物导体为金属氧化物半导体未覆盖第一绝缘层导体化形成，第一绝缘层决定沟道的尺寸L1，这样实现了薄膜晶体管的小型化，避免第二绝缘层形成前氧化物半导体材料处理造成第二金属层的氧化
一种薄膜晶体管及其制造方法

[发明专利]半导体结构-CN201710040781.0在审
发明人：陈俊吉;郑凯文;蔡正原;吴国铭 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-01-20 - 公布日： 2017-08-15 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：半导体结构包括第一磁性层、绝缘氧化物层、氧俘获层和覆盖层。绝缘氧化物层位于第一磁性层上方。氧俘获层位于绝缘氧化物层上方。氧俘获层的氧浓度低于绝缘氧化物层的氧浓度。覆盖层位于氧俘获层上方。
半导体结构

[发明专利]抗微生物制品及其使用方法-CN201680026008.2在审
发明人：余大华;刘军钪;纳里纳·Y·斯捷潘诺娃;巴德理·维尔拉哈万;莫塞斯·M·大卫 -专利权人： 3M创新有限公司
申请日： 2016-05-05 - 公布日： 2018-01-26 - 主分类号： A61L15/46 文献下载
摘要：所述制品包括封闭层、覆盖在所述封闭层上的吸收层、以及覆盖在所述吸收层上的金属氧化物层，其中所述金属氧化物层包含金属氧化物并且其中所述金属氧化物层包含小于40重量％的非氧化金属。
微生物制品及其使用方法

[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法-CN201310524437.0无效
发明人：林亮宇;郑君丞 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2013-10-29 - 公布日： 2014-03-12 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：发明提供一种薄膜晶体管及其制造方法，薄膜晶体管包括栅极、栅极绝缘层、源极以及漏极、金属氧化物半导体层、第一金属氧化物导电层以及第二金属氧化物导电层。栅极绝缘层覆盖栅极。源极以及漏极位于栅极绝缘层上。金属氧化物半导体层覆盖源极、漏极以与栅极上方的栅极绝缘层，以作为通道层。第一金属氧化物导电层位于源极与金属氧化物半导体层之间，以使源极与金属氧化物半导体层隔离开来。第二金属氧化物导电层位于漏极与金属氧化物半导体层之间，以使漏极与金属氧化物半导体层隔离开来。
薄膜晶体管及其制造方法

[发明专利]抗微生物制品-CN201780064535.7在审
发明人：刘军钪;余大华;艾米·K·麦克纳尔蒂;纳里纳·Y·斯捷潘诺娃;巴德理·维尔拉哈万;埃里克·J·奥尔森;马修·T·斯科尔茨;拉尼亚宁·V·帕塔萨拉蒂;凯文·D·哈根 -专利权人： 3M创新有限公司
申请日： 2017-10-05 - 公布日： 2019-08-16 - 主分类号： A61L15/18 文献下载
摘要：所述制品包括：闭合层；基材，所述基材覆盖所述闭合层，其中所述基材具有两个相对的主表面；金属氧化物层，所述金属氧化物层覆盖所述基材的一个相对主表面，其中所述金属氧化物层包含金属氧化物；和金属层，所述金属层覆盖所述基材的另一个相对主表面；其中所述基材介于所述金属氧化物层和所述金属层之间；并且其中所述金属氧化物层的电位比所述金属层的电位大至少0.454V。
金属氧化物层基材金属层电位相对主表面闭合覆盖抗微生物效果抗微生物制品金属氧化物主表面

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