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[发明专利]外延薄膜表面保护测试技术-CN200810201535.X无效
发明人：魏彦锋;陈晓静;徐庆庆;张传杰;杨建荣 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2008-10-22 - 公布日： 2009-04-08 - 主分类号： G01B11/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种外延薄膜表面保护测试技术，它可以在外延生长结束后，对外延薄膜进行涂覆保护，涂覆层起到杂质粘污阻挡层的作用，并且，在带有涂覆层的情况下，可以提取外延材料组分、厚度、x光貌相参数。其特征是：外延薄膜表面采用光刻胶保护，参考衬底表面涂覆的光刻胶厚度与外延层表面保护用的光刻胶厚度相同，透射光谱测试时以参考衬底的透射光谱作为背景，通过迭代法从不规则的透射光谱中提取外延层的厚度和组分参数本发明的优点是，完全避免了测试过程中的环境和测试设备对外延层的沾污，简化了后续的清洗工艺，提高了薄膜材料的成品率。
外延薄膜表面保护测试技术

[发明专利]BSI图像传感器形成方法-CN201110021335.8有效
发明人：杨瑞坤;王景 -专利权人：格科微电子（上海）有限公司
申请日： 2011-01-19 - 公布日： 2011-07-06 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种BSI图像传感器的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括第一表面和与之相对的第二表面；在第一表面形成第一外延层，所述半导体衬底相对于所述第一外延层具有较高研磨选择比；在第一外延层表面形成第二外延层，所述第二外延层包括上表面和下表面，其中，上表面背离第一外延层，下表面朝向第一外延层；在第二外延层内形成光传感区，在第二外延层上表面依次形成像素区、互连层和钝化层；沿所述第二表面研磨所述半导体衬底，直至暴露第一外延层；去除第一外延层；在第二外延层下表面依次形成滤光片、微透镜。
bsi 图像传感器形成方法

[发明专利]基于111晶向的硅外延片制备方法、硅外延片及半导体器件-CN202310686810.6有效
发明人：郭艳敏;王楠;赵堃;莫宇 -专利权人：中电科先进材料技术创新有限公司
申请日： 2023-06-09 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明提供一种基于111晶向的硅外延片制备方法、硅外延片及半导体器件。该方法包括：在硅片表面进行高速率的111晶向外延生长，得到第一外延层；对第一外延层进行刻蚀；在刻蚀后的第一外延层表面进行低速率的111晶向外延生长，得到第二外延层，硅片、刻蚀后的第一外延层和第二外延层构成基于111晶向的硅外延片。本发明首先在硅片表面高速率生长第一外延层，相比于常规生长速度具有更高的效率，然后对第一外延层进行刻蚀，能够去除第一外延层表面具有雾缺陷的部分，最后在第一外延层表面进行低速率生长，确保最终硅外延片表面平整、稳定，并且相比于全程慢速率生长具有更高的生产效率，解决了高速率生长的硅外延片表面存在雾缺陷的问题。
基于 111 外延制备方法半导体器件

[发明专利]一种异质外延薄膜外延层的表面处理方法-CN202111483162.1在审
发明人：董树荣;庞正基;轩伟鹏;金浩;骆季奎;刘刚;刘舒婷;钟高峰;邹锦林 -专利权人：浙江大学杭州国际科创中心
申请日： 2021-12-07 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： H01L21/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种异质外延薄膜外延层的表面处理方法，包括提供外延衬底，在所述外延衬底上表面制备一外延层，提供待键合层；键合所述外延层和所述待键合层；机械减薄抛光所述外延衬底下表面，当所述外延衬底的厚度减薄至20‑40μm时停止抛光，在减薄后的外延衬底下表面旋涂一层含Si抗反射涂层/有机碳层的光刻胶三层结构掩膜；对所述光刻胶三层结构掩膜表面加热后进行化学机械减薄抛光，得到三层结构掩膜平坦化的外延衬底；干法刻蚀CMP抛光后的外延衬底表面直至所述外延层外漏得到异质外延薄膜外延层。该方法能够使得转移剥离露出的外延层的厚度均匀性较好。
一种外延薄膜表面处理方法

[发明专利]外延基片处理方法-CN200910209355.0无效
发明人：张元;孟庆丽 -专利权人：无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2009-11-04 - 公布日： 2011-05-11 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：一种外延基片处理方法，包括：提供外延片，所述外延片包括上表面和下表面，所述外延片的下表面形成有晶点；在所述外延片的上表面形成保护层；去除所述外延片下表面的晶点；去除所述保护层。本发明处理后的外延片，外延片的背面没有晶点，并且具有比较高的平坦度，且本发明提供的外延片处理方法能够与标准半导体工艺结合，不需要额外的设备和特殊的工艺。
外延处理方法

[发明专利]半导体器件及其制作方法-CN202111564245.3在审
发明人：张敬伟;贺锋;李天运 -专利权人：北京世纪金光半导体有限公司
申请日： 2021-12-20 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本申请公开了一种半导体器件及其制作方法，所述半导体器件包括：半导体衬底，具有相对的第一表面和第二表面；设置于所述第一表面上的第一外延层；设置于所述第一外延层背离所述半导体衬底一侧表面的第二外延层，所述第二外延层具有刻蚀凹槽；设置于所述第二外延层背离所述第一外延层一侧表面以及所述刻蚀凹槽内的第三外延层；设置于所述第三外延层背离所述第二外延层一侧表面内的阱区；其中，所述第一外延层的掺杂浓度等于所述第三外延层的掺杂浓度，所述第二外延层的掺杂浓度大于所述第一外延层或所述第三外延层的掺杂浓度
半导体器件及其制作方法

[发明专利]减少外延片表面划痕的方法-CN201611159109.5有效
发明人：李赟 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2016-12-15 - 公布日： 2019-08-20 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种减少外延片表面划痕的方法，包括以下步骤：(1)将碳化硅衬底置于碳化硅外延系统反应室内的石墨基座上；(2)利用氩气对反应室内气体进行多次置换，然后向反应室通入氢气，逐渐加大氢气流量至20～本发明的方法利用在较低温度、高反应室压力和小流量氢气条件下，采用慢速以及趋于各项同性的氢气刻蚀对衬底进行处理，可以有效减少和弱化衬底表面的划痕，并减少外延层中由划痕所衍生的其他外延缺陷，该方法兼容现有外延工艺
减少外延表面划痕方法

[发明专利]一种互补型SiC双极集成晶体管及其制作方法-CN201711361495.0有效
发明人：蒲红斌;王曦;胡丹丹;封先锋 -专利权人：西安理工大学
申请日： 2017-12-18 - 公布日： 2020-06-26 - 主分类号： H01L27/082 文献下载
摘要：本发明公开了一种互补型SiC双极集成晶体管，衬底之上依次设置有八个外延层，钝化层覆盖在各个外延层的表面与侧壁以及第一外延层末端之外衬底的上表面；第八外延层的上端面覆盖有电极一，第八外延层末端之外第七外延层的上端表面覆盖有电极二，第七外延层末端之外第六外延层的上端表面覆盖有电极三，第四外延层末端之外第三外延层的上端表面覆盖有电极四，第三外延层末端之外第二外延层的上端表面覆盖有电极五，第二外延层末端之外第一外延层的上端表面覆盖有电极六
一种互补 sic 集成晶体管及其制作方法

[发明专利]发光二极管的制作方法-CN201210537450.5无效
发明人：陈彦玮;余国辉;王建钧 -专利权人：奇力光电科技股份有限公司;佛山市奇明光电有限公司
申请日： 2012-12-12 - 公布日： 2014-03-26 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开一种发光二极管的制作方法，其包括提供一外延基板，外延基板具有一第一表面与一第二表面，第一表面与第二表面分别位于外延基板的相反侧；形成一外延结构于外延基板的第一表面上，外延结构具有一第一半导体层及一第二半导体层；形成一沟槽于外延结构上，沟槽暴露出第一半导体层；提供一固定基板设置于外延结构及第一半导体层上；提供一能量由外延基板的第二表面进入外延基板，并聚焦于第一表面及第二表面之间；形成一反射层于外延基板的第二表面上
发光二极管制作方法

[发明专利]功率器件及其制备方法-CN201811277070.6在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：深圳市福瑞禧科技发展有限公司
申请日： 2018-10-30 - 公布日： 2019-03-08 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种功率器件包括衬底，形成在衬底上的第一外延层，自第一外延层的上表面向下形成沟槽，形成在沟槽的底部的第二外延层，贯穿第二外延层的凹槽，凹槽内填充第三外延层，形成在第三外延层及第二外延层的上表面的第四外延层，第三外延层的浓度大于第四外延层的浓度，位于第四外延层的两侧自第一外延层的上表面向下延伸形成体区，自第四外延层和体区的交界处向下延伸形成的源区，形成在第一外延层、体区及部分源区的上表面的氧化层，位于氧化层的上表面的多晶硅层，位于多晶硅层及部分源区的上表面的介质层，位于介质层、部分源区及第四外延层的上表面的金属层。
外延层上表面源区功率器件多晶硅层向下延伸介质层氧化层衬底体区制备工作性能向下形成雪崩能量单脉冲交界处金属层形成体填充贯穿

[发明专利]一种改善外延晶圆平坦度的方法以及外延晶圆-CN202111428677.1有效
发明人：蒲以松;赵敏剑;惠聪 -专利权人：西安奕斯伟材料科技有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司
申请日： 2021-11-29 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种改善外延晶圆平坦度的方法以及外延晶圆，所述方法包括：在抛光晶圆的表面通过外延沉积反应生长一层外延层以制备得到外延晶圆；利用物理气相沉积法在所述外延晶圆的外延层表面沉积一层薄膜层；利用等离子刻蚀法去除所述外延晶圆表面的所述薄膜层和局部外延层；去除所述外延晶圆表面残留的所述薄膜层后，测量所述外延晶圆的平坦度并判断所述平坦度是否满足目标要求；若所述外延晶圆的平坦度满足目标要求，清洗所述外延晶圆并烘干后以获得满足所述目标要求的外延晶圆。
一种改善外延平坦方法以及

[发明专利]LED芯片结构及其制备方法-CN202210139488.0在审
发明人：王国宏;李璟;李志聪 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2022-02-15 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： H01L33/46 文献下载
摘要：本公开提供了一种LED芯片结构及其制备方法，该LED芯片结构包括：衬底、外延层、PN电极层和感光显影层，外延层形成于所述衬底的表面上；PN电极层形成于所述外延层的表面上，且位于所述外延层表面的两端；感光显影层覆盖所述衬底和所述外延层的剩余表面且所述感光显影层的表面高于所述外延层的表面
led 芯片结构及其制备方法

[发明专利]一种背照式近红外像素单元及其制备方法-CN201910838041.0有效
发明人：王勇 -专利权人：成都微光集电科技有限公司
申请日： 2019-09-05 - 公布日： 2021-09-14 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明公开的一种背照式近红外像素单元的制备方法，包括如下步骤：S01：准备一衬底，在所述衬底表面外延生成第一外延层，并在第一外延层表面形成第一对准标记；S02：在第一外延层表面外延生成第二外延层，并在第二外延层表面形成与第一对准标记对准的第二对准标记；S03：重复步骤S02直至生成第N外延层和第N对准标记；S04：在第N外延层表面形成正面器件；S05：将上述衬底倒置，并将正面器件和载片键合；S06：去除衬底，暴露出第一外延层；在暴露出来的第一外延层表面形成背面器件，背面器件通过第一外延层、第二外延层直至第N外延层与正面器件对准。本发明提供的一种背照式近红外像素单元及其制备方法，能够提高背照式近红外像素单元的外延层厚度。
一种背照式近红外像素单元及其制备方法

[发明专利]外延片的制造方法-CN200780012151.7有效
发明人：古屋田荣;高石和成;桥井友裕;村山克彦;加藤健夫 -专利权人：胜高股份有限公司
申请日： 2007-01-24 - 公布日： 2009-04-22 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：提供一种可以减少外延层形成的表面缺陷及滑移的发生的外延片的制造方法。该外延片的制造方法的特征在于，包括：根据晶片表面形状控制对晶片表面的蚀刻液的使用，以此平滑化所述晶片表面的平滑化工序；和通过外延生长在所述晶片表面上形成单晶硅构成的外延层的外延层形成工序。
外延制造方法

[发明专利]发光二极管的制造方法-CN201210326410.6无效
发明人：邱信嘉;吴奇隆;叶姿吟;江俊德 -专利权人：奇力光电科技股份有限公司;佛山市奇明光电有限公司
申请日： 2012-09-05 - 公布日： 2014-01-15 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：本发明公开一种发光二极管的制造方法，其包括：提供一键合基板；提供一外延结构，该外延结构包含一外延基板与一外延层，其中该外延层具有相对的第一表面与第二表面，该外延基板与该外延层接合于该第一表面;于该外延结构上的各单一管芯结构的周边形成至少一排气通道；在该外延层的该第二表面与该键合基板上涂布接着胶；挥发该接着胶上的有机挥发气体；结合该外延结构与该键合基板；移除该外延基板，而暴露出该外延层的该第一表面；于该外延层所暴露出的该第一表面上形成电极；以及沿着各该单一管芯结构的周边进行切割
发光二极管制造方法

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