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[发明专利]磷酸工艺控制氧化物蚀刻率的方法-CN201210167894.4有效
发明人：李成材;江家兴;范育嘉;陈松宽;王兴华;杨淳吉;庄宗仁 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2012-05-28 - 公布日： 2013-12-18 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：一种磷酸工艺控制氧化物蚀刻率的方法，在此方法中，根据产品待蚀刻层的不同预设在进行磷酸工艺对应的多个氧化物蚀刻率下降值，并根据补酸的量的不同预设多个氧化物蚀刻率上升值，然后根据各批次晶圆的所述产品待蚀刻层的不同所对应的所述氧化物蚀刻率下降值，推算一氧化物蚀刻率模拟值，当所述氧化物蚀刻率模拟值超出管制界线，则进行补酸。此外，根据所述补酸的量推算所述氧化物蚀刻率上升值，以决定所述氧化物蚀刻率模拟值的上升程度。
磷酸工艺控制氧化物蚀刻方法

[发明专利]管控王水蚀刻能力的方法-CN201510446162.2有效
发明人：周锋;张元龙 -专利权人：山东华芯富创电子科技有限公司
申请日： 2015-07-28 - 公布日： 2017-03-08 - 主分类号： G01N33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种管控王水蚀刻能力的方法，包括以下步骤1）在载有透明导电膜的基板上使用保护层对透明导电膜进行部分覆盖，未被覆盖的部分构成蚀刻区，形成实验件；2）单位时间内使用给定浓度的王水对蚀刻区进行蚀刻；3）基于单位时间内蚀刻掉的蚀刻区厚度得出给定浓度的王水的蚀刻率；4）针对不同浓度的王水使用步骤1）‑3），确定不同浓度条件下的王水的蚀刻率，生成王水浓度与蚀刻率的对应关系表；5）基于所述对应关系表，以蚀刻率为参数管控蚀刻工艺中的王水蚀刻能力依据本发明减少了对蚀刻工艺环节的影响，且能够准确的掌控王水当前的蚀刻能力。
王水蚀刻能力方法

[发明专利]快闪存储器位线上的电性绝缘层的制造方法-CN01123454.7有效
发明人：陈建维;赖俊仁 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2001-07-25 - 公布日： 2003-02-26 - 主分类号： H01L21/822 文献下载
摘要：一种快闪存储器位线上电性绝缘层的制造方法，该制造方法至少包括下列步骤在基材上依序形成导电层、掩模层以及覆盖层，并进行蚀刻平板印刷法蚀刻，以形成多个间隔；接着在基材上形成介电层，之后在介电层上形成平坦化材质层；然后蚀刻平坦化材质层与介电层，且对平坦化材质层的蚀刻率小于对介电层的蚀刻率；随即蚀刻介电层以清除覆盖层上的介电层，且介电层的蚀刻率大于覆盖层的蚀刻率，并在间隔内形成间隔介电层；接着蚀刻移除覆盖层，且介电层的蚀刻率小于掩模层的蚀刻率
闪存储器位线上绝缘制造方法

[发明专利]蚀刻液管理装置-CN200710148574.3有效
发明人：中川俊元;佐藤寿邦 -专利权人：株式会社平间理化研究所
申请日： 2007-08-29 - 公布日： 2008-04-30 - 主分类号： H01L21/3213 文献下载
摘要：将蚀刻液自动控制在规定的硝酸浓度、醋酸浓度及磷酸浓度而且对蚀刻液处理槽的液体补给进行适当的管理、并且使蚀刻性能经常一定化的同时削减使用原液量、大幅度缩短停工时间从而使综合制造成本的减低成为可能。本发明提供一种蚀刻液管理装置，其是在具备贮存含有硝酸的蚀刻液的蚀刻液处理槽、使在所述蚀刻液处理槽中贮存的蚀刻液进行循环的蚀刻液循环机构、输送被利用所述蚀刻液循环机构循环的蚀刻液蚀刻的含铝膜的基板的蚀刻处理机构的蚀刻处理装置中使用的蚀刻液管理装置，其特征在于，具备：对蚀刻液进行取样的蚀刻液取样机构、用纯水稀释利用所述蚀刻液取样机构取样的蚀刻液的稀释机构、通过测定利用所述稀释机构稀释的蚀刻液的电导率而得到与所述蚀刻液的硝酸浓度相关的电导率值的电导率计、基于利用所述电导率计得到的电导率值向所述蚀刻液处理槽供给补充液的补充液供给机构。
蚀刻管理装置

[发明专利]一种高分辨率掩膜条、掩膜板及掩膜条的制作方法-CN202310441040.9在审
发明人：张麒麟;林泽 -专利权人：福建华佳彩有限公司
申请日： 2023-04-23 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： C23C14/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种高分辨率掩膜条、掩膜板及掩膜条的制作方法，涉及高精细掩膜板技术领域。所述高分辨率掩膜条包括：蒸镀子像素开孔区，对应于显示面板区域设置；蚀刻减薄区，蚀刻形成于所述高分辨率掩膜条的第二蚀刻面，且面积大于所述蒸镀子像素开孔区；补偿蚀刻区，蚀刻形成于所述高分辨率掩膜条的第一蚀刻面，且位于两蒸镀子像素开孔区之间，用于补偿所述蚀刻减薄区。本发明提供的一种高分辨率掩膜条、掩膜板及掩膜条的制作方法，通过在掩膜条两面分别蚀刻形成蚀刻减薄区和补偿蚀刻区，并在蚀刻减薄区内形成蒸镀子像素开孔区，从而减小像素开孔间隙以提高分辨率。
一种高分辨率掩膜条掩膜板制作方法

[实用新型]一种高分辨率掩膜条及掩膜板-CN202320928474.7有效
发明人：张麒麟;林泽 -专利权人：福建华佳彩有限公司
申请日： 2023-04-23 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： C23C14/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种高分辨率掩膜条及掩膜板，涉及高精细掩膜板技术领域。所述高分辨率掩膜条包括：蒸镀子像素开孔区，对应于显示面板区域设置；蚀刻减薄区，蚀刻形成于所述高分辨率掩膜条的第二蚀刻面，且面积大于所述蒸镀子像素开孔区；补偿蚀刻区，蚀刻形成于所述高分辨率掩膜条的第一蚀刻面，且位于两蒸镀子像素开孔区之间，用于补偿所述蚀刻减薄区。本实用新型提供的一种高分辨率掩膜条及掩膜板，通过在掩膜条两面分别蚀刻形成蚀刻减薄区和补偿蚀刻区，并在蚀刻减薄区内形成蒸镀子像素开孔区，从而减小像素开孔间隙以提高分辨率。
一种高分辨率掩膜条掩膜板

[发明专利]晶圆浅沟隔离的蚀刻时间设定的方法和系统-CN200710300663.5无效
发明人：李明;陈为生;陈国卿;李文亚 -专利权人：和舰科技（苏州）有限公司
申请日： 2007-12-19 - 公布日： 2009-06-24 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明提出了一种晶圆浅沟隔离的蚀刻时间设定的方法和系统，根据已蚀刻的误差率来得出时间修正参数，并通过时间修正参数对最接近的一次蚀刻的蚀刻时间进行修正以得出本次蚀刻的蚀刻时间。本发明相比较现有技术，能够根据以往多次蚀刻或其中的数次蚀刻的蚀刻误差得到误差参数，并以该误差参数来对最近一次蚀刻的蚀刻时间进行修正，以降低在大批生产时的误差率，并能够最大限度的降低蚀刻能力漂移在批量生产时造成的误差率
晶圆浅沟隔离蚀刻时间设定方法系统

[发明专利]光伏装置的蚀刻工艺控制方法-CN200910210815.1无效
发明人：叶育修;刘华龙;刘正治;罗智文 -专利权人：均豪精密工业股份有限公司
申请日： 2009-11-10 - 公布日： 2011-05-11 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供一种光伏装置的蚀刻工艺控制方法，其包括以下步骤：步骤1：将一晶片送入一蚀刻机台；步骤2：在所述蚀刻机台内测量、计算、记录所述晶片在蚀刻工艺前与蚀刻工艺后的某一特定物理量的差异，并由此计算、记录其蚀刻率；步骤3：由所述蚀刻机台自动判断所述蚀刻率与所述蚀刻机台内设的预定值是否有差异，若为否，则重新回到步骤1，若为是，则往下进行步骤4；步骤4：由所述蚀刻机台计算蚀刻工艺参数修正值；步骤5：由所述蚀刻机台自动修正其蚀刻工艺参数本发明是在光伏装置的蚀刻程序中，运用自动工艺回馈控制法来调整晶片的蚀刻率，以达到稳定的蚀刻工艺参数。
装置蚀刻工艺控制方法

[发明专利]蚀刻液管理装置及方法、以及蚀刻液的成分浓度测定方法-CN201410601727.5有效
发明人：中川俊元;白井浩之 -专利权人：株式会社平间理化研究所
申请日： 2014-10-31 - 公布日： 2019-07-19 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明提供一种将草酸系蚀刻液的作为蚀刻液的性能维持/管理成大致固定并抑制固体粒子的析出的蚀刻液管理装置及方法、以及蚀刻液的成分浓度测定方法。该蚀刻液管理装置具备：电导率计(17)，其对蚀刻液的电导率值进行测定；密度计(18)，其对蚀刻液的密度值进行测定；补充液输送控制机构，其基于蚀刻液的草酸浓度与电导率值之间的相关关系和电导率计(17)的测定结果、以及蚀刻液的溶解金属浓度与密度值之间的相关关系和密度计(18)的测定结果，来控制向蚀刻液补给的补充液的输送。
蚀刻管理装置方法以及成分浓度测定

[发明专利]以光学方法测量温度并监控蚀刻率的方法-CN01110453.8有效
发明人：李世琛 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2001-04-10 - 公布日： 2004-06-09 - 主分类号： G01N21/00 文献下载
摘要：本发明提出一种以光学方法测量温度并监控蚀刻率方法以及运用该方法之蚀刻装置。本发明方法适用于一等离子体蚀刻装置。本发明方法首先进行一蚀刻工艺，接着于蚀刻工艺进行时，监控该放电所产生的特定波长光的强度分布。最后依据该特定波长光的强度分布以及一运算规则，以光学方法得到一温度并对照出该蚀刻工艺蚀刻率。摘要附图说明：10进行一等离子体蚀刻工艺；12检测特定波长光的强度分布；14以一光学方法的运算规则求取温度并对照出蚀刻率。
光学方法测量温度监控蚀刻

[发明专利]含硅膜的蚀刻方法及装置-CN200980106982.X有效
发明人：功刀俊介 -专利权人：积水化学工业株式会社
申请日： 2009-02-26 - 公布日： 2011-01-26 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明可以缩短处理时间且抑制基底膜的蚀刻，同时无残渣地对含硅膜进行蚀刻。使含有含氟反应成分和H2O或含OH基化合物的处理气体与被处理物(90)接触，对含硅膜(93)进行蚀刻。随蚀刻的进行改变处理气体中的H2O或含OH基化合物的含有率。优选在对含硅膜的欲蚀刻部分的大半部分进行蚀刻的第一蚀刻工序中增高上述含有率，在对残留部分的含硅膜进行蚀刻的第二蚀刻工序中降低上述含有率。
含硅膜蚀刻方法装置

[发明专利]玻璃面板的减薄方法、减薄玻璃面板及显示装置-CN201711329361.0在审
发明人：易伟华;孙骏超;吴兴泽 -专利权人：江西沃格光电股份有限公司
申请日： 2017-12-13 - 公布日： 2018-05-15 - 主分类号： C03C15/00 文献下载
摘要：该玻璃面板的减薄方法，包括如下步骤：清洗玻璃面板；用微蚀刻液对清洗后的玻璃面板进行微蚀刻处理；及用蚀刻液对微蚀刻后的玻璃面板进行蚀刻处理，得到减薄玻璃面板。上述减薄方法得到的减薄玻璃面板的表面凸点不良率、凹点不良率及划伤不良率较低，且整体表观良率较高，无需进行抛光处理。
玻璃面板方法显示装置

[发明专利]基板上的钝化层组件以及具有该钝化层组件的显示基板-CN200510108073.3无效
发明人：宋仁虎;赵宽英;李澔;李帝珉 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2005-09-29 - 公布日： 2006-04-12 - 主分类号： G02F1/1368 文献下载
摘要：第一钝化层具有与蚀刻剂相关的第一蚀刻率。第二钝化层在第一钝化层上。第二钝化层具有与蚀刻剂相关且高于第一蚀刻率的第二蚀刻率。钝化层组件降低显示装置的故障率。
基板上钝化组件以及具有显示

[发明专利]电子设备、触控显示模组及其触控模组-CN201711492172.5在审
发明人：钭忠尚 -专利权人：南昌欧菲显示科技有限公司
申请日： 2017-12-30 - 公布日： 2019-07-09 - 主分类号： G06F3/044 文献下载
摘要：本发明涉及一种电子设备、触控显示模组及其触控模组，触控模组包括基材、透明导电氧化物薄膜、转印型透明导电膜及第一光学补偿层，由于第一光学补偿层设置于感光层朝向于第一表面的表面，且位于感光层与透明导电氧化物薄膜之间，因此蚀刻区与非蚀刻区的反射率差别在于：蚀刻区，第一光学补偿层与透明导电氧化物薄膜界面处的反射和透明导电氧化物薄膜与基材界面处的反射；非蚀刻区，第一光学补偿层与基材界面处的反射。因第一光学补偿层的折射率介于感光层的折射率与透明导电氧化物薄膜的折射率之间，使蚀刻区和非蚀刻区的反射率差值较小，从而减缓蚀刻纹现象，甚至可以使两者反射率的差异小于人眼所能识别的范围，从而达到消除蚀刻纹的作用
透明导电氧化物薄膜光学补偿层蚀刻区触控模组感光层折射率反射蚀刻电子设备非蚀刻区基材界面显示模组反射率触控反射率差别透明导电膜第一表面界面处基材人眼与非转印

[实用新型]电子设备、触控显示模组及其触控模组-CN201721920861.7有效
发明人：钭忠尚 -专利权人：南昌欧菲显示科技有限公司
申请日： 2017-12-30 - 公布日： 2018-08-31 - 主分类号： G06F3/044 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种电子设备、触控显示模组及其触控模组，触控模组包括基材、透明导电氧化物薄膜、转印型透明导电膜及第一光学补偿层，由于第一光学补偿层设置于感光层朝向于第一表面的表面，且位于感光层与透明导电氧化物薄膜之间，因此蚀刻区与非蚀刻区的反射率差别在于：蚀刻区，第一光学补偿层与透明导电氧化物薄膜界面处的反射和透明导电氧化物薄膜与基材界面处的反射；非蚀刻区，第一光学补偿层与基材界面处的反射。因第一光学补偿层的折射率介于感光层的折射率与透明导电氧化物薄膜的折射率之间，使蚀刻区和非蚀刻区的反射率差值较小，从而减缓蚀刻纹现象，甚至可以使两者反射率的差异小于人眼所能识别的范围，从而达到消除蚀刻纹的作用
透明导电氧化物薄膜光学补偿层蚀刻区触控模组感光层折射率反射蚀刻电子设备非蚀刻区基材界面显示模组反射率触控本实用新型反射率差别透明导电膜第一表面界面处基材人眼与非转印

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