“薄膜晶体管层”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果5770650个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]基于多种薄膜晶体管三维集成的半导体结构-CN202310512186.8在审
发明人：郭小军;郑炼凯;陈苏杰;尹晓宽;欧阳邦;邓立昂 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2023-05-08 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于多种薄膜晶体管三维集成的半导体结构。所述基于多种薄膜晶体管三维集成的半导体结构包括：衬底；N层薄膜晶体管层，沿第一方向依次叠置，每层所述薄膜晶体管层包括若干个薄膜晶体管，且至少存在两层所述薄膜晶体管层中的所述薄膜晶体管的类型不同；N层所述薄膜晶体管层中的至少一层所述薄膜晶体管层用于形成传感电路、至少一层所述薄膜晶体管层用于形成存储电路、以及至少一层所述薄膜晶体管层用于形成计算和信号处理电路，且至少存在两层所述薄膜晶体管层形成的所述电路的类型不同。
基于多种薄膜晶体管三维集成半导体结构

[发明专利]阵列基板及其制备方法、显示面板和显示装置-CN202310791323.6在审
发明人：杨静;张慧娟;盖人荣 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;北京京东方技术开发有限公司
申请日： 2023-06-29 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H10K59/121 文献下载
摘要：本申请公开了阵列基板及其制备方法、显示面板和显示装置，阵列基板包括：基板，第一薄膜晶体管层，所述第一薄膜晶体管层位于所述基板的一侧，所述第一薄膜晶体管层包括至少一个第一薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管包括低温多晶硅薄膜晶体管；聚合物隔层，所述聚合物隔层位于所述第一薄膜晶体管远离所述基板的一侧；第二薄膜晶体管层，所述第二薄膜晶体管位于所述聚合物隔层远离所述第一薄膜晶体管层的一侧，所述第一薄膜晶体管层包括至少一个第二薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管包括低温多晶硅薄膜晶体管；其中，至少一个所述第一薄膜晶体管的源极或漏极与所述第二薄膜晶体管的栅极通过贯穿所述聚合物隔层的通孔电连接。
阵列及其制备方法显示面板显示装置

[发明专利]薄膜晶体管装置制备方法和薄膜晶体管装置-CN201610867849.8在审
发明人：张婷婷 -专利权人：昆山国显光电有限公司
申请日： 2016-09-30 - 公布日： 2017-02-08 - 主分类号： H01L21/84 文献下载
摘要：本发明实施例提供了一种薄膜晶体管装置制备方法和薄膜晶体管装置，解决了现有技术中因驱动薄膜晶体管和开关薄膜晶体管的制程相同而导致的驱动薄膜晶体管和开关薄膜晶体管的亚阈值摆幅大小相等的问题。其中的薄膜晶体管装置制备方法可包括在基板上制备至少两个薄膜晶体管半成品，其中所述薄膜晶体管半成品包括有源层、栅极绝缘层和栅极，所述至少两个薄膜晶体管半成品包括至少一个起驱动作用的薄膜晶体管半成品和至少一个起开关作用的薄膜晶体管半成品；在所述至少两个薄膜晶体管半成品表面制备层间介质层；减薄所述起驱动作用的薄膜晶体管半成品表面的层间介质层；以及在每个所述薄膜晶体管半成品表面制备源极和漏极。
薄膜晶体管装置制备方法

[发明专利]一种薄膜晶体管、阵列基板及显示装置-CN201610665990.X在审
发明人：薛大鹏 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2016-08-12 - 公布日： 2017-01-11 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明公开一种薄膜晶体管、阵列基板及显示装置，涉及显示技术领域，以在薄膜晶体管受到光照时，避免薄膜晶体管的漏电流增加，从而提高薄膜晶体管的稳定性。该薄膜晶体管中设有遮光层，遮光层用于遮挡薄膜晶体管中被栅极层反射到有源层的光线；遮光层位于所述薄膜晶体管的栅极层与栅极绝缘层之间；或，遮光层位于所述薄膜晶体管的栅极绝缘层内。上述阵列基板包括上述技术方案所提的薄膜晶体管。本发明提供的薄膜晶体管用于显示装置中。
一种薄膜晶体管阵列显示装置

[发明专利]一种阵列基板以及制作方法-CN201710153697.X在审
发明人：林鸿;东海林功;世良贤二;何水;袁永;吴天一 -专利权人：厦门天马微电子有限公司
申请日： 2017-03-15 - 公布日： 2017-06-20 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种阵列基板以及其制作方法，所述阵列基板包括多个第一薄膜晶体管和多个第二薄膜晶体管；第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管形成于衬底基板的上方；第一薄膜晶体管的有源层为低温多晶硅，所述第二薄膜晶体管的有源层为氧化物半导体；第一薄膜晶体管位于阵列基板的周边电路区，第二薄膜晶体管位于所述阵列基板的显示区；第一薄膜晶体管的栅极和第二薄膜晶体管的栅极位于不同层，且第一薄膜晶体管的源漏电极和第二薄膜晶体管的源漏电极位于同层。本发明解决了显示面板中同时形成金属氧化物薄膜晶体管和低温多晶硅薄膜晶体管时，两种类型薄膜晶体管各膜层不兼容的问题，提高了显示面板的电学性能和稳定性。
一种阵列以及制作方法

[发明专利]显示面板及其制作方法-CN202010928793.9有效
发明人：李莎莎;朱小光 -专利权人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2020-09-07 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：本申请提供了显示面板及其制作方法，该显示面板包括：衬底；设于衬底上的第一薄膜晶体管层，第一薄膜晶体管层包括第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管同层设置；设于第一薄膜晶体管层远离衬底的一侧的第一发光层，第一发光层和第一薄膜晶体管电性连接，第一薄膜晶体管控制第一发光层的发光情况；设于所述衬底远离所述第一薄膜晶体管层的一侧的第二发光层，第二发光层和第二薄膜晶体管电性连接，第二薄膜晶体管控制第二发光层的发光情况
显示面板及其制作方法

[发明专利]薄膜晶体管结构及其制造方法、显示面板、显示装置-CN201710629740.5有效
发明人：胡合合;杨维;卢鑫泓;王珂;温钰 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2017-07-28 - 公布日： 2020-05-19 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明公开一种薄膜晶体管结构及其制造方法、显示面板、显示装置，涉及显示技术领域，为防止第一薄膜晶体管的有源层中的氢扩散至第二薄膜晶体管的有源层而对第二薄膜晶体管的性能造成不良影响。该薄膜晶体管结构包括衬底基板，及形成在衬底基板上的第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，第一薄膜晶体管的第一有源层掺杂有氢；第二薄膜晶体管的第二有源层的材料为金属氧化物；衬底基板上还设置有环绕第一薄膜晶体管的第一隔离挡墙或/和环绕第二薄膜晶体管的第二隔离挡墙。第一隔离挡墙或/和第二隔离挡墙将第二薄膜晶体管与第一薄膜晶体管隔离，以隔离第一薄膜晶体管的第一有源层中的氢，防止第一有源层中的氢对第二薄膜晶体管造成不良影响。
薄膜晶体管结构及其制造方法显示面板显示装置

[发明专利]一种阵列基板、显示面板、显示装置及阵列基板的制造方法-CN201711241891.X有效
发明人：楼均辉;吴天一;符鞠建 -专利权人：上海天马微电子有限公司
申请日： 2017-11-30 - 公布日： 2020-04-24 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：阵列基板还包括多个薄膜晶体管，薄膜晶体管包括电连接于外围驱动电路中且用于输出扫描信号的第一薄膜晶体管和电连接于外围驱动电路中且用于输出扫描信号的第二薄膜晶体管。薄膜晶体管包括至少一层氧化物半导体有源层。第一薄膜晶体管的有源层的层数多于第二薄膜晶体管的有源层的层数，第一薄膜晶体管的有源层的厚度大于第二薄膜晶体管的有源层的厚度。且第二薄膜晶体管中的各有源层均与第二薄膜晶体管中的有源层同层。通过本发明可以使不同的区域中的薄膜晶体管具有不同的特性，以满足不同区域的电路对薄膜晶体管的不同特性需求。
一种阵列显示面板显示装置制造方法

[发明专利]一种显示面板及其制备方法、显示装置-CN201710723490.1在审
发明人：盛晨航;徐海燕 -专利权人：上海和辉光电有限公司
申请日： 2017-08-22 - 公布日： 2019-03-05 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种显示面板和显示装置，显示面板包括衬底基板、驱动电路层和有机发光单元；驱动电路层包括第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，第一薄膜晶体管用于驱动有机发光单元发光；第二薄膜晶体管用于控制第一薄膜晶体管的开启与关断；第一薄膜晶体管为多晶硅薄膜晶体管，第二薄膜晶体管为非晶硅薄膜晶体管，第一薄膜晶体管的源极、漏极以及有源层同层设置。第一薄膜晶体管较高的载流子迁移率和工作电流满足有机发光单元的发光要求；第二薄膜晶体管较低的漏电流保证显示面板功耗较小，满足显示面板高亮度和低功耗的要求；同时第一薄膜晶体管的源极、漏极和有源层同层设置，实现显示面板薄型化设计要求
薄膜晶体管显示面板有机发光单元驱动电路层同层设置显示装置漏极源层源极发光多晶硅薄膜晶体管非晶硅薄膜晶体管载流子迁移率薄型化设计衬底基板工作电流低功耗漏电流功耗关断制备驱动保证

[发明专利]一种阵列基板及其制作方法以及显示面板-CN202210038081.9在审
发明人：李金明 -专利权人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2022-01-13 - 公布日： 2022-04-29 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本申请提供一种阵列基板及其制作方法以及显示面板，其包括：衬底；位于所述衬底上的第一薄膜晶体管层，所述第一薄膜晶体管层中具有第一控制薄膜晶体管；以及位于所述衬底上的第二薄膜晶体管层，所述第二薄膜晶体管层中具有第二控制薄膜晶体管，其中，所述第一薄膜晶体管层和所述第二薄膜晶体管层位于相同层，且所述第一控制薄膜晶体管包括位于所述衬底一侧的第一有源层，所述第二控制薄膜晶体管包括与所述第一有源层位于相同层的第二有源层，所述第一有源层的材质与所述第二有源层的材质不同
一种阵列及其制作方法以及显示面板

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201010248821.9有效
发明人：木村肇;大原宏树;鹿山昌代 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2010-08-06 - 公布日： 2011-03-30 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：半导体器件包括具有第一薄膜晶体管的像素部分和具有第二薄膜晶体管的驱动器电路。第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管中的每个都包括栅电极层、栅极绝缘层、半导体层、源电极层，及漏电极层。第一薄膜晶体管的每个层都具有光透射性质。第一薄膜晶体管的栅电极层、源电极层及漏电极层的材料不同于第二晶体管的那些，并且第二薄膜晶体管的电阻每个都小于第一薄膜晶体管的电阻。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201410665794.3有效
发明人：木村肇;大原宏树;鹿山昌代 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2010-08-06 - 公布日： 2018-01-26 - 主分类号： H01L29/40 文献下载
摘要：半导体器件包括具有第一薄膜晶体管的像素部分和具有第二薄膜晶体管的驱动器电路。第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管中的每个都包括栅电极层、栅极绝缘层、半导体层、源电极层，及漏电极层。第一薄膜晶体管的每个层都具有光透射性质。第一薄膜晶体管的栅电极层、源电极层及漏电极层的材料不同于第二晶体管的那些，并且第二薄膜晶体管的电阻每个都小于第一薄膜晶体管的电阻。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]有机电致发光器件及其制备方法-CN202211600482.5在审
发明人：康建喜;朱映光;张国辉;胡永岚 -专利权人：固安翌光科技有限公司;淮北翌光科技有限公司
申请日： 2022-12-12 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H10K59/121 文献下载
摘要：上述有机电致发光器件包括：基底；第一电极层，形成于基底上；有机发光层，形成于第一电极层上；第二电极层，形成于有机发光层上；第一薄膜晶体管层，形成于第二电极层上；第二薄膜晶体管层，形成于第一薄膜晶体管层上；第一薄膜晶体管层包含多个第一薄膜晶体管，第二薄膜晶体管层包含多个第二薄膜晶体管，上述多个第一薄膜晶体管与上述多个第二薄膜晶体管连接构成多个连通的薄膜晶体管对，每个薄膜晶体管对的一端与邦定区的第一电极引线电连接，另一端与第二电极层电连接或通过引线连接到有机电致发光器件之外。
有机电致发光器件及其制备方法

[发明专利]阵列基板、阵列基板的制作方法及显示面板-CN202110822871.1有效
发明人：蒙艳红 -专利权人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2021-07-21 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：阵列基板包括衬底基板和设置在衬底基板上的薄膜晶体管层，衬底基板具有显示区和位于显示区一侧的边框区。薄膜晶体管层包括位于边框区的第一薄膜晶体管，以及位于显示区的第二薄膜晶体管。第一薄膜晶体管的漏极与第二薄膜晶体管的栅极电连接，第一薄膜晶体管的源极和漏极与第二薄膜晶体管的栅极同层设置。通过使第一薄膜晶体管的源漏极与第二薄膜晶体管的栅极同层设置，第一薄膜晶体管的源漏极与第二薄膜晶体管的栅极时可通过一道光罩制程形成，由此简化了阵列基板的制作过程，降低了制作成本。
阵列制作方法显示面板

[发明专利]有源式有机电致发光器件背板及其制作方法-CN201310410909.X有效
发明人：徐源竣 -专利权人：深圳市华星光电技术有限公司
申请日： 2013-09-10 - 公布日： 2013-12-18 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：本发明提供一种有源式有机电致发光器件背板及其制作方法，所述器件背板包括：基板（20）、设置在基板（20）上的数个有源薄膜晶体管像素阵列及设置在有源薄膜晶体管像素阵列上的有机平坦层（228）、有机电致发光电极（229）、像素定义层（25）及支撑体（28），每一有源薄膜晶体管像素阵列包括驱动薄膜晶体管（22）及开关薄膜晶体管（24），驱动薄膜晶体管（22）的栅极绝缘层（220）的厚度大于开关薄膜晶体管（24）的栅极绝缘层（240）的厚度，通过加厚驱动薄膜晶体管的栅极绝缘层，以降低驱动薄膜晶体管的栅极电容，进而增大驱动薄膜晶体管的亚阈值摆幅，可以很好的定义灰阶，同时保持开关薄膜晶体管的栅极绝缘层的厚度不变，使开关薄膜晶体管的亚阈值摆幅保持较小
有源有机电致发光器件背板及其制作方法

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 100000 条