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[发明专利]一种晶振测量系统及测量方法和装置-CN202011360421.7有效
发明人：廖良生;徐蒙蒙;陈千里;王江南;张川;史晓波;冯敏强 -专利权人：江苏集萃有机光电技术研究所有限公司
申请日： 2020-11-27 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： C23C14/24 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种晶振测量系统及测量方法和装置，晶振测量系统包括移动载台、蒸镀源、可旋转晶振探头以及基板，晶振测量系统用于测量蒸镀速率以及调节晶振探头与蒸镀源之间位置关系；该测量方法包括：获取晶振探头的位置信息；调取与位置信息所对应的膜厚调整参数TF；测试得到晶振探头的探头测量速率V1，并计算得到基板的材料实际蒸镀速率V2，V2＝V1*TF；若V1和V2中至少一种不满足蒸镀源所对应的预设蒸镀条件，则调整蒸镀源的功率和/或晶振探头的位置，直至调整后V1和V2满足预设蒸镀条件；若V1和V2满足预设蒸镀条件，则进行蒸镀工作。
一种测量系统测量方法装置

[发明专利]一种蒸镀装置-CN201910639880.X在审
发明人：王海燕 -专利权人：福建华佳彩有限公司
申请日： 2019-07-16 - 公布日： 2019-10-25 - 主分类号： C23C14/24 文献下载
摘要：本发明涉及蒸镀技术领域，特别涉及一种蒸镀装置，通过设置积灰装置对产生的非目标蒸镀物进行吸收能够保证蒸镀装置的腔体内和基板上不会附着非目标蒸镀物(氧化物或者氮化物)，从而避免因受非目标蒸镀物的污染影响到蒸镀的良率，使得蒸镀操作能够达到高真空的条件，提高基板蒸镀的效率；能够减少且通过设置积灰装置吸收非目标蒸镀物能够节省额外开腔清洁的操作，提高蒸镀的可操作性以及生产效率。
蒸镀蒸镀装置积灰装置开腔基板蒸镀生产效率污染影响氮化物高真空氧化物附着基板良率吸收体内清洁保证

[发明专利]蒸镀设备及蒸镀方法-CN201510688878.3在审
发明人：黄俊淞;申永奇;叶岚凯 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司
申请日： 2015-10-21 - 公布日： 2015-12-23 - 主分类号： C23C14/24 文献下载
摘要：本发明是关于一种蒸镀设备及蒸镀方法，属于真空蒸镀技术领域。所述蒸镀设备包括：基板、蒸镀腔及波纹管；所述蒸镀腔内设置有蒸镀源，所述蒸镀腔的侧壁设置有两个限制板；所述基板设置于所述蒸镀源的正上方，所述波纹管设置于所述蒸镀腔的底部。本发明在蒸镀腔的底部设置波纹管，通过波纹管的转动带动蒸镀腔上下移动，从而改变蒸镀源与限制板之间的相对高度，无需对蒸镀设备进行改造，即可满足不同有机材料的蒸镀条件，不仅明显地提高了设备灵活性，而且节省了时间及资源消耗
设备方法

[发明专利]一种锂离子储能器件电极原位补锂的方法和应用-CN202010872192.0在审
发明人：李立飞 -专利权人：复阳固态储能科技（溧阳）有限公司
申请日： 2020-08-26 - 公布日： 2020-11-24 - 主分类号： H01M4/139 文献下载
摘要：本发明涉及一种锂离子储能器件电极原位补锂的方法和应用，通过将电极极片放置于蒸镀设备的真空腔体内，在真空条件下以蒸发锂源对电极极片承载电极活性物质的一侧表面进行真空蒸镀锂，形成蒸镀锂层；真空蒸镀结束后，在维持真空腔体内的压力≤1Pa的条件下，向真空腔体内通入高纯氮气，对所述蒸镀锂层进行氮化，在所述电极极片表面原位生成氮化锂；所述高纯氮气为纯度不低于99.999％的氮气。
一种锂离子器件电极原位方法应用

[发明专利]氧化石墨烯超疏水涂层的制备方法及涂层蒸镀装置-CN201710072836.6在审
发明人：周忠福;俞健舒;武晓婉;张昊;杨清晨 -专利权人：上海大学
申请日： 2017-02-10 - 公布日： 2017-05-31 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种氧化石墨烯超疏水涂层的制备方法，包括利用蒸镀方法将氧化石墨烯溶液蒸镀在金属基底上成为内涂层，内涂层的蒸镀条件为35‑95℃，非真空蒸镀0.5‑3h；再利用蒸镀方法将低表面能的有机物蒸镀在所述内涂层上成为外涂层，外涂层的蒸镀条件为100‑150℃下非真空蒸镀0.5‑3h后，140‑160℃下烘干1‑3h。本发明还公开了一种涂层蒸镀装置，包括上部滚筒式装置和下部蒸发装置。
氧化石墨疏水涂层制备方法装置

[发明专利]VCSEL芯片蒸镀用夹具、VCSEL芯片蒸镀系统和方法-CN202110946145.0有效
发明人：吴敦文;江蔼庭;王青;韩浩;王健军 -专利权人：华芯半导体研究院（北京）有限公司;华芯半导体科技有限公司
申请日： 2021-08-18 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： C23C14/24 文献下载
摘要：本发明公开了VCSEL芯片蒸镀用夹具、VCSEL芯片蒸镀系统和方法。其中，VCSEL芯片蒸镀用夹具包括：本体，所述本体包括待蒸镀VCSEL芯片安装面和底面；所述待蒸镀VCSEL芯片安装面和所述底面之间的夹角为5°~15°。该VCSEL芯片蒸镀用夹具中，待蒸镀VCSEL芯片安装面和底面之间具有夹角，VCSEL芯片安装后可以与夹具底面呈一定角度，从而改变蒸镀粒子的入射角度，使其与芯片表面垂直。由此，该夹具的结构简易、效果明显；采用该夹具在蒸镀过程中对VCSEL芯片进行固定，可在不改变其它原有蒸镀工艺参数或操作条件的前提下，简便有效地解决因蒸镀粒子的入射方向与芯片表面不垂直所导致的金属电极偏移的问题
vcsel 芯片蒸镀用夹具系统方法

[发明专利]蒸镀换料一体化设备及其使用方法-CN201510060026.X有效
发明人：李金川 -专利权人：深圳市华星光电技术有限公司
申请日： 2015-02-04 - 公布日： 2017-05-03 - 主分类号： C23C14/24 文献下载
摘要：本发明提供一种蒸镀换料一体化设备及其使用方法。该设备包括蒸镀腔体区域(1)、换料腔体区域(2)、及设于所述蒸镀腔体区域(1)与换料腔体区域(2)之间将二者分隔开的阀门(3)；所述蒸镀腔体区域(1)、与换料腔体区域(2)内均设有一承载平台(41)、设于所述承载平台(41)上的数个蒸镀源(43)、用于固定与传送所述数个蒸镀源(43)的数个交换装置(45)、及一独立的抽真空装置，所述承载平台(41)内设有加热升温装置；所述蒸镀腔体区域(1)内还设有基板；所述换料腔体区域该设备能够在不破坏蒸镀区域真空的条件下完成更换蒸镀材料与预升温蒸镀材料，提高生产效率。
蒸镀换料一体化设备及其使用方法

[发明专利]一种欧姆接触金属锗的蒸镀方法及其应用-CN201811004148.7有效
发明人：张冰 -专利权人：成都海威华芯科技有限公司
申请日： 2018-08-30 - 公布日： 2020-09-01 - 主分类号： H01L21/285 文献下载
摘要：本发明具体涉及一种欧姆接触金属锗的蒸镀方法，将蒸发源锗置于石墨坩埚中，在真空条件下采用电子束进行蒸镀，所述电子束蒸镀时功率为1.0‑1.1KW，蒸镀速率为0.3‑0.5nm/s。
一种欧姆接触金属方法及其应用

[发明专利]一种真空蒸镀装置及利用其制备有机电致发光器件的方法-CN201610122590.4有效
发明人：廖良生;王照奎;王波 -专利权人：苏州大学
申请日： 2016-03-04 - 公布日： 2018-05-01 - 主分类号： H01L51/00 文献下载
摘要：本发明提供一种真空蒸镀装置及利用其制备有机电致发光器件的方法，所述真空蒸镀装置由真空蒸镀罩、钽蒸镀支架和真空泵组成；所述钽蒸镀支架由底座和两块基底支撑板组成，基底支撑板垂直设置在底座上方，两块基底支撑板的上方分别对应设置有基底卡槽，底座左右两侧分别接通电源的正负极、形成电流回路；所述底座与真空蒸镀罩平行放置，中间用木棍隔开，真空泵通过真空管与真空蒸镀罩的内部空间接通。本发明提供的真空蒸镀装置使得在制备有机电致发光器件时，在较低的压强条件下即可完成，毋须采用昂贵的真空蒸镀设备，所需设备较传统工艺所需工艺成本大大降低。
一种真空装置利用制备有机电致发光器件方法

[发明专利]蒸镀处理装置和蒸镀处理方法-CN201180040720.5无效
发明人：镰田美子;石川拓;小野裕司;林辉幸;布濑晓志;齐藤美佐子;镰田丰弘;大槻志门 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2011-08-24 - 公布日： 2013-05-01 - 主分类号： C23C14/24 文献下载
摘要：本发明提供一种蒸镀处理装置和蒸镀处理方法，能够在基板上形成薄膜的同时进行膜厚的控制。蒸镀处理装置利用蒸镀在基板上形成薄膜，其中，该蒸镀处理装置包括：自由减压的材料供给部，其用于供给材料气体；以及成膜部，其用于在上述基板上形成薄膜，上述成膜部具有用于对向上述基板喷射的材料气体的蒸气浓度进行测量的检测部件，该蒸镀处理装置设有控制部，该控制部根据上述检测部件的测量结果来控制成膜条件。
处理装置方法

[发明专利]无机物蒸镀用膜、无机物蒸镀膜及其用途-CN201580053846.4有效
发明人：柳下芳雄;田口荣一;丸山和秀;并木阳生 -专利权人：普瑞曼聚合物株式会社
申请日： 2015-10-06 - 公布日： 2021-03-02 - 主分类号： B32B27/32 文献下载
摘要：[课题]提供一种无机物蒸镀用膜，其即使在形成无机物蒸镀层、以卷筒状态长时间保存后，也不使干式层压加工时的无机物蒸镀面的粘接性降低。[解决手段]一种含有单层或多层的树脂层的无机物蒸镀用膜，其特征在于，全部上述树脂层含有在190℃测得的熔融张力为5.0g以下的乙烯系聚合物，该无机物蒸镀用膜满足下述条件(1)～(3)，条件(1)：将上述膜通过在一定条件下加热产生的成分的量相对于每1mg上述膜为1.2μg以下；条件(2)：将上述膜的表面在一定条件下清洗所回收的含有5价磷的化合物的量为9μg以下；条件(3)：将上述膜的表面在一定条件下清洗所回收的6至10聚体的寡聚物的氧化物的量为1.5μg
无机物蒸镀用膜镀膜及其用途

[发明专利]有机电致发光器件-CN200710120335.7有效
发明人：邱勇;张德强;李扬;张国辉;吴空物;段炼;高裕弟 -专利权人：清华大学;北京维信诺科技有限公司;昆山维信诺显示技术有限公司
申请日： 2007-08-16 - 公布日： 2009-02-18 - 主分类号： C23C16/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种Li膜的制备方法，其特征在于所述Li膜是由真空蒸镀条件下直接分解为Li的化合物制成，所述化合物是Li₃N，Li₃N在蒸镀速率为0.01－0.25nm/s，蒸镀温度为300－450℃的条件下分解得到金属Li，Li的膜厚为0.3－5.0nm。本发明还涉及一种上述Li膜作为电子注入层的有机电致发光器件及其制备方法，和电子注入层为电子传输性材料掺杂由Li₃N在真空蒸镀条件下分解为Li的有机电致发光器件及其制备方法。
有机电致发光器件

[实用新型]全封闭交叉式真空成膜机-CN200720036684.6无效
发明人：黄维;邓先宇;魏昂;密保秀;王秋来 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2007-04-10 - 公布日： 2008-02-20 - 主分类号： C23C14/24 文献下载
摘要：全封闭交叉式真空成膜机涉及有机分子、金属及无机化合物在真空条件下成膜的设备，主要用于制备有机及有机/无机复合半导体薄膜电子及光电子器件的设备，该成膜机包括第一蒸镀室(1)、第二蒸镀室(2)、预处理兼过渡室(3)、手套箱(4)、第一掩模室(5)、第二掩模室(6)；第一蒸镀室(1)附带第一掩模室(5)，第二蒸镀室(2)附带第二掩模室(6)，第一蒸镀室(1)与手套箱(4)经由预处理过度室(3)成垂直交叉连接；第二蒸镀室(2)、预处理过度室(3)及手套箱(4)成直线连接。第一蒸镀室(1)、第二蒸镀室(2)采用圆筒型真空室体，与外部由密封法兰连接。
封闭交叉真空成膜机

[发明专利]蒸镀装置和蒸镀装置的制作方法-CN202111544784.0在审
发明人：梅亚梦;覃事建 -专利权人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2021-12-16 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： C23C14/24 文献下载
摘要：本申请提供了一种蒸镀装置和蒸镀装置的制作方法。其中，蒸镀装置，包括蒸镀腔，吸附组件，所述吸附组件用于吸附所述蒸镀腔中的粒子，所述吸附组件包括位于所述蒸镀腔内的第一部分和位于所述蒸镀腔外的第二部分；传送组件，所述传送组件上设置有所述第一部分和所述第二部分，当满足预设条件时，所述传送组件驱动所述第一部分移动至所述蒸镀腔外，并驱动所述第二部分移动至所述蒸镀腔内。本申请实施例通过传送组件自动更换吸附组件以使新的吸收组件吸收粒子，以防止粒子沉积到蒸镀腔中的防着板上，从而避免了在制备显示面板时基板上引入粒子的情况，解决了加热蒸发的方式导致基板上留有粒子的问题，进而提高有机显示器件的显示性能
装置制作方法

[发明专利]防止蒸镀铝时LED芯片电极产生麻点的方法-CN201410566098.7有效
发明人：胡弃疾;苗振林;汪延明 -专利权人：湘能华磊光电股份有限公司
申请日： 2014-10-22 - 公布日： 2017-08-25 - 主分类号： H01L33/40 文献下载
摘要：本申请公开了一种防止蒸镀铝时LED芯片电极产生麻点的方法，包括将厚度为N的铝膜分成n个部分层进行分别蒸镀，N＝N1+N2+…+Nn，每个部分层进行蒸镀的间隔时间为5秒～60秒，直到把整个铝膜蒸镀完毕；或将厚度为N的铝膜分成n个部分层进行分别蒸镀，N＝N1+N2+…+Nn，所述N1＝N2＝…＝Nn，每个部分层进行蒸镀的间隔时间为10秒，直到把整个铝膜蒸镀完毕；所述每个部分层进行蒸镀的间隔时间相等。所述蒸镀在20～50℃的温度条件下使用的速率进行。本发明的优点是第一，操作性强，铝粒不会生长成较大的铝颗粒；第二，可靠性高，对产能没有影响。
防止镀铝 led 芯片电极产生麻点方法

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