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[发明专利]腔室盖-CN200410059034.4无效
发明人：赖纳·威兰 -专利权人：美创力公司
申请日： 2004-07-29 - 公布日： 2005-02-16 - 主分类号： B65H11/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种腔室盖，用于覆盖纸张输送设备与印刷机之间的缝隙区，包括至少一个垂直于纸张输送方向延伸的导引件(5)和多个可移动的单个支承件(1)，导引件(5)用于导引至少一个可运动的、构成一个用于纸张的侧向可调止挡的侧向件
腔室盖

[发明专利]加热腔室盖-CN201980073502.8在审
发明人：尼古拉斯·艾伦·布朗;尼古拉斯·赫德利·丘布 -专利权人： JT国际公司
申请日： 2019-11-15 - 公布日： 2021-06-22 - 主分类号： A61M15/00 文献下载
摘要：一种蒸气产生装置包括布置成接纳蒸气产生物质的加热腔室以及布置成关闭该加热腔室的盖。该装置进一步包括布置成当该加热腔室的温度超过预定阈值时防止该盖从关闭位置移动到打开位置的锁定机构。
加热腔室盖

[发明专利]腔室上盖及包含该上盖的反应腔室-CN200610165461.X有效
发明人：张风港 -专利权人：北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
申请日： 2006-12-20 - 公布日： 2008-06-25 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明公开了一种腔室上盖及包含该上盖的反应腔室，腔室上盖的上部设有进气口、下部设有多个气孔，腔室上盖的内部还设有空腔，工艺气体可依次通过进气口、空腔、多个气孔注入反应腔室，对反应腔室内的半导体硅片进行刻蚀使得反应腔室内的气体分布更加均匀，从而得到满意的刻蚀效果。尤其适用于半导体晶片加工设备的反应腔室，也适用于其它的腔室。
腔室上盖包含反应

[发明专利]腔室开盖机构-CN202011058867.4在审
发明人：冯琳 -专利权人：上海广川科技有限公司
申请日： 2020-09-30 - 公布日： 2020-12-15 - 主分类号： H01L21/677 文献下载
摘要：本发明公开一种在半导体真空传输系统中方便开盖的腔室开盖机构，包括：腔室主体；所述腔室主体具有容纳腔室以及通入所述容纳腔室的开口；可盖合在所述开口上的盖体；所述盖体可转动地连接所述腔室主体；具有第一连接端和第二连接端的气体弹簧；所述第一连接端可转动地连接所述腔室主体，所述第二连接端可转动地连接所述盖体；所述气体弹簧在所述盖体位于盖合位置时处于压缩状态并向上顶抵所述盖体。
腔室开盖机构

[实用新型]腔室开盖机构-CN202022220921.2有效
发明人：冯琳 -专利权人：上海广川科技有限公司
申请日： 2020-09-30 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： H01L21/677 文献下载
摘要：本实用新型公开一种在半导体真空传输系统中方便开盖的腔室开盖机构，包括：腔室主体；所述腔室主体具有容纳腔室以及通入所述容纳腔室的开口；可盖合在所述开口上的盖体；所述盖体可转动地连接所述腔室主体；具有第一连接端和第二连接端的气体弹簧；所述第一连接端可转动地连接所述腔室主体，所述第二连接端可转动地连接所述盖体；所述气体弹簧在所述盖体位于盖合位置时处于压缩状态并向上顶抵所述盖体。
腔室开盖机构

[实用新型]腔室盖装置、传送腔室装置以及用于提升盖的装置-CN201520914718.1有效
发明人：栗田真一;稻川真;H·H·林 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2015-11-17 - 公布日： 2016-12-14 - 主分类号： B65G35/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种腔室盖装置、传送腔室装置以及用于提升盖的装置，提供腔室盖装置。所述腔室盖装置可以包括：盖体；一个或多个臂，所述一个或多个臂耦接至所述盖体；以及一个或多个齿轮箱，所述一个或多个齿轮箱通过一个或多个第一轴耦接至所述一个或多个臂。还公开了传送腔室装置以及用于提升盖的装置。
腔室盖装置传送以及用于提升

[发明专利]反应腔室的上盖结构和反应腔室-CN201410705206.4有效
发明人：张伟涛 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2014-11-27 - 公布日： 2018-07-06 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种反应腔室的上盖结构，包括线圈盒、隔板、盖板、多个开盖挂钩和与多个开盖挂钩一一对应的盖板挂钩，所述开盖挂钩在对正位时与所述盖板挂钩对正，在脱离位时与所述盖板挂钩相错开，所述开盖挂钩包括第一钩持部，所述盖板挂钩包括第二钩持部，所述第一钩持部的上表面的高度沿该第一钩持部的上表面的一端至另一端的方向逐渐降低，所述第二钩持部的下表面与所述第一钩持部的上表面相匹配，以使得位于对正位时的开盖挂钩的第一钩持部的上表面与所述第二钩持部的下表面相贴合本发明还提供一种反应腔室。与现有技术相比，本发明中的上盖结构上升时，开盖挂钩不需要移动一段空行程，因而可以减少铜连接条受到的拉力。
钩持部挂钩开盖盖板反应腔室上表面上盖结构下表面隔板铜连接条逐渐降低空行程上升时线圈盒错开对正贴合匹配脱离移动

[发明专利]腔室盖组件及清洁处理腔室的方法-CN201580054256.3有效
发明人：崔安青;法鲁克·京格尔;吴典晔;维卡斯·詹格拉;穆罕默德·M·拉希德;唐薇;杨义雄;枭雄·袁;夫景浩;斯里尼瓦斯·甘迪科塔;雨·常;威廉·W·光 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2015-09-17 - 公布日： 2020-07-03 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本文提供用于清洁原子层沉积腔室的方法及设备。在一些实施方式中，腔室盖组件包含：外壳，外壳围绕中央通道，中央通道沿着中心轴延伸且具有上部分及下部分；盖板，盖板耦接至外壳且具有轮廓底表面，轮廓底表面从中央开口向下及向外延伸至盖板的周边部分，中央开口耦接至中央通道的下部分
腔室盖组件清洁处理方法

[发明专利]腔室盖、工艺腔室和半导体处理设备-CN201810305925.5有效
发明人：白志民;李强;耿宏伟;彭文芳;魏延宝;丁培军;王伟 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2018-04-08 - 公布日： 2020-12-08 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种腔室盖、工艺腔室和半导体处理设备。腔室盖用于透光，包括盖本体和吸收层，盖本体具有受光表面，吸收层设置在受光表面的预定区域，用于吸收照射至所述预定区域的部分光，以使预定区域的透光率满足预定值。通过在受光表面上的预定区域所设置的吸收层，改变腔室盖在预定区域的透光率，可以使得晶圆各位置处的介电常数和硬度基本相同，提高片内均匀性，改善晶圆的性能。同时，本发明的腔室盖，结构简单，并不需要为了提高片内均匀性所引入复杂的光路设计的结构，因此，可以有效降低制作成本，提高经济效益。
腔室盖工艺半导体处理设备

[其他]腔室盖和真空腔室装置-CN201590001100.4有效
发明人：克里斯托夫·霍伊斯勒;约亨·克劳瑟;罗尼·博切尔 -专利权人：冯·阿登纳资产股份有限公司
申请日： 2015-11-05 - 公布日： 2018-12-28 - 主分类号： C23C16/54 文献下载
摘要：，真空腔室(1002a至1002e)在运输方向上借助横向于运输方向延伸的真空腔室侧壁(104a，104b，1304a，1304b)彼此分开；其中每个真空腔室都具有腔室盖开口(104o)；多个腔室盖，其中每个腔室盖配设于一个腔室盖开口(104o)，用于真空密封地封闭相应的真空腔室；其中所述多个腔室盖的至少一个腔室盖(102)具有多个高真空泵连接开口(106a，106b，106c)，用于分别连接一个高真空泵；其中所述多个真空腔室(1002a至1002e)的至少一个真空腔室设定为气体分离腔室(100)并且具有：设置在所述气体分离腔室(100)中的气体分离结构(312)，所述气体分离结构限界气体分离通道(311)，其中所述气体分离结构(312)具有多个气体分离面元件(112，322，412)，所述气体分离面元件设置在所述气体分离腔室(100)中，使得其在运输方向上将至少三个区域(111a，111b，111c)彼此气体分离，其中所述至少三个区域(100)配设于具有多个高真空泵连接开口(106a，106b，106c)的腔室盖(102)。
气体分离真空腔室腔室盖腔室气体分离通道高真空泵运输方向延伸连接开口运输系统穿过开口彼此分开穿通开口方向上将元件设置真空密封中部区域侧壁衬底限界封闭延伸

[发明专利]高温处理腔室盖体-CN201480013391.9有效
发明人：利克尔·杜鲁坎;乔尔·M·休斯顿;吴典晔;高建德;张镁 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2014-03-11 - 公布日： 2017-11-14 - 主分类号： C23C16/00 文献下载
摘要：本文公开了用于处理腔室的盖体组件及包括盖体组件的处理腔室。盖体组件包括高温盖体模块及外壳。高温盖体模块设置成邻近处理腔室的处理衬里。柔性外壳设置在高温盖体模块的周围，且使用弹性环连接到所述高温盖体模块。
高温处理腔室盖体

[发明专利]腔室盖组件、工艺腔室和半导体处理设备-CN201711008343.2有效
发明人：张军;郑波;马振国;吴鑫;文莉辉;胡云龙;张鹤南;储芾坪 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2017-10-25 - 公布日： 2022-06-17 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明公开了一种腔室盖组件、工艺腔室和半导体处理设备。腔室盖组件包括腔室盖和进气组件，进气组件与腔室盖密闭连通，用于将至少两种反应气体从腔室的外侧引入到腔室的内侧，进气组件包括：至少两个相互独立的进气管道，其分别与各自的反应气源连通；第一进气件，其与腔室盖连接，第一进气件设置有至少两个进气通道，分别与其所对应的进气管道连通；防腐进气转接件，位于第一进气件和腔室盖之间，其一端与腔室密闭连通，另一端与全部进气通道密闭连通，至少两种反应气体进入到防腐进气转接件内混合反应将多种反应气体送入到防腐进气转接件内发生混合反应，可以避免反应气体的提前混合，从而避免反应气体对腔室盖以及第一进气件的腐蚀。
腔室盖组件工艺半导体处理设备

[实用新型]用于基板处理腔室的盖体以及处理腔室-CN201720463376.5有效
发明人：伯纳德·L·黄 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2017-04-28 - 公布日： 2018-09-07 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本公开内容涉及一种用于基板处理腔室的盖体及一种处理腔室。本公开内容的实施方式包括用于降低处理腔室内的颗粒产生的方法和设备。在一个实施方式中，本实用新型提供一种用于基板处理腔室的盖体。盖体包括：盖构件，所述盖构件具有第一表面和与第一表面相对的第二表面；通过所述盖构件的中央开口，其中所述中央开口的内轮廓包括具有第一直径的第一段、具有第二直径的第二段和具有第三直径的第三段，其中第二直径是在第一直径和第三直径之间，且第一直径从第二段朝向盖构件第一表面增加；和沟槽，所述沟槽沿着第一表面中的封闭路径形成且具有形成在沟槽的内表面中的凹槽。
第一表面盖构件盖体基板处理腔室处理腔室中央开口本实用新型方法和设备第二表面封闭路径处理腔内表面内轮廓室内

[实用新型]MOCVD反应腔室的上盖-CN202122255056.X有效
发明人：张森;王祥;费磊 -专利权人：宁波沁圆科技有限公司
申请日： 2021-09-16 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本实用新型提供一种MOCVD反应腔室的上盖，所述上盖包括盖板本体，所述盖板本体上设有：探测窗口，其沿所述盖板本体的厚度方向贯通，多个进气口，位于所述盖板本体的第一端面上，且所述盖板本体内部具有用于连通所述进气口及与所述第一端面相对的第二端面的气流通道该MOCVD反应腔室的上盖水路通道结构简单、易于加工、成本低及搭建便捷灵活。
mocvd 反应

[发明专利]半导体工艺设备中的工艺腔室及半导体工艺设备-CN202011154664.5有效
发明人：王帅伟 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2020-10-26 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体工艺设备中的工艺腔室及半导体工艺设备，其中，工艺腔室包括腔室本体和腔室盖，腔室盖用于密封腔室本体，腔室盖包括盖体组件和支撑组件，盖体组件与腔室本体可转动地连接，且盖本组件可相对于腔室本体升降；支撑组件与盖体组件连接，用于在盖体组件朝腔室本体转动的过程中支撑盖体组件，阻止盖体组件与腔室本体接触，使盖体组件与腔室本体之间存在间隙，且在盖体组件与腔室本体相对的两个面平行后，停止支撑盖体组件，使盖体组件与腔室本体接触本发明提供的半导体工艺设备中的工艺腔室及半导体工艺设备，能够避免密封部件的磨损，从而提高密封部件的寿命，延长维护周期，并能够便于腔室盖的关闭。
半导体工艺设备中的工艺

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