专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种半导体激光器-CN201910151928.2有效
  • 李洵;兰明文 - 华中科技大学
  • 2019-02-28 - 2020-11-24 - H01S5/02
  • 本发明公开一种半导体激光器,包括:沿外延层生长方向,由下部的平板波导和上部的波导构成;沿光传输方向,由背侧的宽不变,和前侧的宽收窄构成,在宽不变,其上部的波导宽维持不变,在宽收窄,其上部的波导宽逐渐收窄,宽收窄端的宽等于宽不变宽,宽收窄端的宽小于宽端的宽,窄端是光输出端;在宽收窄,随着宽逐渐收窄,上部波导的等效折射率逐渐减小,直到窄端处接近下部平板波导的等效折射率,窄端的基模的纵向和横向尺寸均增大,使得输出光的纵向和横向发散角均减小。本发明提供的半导体激光器的输出光的发散角比普通波导结构的半导体激光器的发散角更小。
  • 一种半导体激光器
  • [实用新型]一种分布反馈半导体激光器-CN202320998493.7有效
  • 刘刚;冷祥;眭哲;严帅帅 - 无锡市华辰芯光半导体科技有限公司
  • 2023-04-27 - 2023-10-10 - H01S5/125
  • 一种分布反馈半导体激光器,包括:有源层;第一波导层;位于第一波导层背离所述有源层一侧的均匀光栅;位于部分均匀光栅背离第一波导层一侧表面的包括第一和第二;钝化层,所述钝化层覆盖所述在宽度方向两侧的均匀光栅、以及第一,且暴露出第二的顶部表面;电阻层,电阻层覆盖第一表面的钝化层,电阻层用于加热第一;电阻层在分布反馈半导体激光器出光方向上的长度Lo=kλ/(2*neff);正面电极层,覆盖第二的顶部表面且和电阻层间隔设置。
  • 一种分布反馈半导体激光器
  • [发明专利]可调谐激光器及其制作方法-CN202010602019.9有效
  • 剌晓波;梁松;唐强;刘云龙;张立晨;朱旭愿 - 中国科学院半导体研究所
  • 2020-06-29 - 2022-09-16 - H01S5/125
  • 一种可调谐激光器及其制作方法,所述可调谐激光器包括位于同一衬底上、等高且贴合的增益和分布式布拉格反射;其中,增益和分布式布拉格反射,分别为双台波导结构,包括下台波导和上台波导;所述增益的下台波导和分布式布拉格反射的下台波导分别自下而上依次包括光斑放大层、间隔层和有源层;所述增益的上台波导和分布式布拉格反射的上台波导分别自下而上包括包层和盖层;其中,所述增益的上台波导为楔形波导;所述分布式布拉格反射的上台波导为侧壁光栅波导。
  • 调谐激光器及其制作方法
  • [发明专利]一种半导体器件的制备方法-CN202011543029.6在审
  • 杨国文;唐松 - 度亘激光技术(苏州)有限公司
  • 2020-12-22 - 2021-04-16 - H01S5/20
  • 本发明提供一种半导体器件的制备方法,涉及半导体技术领域,在衬底层形成第一电流阻挡和第二电流阻挡,衬底层在第一电流阻挡和第二电流阻挡之间的部分为通道。在形成有第一电流阻挡、通道和第二电流阻挡的衬底层上形成下包层、波导层及形成层。对形成层图案化形成具有条结构的条层。通过图案化使得形成层部分区域被刻蚀,即条结构对应的在衬底层上的正投影的面积相对刻蚀前变小。条结构配合通道可以对电流的路径进行有效的控制,使得电流更加集中,进而提高器件的电光转换效率。
  • 一种半导体器件制备方法
  • [发明专利]半导体器件-CN201410302041.6有效
  • S·特根 - 英飞凌科技奥地利有限公司
  • 2014-06-27 - 2017-05-17 - H01L29/78
  • 本发明提供了一种半导体器件,包括从半导体衬底的第一主表面伸出的第一和第二。该第一和第二在第一方向上延伸。该半导体器件进一步包括设置于半导体衬底的在第一和第二之间的部分中的体,以及邻近体的栅电极。第一和第二与该体连接。在体上形成了多个另外的,该另外的在与第一方向交叉的第二方向上延伸。栅电极在第一方向上延伸,并且该栅电极设置于另外的的至少两个侧面上。
  • 半导体器件
  • [发明专利]一种半导体激光器的制备方法-CN202310844969.6在审
  • 吴思;李增成;刘建平 - 苏州镓锐芯光科技有限公司
  • 2023-07-11 - 2023-09-05 - H01S5/22
  • 一种半导体激光器的制备方法,包括:在凹槽的底部表面、的侧壁表面和的顶部形成钝化层;在钝化层的表面形成胶膜,所述凹槽中的胶膜的表面低于所述的顶部的胶膜的表面;提供平板基板,将平板基板压印在背离半导体衬底层的一侧,使得顶部的胶膜的厚度远小于所述凹槽中的胶膜的厚度;之后,对胶膜进行固化,将平板基板移除;之后,采用无掩膜刻蚀工艺去除顶部的胶膜;之后,以凹槽的底部表面和的侧壁表面的钝化层上覆盖的胶膜为掩膜刻蚀去除顶部的钝化层
  • 一种半导体激光器制备方法
  • [发明专利]一种电光调制器-CN201910978353.1有效
  • 季梦溪;李显尧 - 苏州旭创科技有限公司
  • 2019-10-15 - 2023-06-20 - G02F1/015
  • 本申请公开了一种电光调制器,包括波导,该波导包括型部和平板部;波导中设有第一掺杂区域和第二掺杂区域,该第一掺杂区域和第二掺杂区域的掺杂类型不同;其中,第一掺杂区域包括设于型部中且沿型部的延伸方向延伸的竖直和水平,以及沿型部的延伸方向间隔设置的多个垂直;第二掺杂区域包括型部中除第一掺杂区域外的部分,并与第一掺杂区域的水平、竖直和垂直邻接分别形成包括水平方向、竖直方向和垂直方向的PN结。本申请在波导中设计不同方向的多个PN结,扩大了耗尽的范围,有效提高了调制效率,降低了光损耗,而且不引入额外的寄生电容,避免额外的电容影响调制带宽。
  • 一种电光调制器
  • [发明专利]半导体激光二极管-CN202310680100.2在审
  • 斯文·格哈德;克里斯托夫·艾希勒;克里斯蒂安·鲁姆博尔茨 - 欧司朗光电半导体有限公司
  • 2018-08-13 - 2023-10-10 - H01S5/22
  • 本发明涉及一种半导体激光二极管,所述半导体激光二极管具有半导体层序列,所述半导体层序列具有至少一个有源层和波导结构,所述波导结构具有部,所述部沿纵向方向从光耦合输出面延伸至后侧面并且所述部在垂直于纵向方向的横向方向上通过部侧面限界,其中部具有第一域和在垂直于纵向和横向方向的竖直方向上邻接于所述第一域的第二域,其中部在第一域中具有第一半导体材料并且在第二域中具有至少一种与第一半导体材料不同的第二半导体材料,其中部在第一域中具有第一宽度,并且其中部在第二域中具有第二宽度,所述第二宽度大于第一宽度。
  • 半导体激光二极管
  • [发明专利]半导体激光二极管-CN201810915857.4有效
  • 斯文·格哈德;克里斯托夫·艾希勒;克里斯蒂安·鲁姆博尔茨 - 欧司朗光电半导体有限公司
  • 2018-08-13 - 2023-06-09 - H01S5/22
  • 本发明涉及一种半导体激光二极管,所述半导体激光二极管具有半导体层序列,所述半导体层序列具有至少一个有源层和波导结构,所述波导结构具有部,所述部沿纵向方向从光耦合输出面延伸至后侧面并且所述部在垂直于纵向方向的横向方向上通过部侧面限界,其中部具有第一域和在垂直于纵向和横向方向的竖直方向上邻接于所述第一域的第二域,其中部在第一域中具有第一半导体材料并且在第二域中具有至少一种与第一半导体材料不同的第二半导体材料,其中部在第一域中具有第一宽度,并且其中部在第二域中具有第二宽度,所述第二宽度大于第一宽度。
  • 半导体激光二极管
  • [实用新型]一种可提高换热效率的换热器板片组-CN202023043629.4有效
  • 帅伟强;戚邗云;韩维哲 - 江苏唯益换热器有限公司
  • 2020-12-16 - 2021-08-03 - F28D9/00
  • 本实用新型属于换热器技术领域,具体涉及一种可提高换热效率的换热器板片组,包括至少两对单元板片组,每对所述单元板片组包括层叠设置的第一板片和第二板片,所述第一板片和第二板片均包括主面板和周围的挡板,所述主面板包括分流和主换热,所述分流和主换热均设有若干凸,相邻凸之间形成凹谷,所述分流的凸呈V形或倒V形,所述主换热的凸呈M形或W形。本实用新型的换热器板片组,在主面板上设置分流和主换热,分流的凸呈V形或倒V形,主换热的凸呈M形或W形,这样设计的分流拐点较少,可以使介质快速流入主换热,主换热拐点较多,利于增加介质在流道内的湍流
  • 一种提高热效率换热器板片组

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