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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]背面接触形成-CN201210190856.0有效
发明人：弗洛里安·施密特;迈克尔·齐恩曼 -专利权人： NXP股份有限公司
申请日： 2012-06-11 - 公布日： 2012-12-19 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：第一接触焊盘形成在钝化层中，并且电耦合至电路。布线形成在钝化层上，并且连接至接触焊盘。贯穿硅通道(TSV)贯穿衬底、所述多个布线层、所述多个电介质层、以及钝化层而形成。
背面接触形成

[发明专利]背面接触型太阳能电池-CN201310287376.0有效
发明人：林佳龙;程昱达;陈传祺;简荣吾 -专利权人：英稳达科技股份有限公司
申请日： 2013-07-09 - 公布日： 2017-04-12 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：一种背面接触型太阳能电池，包括至少一第一太阳能电池单元。
背面接触太阳能电池

[实用新型]一种背面全面接触式模具-CN202221340017.8有效
发明人：阳群;谢延波 -专利权人：成都新正环保科技有限公司
申请日： 2022-05-31 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： B29C51/36 文献下载
摘要：本实用新型涉及吸塑模具技术领域，尤其涉及一种背面全面接触式模具，包括模具主体，模具主体的背部开设有真空引线槽，真空引线槽的内部均匀分布有真空眼，模具主体的侧表面开设有滑槽，滑槽上滑动安装有滑块，滑块的表面开设有安装通孔
一种背面全面接触模具

[发明专利]包括背面金属接触的光伏器件-CN200980151478.1无效
发明人：伊格尔·桑金 -专利权人：第一太阳能有限公司
申请日： 2009-12-07 - 公布日： 2011-11-23 - 主分类号： H01L31/042 文献下载
摘要：光伏电池可以包括具有透明导电氧化物层的基底、CdS/CdTe层和背面金属接触。可以通过溅射或者通过化学气相沉积来沉积所述背面金属接触。
包括背面金属接触器件

[发明专利]背面接触硅太阳能电池方法及含背面接触的硅太阳能电池-CN201210138673.4有效
发明人：威蓝·碧斯;哈洛·韩;克利斯汀·史克雷格尔;托尔斯坦·韦柏;马汀·库哲 -专利权人：太阳能界先趋有限公司
申请日： 2012-05-04 - 公布日： 2012-11-07 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供一种用于背面接触硅太阳能电池的方法以及含此背面接触的硅太阳能电池。该方法包括：当背面接触硅太阳能电池时，铝被沉积在预处理硅太阳能电池本体的背面表面上，其中无铝区域保持在所述背面表面上。接着，适于焊接的无银层被沉积在所述硅太阳能电池本体的所述背面表面上，所述无银层以非接触方式提供给铝，所述适于焊接的所述无银层至少覆盖所述背面表面上的所述无铝区域。
背面接触太阳能电池方法

[发明专利]背面接触光伏电池的制造方法以及由该方法制造的背面接触光伏电池-CN201180021240.4有效
发明人： N·吉耶万;L·J·格林斯 -专利权人：荷兰能源建设基金中心
申请日： 2011-02-25 - 公布日： 2013-01-02 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：一种用于从第一导电类型的硅半导体衬底制造太阳能电池的方法，所述衬底具有正面和背面；所述方法包括：在背面上生成第一导电类型的掺杂层，作为背面掺杂层，作为太阳能电池中的背面场；在正面上生成第二导电类型的掺杂层，作为正面掺杂层，作为太阳能电池中的发射极层，所述第二导电类型与所述第一导电类型相反；其中，所述方法还包括：在背面中生成凹陷，以形成第一导电类型的背面掺杂层的构图，以便生成背面场区，所述凹陷没有背面掺杂层材料
背面接触电池制造方法以及

[发明专利]一种背面钝化太阳电池的背面接触形成方法-CN201310550091.1在审
发明人：王玉林 -专利权人：中电电气（扬州）光伏有限公司
申请日： 2013-11-08 - 公布日： 2014-02-12 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种背面钝化太阳电池的背面接触形成方法，包括以下步骤：（1）在第一导电类型的电池衬底正面形成陷光机构；（2）对电池衬底的正面进行第二导电类型的掺杂；（3）在电池衬底的正面沉积减反射层；（4）在电池衬底背面上方设置掩膜板；（5）在电池衬底背面形成背面钝化介质层，形成背面钝化介质层同时形成背面无钝化介质层的裸露区域；（6）在电池衬底的背面和正面形成电极图形，然后通过高温烧结的方式形成电极金属与硅的欧姆接触本发明能消除背钝化太阳电池制备过程中激光开窗造成的损伤，提高背接触太阳电池的转换效率，并降低背钝化电池的制备成本和组件制备的碎片率风险。
一种背面钝化太阳电池接触形成方法

[实用新型]无接触印花布料背面烘干装置-CN201320262388.3有效
发明人：何南星;何地林;卫世星 -专利权人：何南星
申请日： 2013-05-15 - 公布日： 2013-11-20 - 主分类号： B41J11/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种无接触印花布料背面烘干装置，包括印花台、加热装置，加热装置设置于印花台内侧，印花台内侧还设置有废墨槽，加热装置包括前加热、后加热及中部加热，所述的中部加热为加热器，前加热和后加热为电加热丝，本实用新型的装置是一个装有后、中、前三道加热的印花台，结构上更加简单，制作简单方便，用于印花时的背面烘干时效果极佳。
接触印花布料背面烘干装置

[实用新型]一种全背面接触晶硅电池-CN201220734860.4有效
发明人：彭东阳;张庆钊;丁建 -专利权人：汉能科技有限公司
申请日： 2012-12-27 - 公布日： 2013-06-05 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种光伏技术领域的新型晶硅电池，具体地讲是涉及一种结合离子注入技术的全背面接触晶硅电池。全背面接触晶硅电池包括硅片基底、减反层、基极、发射极和金属栅线等，全背面接触晶硅电池的发射极和基极不在同一个平面内，能兼顾电子和空穴以很短的路径移动到发射极和基极，减少载流子电池内体复合；通过将发射极和金属栅线从正面即受光面移到背面，减少了光学损失；发射极通过离子注入的方法获得，较热扩散掺杂的方法工艺步骤少；正面和背面均有钝化层，正面还有正表面电场FSF，能减少载流子表面的复合，最终提供一种量产效率高、工艺简单的太阳能电池。
一种背面接触电池

[实用新型]一种背面钝化接触电池结构-CN201620383438.7有效
发明人：李华;赵科雄 -专利权人：乐叶光伏科技有限公司
申请日： 2016-04-28 - 公布日： 2016-09-07 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本实用新型公开一种背面钝化接触电池结构，自上而下依次包括正面电极、减反射膜、钝化膜、P型掺杂层、N型硅基体、隧穿层、N型掺杂晶硅层和背面电极；所述的背面电极包括设置在N型掺杂晶硅层上用于电荷的横向传导层的透明导电膜及设置在透明导电膜上用于电荷汇集及电池片之间连接作用的背面金属电极该电池背面电极采用透明导电膜/金属复合电极，以替代传统的栅线电极或全金属背场电极，使电池背面也可以作为受光面，在保证电极良好导电性的前提下显著减少了遮光面积与导电金属的使用量，同时提高了电池的转换效率。
一种背面钝化接触电池结构

[发明专利]在管芯的背面上制作接触的方法-CN200780037643.1无效
发明人：特里·G·斯巴克斯;沙希德·拉乌夫 -专利权人：飞思卡尔半导体公司
申请日： 2007-09-27 - 公布日： 2009-09-02 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：一种形成半导体器件(10，20)的方法，包括在半导体衬底(12)上形成有源电路(14)，其中所述半导体衬底具有第一主表面和第二主表面，并且第一有源电路形成于所述半导体衬底的第一主表面上。通路(16，18)形成于第一半导体衬底中，其中所述通路从所述第一有源电路延伸至所述第一半导体衬底的第二主表面。电介质层(24)形成于所述第二主表面上并与第一通路邻接。电介质层(24)可以包括氮和硅，并且可以通过低压、低温、或低压低温的等离子体工艺形成。
管芯面上制作接触方法

[发明专利]一种改善PERC电池背面接触的方法-CN202010892150.3在审
发明人：钱俊;陈如龙;陶龙忠;杨灼坚 -专利权人：江苏润阳悦达光伏科技有限公司
申请日： 2020-08-31 - 公布日： 2020-12-08 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供一种改善PERC电池背面接触的方法，包括如下步骤：按顺序进行激光开膜，印刷掺硅硼浆料、烘干、印刷背面银浆、烘干、印刷背面铝浆、烘干、印刷正面银浆、烧结、电性能测试。本工艺为通过掺杂硼硅浆料改善提升背面电极的接触特性，在背电极接触区域局部重掺杂，单独对接触区域进行改善，提升电池效率的同时避免铝浆料可靠性的异常。
一种改善 perc 电池背面接触方法

[实用新型]一种背面钝化接触电池电极结构-CN201620380916.9有效
发明人：李华;赵科雄 -专利权人：乐叶光伏科技有限公司
申请日： 2016-04-28 - 公布日： 2016-10-19 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本实用新型公开一种背面钝化接触电池电极结构，电池电极结构包括设置在晶体硅片背面的用于对电池背面提供钝化作用的隧穿层，隧穿层上设置用于电荷垂直传导层的N型掺杂晶硅层，N型掺杂晶硅层上设置用于电荷的横向传导层的透明导电膜，透明导电膜上设置用于电荷汇集及电池片之间连接作用的背面金属电极。该电池背面结构背面电极采用透明导电膜/金属复合电极，以替代传统的栅线电极或全金属背场电极，使电池背面也可以作为受光面，在保证电极良好导电性的前提下显著减少了遮光面积与导电金属的使用量，同时提高了电池的转换效率
一种背面钝化接触电池电极结构

[发明专利]背面接触太阳能电池的制造方法-CN201180007151.4无效
发明人：全珉星;李元载;赵银喆;李浚诚 -专利权人：现代重工业株式会社
申请日： 2011-01-18 - 公布日： 2012-10-10 - 主分类号： H01L31/042 文献下载
摘要：本发明涉及一种背面接触太阳能电池的制造方法，其中结合离子注入工艺和热扩散工艺以在衬底背表面形成p+区域和n+区域，从而最小化工艺数量。根据本发明的背面接触太阳能电池的制造方法包括下面的步骤：制备n型晶体硅衬底；在衬底的前表面、背表面和侧表面上形成热扩散控制膜；将p型杂质离子注入到衬底背表面以形成p型杂质区域；图案化热扩散控制膜从而选择性地暴露衬底背表面
背面接触太阳能电池制造方法

[发明专利]背面接触太阳能电池及其制造方法-CN201080010088.5无效
发明人：菲利普·格拉内克;丹尼尔·克赖;库诺·迈尔;莫尼卡·阿莱曼;西比尔·霍普曼 -专利权人：弗兰霍菲尔运输应用研究公司
申请日： 2010-02-22 - 公布日： 2012-02-01 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种生产背面接触太阳能电池的方法。所述方法基于具有介电层的晶片的微结构化、背面上被微结构化的区域的掺杂、以及前面上发射极的扩散。随后沉积含金属的成核层，并且电镀加固接触。
背面接触太阳能电池及其制造方法

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