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[发明专利]使用共混溶液形成半导体层和绝缘层而制备底栅薄膜晶体管的改进方法-CN200510079479.3有效
发明人： A·C·阿里亚斯 -专利权人：帕洛阿尔托研究中心公司
申请日： 2005-06-23 - 公布日： 2006-01-18 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：描述了形成由绝缘聚合物层保护的半导体聚合物层的改进方法。在该方法中，用于形成半导体聚合物和绝缘聚合物的材料溶解在溶剂中。该共混溶液沉积在基片上，其中半导体聚合物和绝缘聚合物分离。随着溶剂的挥发，半导体材料形成TFT的有源区，绝缘聚合物使该半导体聚合物在空气中的暴露降到最低。
使用溶液形成半导体绝缘制备薄膜晶体管改进方法

[发明专利]一种N型聚合物半导体材料、制备方法及应用-CN202011390292.6有效
发明人：冯逸丰;袁建宇;李斌;袁鑫 -专利权人：苏州大学
申请日： 2020-12-02 - 公布日： 2022-03-08 - 主分类号： C08G61/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种N型聚合物半导体材料、制备方法及应用，属于有机聚合物半导体材料领域。本发明提供的聚合物在经典的D‑A型结构的基础上，通过引入氟或氯原子基团对给体材料进行改性，提高一种新型结构的聚合物半导体材料，它具有分子间排列有序性好，光学带隙宽的特征。将本发明提供的N型聚合物半导体材料与P型材料PT8共混，得到的聚合物‑聚合物混合膜应用于有机聚合物太阳能电池，能有效提升共轭半导体聚合物的性能，采用氯仿作为加工溶剂，其光电转换效率达到9.04%，制备得到高性能太阳能电池
一种聚合物半导体材料制备方法应用

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201610670878.5在审
发明人：陈威宇;陈宪伟;苏安治;谢正贤 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-08-16 - 公布日： 2017-03-29 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：一种半导体器件包括半导体衬底，位于半导体衬底上方并且配置为接收凸块的重分布层(RDL)。半导体器件还包括位于RDL上方的聚合物材料，和聚合物材料包括开口以暴露RDL的部分。在半导体器件中，阻挡件覆盖聚合物材料和RD L之间的接合点。本发明涉及半导体器件及其制造方法。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]一种梯度掺杂半导体聚合物薄膜及其制备方法与应用-CN202210630759.2在审
发明人：李慧;徐真;陈立东 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2022-06-06 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： H01L35/24 文献下载
摘要：本发明涉及一种梯度掺杂半导体聚合物薄膜及其制备方法与应用，属于有机热电材料领域。所述梯度掺杂半导体聚合物薄膜包括半导体聚合物薄膜，以及附着于所述半导体聚合物薄膜所有区域上的掺杂剂；所述掺杂剂在半导体聚合物薄膜各区域的掺杂程度整体呈阶梯变化，所述阶梯变化包括半导体聚合物薄膜上形成单一掺杂剂含量的梯度变化或者形成掺杂剂种类的梯度变化
一种梯度掺杂半导体聚合物薄膜及其制备方法应用

[发明专利]一种P型聚合物半导体材料及其制备方法和应用-CN201710947475.5有效
发明人：郭旭岗;虞坚炜;杨杰;周鑫 -专利权人：南方科技大学
申请日： 2017-10-12 - 公布日： 2021-04-30 - 主分类号： C08G61/12 文献下载
摘要：本发明提供了一种P型聚合物半导体材料及其制备方法和应用，所述P型聚合物半导体材料具有式I所示结构，所述P型聚合物半导体材料为基于邻苯二甲酰亚胺结构的聚合物材料，其具有优良的溶解性，高度的骨架平面性，良好的结晶性，以及可调控的光电性质，这些聚合物用于有机太阳能电池中，都显示出了高的光电转换效率，在作为高性能有机半导体材料方面具有巨大潜力。
一种聚合物半导体材料及其制备方法应用

[发明专利]一种双层聚合物复合材料及其制备方法-CN202210277434.0在审
发明人：张斌;王大伟;陈晓明;刘捷;孙蓉 -专利权人：深圳先进电子材料国际创新研究院
申请日： 2022-03-21 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： C08L79/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种双层聚合物复合材料及其制备方法，该双层聚合物复合材料包括第一聚合物薄膜和第二聚合物薄膜，所述第一聚合物薄膜为聚合物基体中添加n型有机小分子半导体制备而成，所述第二聚合物薄膜为聚合物基体中添加p型有机小分子半导体制备而成。本发明提供的双层结构聚合物复合材料利用双层界面构建的内建电场及有机小分子半导体的电子陷阱作用提升复合材料的击穿场强，该双层聚合物介电薄膜较原纯聚醚酰亚胺聚合物介电薄膜的击穿场强提升100MV/m。
一种双层聚合物复合材料及其制备方法

[发明专利]有机聚合物半导体材料及其制备方法和应用-CN202210769490.6有效
发明人：许华平;戴以恒;马蒂亚斯·卢卡斯·丹尼尔斯;张之恒 -专利权人：清华大学
申请日： 2022-07-01 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： C08G79/00 文献下载
摘要：本公开实施例提供的有机聚合物半导体材料及其制备方法和应用，有机聚合物半导体材料的结构式为‑[Te(R2)‑O]n‑，n制备方法包括：将含碲单体，通过界面聚合、水解聚合或电化学聚合的方式制备得到所述有机聚合物半导体材料。所述应用为所述有机聚合物半导体材料在光催化领域的应用。本公开实施例基于碲元素的光刺激响应性，在调控有机聚合物分子结构的同时，制备了多种聚碲氧烷半导体材料，该此类半导体材料能够在光照条件下实现可控可调、选择性良好、副反应少、后处理便捷的光催化过程且催化效率已达到商用光催化剂二氧化钛的指标
有机聚合物半导体材料及其制备方法应用

[发明专利]一种小分子-聚合物复合的有机半导体薄膜及其制备方法-CN202211393680.9有效
发明人：陈晨;殷小东;程海峰;贺楚明 -专利权人：中国人民解放军国防科技大学
申请日： 2022-11-08 - 公布日： 2023-01-24 - 主分类号： H10K71/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种小分子‑聚合物复合的有机半导体薄膜及其制备方法，利用苯并[B]苯并[4,5]噻吩并[2,3‑D]噻吩（BTBT）基小分子和聚合物材料混合后溶于有机溶剂中，然后在搅拌条件下得到小分子‑聚合物复合有机半导体溶液；随后将所述有机半导体溶液通过偏心旋涂法，在衬底上先以低速旋涂铺展，再高速旋涂制得所述小分子‑聚合物复合有机半导体薄膜。其中，通过所述溶液浓度、小分子与聚合物材料的比例以及旋涂参数的匹配，可以有效调控有机半导体薄膜的相关结构形貌和电学性质，获得具有优异载流子输运性能的有机半导体薄膜材料。
一种分子聚合物复合有机半导体薄膜及其制备方法

[发明专利]一种无机半导体纳米晶与共轭聚合物杂化材料及其制备方法-CN200510029878.9无效
发明人：黄维;戚筱瑛;温贵安;汪联辉;范曲立 -专利权人：复旦大学
申请日： 2005-09-22 - 公布日： 2006-03-08 - 主分类号： C08K3/02 文献下载
摘要：本发明涉及一类新型无机半导体纳米晶与聚合物杂化材料。通过在有机相或水相中合成无机半导体纳米晶，得到单分散性好，性能稳定，且在一定的粒径范围内可控的无机半导体纳米晶。将无机半导体纳米晶同聚合物通过键接的形式以达到无机半导体纳米晶同聚合物相互之间的能量传递。无机半导体纳米晶/共轭聚合物杂化材料可应用于太阳能电池、电致发光器件，生物传感、信息存储、通信、激光器件等领域。
一种无机半导体纳米共轭聚合物材料及其制备方法

[发明专利]基于半导体温控的双程形状记忆铰链装置及其使用方法-CN202310002820.3在审
发明人：郭保苏;丁世琛;张永;吴凤和;温银堂;张玉燕 -专利权人：燕山大学
申请日： 2023-01-03 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： B64G1/22 文献下载
摘要：本发明提供一种基于半导体温控的双程形状记忆铰链装置，在伸展组件中，包括控温半导体层、形状记忆合金层和形状记忆聚合物层，控温半导体层位于形状记忆合金层和形状记忆聚合物层之间。控温半导体层，包括制冷半导体晶粒、柔性隔热材料、铜片和柔性导热材料，制冷半导体晶粒成对存在，相邻的制冷半导体晶粒之间设有柔性隔热材料，位于制冷半导体晶粒两端的铜片分别通过柔性导热材料与形状记忆合金层和形状记忆聚合物层的贴合面连接本发明通过改变制冷半导体晶粒的电流方向分别控制形状记忆合金层或者形状记忆聚合物层的温度，实现伸展组件的重复可控形变，易于实现自锁定与自展开功能，具有展开冲击小和刚度大的优点。
基于半导体温控双程形状记忆铰链装置及其使用方法

[发明专利]用于图案化半导体组件的光阻及半导体组件的制造方法-CN201010276294.2无效
发明人：王建惟;谢铭峰;张庆裕 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2010-09-06 - 公布日： 2011-07-06 - 主分类号： G03F7/039 文献下载
摘要：本发明揭露一种用于图案化半导体组件的光阻及半导体组件的制造方法，其中所述用于图案化半导体组件的光阻包括聚合物以及光酸产生剂，其中此聚合物具有一骨架，此骨架为可断裂的，且此光酸产生剂不与此聚合物键结。其次，一种半导体组件的制造方法，其包括提供基材。材料层形成于前述基材上。光阻材料形成于前述材料层上。此光阻材料具有聚合物及光酸产生剂，且此聚合物包括一骨架。然后，前述光阻材料是经图案化而形成图案化光阻层。以前述图案化光阻层为掩膜，对前述材料层进行一制程。之后，对前述图案化光阻层经处理而使前述聚合物的骨架断裂。随后，移除前述图案化光阻层。
用于图案半导体组件制造方法

[发明专利]半导体组合物及其应用-CN201910293881.3在审
发明人：冯林润;刘哲;沙希·乌尔维什·潘迪亚;迈克尔·詹姆斯·西姆斯;西蒙·多米尼克·奥吉尔 -专利权人：纽多维有限公司
申请日： 2019-04-12 - 公布日： 2020-10-23 - 主分类号： C08G61/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体组合物，该半导体组合物包含半导体材料及半导体粘合剂聚合物，该半导体粘合剂聚合物为新型高k粘合剂聚合物，当其与半导体材料结合使用时，可以得到低至90Ohm.cm的接触电阻(宽度归一化
半导体组合及其应用

[发明专利]在有机半导体聚合物中掺杂其他聚合物-CN201880038201.7有效
发明人：贺明谦;李阳;J·R·马修斯;K·梅罗特拉;钮渭钧;A·L·华莱士 -专利权人：康宁股份有限公司
申请日： 2018-06-01 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： C08G61/12 文献下载
摘要：公开了聚合物掺混物，其包括掺混了隔离聚合物的有机半导体(OSC)聚合物，及其制造方法。OSC聚合物包括二酮吡咯并吡咯稠合噻吩聚合物材料，以及稠合噻吩是β取代的。隔离聚合物包括非共轭骨架，并且隔离聚合物可以是以下一种：聚丙烯腈、烷基取代的聚丙烯腈、聚苯乙烯、聚磺酸酯、聚碳酸酯、弹性体嵌段共聚物，它们的衍生物、共聚物和混合物。方法包括在有机溶剂中掺混OSC聚合物和隔离聚合物以产生聚合物掺混物，以及在基材上沉积聚合物掺混物的薄膜。还公开了包含半导体薄膜的有机半导体装置，所述半导体薄膜包含OSC聚合物。
有机半导体聚合物掺杂其他

[发明专利]偶氮苯类聚合物、其制备方法及用途-CN201310491388.5有效
发明人：胡洪超;崔英德;舒绪刚;刘展眉;尹国强 -专利权人：仲恺农业工程学院
申请日： 2013-10-18 - 公布日： 2017-11-10 - 主分类号： C08G73/00 文献下载
摘要：本发明名称为偶氮苯类聚合物、其制备方法及用途，涉及一种新型主链为芳环和偶氮共轭的聚合物半导体材料及制备方法，属于新材料和化学合成领域，其包含通式（I）的化合物，其中x可以为NH2，OH，OR等基团。本发明亦提出此聚合物半导体材料进一步改型的方法。该类聚合物半导体材料具有吸光性好，合成工艺简单得优点，可用作可用于光电转换，导电及吸波材料等用途。
偶氮类聚制备方法用途

[发明专利]有机半导体元件、有机半导体组合物、有机半导体膜、有机半导体膜的制造方法及用于这些的聚合物-CN201880085108.1在审
发明人：谷征夫;白兼研史;渡边哲也;冈本敏宏;竹谷纯一 -专利权人：富士胶片株式会社;国立大学法人东京大学
申请日： 2018-12-27 - 公布日： 2020-08-14 - 主分类号： H01L51/30 文献下载
摘要：本发明提供一种具备含有特定的聚合物的有机半导体层的有机薄膜晶体管元件、优选作为该有机半导体层的有机半导体膜及其制造方法以及优选作为该有机半导体膜的构成材料的聚合物及组合物，该特定的聚合物具有包含特定的式所表示的结构的重复单元
有机半导体元件组合制造方法用于这些聚合物

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