专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]金属材料镀层损伤的非线性超声评价方法-CN201210125114.X无效
  • 税国双;汪越胜;陈阿丽 - 北京交通大学
  • 2012-04-25 - 2012-08-01 - G01N29/12
  • 金属材料镀层损伤的非线性超声评价方法,涉及金属材料镀层损伤的测试,以确定镀层的损伤程度。该方法包括:选择一个镀层试件,采用非线性超声测试系统,测试得到初始相对非线性系数;对镀层试件进行五次加载,得到五个加载的应力;对五次加载的镀层试件进行非线性超声测试,得到五个相对非线性系数;将上述相对非线性系数除以初始相对非线性系数进行正则化,以正则化相对非线性系数为纵坐标,以应力为横坐标,将初始及五个正则化相对非线性系数值表示在坐标中,得到正则化相对非线性系数与应力间的关系曲线图;正则化相对非线性系数大于1并小于镀层出现裂纹时的正则化相对非线性系数时,镀层试件存在损伤;相对非线性系数越大,损伤程度越大。
  • 金属材料镀层损伤非线性超声评价方法
  • [发明专利]线性预测系数变换装置和线性预测系数变换方法-CN201711257010.3有效
  • 仲信彦;V·罗皮拉 - 株式会社NTT都科摩
  • 2015-04-16 - 2022-01-25 - G10L19/06
  • 本发明涉及线性预测系数变换装置和线性预测系数变换方法。目的在于,以较少的运算量对变换了内部采样频率后的线性预测合成滤波器进行估计。线性预测系数变换装置将利用第一采样频率计算出的第一线性预测系数变换成与第一采样频率不同的第二采样频率的第二线性预测系数,该线性预测系数变换装置具有如下的单元:根据第一线性预测系数或者其等价的参数,在单位圆的实轴上计算与第二采样频率下的第二线性预测系数对应的功率谱的单元;根据功率谱,在单位圆的实轴上计算自相关系数的单元;以及将自相关系数变换成第二采样频率的第二线性预测系数的单元。
  • 线性预测系数变换装置方法
  • [发明专利]线性温度系数电压输出电路-CN201711391409.0在审
  • 黄河;郁炜嘉;易坤 - 上海晶丰明源半导体股份有限公司
  • 2017-12-21 - 2018-05-18 - G05F3/26
  • 本发明公开了一种线性温度系数电压输出电路,包括:一零温度系数电压基准模块、一线性正温度系数电压基准模块和一加减法模块;零温度系数电压基准模块用于产生零温度系数电压基准值,并将零温度系数电压基准值放大一第一预设放大倍数后传送至加减法模块;线性正温度系数电压基准模块用于产生线性正温度系数电压基准值,并将线性正温度系数电压基准值放大一第二预设放大倍数后传送至加减法模块;加减法模块将放大后的零温度系数电压基准值与放大后的线性正温度系数电压基准值进行和或差处理后,输出输出电路的线性温度系数电压,从而根据线性温度系数电压获得输出电路的温度。
  • 线性温度系数电压输出电路
  • [发明专利]线性预测系数变换装置和线性预测系数变换方法-CN201580021060.4有效
  • 仲信彦;V·罗皮拉 - 株式会社NTT都科摩
  • 2015-04-16 - 2018-01-02 - G10L19/06
  • 目的在于,以较少的运算量对变换了内部采样频率后的线性预测合成滤波器进行估计。线性预测系数变换装置将利用第一采样频率计算出的第一线性预测系数变换成与第一采样频率不同的第二采样频率的第二线性预测系数,该线性预测系数变换装置具有如下的单元根据第一线性预测系数或者其等价的参数,在单位圆的实轴上计算与第二采样频率下的第二线性预测系数对应的功率谱的单元;根据功率谱,在单位圆的实轴上计算自相关系数的单元;以及将自相关系数变换成第二采样频率的第二线性预测系数的单元。
  • 线性预测系数变换装置方法
  • [发明专利]光刻机硅片对准信号的处理方法-CN200910055927.4有效
  • 陈延太;宋海军;李运锋 - 上海微电子装备有限公司
  • 2009-08-05 - 2009-12-30 - G03F7/20
  • 本发明涉及一种光刻机硅片对准信号的处理方法,包括如下步骤:设定处理该光刻机硅片对准信号所采用的非线性模型;对该光刻机硅片进行对准扫描,获取位置采样数据和光强采样数据;对该位置采样数据和光强采样数据进行实时累加处理,获取累加系数;根据包含暗电流、正弦系数和余弦系数线性模型确定该非线性模型的非线性参数初值;根据该累加系数和非线性参数获取该非线性模型的线性参数;根据该累加系数和该非线性模型的线性参数获取该非线性参数的迭代增量;根据该迭代增量更新该非线性模型的非线性参数;判断该迭代增量是否满足精度要求,从而确定该非线性模型的最终线性参数和最终非线性参数。
  • 光刻硅片对准信号处理方法

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