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[发明专利]氮化物外延生长的纳米图形衬底制备方法-CN201010121839.2无效
发明人：袁根如;郝茂盛;陈诚 -专利权人：上海蓝光科技有限公司
申请日： 2010-03-11 - 公布日： 2010-08-25 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化物外延生长的纳米图形衬底制备方法，包括以下步骤：在衬底上蒸镀一层金属膜层；在所述金属膜层上涂布一层光刻胶膜层，通过光罩技术在衬底上显影出微米级尺寸的光刻胶图形且图形之间留有一层薄薄的光刻胶；通过高温回流技术形成二级纳米级光刻胶图形，其中，一级为微米级尺寸图形，另一级为纳米级尺寸图形；对所述二级纳米级光刻胶图形进行硬化处理；利用加热烘烤光刻胶技术，将光刻胶图形进一步的硬化；利用形成的所述二级纳米级光刻胶图形作为掩膜，用干法刻蚀技术将所述光刻胶图形结构转移到所述衬底上；清洗所述衬底，得到二级纳米级图形衬底。
氮化物外延生长纳米图形衬底制备方法

[发明专利]掩膜剂及带有纳米级图形的衬底的制备方法-CN201210516448.X有效
发明人：夏玺华;赵胜能;牛凤娟;张庆;李随萌 -专利权人：湘能华磊光电股份有限公司
申请日： 2012-12-05 - 公布日： 2013-04-24 - 主分类号： C09D1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种掩膜剂及带有纳米级图形的衬底的制备方法。该掩膜剂按体积份包括以下原料：10~30份的具有掩膜功能的纳米级颗粒、20~60份的溶剂，以及0.06~0.2份的活化剂。掩膜剂中包括具有掩膜功能的纳米级颗粒，当这种掩膜剂被涂布形成掩膜层时，掩膜剂中的具有掩膜功能的纳米级颗粒分布在该掩膜层，对该掩膜层进行刻蚀，将纳米颗粒结构转移到基体上，即可得到纳米级图形。本发明所提供的带有纳米级图形的衬底的制备方法中通过使用上述掩膜剂在衬底上形成掩膜层，刻蚀后即可得到带有纳米级图形的衬底。
掩膜剂带有纳米图形衬底制备方法

[发明专利]同时具有微米纳米结构的复合图形的构建方法-CN200710046152.5无效
发明人：纪强;姜学松;印杰 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2007-09-20 - 公布日： 2008-04-09 - 主分类号： C03C17/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种同时具有微米纳米结构的复合图形的构建方法，通过将光刻技术及反应性相分离技术相结合，制备同时具有微米及纳米结构的图形，用于集成线路板、信息贮存装置、生物芯片和微机电系统中。首先用浓硫酸和丙酮处理玻璃基片或硅基片表面，再将交联剂、线性共聚物、光引发剂配制成一定浓度的溶液在基片表面旋涂成膜，将制备出的膜在模版下进行光刻、显影，制得微米级的图形，再将微米级图形进行淬火，从而在微米级的图形表面生成纳米级的图形，得到同时具有微米级和纳米级结构的复合图形。本发明方法简单易行，可同时制备具有微米、纳米级的图形，可以节约大量的设备和仪器。
同时具有微米纳米结构复合图形构建方法

[发明专利]一种倒装光子晶体LED芯片及其制造方法-CN201210588034.8有效
发明人：武乐可 -专利权人：映瑞光电科技（上海）有限公司
申请日： 2012-12-29 - 公布日： 2013-04-24 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：本发明提供一种倒装光子晶体LED芯片的制造方法，包括：提供初始衬底，所述初始衬底包括外延生长面和出光面；在所述初始衬底的外延生长面进行纳米压印工艺，形成纳米级图形化衬底；在所述纳米级图形化衬底的外延生长面上形成倒装LED结构；在所述纳米级图形化衬底的出光面进行纳米压印工艺，形成倒装光子晶体LED芯片。由于在出光面形成了光子晶体结构，使得光出射率提高，提高LED的发光效率。
一种倒装光子晶体 led 芯片及其制造方法

[发明专利]一种纳米级超材料微结构及其制备方法-CN201210050814.7有效
发明人：刘若鹏;赵治亚;金曦;熊晓磊 -专利权人：深圳光启创新技术有限公司
申请日： 2012-02-29 - 公布日： 2013-09-11 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明提供一种纳米级超材料微结构及其制备方法，将金属薄膜覆在涂有粘结剂的基板上，烘干并保持干燥；在金属薄膜表面涂抹一层光刻胶；将具有纳米级线宽图形的掩膜板对准光刻胶，用紫外线光对光刻胶进行曝光，然后去除未曝光的光刻胶；再通过腐蚀液去掉微结构以外的金属薄膜，从而在基板上获得纳米级线宽的微结构；本发明是把利用聚焦离子束技术制备的具有纳米级图形的基材作为掩膜板，再利用刻蚀技术大规模的制备具有纳米级微结构的超材料，成本低、
一种纳米材料微结构及其制备方法

[发明专利]具有纳米级图形化尺寸的光刻掩膜版及其制备方法-CN202011369250.4在审
发明人：王峰 -专利权人：苏州瑞而美光电科技有限公司
申请日： 2020-11-30 - 公布日： 2021-02-09 - 主分类号： G03F1/38 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有纳米级图形化尺寸的光刻掩膜版，包括具有第一表面和第二表面的透明基板，所述透明基板的第一表面设置有掩膜层，所述掩膜层设置有纳米级图形化结构，所述透明基板的第二表面设置有光子晶体增透层；所述掩膜层的纳米级图形化结构和光子晶体增透层通过纳米压印模板压印后刻蚀得到。采用纳米压印方式制备，制作成本低，掩膜版图形化最小特征尺寸线宽可以达到纳米级，可用于制备纳米级线宽的芯片结构。
具有纳米图形尺寸光刻掩膜版及其制备方法

[实用新型]具有纳米级图形化尺寸的光刻掩膜版-CN202022816995.2有效
发明人：王峰 -专利权人：苏州瑞而美光电科技有限公司
申请日： 2020-11-30 - 公布日： 2021-08-03 - 主分类号： G03F1/38 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种具有纳米级图形化尺寸的光刻掩膜版，包括具有第一表面和第二表面的透明基板，所述透明基板的第一表面设置有掩膜层，所述掩膜层设置有纳米级图形化结构，所述透明基板的第二表面设置有光子晶体增透层；所述掩膜层的纳米级图形化结构和光子晶体增透层通过纳米压印模板压印后刻蚀得到。采用纳米压印方式制备，制作成本低，掩膜版图形化最小特征尺寸线宽可以达到纳米级，可用于制备纳米级线宽的芯片结构。
具有纳米图形尺寸光刻掩膜版

[发明专利]一种纳米级尺寸结构测量方法及装置-CN201010133464.1有效
发明人：刘世元;张传维;史铁林;陈修国 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2010-03-29 - 公布日： 2010-08-11 - 主分类号： G01B11/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种纳米级尺寸结构测量方法及装置，可以同时测量纳米级尺寸结构宽度、深度、侧墙角等参数。本发明方法步骤如下：将白光光束经滤光、起偏后垂直投射到包含纳米级尺寸结构的样件表面；采集样件表面反射信号，计算得到纳米级尺寸结构显微成像图；将测量离焦扫描成像分布图与理论离焦扫描成像分布图进行匹配，提取得到待测纳米级尺寸结构的几何参数值本发明所提供的纳米级尺寸结构测量装置，能为纳米制造技术如传统光刻和纳米压印等基于图形转移的批量化制造技术中所涉及的各种典型纳米级尺寸结构，如孤立线条阵列结构、密集型线条阵列结构提供一种非接触、非破坏性、
一种纳米尺寸结构测量方法装置

[发明专利]周期可控的纳米点阵的制备方法，及其图形衬底和应用-CN202010691349.X在审
发明人：贾海强;陈弘;唐先胜 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2020-07-17 - 公布日： 2022-01-18 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种周期可控的纳米点阵的制备方法，还提供了其图形衬底和应用。本发明针对目前手段的缺点，针对制备纳米级图形化衬底，利用简单的工艺，制备得到周期可控的纳米级图形化衬底，减少制备成本。
周期可控纳米点阵制备方法及其图形衬底应用

[发明专利]一种表面跨尺度功能微纳结构的制造方法-CN201710017428.0在审
发明人：曹生珠;何延春;张凯锋;吴敢;陈学康;王瑞;王虎;王兰喜 -专利权人：兰州空间技术物理研究所
申请日： 2017-01-11 - 公布日： 2017-05-31 - 主分类号： B82B3/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种表面跨尺度功能微纳结构的制造方法，该制造方法步骤包括首先，采用毫秒脉冲激光扫描基体表面，加工出微米级结构图形；然后，采用飞秒脉冲激光扫描已加工出的微米级结构图形，从而在微米级结构图形表面诱导加工出纳米级结构图形本发明采用毫秒脉冲激光刻蚀和和飞秒激光诱导相结合的结构表面微纳结构功能制造方法，可以完成表面微米级和纳米级功能微结构的跨尺度、高效、低成本制造，加工效率远高于半导体工艺，具有更好的应用前景。
一种表面尺度功能结构制造方法

[发明专利]一种纳米结构的图形转移制作方法-CN201110190018.9无效
发明人：马志波;姜澄宇;苑伟政 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2011-07-07 - 公布日： 2012-01-18 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种纳米结构的图形转移制作方法，属于集成电路和微纳电子机械系统加工领域。本发明以光刻胶作为掩膜，基于普通光刻机在一次套刻的工艺条件下，对微米级线条进行部分曝光，刻蚀金属，将微米级线条变为纳米级线条，实现纳米级结构尺寸的图形转换，他将广泛应用于MEMS和集成电路工艺中，使纳米器件工艺简化
一种纳米结构图形转移制作方法

[发明专利]用于氮化物外延生长的纳米级图形化衬底的制备方法-CN200910042058.1有效
发明人：张佰君;饶文涛 -专利权人：中山大学
申请日： 2009-08-21 - 公布日： 2010-02-03 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开一种用于氮化物外延生长的纳米级图形化衬底的制备方法，其包括以下步骤：在用于氮化物外延生长的衬底上沉积一层铝薄层；利用飞秒激光刻蚀所述铝薄层表面，在铝薄层表面形成周期性的浅凹坑；采用电化学方法将制备的铝薄层阳极氧化形成纳米级图形的多孔网状氧化铝层；去除氧化铝层中的孔洞底部的阻挡层并作适当扩孔处理；利用氧化铝层作为掩膜，通过刻蚀，将氧化铝层上的纳米级图形转移到所述衬底；用酸或碱溶液腐蚀去除氧化铝层，得到带有纳米级图形的衬底；清洗纳米级图形的衬底，本发明可以显著地改善多孔氧化铝的图形排列的周期性，从而提高衬底图形的有序性。
用于氮化物外延生长纳米图形衬底制备方法

[发明专利]一种纳米级图形化衬底的制造方法-CN201210563911.6有效
发明人：毕少强 -专利权人：映瑞光电科技（上海）有限公司
申请日： 2012-12-21 - 公布日： 2013-04-24 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供一种纳米级图形化衬底的制造方法，包括：提供衬底，在所述衬底上形成导电层；在所述导电层上使用电沉积工艺沉积金属，形成金属纳米颗粒，所述金属与导电层的材质不同，所述电沉积工艺时间远小于电沉积工艺形成薄膜的时间；以所述金属纳米颗粒作为掩膜，刻蚀所述导电层，形成图形化的导电层；以所述图形化的导电层为掩膜，刻蚀所述衬底；去除所述图形化的导电层和金属纳米颗粒，形成纳米级图形化衬底。该方法利用电沉积工艺在导电层上形成金属纳米颗粒，进而利用金属纳米颗粒为掩膜刻蚀导电层，然后刻蚀衬底以形成纳米级图形化衬底。具有工艺简单，工艺成本低的优点。
一种纳米图形衬底制造方法

[发明专利]III族氮化物微观图形结构的选区生长方法及结构-CN201510050075.5在审
发明人：于彤军;冯晓辉;程玉田;吴洁君;贾传宇;张国义 -专利权人：北京大学
申请日： 2015-01-30 - 公布日： 2015-05-20 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种III族氮化物微观图形结构的选区生长方法及结构。本发明采用了碳纳米管阵列作为微米/纳米复合尺寸掩膜，既有捆簇内纳米级生长窗口，也有捆簇间微米级生长窗口，二者相间排列，利用微米级生长窗口和纳米级生长窗口内III族氮化物的生长速率的显著差异，可以在上述微米/纳米复合尺寸掩膜上制得两种形状相同而尺寸不同的微观图形结构相间排列的III族氮化物双尺寸微观图形结构。本发明采用碳纳米管掩膜，可充分发挥纳米异质外延的优点，提高微观图形结构材料的晶体质量、减少残余应力；由于碳纳米管具有热导率高、电导率高等特点，有利于后续制得的微电子、光电子器件的散热及电学性质的提升。
iii 氮化物微观图形结构选区生长方法

[发明专利]一种纳米级图形化衬底的制造方法-CN201210564314.5有效
发明人：毕少强 -专利权人：映瑞光电科技（上海）有限公司
申请日： 2012-12-21 - 公布日： 2013-04-03 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供一种纳米级图形化衬底的制造方法，包括：提供衬底，在所述衬底上形成导电层；在所述导电层上使用电沉积工艺沉积金属，形成金属纳米颗粒，所述金属与导电层的材质不同，所述电沉积工艺时间远小于电沉积工艺形成薄膜的时间；以所述金属纳米颗粒作为掩膜，刻蚀所述导电层，形成图形化的导电层；以所述图形化的导电层为掩膜，刻蚀所述衬底；去除所述图形化的导电层和金属纳米颗粒，形成纳米级图形化衬底。该方法利用电沉积工艺在导电层上形成规则排布的标记，然后在标记处形成金属纳米颗粒，进而利用金属纳米颗粒为掩膜刻蚀导电层，然后刻蚀衬底以形成纳米级图形化衬底。该方法具有工艺简单，工艺成本低的优点。
一种纳米图形衬底制造方法

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