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[发明专利]空心氮掺杂碳纳米球及其制备方法和应用-CN202211556683.X在审
发明人：王任衡;王雪媛;钱正芳;孙一翎;熊可玉 -专利权人：深圳大学
申请日： 2022-12-06 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： C01B32/15 文献下载
摘要：本申请属于材料技术领域，尤其涉及一种空心氮掺杂碳纳米球及其制备方法和应用。包括步骤：制备纳米球模板；在所述纳米球模板表面制备有机碳源包覆层和有机氮源包覆层，得到复合纳米球；对所述复合纳米球进行煅烧处理，得到碳化复合纳米球；采用氟化锂和盐酸的混合溶液刻蚀去除所述碳化复合纳米球中纳米球模板，得到空心氮掺杂碳纳米球。以氟化锂和盐酸水溶液刻蚀除去纳米模板，避免直接接触强腐蚀性的氢氟酸，提高实验的安全性，也克服了管制试剂的限制。通过调控纳米球模板的尺寸可灵活调控制得的空心氮掺杂碳纳米球的尺寸。原位生成的空心氮掺杂碳纳米球，结构稳定性好，比表面积高、表面孔径均匀且孔隙率高，适用于多种应用领域。
空心掺杂纳米及其制备方法应用

[发明专利]一种Ni纳米点@BN纳米球复合物及其制备方法和应用-CN201810385237.4在审
发明人：刘先国;余洁意;孙玉萍 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2018-04-26 - 公布日： 2018-10-30 - 主分类号： B22F1/00 文献下载
摘要：本发明涉及材料制备技技术领域，尤其涉及一种Ni纳米点@BN纳米球复合物，其特征在于，所述Ni纳米点@BN纳米球复合物的微观结构为Ni纳米点嵌入BN纳米球。所述BN纳米球的粒径为150～300nm，所述Ni纳米点的粒径为1～3nm。本发明首次制备出了Ni纳米点@BN纳米球复合物；本发明制备过程条件简单，易于控制，为Ni纳米点@BN纳米球复合物的实际应用提供了条件；本发明的Ni纳米点@BN纳米球复合物，由于Ni纳米点和BN纳米球构成了良好的电磁匹配，在2～18GHz频率范围内具有优秀的电磁吸收能力，使Ni纳米点@BN纳米球复合物成为2～18GHz范围内电磁吸收强有力的候选材料。
纳米点纳米球复合物电磁吸收粒径制备方法和应用材料制备候选材料微观结构应用提供制备过程制备匹配嵌入

[发明专利]一种Mn纳米点@BN纳米球复合物及其制备方法和应用-CN201810386613.1在审
发明人：刘先国;余洁意;孙玉萍 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2018-04-26 - 公布日： 2018-11-06 - 主分类号： B22F1/02 文献下载
摘要：本发明涉及材料制备技技术领域，尤其涉及一种Mn纳米点@BN纳米球复合物，其特征在于，所述Mn纳米点@BN纳米球复合物的微观结构为Mn纳米点嵌入BN纳米球。所述BN纳米球的粒径为150～300nm，所述Mn纳米点的粒径为1～3nm。本发明首次制备出了Mn纳米点@BN纳米球复合物；本发明制备过程条件简单，易于控制，为Mn纳米点@BN纳米球复合物的实际应用提供了条件；本发明的Mn纳米点@BN纳米球复合物，由于Mn纳米点和BN纳米球构成了良好的电磁匹配，在2～18GHz频率范围内具有优秀的电磁吸收能力，使Mn纳米点@BN纳米球复合物成为2～18GHz范围内电磁吸收强有力的候选材料。
纳米点纳米球复合物电磁吸收粒径制备方法和应用材料制备候选材料微观结构应用提供制备过程制备匹配嵌入

[发明专利]一种Mo纳米点@BN纳米球复合物及其制备方法和应用-CN201810386614.6在审
发明人：刘先国;余洁意;孙玉萍 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2018-04-26 - 公布日： 2018-11-06 - 主分类号： B22F1/02 文献下载
摘要：本发明涉及材料制备技技术领域，尤其涉及一种Mo纳米点@BN纳米球复合物，其特征在于，所述Mo纳米点@BN纳米球复合物的微观结构为Mo纳米点嵌入BN纳米球。所述BN纳米球的粒径为150～300nm，所述Mo纳米点的粒径为1～3nm。本发明首次制备出了Mo纳米点@BN纳米球复合物；本发明制备过程条件简单，易于控制，为Mo纳米点@BN纳米球复合物的实际应用提供了条件；本发明的Mo纳米点@BN纳米球复合物，由于Mo纳米点和BN纳米球构成了良好的电磁匹配，在2～18GHz频率范围内具有优秀的电磁吸收能力，使Mo纳米点@BN纳米球复合物成为2～18GHz范围内电磁吸收强有力的候选材料。
纳米点纳米球复合物电磁吸收粒径制备方法和应用材料制备候选材料微观结构应用提供制备过程制备匹配嵌入

[发明专利]一种Mg纳米点@BN纳米球复合物及其制备方法和应用-CN201810385178.0在审
发明人：刘先国;余洁意;孙玉萍 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2018-04-26 - 公布日： 2018-11-06 - 主分类号： B22F9/14 文献下载
摘要：本发明涉及材料制备技技术领域，尤其涉及一种Mg纳米点@BN纳米球复合物，其特征在于，所述Mg纳米点@BN纳米球复合物的微观结构为Mg纳米点嵌入BN纳米球。所述BN纳米球的粒径为150～300nm，所述Mg纳米点的粒径为1～3nm。本发明首次制备出了Mg纳米点@BN纳米球复合物；本发明制备过程条件简单，易于控制，为Mg纳米点@BN纳米球复合物的实际应用提供了条件；本发明的Mg纳米点@BN纳米球复合物，由于Mg纳米点和BN纳米球构成了良好的电磁匹配，在2～18GHz频率范围内具有优秀的电磁吸收能力，使Mg纳米点@BN纳米球复合物成为2～18GHz范围内电磁吸收强有力的候选材料。
纳米点纳米球复合物电磁吸收粒径制备方法和应用材料制备候选材料微观结构应用提供制备过程制备匹配嵌入

[发明专利]一种掺银纳米线的纳米碳球电极材料的制备方法-CN202010654723.9在审
发明人：朱冬祥 -专利权人：浙江奚态生物科技有限公司
申请日： 2020-07-09 - 公布日： 2020-10-09 - 主分类号： H01G11/86 文献下载
摘要：一种掺银纳米线的纳米碳球电极材料的制备方法，包括以下步骤：步骤一：制备得到纳米高分子球；步骤二：制备得到掺银纳米线的纳米高分子球；步骤三：将掺银纳米线的纳米高分子球置于管式炉中，在氮气氛围中按升温速率1℃/min升至300℃后按15℃/min升至600℃，并在600℃下保温2h，待冷却至室温后即得到掺银纳米线的纳米碳球电极材料。本发明公开的一种掺银纳米线的纳米碳球电极材料，克服传统电极材料电阻大的缺陷，将银纳米线包裹到纳米碳球中，使得银纳米线与负载到纳米碳球上的银离子互相作用，可以使得掺银纳米线的纳米碳球电极材料的电容增大。
一种纳米电极材料制备方法

[发明专利]一种Au@AuPd核-壳纳米球及其制备方法、靶向纳米放射增敏剂及其制备方法-CN202110024726.9在审
发明人：朵燕红 -专利权人：深圳万物创新集团有限公司
申请日： 2021-01-08 - 公布日： 2021-04-30 - 主分类号： A61K41/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种Au@AuPd核‑壳纳米球，包括金纳米球以及生长于所述金纳米球表面上的AuPd二维纳米薄膜层，所述金纳米球与AuPd二维纳米薄膜层组成Au@AuPd核‑壳纳米球；所述Au@AuPd核‑壳纳米球的直径为本发明还提供了Au@AuPd核‑壳纳米球的制备方法、靶向纳米放射增敏剂及其制备方法。本发明Au@AuPd核‑壳纳米球具有放射增敏的性能，再结合AuPd二维纳米薄膜层的产氧功能，使得本发明Au@AuPd核‑壳纳米球的光动力治疗效果大大提升，肿瘤细胞辐照存活率大大降低。
一种 au aupd 纳米及其制备方法靶向放射增敏剂

[发明专利]一种氧化钇双级纳米球及其制备方法-CN201810781189.0有效
发明人：张相良;张华;刘勇 -专利权人：信丰县包钢新利稀土有限责任公司
申请日： 2018-07-17 - 公布日： 2020-05-08 - 主分类号： C01F17/218 文献下载
摘要：本发明公开一种氧化钇双级纳米球，所述氧化钇双级纳米球是由氧化钇一级纳米球与氧化钇二级纳米球聚集而成，所述的二级纳米球直径为20～150nm，一级纳米球直径小于5nm；一级纳米球与二级纳米球的比例为10:跟进一步的，所述一级纳米球位于二级纳米球的堆砌空间内。本发明还公开了上述氧化钇双击纳米球的制备方法。与一般直接液相沉淀法相比，标的物球化度及晶化程度高，表面光滑，因而不仅可避免团聚现象，而且可显著降低杂质的机械夹杂，使得产品物理性能优异而化学纯度高。
一种氧化钇纳米及其制备方法

[发明专利]一种多功能组合型纳米图形制作方法-CN201410658845.X有效
发明人：张勇辉;魏同波;王军喜;李晋闽 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2014-11-18 - 公布日： 2015-02-18 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种多功能组合型纳米图形阵列制作方法，包含以下步骤：在衬底上旋涂一层光刻胶；在光刻胶上涂一单层透明微纳米球；在预定波长的光照下，利用透明微纳米球的聚光作用，将涂覆在衬底上的光刻胶曝光，形成图形阵列；将整个样品连带透明微纳米球浸入显影液中显影，从而腐蚀光刻胶被曝光的地方；利用干法刻蚀方法刻蚀微纳米球，使微纳米球缩小，从而在微纳米球之间产生间距；利用微纳米球做为掩膜，干法刻蚀光刻胶；去除残留的微纳米球，完成纳米图形阵列制备。本发明结合了微纳米球做透镜的光刻方法和利用微纳米球做掩膜的光刻方法可以产生更多特殊图案的纳米图形。
一种多功能组合纳米图形制作方法

[发明专利]一种单层密排纳米微球阵列的制备方法-CN201610033401.6有效
发明人：黄胜利;余彬彬;赵瑞胜;李定国;刘璟;李书平;康俊勇 -专利权人：厦门大学;集美大学
申请日： 2016-01-19 - 公布日： 2016-11-23 - 主分类号： B82B3/00 文献下载
摘要：一种单层密排纳米微球阵列的制备方法，涉及纳米微球。利用搭建的单层密排纳米微球阵列制备装置，把基片按一定位置和方向安置到装置中，通过水的浮力和表面活性剂的作用让纳米微球单层密排在水面上，缓慢平移一套装有待排列纳米微球阵列的第二基片夹支架，将第二基片置于水面单层密排纳米微球区域正下方，再缓慢排水以让纳米微球阵列转移到基片表面，并通过退火以让纳米微球阵列密排在基片上。所形成的纳米微球阵列除了本身二维结构特性应用，还可作为纳米微球模板用于制备更精细结构的大面积二维纳米球壳阵列、二维纳米颗粒阵列及二维异质结纳米薄层阵列，适用于纳米科学、纳米加工工程等领域。
一种单层纳米阵列制备方法

[发明专利]一种合成高纯度碳纳米球及碳微球的方法-CN200810030877.X无效
发明人：谢永贵;黄启忠;黄伯云 -专利权人：中南大学
申请日： 2008-03-24 - 公布日： 2008-08-20 - 主分类号： C01B31/02 文献下载
摘要：一种低温合成高纯度碳纳米球及碳微球的方法，以碳化钙与二水草酸为原料，碳化钙与二水草酸的摩尔比是2∶1－6∶1，在密闭耐压反应器中加热至65－250℃，反应30－120分钟，反应完成后冷却至室温，得到碳纳米球及碳微球，碳纳米球及碳微球直径在几十至几百纳米。本发明方法所得产品碳纳米球及碳微球的纯度高，碳纳米球及碳微球的含碳量高，且碳纳米球及碳微球的尺寸较均匀。
一种合成纯度纳米碳微球方法

[发明专利]酪蛋白或酪蛋白-聚丙烯酸复合物的纳米微球或空心球及其制法和用途-CN200910184607.9无效
发明人：蒋锡群;刘成杰 -专利权人：南京大学
申请日： 2009-08-21 - 公布日： 2010-02-17 - 主分类号： A61K47/42 文献下载
摘要：一种酪蛋白-聚丙烯酸复合物的纳米微球或纳米空心球，它由酪蛋白和聚丙烯酸的复合物组成，纳米微球或纳米空心球的平均粒径为170-370nm，以及一种交联酪蛋白的纳米微球或纳米空心球，它由交联的酪蛋白组成，纳米微球或纳米空心球的平均粒径为本发明交联酪蛋白的纳米微球或纳米空心球，具有良好的生物相容性和生物可降解性，不易引起机体免疫反应，其降解产物不仅能够被人体吸收代谢，而且对人体具有治疗作用和营养功效等特点，因此可以作为药物的载体。
蛋白聚丙烯复合物纳米空心球及其制法用途

[发明专利]一种含NMN的纳米微球及其制备方法-CN202110201451.1在审
发明人：游林;贺金华;毛艳;周佳佳 -专利权人：成都西域从容生物科技有限公司
申请日： 2021-02-23 - 公布日： 2021-06-18 - 主分类号： A61K9/52 文献下载
摘要：本发明公开了一种含NMN的纳米微球及其制备方法，该含NMN的纳米微球包括NMN纳米球，NMN纳米球外部包覆有载体纳米球，载体纳米球包括以下重量份组分：大麦醇溶蛋白10‑20份、霍山石斛多糖纳米球20‑35本发明制备方法简单，条件温和，且制得的含NMN的纳米微球光稳定性和抗氧化性能佳，能够长时间储存。
一种 nmn 纳米及其制备方法

[发明专利]一种增强金纳米球荧光强度的方法及装置-CN201811430932.4在审
发明人：秦成兵;张晓荣;张国锋;高岩;陈瑞云;肖连团;贾锁堂 -专利权人：山西大学
申请日： 2018-11-28 - 公布日： 2019-04-09 - 主分类号： G01N21/64 文献下载
摘要：本发明属于纳米材料和光学领域。一种增强金纳米球荧光强度的方法，连续激光在直径为150‑170纳米的团聚的金纳米球颗粒（4）上聚焦激发团聚的金纳米球颗粒（4）获得金纳米球荧光，金纳米球荧光随着激光照射时间的增加而增强，当激光照射时间达到本发明还涉及一种通过连续激光照射团聚的金纳米球增强其荧光强度的其装置。本发明通过近紫外连续激光照射团聚的金纳米球，使相邻金纳米球在光热效应的作用下产生焊接效果，进而产生极强的局域表面等离增强效应，使得金纳米球的荧光强度增强150倍以上。
金纳米球荧光激光照射连续激光团聚照射光热效应光学领域局域表面纳米材料强度增强近紫外焊接聚焦激发

[发明专利]一种增强金纳米球荧光强度的方法及装置-CN201811403930.6有效
发明人：秦成兵;张晓荣;张国锋;高岩;陈瑞云;肖连团;贾锁堂 -专利权人：山西大学
申请日： 2018-11-23 - 公布日： 2021-07-02 - 主分类号： G01N21/64 文献下载
摘要：本发明属于纳米材料和光学领域。一种增强金纳米球荧光强度的方法，连续激光在直径为150‑170纳米的团聚的金纳米球颗粒（4）上聚焦激发团聚的金纳米球颗粒（4）获得金纳米球荧光，金纳米球荧光随着激光照射时间的增加而增强，当激光照射时间达到本发明还涉及一种通过连续激光照射团聚的金纳米球增强其荧光强度的其装置。本发明通过近紫外连续激光照射团聚的金纳米球，使相邻金纳米球在光热效应的作用下产生焊接效果，进而产生极强的局域表面等离增强效应，使得金纳米球的荧光强度增强150倍以上。
一种增强纳米荧光强度方法装置

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