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[发明专利]测量等离子体频率监控等离子体处理系统中处理的方法和装置-CN200580039838.0无效
发明人：程家成;蒂莫西·J·吉尼;拉奥·安纳普拉加达;苏布哈什·德希穆克 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2005-09-23 - 公布日： 2007-12-12 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：公开了一种用于在具有处理室的等离子体系统中原位监控处理的方法。该方法包括在等离子体处理室中定位衬底。该方法还包括在将衬底设置在等离子体处理室内时在等离子体处理室中撞击等离子体。该方法进一步包括获得撞击等离子体之后存在的测量等离子体频率，该等离子体频率值具有当等离子体不存在时的第一值以及当等离子体存在时的不同于第一值的至少一个第二值。该方法还包括如果等离子体频率值在预定等离子体频率值包络之外，则使测量等离子体频率值与处理的属性相关。
测量等离子体频率监控等离子体处理系统方法装置

[发明专利]一种石墨烯动态调控表面等离激元等离子体频率的方法-CN202210144024.9在审
发明人：张翼飞;冯明明;王卿璞 -专利权人：山东大学
申请日： 2022-02-17 - 公布日： 2022-06-10 - 主分类号： G02F1/01 文献下载
摘要：本发明涉及一种石墨烯动态调控表面等离激元等离子体频率的方法，包括：(1)制备动态调控表面等离激元等离子体频率的器件，具体是指：在衬底层由下自上依次生长传输线金属层、周期性石墨烯凹槽层、调控石墨烯电导率的栅介质层；(2)通过给步骤(1)制备的动态调控表面等离激元等离子体频率的器件施加直流偏置改变石墨烯的电导率，动态调控表面等离激元的等离子体频率。本发明通过离子液体辅助形成的电双层电容器给石墨烯施加偏压改变石墨烯的电导率，而表面等离激元的等离子体频率与周期性凹槽的槽深直接相关，石墨烯电导率与石墨烯凹槽的等效槽深正相关，电导率的变化引起等效槽深的改变，因此实现对等离子体频率的动态调控。
一种石墨动态调控表面离激元等离子体频率方法

[发明专利]一种通过调制等离子体频率设计网格结构人工材料的方法-CN200810104291.3无效
发明人：史浩飞;刘立媛;邓启凌;罗先刚;杜春雷 -专利权人：中国科学院光电技术研究所
申请日： 2008-04-17 - 公布日： 2008-11-26 - 主分类号： H01B5/00 文献下载
摘要：一种通过调制等离子体频率设计网格结构人工材料的方法，其特征在于：包括下列步骤：(1)假设所需人工材料的等离子体频率为ω_p；(2)选择金属线材料，并将其组成网格单元结构；(3)根据公式可以获得该等离子体频率与金属线截面周长以及单元网格面积之间的关系；(4)通过选择金属线截面周长以及网格单元一个面的面积，可以得到所需的等离子体频率；(5)根据金属线截面的具体形状，确定金属线的尺寸；(6)确定网格单元的个数及整个网络结构的排布方式；(7)利用现有技术进行加工得到所需材料本发明方法简单，采用一个简单的公式即可以满足设计的要求；且对于一个等离子体频率可以有多个组合满足要求，使得可选择的制作方法范围更广。
一种通过调制等离子体频率设计网格结构人工材料方法

[发明专利]一种二维等离子体光子晶体带隙控制方法-CN201310150602.0有效
发明人：杨利霞;陈伟;施卫东;许红蕾;郑晶 -专利权人：江苏大学
申请日： 2013-04-27 - 公布日： 2013-08-07 - 主分类号： G02B6/122 文献下载
摘要：本发明公开了一种二维等离子体光子晶体带隙控制方法，通过建立二维等离子体光子晶体模型，利用模型的反射系数，获取二维等离子体光子晶体带隙大小；利用高斯脉冲函数来表示等离子体频率，通过高斯脉冲函数表达式的变化来调节和控制二维等离子体光子晶体带隙大小依据本发明技术方案，无需改变模型的分布，通过改变等离子体频率的大小，实现二维等离子体光子晶体带隙控制，简易直接，对模型要求低。本发明适用于高频情况下对等离子体光子晶体带隙的调控。
一种二维等离子体光子晶体控制方法

[发明专利]一种半导体等离子体频率测量方法-CN201210216218.1有效
发明人：杨涛;黄维;蔡祥宝;李兴鳌;刘辉;何浩培;周馨慧;王建云 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2012-06-28 - 公布日： 2012-10-10 - 主分类号： G01N21/55 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体等离子体频率测量方法。本发明首先将两个金属刀片平行设置在待测半导体表面上方，然后向其中一个刀片刃口与待测半导体表面之间的狭缝发射宽频电磁波，在待测半导体表面激发出表面等离子体波，并利用设置在另一刀片外侧的光谱分析装置接收耦合出的电磁波；通过调整宽频电磁波频率以及两个刀片的间距，使得光谱分析装置刚好不能接收到入射宽频电磁波的全部频率信号，记录下此时光谱分析装置所能探测到的最大频率值；将该最大频率值乘以，即为待测半导体的等离子体频率。本发明方法利用表面等离子体波在半导体表面的传播特性对半导体等离子体频率进行准确实时地测量，具有实现成本低、对半导体无损伤、测量范围广等优点。
一种半导体等离子体频率测量方法

[发明专利]太赫兹表面等离子体波温度控制开关及其控制方法-CN201010578297.1无效
发明人：杨涛;何浩培;仪明东;黄维;李兴鳌 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2010-12-08 - 公布日： 2011-09-07 - 主分类号： H01P1/15 文献下载
摘要：太赫兹表面等离子体波温度控制开关及控制方法涉及到一种太赫兹表面等离子体波温度控制装置，和利用本征半导体等离子体频率随温度变化的特性调制太赫兹表面等离子体波的一种方法。该开关包括一个等离子体频率在常温下处于太赫兹波段的本征半导体晶片(2)、两个平行放置的刀片(3)、以及一个温度控制器(5)，两个刀片(3)垂直于本征半导体晶片(2)，两个刀片(3)的刀口离本征半导体晶片(2)上表面的距离小于最大频率的太赫兹表面等离子体波(4)在空气中的衰减距离，采用刀片(3)将太赫兹波转化为太赫兹表面等离子体波，以及过程相反的转化，通过温度控制器(5)控制本征半导体晶片(2)温度，从而改变该本征半导体的载流子浓度
赫兹表面等离子体温度控制开关及其方法

[发明专利]一种调节表面等离子体共振频率的方法-CN201811228022.8在审
发明人：魏志鹏;王登魁;方铉;房丹;唐吉龙;郝永芹;闫昊;王晓华;马晓辉 -专利权人：长春理工大学
申请日： 2018-10-22 - 公布日： 2019-04-02 - 主分类号： G01N21/3563 文献下载
摘要：本发明涉及一种调节表面等离子体共振频率的方法，该方法是在ITO薄膜的上表面和下表面之间施加恒定电场，通过施加的恒定电场调节ITO材料表面的载流子浓度，ITO材料的表面等离子体频率与该材料表面的载流子浓度决定，利用对ITO材料的载流子浓度的调节间接改变重掺杂ITO材料的改变表面等离子体共振频率，最终实现对ITO材料表面等离子体共振频率实时动态调节的目的。本发明提出的这种方法简单且对表面等离子体共振频率能够实时动态调节，解决现有技术中对表面等离子体共振频率不能实时动态调节、调节技术复杂的难题。
表面等离子体共振载流子实时动态恒定电场施加表面等离子体上表面下表面重掺杂

[发明专利]基于人工表面等离子体的太赫兹波调制方法、器件及装置-CN201510062156.7有效
发明人：杨涛;蒋冰;李兴鳌;黄维;何浩培;周馨慧 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2015-02-05 - 公布日： 2017-12-12 - 主分类号： G02F1/01 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于人工表面等离子体的太赫兹波调制方法，属于电磁波调制技术领域。本发明以构建在金属表面的两个一维金属光栅作为人工表面等离子体波的两个传输通道，一个一维金属光栅的等效表面等离子体频率大于所要调制的太赫兹波的最大频率，另一个一维金属光栅的等效表面等离子体频率小于所要调制的太赫兹波的最小频率本发明还公开了一种基于人工表面等离子体的太赫兹波调制器件及调制装置。本发明可在正常温度下实现太赫兹波调制，且调制器件调谐频带宽、硬件材料选择范围广，调制过程操作简单、灵活并具有亚波长约束的优势。
基于人工表面等离子体赫兹调制方法器件装置

[其他]离子推进器、卫星和空间探测器-CN201690001163.4有效
发明人： D·拉法尔斯基;A·安内斯兰德 -专利权人：综合工科学校;国家科研中心
申请日： 2016-08-30 - 公布日： 2019-08-09 - 主分类号： F03H1/00 文献下载
摘要：离子推进器、卫星和空间探测器。本实用新型涉及离子推进器，离子推进器包括：舱室；容器，容器包括容纳在舱室中的固体推进剂，并且包括设置有孔的导电护套；用于在舱室中形成离子‑电子等离子体的装置，该装置能够使容器中的固体推进剂升华，然后在舱室中从通过孔来自容器的升华的推进剂生成等离子体；用于提取和加速来自舱室的等离子体中的离子和电子的装置，该装置包括在舱室的一个端部处的至少两个格栅；射频AC电压源，该射频AC电压源用于生成包括在离子的等离子体频率到电子的等离子体频率之间的射频信号，该源与电容器串联设置并且通过其一个输出端并经由该电容器
舱室离子推进器格栅等离子体离子等离子体频率固体推进剂空间探测器输出端射频电容器电子等离子体本实用新型电容器串联升华导电护套射频信号卫星电压源通过孔推进剂容纳

[发明专利]用于远程感测等离子体的系统和方法-CN201880023299.9有效
发明人： P·J·麦克纳利;S·凯利 -专利权人：都柏林城市大学
申请日： 2018-03-23 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种用于远程监测等离子体(3)的方法和系统，该系统包括位于耦合等离子体源的近电磁场中的磁场天线(2)，其中，该磁场天线是置于该近电磁场中的磁环天线并测量从该等离子体源发射的近场信号。通过对驱动频率的高次谐波上所存在的谐振特征进行拟合来评估诸如串联或几何谐振等离子体频率、和电子中性碰撞频率之类的等离子体参数，以标识制造等离子体系统中常见的电弧、泵、或匹配失效事件。
用于远程等离子体系统方法

[发明专利]一种等离子体微波隔离装置、微波隔离方法及装置应用-CN201410116955.3无效
发明人：孔祥鲲;刘少斌;袁佳琳;杨欢;李海明;丁国文;卞博锐 -专利权人：南京航空航天大学
申请日： 2014-03-26 - 公布日： 2014-08-13 - 主分类号： H01P1/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种等离子体微波隔离装置、利用该装置进行微波隔离方法及装置应用。本发明的装置包括由A’(BA)N型结构多层材料周期排列而成的一维电磁超材料，其中Ｎ为周期数。A和A’同为非线性等离子体层，但厚度不等，B层为与A层相匹配的介电常数和磁导率同为负值的线性电磁超材料层，通过调节A层的线性介电常数和磁导率、B层线性介电常数和磁导率以及A层和B层的电等离子体频率和磁等离子体频率实现对微波的隔离
一种等离子体微波隔离装置方法应用

[发明专利]基于多电子束与等离子体相互作用的太赫兹辐射产生方法-CN202110109421.8有效
发明人：杨生鹏;宫玉彬;王少萌;王战亮 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2021-01-27 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： H01S1/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于多电子束与等离子体相互作用的太赫兹辐射产生方法，先利用等离子体源电离中性气体，在真空腔内产生一定密度范围的等离子体；再将多个(两个或两个以上)电子束以一定的发射夹角注入等离子体中，通过预先调节电子束之间的发射夹角，使多个电子束在等离子体内部形成会聚点，当多个电子束在等离子体内部会聚到一点，将在此会聚点处激发等离子体波；最后等离子体波将引起电子束会聚点处的电子振荡，从而激发频率位于等离子体频率及其倍频的高功率太赫兹辐射
基于电子束等离子体相互作用赫兹辐射产生方法

[发明专利]发光元件、光源装置和投影显示装置-CN201080049200.6有效
发明人：枣田昌尚;富永慎;斋藤悟郎;今井雅雄 -专利权人：日本电气株式会社
申请日： 2010-10-14 - 公布日： 2012-07-18 - 主分类号： H05B33/02 文献下载
摘要：方向性控制层(5)具有在光源层(4)的与其基板(10)侧相反的侧层叠并且具有高于从光源层(4)出射的光的频率的等离子体频率的等离子体激元激发层(15)，和在等离子体激元激发层(15)上层叠并且转换从等离子体激元激发层等离子体激元激发层(15)被夹在低介电常数层(14)和高介电常数层(16)之间。
发光元件光源装置投影显示装置

[发明专利]等离子体窗口定向天线-CN200810123886.3无效
发明人：刘少斌;尹昌刚 -专利权人：南京航空航天大学
申请日： 2008-05-27 - 公布日： 2008-10-15 - 主分类号： H01Q1/26 文献下载
摘要：一种等离子体窗口定向天线，属于天线技术领域。其特征在于：包括位于中心的天线单元，包括包围在天线单元四周的若干包层单元；当某一包层单元中等离子体的频率低于天线单元辐射电磁波的频率时，即形成窗口，电磁波从该方向上传播出去；某一角度上等离子体频率低于天线单元辐射电磁波频率的包层单元数决定了窗口的大小
等离子体窗口定向天线

[实用新型]等离子体窗口定向天线-CN200820036491.5无效
发明人：刘少斌;尹昌刚 -专利权人：南京航空航天大学
申请日： 2008-05-27 - 公布日： 2009-03-18 - 主分类号： H01Q1/26 文献下载
摘要：一种等离子体窗口定向天线，属于天线技术领域。其特征在于：包括位于中心的天线单元，包括包围在天线单元四周的若干包层单元；当某一包层单元中等离子体的频率低于天线单元辐射电磁波的频率时，即形成窗口，电磁波从该方向上传播出去；某一角度上等离子体频率低于天线单元辐射电磁波频率的包层单元数决定了窗口的大小
等离子体窗口定向天线

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