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[发明专利]等离子体处理装置和等离子体处理方法-CN200480014926.0无效
发明人：野泽俊久;石桥清隆;中西敏雄 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2004-05-31 - 公布日： 2006-07-05 - 主分类号： H01L21/31 文献下载
摘要：本发明提供一种等离子体发生装置，可以抑制由产生等离子体引起的对被处理体的损坏，进行适当的等离子体处理。该等离子体处理装置至少包含：对被处理体进行等离子体处理的等离子体处理室；将所述被处理体配置在所述等离子体处理室内的被处理体保持机构；和在该等离子体处理室内产生等离子体的等离子体发生机构，其中等离子体发生机构使用可供给间断的能量的装置
等离子体处理装置方法

[发明专利]等离子体处理装置和等离子体处理方法-CN201910437815.9有效
发明人：松浦广行 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2019-05-24 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供等离子体处理装置和等离子体处理方法，能够抑制由于生成等离子体而导致的等离子体生成部的损伤。等离子体处理装置包括具有等离子体电极的等离子体生成部，能够对收纳在处理容器内的基片进行等离子体处理，上述等离子体生成部的至少与所述等离子体电极相对的部分由合成石英形成。
等离子体处理装置方法

[发明专利]等离子体水处理方法及其装置-CN200810020181.9有效
发明人：汪峰 -专利权人：汪峰
申请日： 2008-03-27 - 公布日： 2008-09-03 - 主分类号： C02F1/30 文献下载
摘要：本发明涉及等离子体水处理方法及其装置。等离子体水处理方法，包括以下步骤：将待处理水通入等离子体反应器内；接通等离子体反应器的气源；接通等离子体反应器的电源，等离子体反应器产生等离子体，利用等离子体对水进行处理；将处理后的水排出。等离子体水处理装置，包括等离子体反应器，等离子体反应器上设置进水口及出水口，等离子体反应器上装置至少一对等离子放弧枪，等离子放弧枪相对设置并与气源及电源连接。本发明提供了一种可连续生产、效率高的等离子体水处理方法，并且提供了一种结构简单的等离子体水处理装置。
等离子体水处理方法及其装置

[发明专利]等离子体观测系统和等离子体观测方法-CN202110054765.3在审
发明人：山崎良二;宫下大幸;佐藤幹夫 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2021-01-15 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供一种等离子体观测系统和等离子体观测方法，用于进行处理容器内的等离子体的观测地点的确定和观测地点的等离子体的状态的判定。所述等离子体观测系统具有：等离子体处理装置，在该等离子体处理装置的处理容器内通过等离子体对基板进行处理；以及测定装置，其测定所述等离子体，其中，所述等离子体处理装置具有多个观测窗，所述多个观测窗能够观测所述处理容器中等离子体的发光状态，所述测定装置具有：受光器，其从多个观测窗接受在所述处理容器内交叉的多个光；以及控制部，其基于接受到的多个光来进行等离子体的观测地点的确定和所述观测地点的等离子体的状态判定。
等离子体观测系统方法

[发明专利]等离子体处理装置-CN200610058370.6无效
发明人：里吉务;山本浩司;田中勇一郎 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2006-03-03 - 公布日： 2006-09-27 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明提供一种等离子体处理装置，在等离子体处理装置的处理室内的等离子体密度局部偏高的部位插入屏风部件，使等离子体失去活性，使等离子体密度均匀化。其特征在于，在等离子体处理装置(1)中，在处理室(3)内的等离子体密度局部偏高的部位上，设置使等离子体失去活性的屏风部件，使对被处理基板(G)的等离子体蚀刻率均匀化。
等离子体处理装置

[发明专利]等离子体处理装置的清理方法和等离子体处理方法-CN201210181932.1无效
发明人：田原慈;西村荣一 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2012-04-13 - 公布日： 2012-10-17 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种能够防止构成等离子体生成室的包含硅的部件引起的微粒附着到被处理基板上的等离子体处理装置的清理方法和等离子体处理方法。该等离子体处理装置具备：具有包含硅的结构部件、激发处理气体而生成等离子体的等离子体生成室；经由间隔部件与上述等离子体生成室连通的等离子体处理室；和配置于在等离子体生成室的电介质窗外侧的平面状高频天线，该清理方法在等离子体生成室内对包含氢气的处理气体进行等离子体激发，将生成的氢自由基经由上述间隔部件导入到上述等离子体处理室中，并使其作用于被处理基板来实施等离子体处理，将被处理基板搬出后，向等离子体生成室内导入四氟化碳气体，来除去堆积在等离子体生成室内的硅类堆积物。
等离子体处理装置清理方法

[发明专利]用于最小化等离子体处理室内的电弧的装置和方法-CN03810377.X有效
发明人：阿瑟·M·霍瓦尔德;安德拉斯·库蒂;安德鲁三世·D·贝利;布彻·伯尼 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2003-05-01 - 公布日： 2005-08-10 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明披露了一种用于处理基片以在其上形成电子元件的等离子体处理室。该等离子体处理室包括具有在基片处理过程中面向等离子体处理室内的等离子体的面向等离子体的表面的面向等离子体元件。该面向等离子体元件与接地端子电绝缘。该等离子体处理室还包括连接到面向等离子体元件的接地装置，该接地装置包括设置在面向等离子体元件和接地端子之间的第一电流通路内的第一电阻电路。该接地装置还包括设置在面向等离子体元件和接地端子之间的至少其它一个电流通路内的RF滤波器装置，其中，选择第一电阻电路的阻抗值，以基本上消除在基片处理过程中等离子体和面向等离子体元件之间的电弧。
用于最小化等离子体处理室内电弧装置方法

[发明专利]等离子体处理装置及用于运行等离子体处理装置的方法-CN201780063133.5有效
发明人： J·马伊 -专利权人：迈尔博尔格(德国)有限公司
申请日： 2017-10-10 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有处理腔室、至少一对微波等离子体源和至少一个电源的等离子体处理装置。每对微波等离子体源由第一微波等离子体源和第二微波等离子体源组成，其中，第一微波等离子体源和第二微波等离子体源分别具有等离子体源壁部，并且在该等离子体源壁部之内具有微波耦入装置和等离子体电极。第一微波等离子体源和第二微波等离子体源在处理腔室内部布置在一个或多个待处理的衬底的相同的侧上且彼此相邻地布置。第一微波等离子体源和第二微波等离子体源的等离子体电极彼此电绝缘并且与至少一个电源导电地连接。在此，至少一个电源适合于，使第一微波等离子体源和第二微波等离子体源得等离子体电极加载以不同的电势。此外，本发明涉及一种用于运行这样的等离子体处理装置的方法。
等离子体处理装置用于运行方法

[发明专利]等离子体处理系统中的等离子体限制结构-CN200980150203.6有效
发明人：艾利克·哈德森;安德里亚斯·费舍尔 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2009-12-16 - 公布日： 2011-11-16 - 主分类号： H05H1/24 文献下载
摘要：提供了一种配置为用于在衬底的等离子体处理中限制等离子体处理室中的等离子体的可移动等离子体限制结构。该可移动等离子体限制结构包括配置为环绕该等离子体的可移动面向等离子体结构。该可移动等离子体限制结构还包括可移动导电结构，该可移动导电结构设置于可移动面向等离子体结构的外部且配置与所述可移动面向等离子体结构作为单个装置展开和收缩以促进该衬底的处理。可移动导电结构在等离子体处理中射频(RF)接地。在等离子体处理中可移动面向等离子体结构配置于等离子体和可移动导电结构之间以便在等离子体处理中来自于等离子体的RF流经由面向等离子体结构流向可移动导电结构。
等离子体处理系统中的限制结构

[发明专利]等离子体处理方法和等离子体处理装置-CN202010177559.7在审
发明人：酒井永典 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2020-03-13 - 公布日： 2020-09-29 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种等离子体处理方法和等离子体处理装置，能够高精度地判定等离子体处理装置的内壁的状态。使用了测定等离子体处理装置内的等离子体发光强度的检测器的等离子体处理方法包括以下工序：利用所述检测器来检测使用具有第一光轴的光测定出的第一等离子体发光强度，所述第一光轴是通过等离子体的生成区域后到达所述等离子体处理装置的内壁的光轴；利用所述检测器来检测使用具有第二光轴的光测定出的第二等离子体发光强度，所述第二光轴是以不通过等离子体的生成区域的方式到达所述等离子体处理装置的内壁的光轴；以及基于检测出的所述第一等离子体发光强度与所述第二等离子体发光强度的差或比率，来判定所述等离子体处理装置的内壁的状态。
等离子体处理方法装置

[发明专利]基于大气压冷等离子体的茶叶农残降解与消毒装置及方法-CN202110423841.3有效
发明人：赵彤;王梓宸;邹亮;王晓龙;张远涛;孙滢;吕悦 -专利权人：山东大学
申请日： 2021-04-20 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H05H1/24 文献下载
摘要：本公开公开的基于大气压冷等离子体的茶叶农残降解与消毒装置及方法，包括：等离子体处理仓和大气压冷等离子体制备装置，大气压冷等离子体制备装置与等离子体射流阵列连接，等离子体射流阵列经旋转驱动装置安装于等离子体处理仓内壁上，旋转驱动装置驱动等离子体射流阵列沿等离子体处理仓径向摆动，大气压冷等离子体制备装置制备的大气压冷等离子体经等离子体射流阵列进入等离子体处理仓内，对茶叶进行农残降解与消毒杀菌。利用大气压冷等离子体对茶叶进行农残降解及杀菌消毒，实现了茶叶表面农药残留的降解以及细菌真菌等微生物的杀灭，同时不会对茶叶本身状态与口感产生破坏。
基于大气压等离子体茶叶降解消毒装置方法

[发明专利]等离子体处理方法以及等离子体处理装置-CN201310330382.X有效
发明人：武藤悟;小野哲郎;大越康雄;永德宏文 -专利权人：株式会社日立高新技术
申请日： 2013-08-01 - 公布日： 2014-10-15 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种随着等离子体处理时间的经过，使等离子体的离解状态逐渐地变化，从而能够进行期望的等离子体处理的等离子体处理方法以及等离子体处理装置。在本发明中，在使用具备对试样进行等离子体处理的等离子体处理室、供给等离子体生成用的第一高频电力的第一高频电源、以及对载置所述试样的试样台供给第二高频电力的第二高频电源的等离子体处理装置的等离子体处理方法中，通过第一脉冲对所述第一高频电力进行调制，通过随着等离子体处理时间的经过逐渐地控制所述第一脉冲的占空比，将等离子体的离解状态控制为期望的离解状态。
等离子体处理方法以及装置

[发明专利]等离子体处理装置和等离子体处理方法-CN202010081427.4在审
发明人：青木裕介;高田郁弥;户花敏胜;森北信也;藤原一延;阿部淳;永海幸一 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2020-02-06 - 公布日： 2020-08-21 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供等离子体处理装置和等离子体处理方法。例示的实施方式的等离子体处理装置，在对基片的等离子体处理和等离子体清洁中，在腔室内生成等离子体，从直流电源装置将脉冲状的负极性的直流电压周期性地施加到上部电极。对基片的等离子体处理时的脉冲状的负极性的直流电压的占空比小于等离子体清洁时的该占空比。对基片的等离子体处理时的直流电源装置的输出电压的平均值的绝对值，小于等离子体清洁时的直流电源装置的输出电压的平均值的绝对值。本发明能够在对基片的等离子体处理中抑制腔室内的内壁面的损伤，并且通过等离子体清洁有效地除去形成于内壁面上的沉积物。
等离子体处理装置方法

[发明专利]等离子体处理装置-CN202110038794.0在审
发明人：铃木泰雄;铃木洋和 -专利权人：等离子体成膜有限公司
申请日： 2021-01-12 - 公布日： 2022-07-19 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种等离子体处理装置。所述等离子体处理装置包括对基材(X)进行等离子体处理的多个等离子体处理室(S2～S6)、将基材(X)以立起状态保持的托盘(Y)、将托盘(Y)连续输送到多个等离子体处理室(S2～S6)的升降机构(10)，所述等离子体处理装置即使对难以卷绕到辊上的基材也能够连续进行等离子体处理。
等离子体处理装置

[发明专利]等离子体约束装置-CN200610116449.X有效
发明人：倪图强;陈金元;钱青;付越虹;徐朝阳;周旭升;王晔 -专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
申请日： 2006-09-22 - 公布日： 2008-03-26 - 主分类号： H05H1/03 文献下载
摘要：一种用于等离子体处理装置的等离子体约束装置，其设置于所述等离子体处理装置的处理区域和排气区域之间。所述等离子约束装置具有导电元件，所述导电元件形成有若干个通道，以便控制用过的反应气体及副产品气体的排出并且当其中的带电粒子通过时将它们电中和，从而将等离子体放电基本约束在处理区域以内。所述等离子体约束装置还包括电气接地元件，设置于所述导电元件下方并与所述导电元件相互电绝缘。本发明的等离子体约束装置能够有效减少等离子体处理装置处理区域外的不希望的等离子体的形成，从而解决等离子体处理装置腔体污染问题。
等离子体约束装置

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