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[实用新型]一种空气桥及量子器件-CN202321335884.7有效
发明人：请求不公布姓名;请求不公布姓名;赵勇杰 -专利权人：本源量子计算科技（合肥）股份有限公司
申请日： 2023-05-26 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H10N60/82 文献下载
摘要：本申请公开了一种空气桥及量子器件，属于微电子电路领域。本申请提供的空气桥，包括叠置的第一子空气桥和第二子空气桥，且第一子空气桥的硬度大于第二子空气桥，从而提升空气桥整体的结构稳定性。本申请通过多个子空气桥复合形成空气桥，构建一硬度较大的子空气桥作为整体结构的支撑，增加了空气桥的结构稳定性，从而有助于降低空气桥发生变形和坍塌的风险。
一种空气量子器件

[发明专利]一种高品质因数的薄膜体声波谐振器的优选结构-CN201911392114.4有效
发明人：赵洪元;朱健 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2019-12-30 - 公布日： 2021-05-04 - 主分类号： H03H9/17 文献下载
摘要：本发明涉及一种高品质因数的薄膜体声波谐振器的优选结构，包括上表面带有凹槽的衬底、位于衬底上方的底电极层、压电层，其特征在于，还包括带有异形空气桥结构的顶电极层，该空气桥结构内设有可起到对横向声波回弹作用的声回弹结构；该声回弹结构为与异形空气桥结构的桥腔相向的凸形或梯形多面体并以卧式设置在异形空气桥结构的桥腔上方区域，该声回弹结构的顶端面嵌入并与异形空气桥结构的桥腔仰顶面凹槽紧贴，该声回弹结构的底端面与异形空气桥结构的桥腔下方区域悬空结构之间留有空气间隙，该声回弹结构的左侧面和右侧面分别嵌入并与异形空气桥结构的桥腔支撑结构相邻的内侧面的凹槽紧贴。
一种品质因数薄膜声波谐振器优选结构

[发明专利]一种高品质因数的薄膜体声波谐振器的优选结构-CN201911392190.5有效
发明人：赵洪元;夏燕 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2019-12-30 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H03H9/17 文献下载
摘要：本发明涉及一种高品质因数的薄膜体声波谐振器的优选结构，包括上表面带有凹槽的衬底、位于衬底上方的底电极层、压电层，其特征在于，还包括带有凸形空气桥结构的顶电极层，凸形空气桥结构内设有可起到对横向声波回弹作用的声回弹结构；所述声回弹结构的上下两端面分别与压电层和空气桥结构紧贴，形成水平传播方向的声阻抗不匹配界面；声回弹结构为与凸形空气桥结构的桥腔相向的多面体并以竖式设置在压电层与空气桥结构的桥腔悬空区域，声回弹结构的上端面嵌入并与凸形空气桥结构的桥腔仰顶侧面的凹槽紧贴，声回弹结构的下端面与压电层的上方紧贴；声回弹结构的左侧面和右侧面分别与凸形空气桥结构的桥腔支撑结构相邻的内侧面之间留有空气间隙。
一种品质因数薄膜声波谐振器优选结构

[发明专利]一种带空气桥结构的多芯片射频前端集成封装结构及制作方法-CN202011577563.9有效
发明人：周云燕;曹立强 -专利权人：华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
申请日： 2020-12-28 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本发明公开了一种带空气桥结构的多芯片射频前端集成封装结构，包括：带空气桥的芯片；空气桥设置在所述芯片的正面；芯片嵌入在塑封层中，从所述塑封层的上表面漏出背面电极，从所述塑封层的下表面漏出芯片焊盘和所述空气桥；空气桥容纳空腔由第二介质层的上表面向内凹陷形成，空气桥对准设置在空气桥容纳空腔中；空气桥密封环环绕设置在所述空气桥容纳空腔的外围；垂直互联结构，所述垂直互联结构贯穿所述塑封层，一端电连接至所述第一金属层
一种空气结构芯片射频前端集成封装制作方法

[发明专利]一种高品质因数的薄膜体声波谐振器-CN201911392123.3有效
发明人：赵洪元;朱健 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2019-12-30 - 公布日： 2021-09-07 - 主分类号： H03H9/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种高品质因数的薄膜体声波谐振器，包括上表面带有凹槽2的衬底1、位于衬底1上方的底电极层3、压电层4、带有空气桥结构6的顶电极层5，其特征在于，所述空气桥结构6内设有可起到对横向声波回弹作用并提升薄膜体声波谐振器品质因数的声回弹结构7；所述声回弹结构7的材质为薄膜介质；所述声回弹结构7以卧式设置在空气桥结构6内的桥腔上方区域，所述回弹结构7的底端面与空气桥结构6的桥腔下方区域悬空结构之间留有空气间隙8，所述声回弹结构7的顶端面与空气桥结构6的桥腔仰顶面紧贴，所述声回弹结构7的左侧面和右侧面分别与空气桥结构6的桥腔支撑结构相邻的内侧面紧贴。
一种品质因数薄膜声波谐振器

[发明专利]空气桥的制备方法、空气桥结构及超导量子芯片-CN202011309305.2在审
发明人：张文龙;淮赛男;郑亚锐;冯加贵;熊康林;丁孙安 -专利权人：腾讯科技（深圳）有限公司;中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2020-11-20 - 公布日： 2021-11-26 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本申请公开了一种空气桥的制备方法、空气桥结构及超导量子芯片，涉及电路结构领域。该方法包括：在衬底上沉积符合空气桥形状的桥撑材料；在衬底和桥撑材料上涂敷图形化光刻胶；基于空气桥的开口要求接收在图形化光刻胶上的曝光图形化处理，开口要求用于指示空气桥的桥面上开口的位置要求；在曝光图形化处理后的图形化光刻胶上进行显影处理；在显影处理后的桥撑材料上沉积桥材料，得到具有开口的空气桥。通过在图形化光刻胶上进行图形化曝光处理，从而在桥面上设置贯通桥面的开口结构，而在制备空气桥的过程中，通过该开口结构释放桥撑材料，从开口位置释放刻蚀材料刻蚀桥撑材料，确保桥撑材料的释放完整度，避免在桥洞内部留下桥撑材料的残渣
空气制备方法结构超导量子芯片

[发明专利]一种高品质因数的薄膜体声波谐振器-CN201911392152.X有效
发明人：赵洪元;夏燕 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2019-12-30 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H03H9/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种高品质因数的薄膜体声波谐振器，包括上表面带有凹槽2的衬底1、位于衬底1上方的底电极层3、压电层4、带有空气桥结构6的顶电极层5，其特征在于，空气桥结构6内设有可起到对横向声波回弹作用并提升薄膜体声波谐振器品质因数的声回弹结构7；声回弹结构7的材质为薄膜介质；声回弹结构7为与空气桥结构6的桥腔相向的多面体并以竖式设置在压电层4与空气桥结构6的桥腔悬空区域，声回弹结构7的上端与空气桥结构6的仰顶侧支撑结构紧贴，声回弹结构7的下端与压电层4的上方紧贴；声回弹结构7的左侧面和右侧面分别与空气桥结构6的桥腔支撑结构相邻的内侧面之间留有空气间隙8。
一种品质因数薄膜声波谐振器

[发明专利]一种空气桥监控结构及其制作方法-CN201910847940.7在审
发明人：林易展;陈建星;王淋雨;郑伯涛;林伟;章剑清;郭一帆;邱文宗;林伟铭 -专利权人：福建省福联集成电路有限公司
申请日： 2019-09-09 - 公布日： 2020-02-04 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明公开一种空气桥监控结构及其制作方法，其中方法包括如下步骤：在待做空气桥结构的桥面金属下方的半导体衬底上制作监控金属，监控金属包含有处在桥面金属正下方的金属段、第一焊盘以及连接金属段和第一焊盘的金属线空气桥结构横跨金属段上，在检测空气桥的完好程度的时候，只需检测第一焊盘与空气桥之间的参数以及同一个空气桥两端的参数数据，就可高效的检测出空气桥的完好程度，同时也极大程度的节约的检测的成本。
空气桥金属焊盘检测空气桥结构桥面参数数据监控结构连接金属金属线监控衬底制作半导体横跨节约

[发明专利]一种高品质因数的薄膜体声波谐振器的优选结构-CN201911393768.9有效
发明人：赵洪元;黄旼 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2019-12-30 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H03H9/17 文献下载
摘要：本发明涉及一种高品质因数的薄膜体声波谐振器的优选结构，包括上表面带有凹槽的衬底、位于衬底上方的底电极层、压电层、其特征在于，还包括带有异形空气桥结构的顶电极层，该异形空气桥结构内设有可起到对横向声波回弹作用并提升薄膜体声波谐振器品质因数的声回弹结构；所述声回弹结构的材质为SiC与钙钛矿组合的薄膜介质或SiN与钙钛矿组合的薄膜介质；声回弹结构为与异形空气桥结构的桥腔相向的多面体并以卧式紧贴在压电层的上方，声回弹结构的上方与异形空气桥结构的桥腔悬空结构之间留有空气间隙，声回弹结构的左侧面和右侧面分别与异形空气桥结构的桥腔支撑结构相邻的内侧面的凹槽紧贴。
一种品质因数薄膜声波谐振器优选结构

[发明专利]一种高品质因数的薄膜体声波谐振器-CN201911393848.4有效
发明人：赵洪元;黄旼 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2019-12-30 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H03H9/17 文献下载
摘要：本发明涉及一种高品质因数的薄膜体声波谐振器，包括上表面带有凹槽2的衬底1、位于衬底1上方的底电极层3、压电层4、带有空气桥结构6的顶电极层5，其特征在于，所述空气桥结构6内设有可起到对横向声波回弹作用并提升薄膜体声波谐振器品质因数的声回弹结构7；所述声回弹结构7的材质为薄膜介质；所述声回弹结构7为与空气桥结构6的桥腔相向的多面体并以卧式紧贴在压电层4的上方，声回弹结构7的上方与空气桥结构6的桥腔悬空结构之间留有空气间隙8，所述声回弹结构7的左侧面和右侧面分别与空气桥结构6的桥腔支撑结构相邻的内侧面紧贴。本发明通过设置声回弹结构，显著提升薄膜体声波谐振器的品质因数。
一种品质因数薄膜声波谐振器

[发明专利]空气桥结构及制造和使用空气桥结构的方法-CN200780017001.5无效
发明人： G·L·马蒂厄 -专利权人：佛姆法克特股份有限公司
申请日： 2007-05-02 - 公布日： 2009-05-27 - 主分类号： G01R31/02 文献下载
摘要：数据通道的至少之一可包括空气桥结构迹线，其包括通过多个塔柱与导电板隔离开的导电迹线。
空气结构制造使用方法

[发明专利]同步磁阻式直线电机-CN201910265449.3在审
发明人：张何;张晓晨;李静;施博闻;王天昊 -专利权人：诺丁汉（余姚）智能电气化研究院有限公司
申请日： 2019-04-03 - 公布日： 2019-06-28 - 主分类号： H02K41/03 文献下载
摘要：本发明揭示一种同步磁阻式直线电机，包括定子和动子，定子中设置有若干个沿定子长度方向分布的凹槽，凹槽中绕制有绕组，动子中设置有若干组沿动子长度方向分布的空气隔磁磁桥组，每组空气隔磁磁桥组均包括至少一个空气隔磁磁桥，每个空气隔磁磁桥均为弧形状结构且每个空气隔磁磁桥的两端均朝定子一侧弯曲；本发明通过在动子中设置若干组沿动子长度方向分布的空气隔磁磁桥组，每组空气隔磁磁桥组均包括至少一个空气隔磁磁桥，每个空气隔磁磁桥均为弧形状结构且每个空气隔磁磁桥的两端均朝定子一侧弯曲
空气隔磁磁桥动子直线电机磁阻式弧形状结构定子长度方向绕制

[实用新型]同步磁阻式直线电机-CN201920448365.9有效
发明人：张何;张晓晨;李静;施博闻;王天昊 -专利权人：诺丁汉（余姚）智能电气化研究院有限公司
申请日： 2019-04-03 - 公布日： 2019-11-12 - 主分类号： H02K41/03 文献下载
摘要：本实用新型揭示一种同步磁阻式直线电机，包括定子和动子，定子中设置有若干个沿定子长度方向分布的凹槽，凹槽中绕制有绕组，动子中设置有若干组沿动子长度方向分布的空气隔磁磁桥组，每组空气隔磁磁桥组均包括至少一个空气隔磁磁桥，每个空气隔磁磁桥均为弧形状结构且每个空气隔磁磁桥的两端均朝定子一侧弯曲；本实用新型通过在动子中设置若干组沿动子长度方向分布的空气隔磁磁桥组，每组空气隔磁磁桥组均包括至少一个空气隔磁磁桥，每个空气隔磁磁桥均为弧形状结构且每个空气隔磁磁桥的两端均朝定子一侧弯曲
空气隔磁磁桥动子直线电机磁阻式本实用新型弧形状结构定子长度方向绕制

[发明专利]一种BCB辅助增强的肖特基二极管阳极空气桥制作方法-CN201711412264.8有效
发明人：牛斌;范道雨 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2017-12-23 - 公布日： 2020-06-02 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种BCB辅助增强的肖特基二极管阳极空气桥制作方法，其步骤为：光刻形成空气桥下层胶；光刻形成空气桥上层胶；制作空气桥金属，连接阳极接触金属与阳极电极板；台面电隔离腐蚀；旋涂并固化BCB介质；光刻并刻蚀出BCB支撑结构，完成BCB辅助增强的肖特基二极管阳极空气桥制作。本发明采用BCB支撑结构，为空气桥与阳极电极板之间提供机械固定，降低了空气桥被拉扯变形的风险，提高器件成品率。
一种 bcb 辅助增强肖特基二极管阳极空气制作方法

[发明专利]一种量子芯片及其制备方法-CN202310453737.8在审
发明人：孟铁军;梁莹;冯冠儒;项金根 -专利权人：深圳量旋科技有限公司
申请日： 2023-04-18 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种量子芯片及其制备方法，应用于量子芯片技术领域，包括相对设置的第一衬底以及第二衬底；设置于第一衬底朝向第二衬底一侧表面的芯片功能结构，以及焊点；设置于第二衬底朝向第一衬底一侧表面的连接桥组件；空气桥的桥面与第二衬底相接触，空气桥的桥腿从桥面向第一衬底延伸；焊点与桥腿相互焊接，使桥面架设于芯片功能结构上方。通过各自在第一衬底表面设置芯片功能结构和焊点，以及在第二衬底表面设置空气桥，然后通过焊接的方式将焊点与桥腿相互焊接，从而可以将空气桥的制备以及芯片功能结构的制备分别在两个衬底中进行，可以避免空气桥垮塌，多次匀胶曝光显影导致的芯片污染问题，也更有利于芯片结构的重新排布与拓展。
一种量子芯片及其制备方法

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