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[发明专利]物理气相沉积装置和方法-CN202310760690.X在审
发明人：张冲 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2023-06-25 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本公开涉及一种物理气相沉积装置和方法，物理气相沉积装置包括反应腔室、第一磁控组件、支撑部以及第二磁控组件。反应腔室的顶部设有靶材。第一磁控组件设置于靶材的背面。第二磁控组件设置于支撑部的背面。第一磁控组件工作时在靶材处产生磁场，使得等离子体的正离子被阴极负电所吸引，轰击靶材，撞出靶材的原子，并沉积到衬底上得到膜层；此外，第二磁控组件工作时产生的磁场线与第一磁控组件产生的磁场线互补，不仅能进一步地增大电子碰撞几率，提高沉积速率，还能改变电子分布轨迹，使得靶材上各个部位的磁场强度相对均匀一致，这样靶材各个位置厚度均一性较好，进而能提高靶材使用率，延长靶材的使用寿命，降低成本。
物理沉积装置方法

[发明专利]半导体工艺设备的工艺腔室及其磁控溅射组件-CN202210599186.1有效
发明人：王世如;杨玉杰;傅新宇 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2022-05-30 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体工艺设备的工艺腔室及其磁控溅射组件，磁控溅射组件包括磁控结构、靶材固定结构和弹性调整机构，靶材固定结构用于设置在半导体工艺设备工艺腔室的顶部，靶材固定结构的底部用于固定设置磁性靶材，磁控结构通过弹性调整机构吊设在靶材固定结构的上方，用于提供溅射磁场，弹性调整机构能够随磁控结构与磁性靶材之间的磁性力的变化而在竖直方向上发生弹性形变，以带动磁控结构在竖直方向上移动。在本发明中，弹性调整机构能够在磁性靶材的底部材料逐渐损耗后将磁控结构升高，使磁控结构与磁性靶材底部的相对位置不变，提高靶材利用率及薄膜性能的稳定性、均匀性和薄膜沉积速率，在降低成本的同时保证半导体器件的良率和性能
半导体工艺设备工艺及其磁控溅射组件

[发明专利]一种磁铁旋转靶枪-CN202011536353.5在审
发明人：李伟 -专利权人：长沙元戎科技有限责任公司
申请日： 2020-12-23 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明涉及真空镀膜设备技术领域，提出了一种磁铁旋转靶枪，包括设置在靶枪腔体内的由上至下依次设置的靶材、基板及磁控组件，磁控组件包括外圈磁铁、设置在外圈磁铁中心的中心磁铁及包覆外圈磁铁和中心磁铁的包覆层，增设了与磁控组件连接的驱动装置，驱动装置驱动磁控组件转动或者往复移动，基板包括上板及下板，上板与下板之间形成密封的冷却空腔，基板下方借助第一密封圈与靶枪腔体形成密封连接。
一种磁铁旋转

[实用新型]一种磁铁旋转靶枪-CN202023146318.0有效
发明人：李伟 -专利权人：长沙元戎科技有限责任公司
申请日： 2020-12-23 - 公布日： 2021-08-31 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本实用新型涉及真空镀膜设备技术领域，提出了一种磁铁旋转靶枪，包括设置在靶枪腔体内的由上至下依次设置的靶材、基板及磁控组件，磁控组件包括外圈磁铁、设置在外圈磁铁中心的中心磁铁及包覆外圈磁铁和中心磁铁的包覆层，增设了与磁控组件连接的驱动装置，驱动装置驱动磁控组件转动或者往复移动，基板包括上板及下板，上板与下板之间形成密封的冷却空腔，基板下方借助第一密封圈与靶枪腔体形成密封连接。
一种磁铁旋转

[发明专利]可不开腔清洁阳极罩的磁控溅射装置及清洁方法-CN201710347518.6有效
发明人：毛朝斌;舒勇东;范江华;罗超;佘鹏程;胡凡;彭立波 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十八研究所
申请日： 2017-05-17 - 公布日： 2019-06-07 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：可不开腔清洁阳极罩的磁控溅射装置，包括腔体、靶材及设于腔体上的磁控靶和磁控靶挡板，腔体外侧设有第一接头、第二接头及升降机构，第一接头与腔体之间设有绝缘件，第二接头与腔体连通，升降机构与磁控靶挡板连接，磁控靶电源阳极与腔体连通，磁控靶挡板与腔体连通，靶材通过第一导线与磁控靶电源阴极连通，磁控靶的阳极罩通过第二导线与第一接头连通。清洁方法，S1调整磁控靶挡板位置，使磁控靶挡板与磁控靶的阳极罩之间可进行辉光溅射；第一导线连接至第一接头；S2磁控靶电源在磁控靶挡板与阳极罩之间施加电压，腔体中充入工艺气体，磁控靶挡板与阳极罩之间产生辉光溅射
磁控靶阳极罩挡板腔体腔体连通清洁磁控溅射装置开腔升降机构靶材辉光溅射连通挡板位置导线连接电源阳极电源阴极工艺气体施加电压绝缘件上薄膜电源

[发明专利]用于修补平面沉积膜层的自吸式磁控溅射系统及溅射方法-CN201810226135.8有效
发明人：朱嘉琦;杨磊;杨振怀;陈学儒;郭帅;高岗;夏菲;代兵 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2018-03-19 - 公布日： 2019-11-05 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明包括真空室组件、磁控靶挡板组件和磁控靶组件，磁控靶挡板组件通过控制第一手轮的旋转，使得挡板轴运动，同时万向节发生运动带动挡板的左右运动，实现遮挡溅射辉光的作用；磁控靶通过直靶支杆和靶支座固定在真空室桶内，采用屏蔽靶套套在永磁靶头上，防止溅射过程中辉光收到外界环境干扰。
溅射磁控溅射系统沉积膜层修补磁控靶挡板组件真空室自吸式辉光磁控靶组件结构件表面挡板大型平面镀膜修复取下系统外界环境运动带动左右运动靶支杆抽真空挡板轴功能件结构件万向节镀膜膜层屏蔽起辉起皮永磁遮挡

[实用新型]一种提升均匀性的磁控溅射镀膜装置-CN202123055687.3有效
发明人：罗晴 -专利权人：厦门大学
申请日： 2021-12-07 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本实用新型提供一种提升均匀性的磁控溅射镀膜装置，包括：加工箱主体；多个所述磁吸组件均设置于所述加工箱主体内壁的一圈，所述磁吸组件包括弧形滑块，所述弧形滑块的表面套设有滑套，所述滑套的一侧固定连接有连接套，所述连接套的内部设置有连接扣，所述连接扣的一侧固定连接有磁控靶；多个调节组件，多个所述调节组件均设置于所述加工箱主体的内壁。本实用新型提供的一种提升均匀性的磁控溅射镀膜装置，在加工箱主体的内壁设置滑轨和滑套配合调节组件能带动磁控靶进行位置的调节，可以在加工箱主体工作时能对磁控靶进行位置的调节，能防止磁控靶出现松动时需要停止工作进行维修
一种提升均匀磁控溅射镀膜装置

[发明专利]物理气相沉积设备、沉积工艺及刻蚀工艺-CN202310725218.2在审
发明人：潘兴强 -专利权人：宸微设备科技（苏州）有限公司
申请日： 2023-06-19 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明属于半导体处理设备技术领域，具体涉及一种物理气相沉积设备、沉积工艺及刻蚀工艺，包括：反应腔体，连接有真空发生装置；靶材组件，安装于所述反应腔体的上端，所述靶材组件与设置在所述反应腔体外部的靶材电源电连接；磁控源，设置在所述靶材组件的与所述反应腔体向背的一侧，所述磁控源被装配为能够在贴近于所述靶材组件表面的区域沿环形路径运动；所述靶材组件设有贯穿孔，所述贯穿孔设置在所述磁控源的环形运动路径的内侧；还包括穿透窗，所述穿透窗覆盖于所述贯穿孔的远离所述反应腔体的一侧，本发明避免靶材反溅镀现象的同时简化了设备结构。
物理沉积设备工艺刻蚀

[发明专利]磁控溅射装置-CN202011442580.1在审
发明人：李育智 -专利权人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2020-12-08 - 公布日： 2021-04-09 - 主分类号： C23C14/08 文献下载
摘要：本申请公开了一种磁控溅射装置，包括设置于腔室内的靶材以及与所述靶材相对设置的待溅射基板；所述靶材为柔性氧化物靶材。在所述腔室中还设置有磁控组件和转动件，其中所述磁控组件用于产生磁场；所述转动件用于带动所述靶材运动。由于在溅射时，所述转动件能够带动所述靶材移动，从而提高氧化物薄膜的成膜均匀性和靶材的利用率。
磁控溅射装置

[发明专利]一种带有单加热自转盘的磁控溅射系统-CN201110358042.9无效
发明人：冯彬;郭东民;佟辉;周景玉;刘丽华;张雪;戚晖 -专利权人：中国科学院沈阳科学仪器研制中心有限公司
申请日： 2011-11-11 - 公布日： 2013-05-15 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明涉及镀膜设备，具体地说是一种带有单加热自转盘的磁控溅射系统，包括磁控室、单加热自转盘、第一电机、手动基片挡板组件、磁控靶、机台架及真空抽气系统，磁控室安装在机台架上、与位于机台架内的真空抽气系统相连，在磁控室内均布有多个安装在磁控室的下法兰上的磁控靶；所述单加热自转盘转动安装在磁控室的上盖上，单加热自转盘的一端载有基片、插入磁控室内，位于各磁控靶的上方，另一端位于上盖的上方；上盖上安装有第一电机，该第一电机驱动单加热自转盘旋转；单加热自转盘所载基片的下方设有安装在上盖上的手动基片挡板组件。
一种带有加热转盘磁控溅射系统

[发明专利]一种带有单冷却自转盘的磁控溅射系统-CN201110358231.6无效
发明人：冯彬;郭东民;佟辉;周景玉;刘丽华;张雪;戚晖 -专利权人：中国科学院沈阳科学仪器研制中心有限公司
申请日： 2011-11-11 - 公布日： 2013-05-15 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明涉及镀膜设备，具体地说是一种带有单冷却自转盘的磁控溅射系统，包括磁控室、单冷却自转盘、第一电机、手动基片挡板组件、磁控靶、机台架及真空抽气系统，磁控室安装在机台架上、与位于机台架内的真空抽气系统相连，在磁控室内均布有多个安装在磁控室的下法兰上的磁控靶；单冷却自转盘转动安装在磁控室的上盖上，单冷却自转盘的一端载有基片、插入磁控室内，位于各磁控靶的上方，另一端位于上盖的上方；上盖上安装有带动单冷却自转盘旋转的第一电机；单冷却自转盘所载基片的下方设有安装在上盖上的手动基片挡板组件。
一种带有冷却转盘磁控溅射系统

[实用新型]带有单冷却自转盘的磁控溅射系统-CN201120446999.4有效
发明人：冯彬;郭东民;佟辉;周景玉;刘丽华;张雪;戚晖 -专利权人：中国科学院沈阳科学仪器研制中心有限公司
申请日： 2011-11-11 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本实用新型涉及镀膜设备，具体地说是一种带有单冷却自转盘的磁控溅射系统，包括磁控室、单冷却自转盘、第一电机、手动基片挡板组件、磁控靶、机台架及真空抽气系统，磁控室安装在机台架上、与位于机台架内的真空抽气系统相连，在磁控室内均布有多个安装在磁控室的下法兰上的磁控靶；单冷却自转盘转动安装在磁控室的上盖上，单冷却自转盘的一端载有基片、插入磁控室内，位于各磁控靶的上方，另一端位于上盖的上方；上盖上安装有带动单冷却自转盘旋转的第一电机；单冷却自转盘所载基片的下方设有安装在上盖上的手动基片挡板组件。
带有冷却转盘磁控溅射系统

[实用新型]带有单加热自转盘的磁控溅射系统-CN201120446674.6有效
发明人：冯彬;郭东民;佟辉;周景玉;刘丽华;张雪;戚晖 -专利权人：中国科学院沈阳科学仪器研制中心有限公司
申请日： 2011-11-11 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本实用新型涉及镀膜设备，具体地说是一种带有单加热自转盘的磁控溅射系统，包括磁控室、单加热自转盘、第一电机、手动基片挡板组件、磁控靶、机台架及真空抽气系统，磁控室安装在机台架上、与位于机台架内的真空抽气系统相连，在磁控室内均布多个安装在磁控室的下法兰上的磁控靶；单加热自转盘转动安装在磁控室的上盖上，单加热自转盘的一端载有基片、插入磁控室内，位于各磁控靶的上方，另一端位于上盖的上方；上盖上安装有第一电机，该第一电机驱动单加热自转盘旋转；单加热自转盘所载基片的下方设有安装在上盖上的手动基片挡板组件。
带有加热转盘磁控溅射系统

[发明专利]用于PVD平面靶的磁控管装置与磁控溅射设备-CN202310083001.6在审
发明人：杨洪生;黎左兴;张晓军 -专利权人：深圳市矩阵多元科技有限公司
申请日： 2023-01-16 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H01J25/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于PVD平面靶的磁控装置与磁控溅射设备，磁控装置包括磁控管，包括包括外侧磁组件、内侧磁组件与中间磁组件，外侧磁组件包括外侧直线单元与连接于外侧直线单元的端部的外侧弧形单元，内侧磁组件包括内侧直线单元，中间磁组件包括中间直线单元，外侧直线单元、内侧直线单元与中间直线单元均包括多个磁体，外侧直线单元与内侧直线单元内磁体的磁极连线垂直于平面靶，中间直线单元内磁体的磁极连线平行于平面靶，且中间直线单元内磁体的两个磁极分别朝向外侧直线单元与内侧直线单元本发明既能够减少弧形部与直线部之间刻蚀能力的差距，提高靶材的利用率，又能够保证等离子体的点燃和维持。
用于 pvd 平面磁控管装置磁控溅射设备

[发明专利]闭合磁场非平衡磁控溅射镀膜设备-CN201210142280.0无效
发明人：金广福 -专利权人：爱发科中北真空（沈阳）有限公司
申请日： 2012-05-09 - 公布日： 2012-09-05 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明包括镀膜室、镀膜室门、工件转架、圆柱磁控靶、充气系统、靶挡板及真空抽气口，镀膜室门通过铰链固定在镀膜室上，在镀膜室的外壁上设有真空抽气口，在镀膜室的下盖上设有工件转架，在镀膜室的上盖上设有圆柱磁控靶和充气系统，工件转架与偏压电源相连接；其特点是圆柱磁控靶的设置数量为大于或等于4的偶数个，圆柱磁控靶磁铁的磁极面向被镀工件设置，并使各圆柱磁控靶之间形成闭合的磁回路；奇数圆柱磁控靶的磁极是N-S-N，偶数圆柱磁控靶的磁极是S-N-S，或者奇数圆柱磁控靶的磁极是S-N-S，偶数圆柱磁控靶的磁极是N-S-N。
闭合磁场平衡磁控溅射镀膜设备

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