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[实用新型]碳化硅籽晶-CN202122891375.X有效
发明人：燕靖;陈俊宏 -专利权人：江苏集芯半导体硅材料研究院有限公司
申请日： 2021-11-23 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种碳化硅籽晶，所述碳化硅籽晶形成有在厚度方向相对的第一表面和第二表面，所述第一表面用于生长碳化硅晶体，所述第二表面形成有多个凹槽，在所述碳化硅籽晶的径向从内向外的方向上，多个所述凹槽的截面面积逐渐减小根据本实用新型实施例的碳化硅籽晶，根据热传递原理可知，气相热传导低于固相热传导，通过在第二表面设置凹槽，使得凹槽内具有比碳化硅籽晶导热率低的气体，由此设置凹槽处的导热速率较慢，与未设置凹槽的其他位置相比可以减少籽晶热量的耗散，减小了碳化硅籽晶表面的径向温差，实现了碳化硅蒸气在碳化硅籽晶表面均匀沉积，从而得到平整的碳化硅晶体，降低了碳化硅晶体中的整体缺陷。
碳化硅籽晶

[发明专利]一种碳化硅籽晶的清洗方法-CN202111136639.9在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司
申请日： 2021-09-27 - 公布日： 2021-12-31 - 主分类号： C30B35/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种碳化硅籽晶的清洗方法，属于碳化硅制备技术领域。为解决现有碳化硅籽晶清洗方法清洗不当，造成次品率提高的问题，本发明提供了一种碳化硅籽晶的清洗方法，包括碳化硅籽晶抛光后使用清水冲洗碳化硅籽晶表面的抛光液、使用氢氟酸溶液清洗碳化硅籽晶，然后用QDR方式洗净残留的氢氟酸溶液、使用硫酸与双氧水的混合溶液清洗碳化硅籽晶和使用PVA刷头对碳化硅籽晶正反面进行物理摩擦刷洗。本发明提供的碳化硅籽晶的清洗方法能够有效的清洗碳化硅籽晶，包括碳化硅籽晶表面的纤维杂质和大颗粒，清洗后的碳化硅籽晶没有崩、坑、油、脏污和划伤缺陷，能够减少次品率，保证碳化硅单晶和器件的质量。
一种碳化硅籽晶清洗方法

[发明专利]碳化硅籽晶和碳化硅籽晶组件-CN202010576175.2有效
发明人：蔡凯;郭少聪;王军;周维 -专利权人：比亚迪股份有限公司
申请日： 2020-06-22 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： C23C14/18 文献下载
摘要：本发明提供了碳化硅籽晶和碳化硅籽晶组件，该碳化硅籽晶包括：碳化硅籽晶本体；碳化硅过渡层，所述碳化硅过渡层覆盖在所述碳化硅籽晶本体的背面上；碳层，所述碳层覆盖在所述碳化硅过渡层远离所述碳化硅籽晶本体的表面上该碳化硅籽晶可以有效避免背面蒸发问题，提高生长晶体的质量的同时，相邻两层之间的结合力强，脱落风险显著降低。
碳化硅籽晶组件

[发明专利]碳化硅晶体生长装置及大尺寸碳化硅晶体的生长方法-CN202210620565.4在审
发明人：燕靖;陈俊宏;李兆颖;周来平 -专利权人：江苏集芯半导体硅材料研究院有限公司
申请日： 2022-06-02 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳化硅晶体生长装置，包括：石墨坩埚，石墨坩埚内部限定形成反应腔，反应腔包括原料盛放区和籽晶安装区，原料盛放区中盛放碳化硅粉料，籽晶安装区中设置有碳化硅籽晶，碳化硅籽晶为棒状籽晶，碳化硅籽晶的轴线与石墨坩埚的轴线垂直；籽晶夹具，包括两个夹持件，两个夹持件在反应腔中相对设置，且夹持于碳化硅籽晶的两个端面上；转动机构，转动机构与夹持件连接，用于驱动夹持件转动。本发明同时还公开了一种大尺寸碳化硅生长方法，本发明碳化硅晶体生长装置通过采用棒状结构的碳化硅籽晶，在长晶过程中，碳化硅籽晶旋转扩径生长，能够突破原有碳化硅籽晶直径尺寸的限制，制得大尺寸的碳化硅晶体。
碳化硅晶体生长装置尺寸晶体生长方法

[发明专利]碳化硅籽晶、碳化硅籽晶组件及其制备方法和制备碳化硅晶体的方法-CN202010575275.3有效
发明人：蔡凯;郭少聪;王军;周维 -专利权人：比亚迪股份有限公司
申请日： 2020-06-22 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： C30B35/00 文献下载
摘要：本发明提供了碳化硅籽晶、碳化硅籽晶组件及其制备方法和制备碳化硅晶体的方法，制备碳化硅籽晶的方法包括：在碳化硅籽晶本体的背面形成硅层；在所述硅层远离所述碳化硅籽晶的表面形成预制碳层，所述预制碳层覆盖所述硅层远离所述碳化硅籽晶本体的表面；使所述预制碳层与所述硅层反应生成碳化硅过渡层和碳层，得到碳化硅籽晶。该方法步骤简单，操作方便，对设备和技术人员没有苛刻要求，且得到的碳化硅籽晶可以有效缓解界面处的应力差异，使得界面处的结合更为牢固，同时显著改善了因为润湿性和热膨胀率差异导致的碳层脱落问题，进而可以有效提高采用该碳化硅籽晶生长的碳化硅晶体的质量
碳化硅籽晶组件及其制备方法晶体

[发明专利]一种碳化硅复合籽晶及其制备方法与应用-CN202211186158.3在审
发明人：郭超;母凤文 -专利权人：青禾晶元（天津）半导体材料有限公司
申请日： 2022-09-28 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本发明提供一种碳化硅复合籽晶及其制备方法与应用，所述碳化硅复合籽晶包括层叠设置的高质量碳化硅单晶籽晶层、键合层和低质量碳化硅晶体层；所述高质量碳化硅单晶籽晶层的微管密度≤0.1个/cm2，位错密度≤1000个/cm2；所述低质量碳化硅晶体层的微管密度和位错密度分别对应地大于高质量碳化硅单晶籽晶层；所述碳化硅复合籽晶的厚度本发明提供的碳化硅复合籽晶用于生长碳化硅单晶晶锭时，碳化硅单晶晶锭生长于高质量碳化硅单晶籽晶层的表面，既保证了籽晶和晶锭的质量，又避免了因籽晶过薄而在高温生长环境中籽晶表面出现孔洞或籽晶发生翘曲变形的问题，同时降低了籽晶的制备成本，经济效益显著提升。
一种碳化硅复合籽晶及其制备方法应用

[发明专利]一种碳化硅籽晶的固定方法及固定结构-CN202111103172.8在审
发明人：钟红生;徐所成;王亚哲;陈鹏磊;姚秋鹏;皮孝东 -专利权人：浙江大学杭州国际科创中心
申请日： 2021-09-18 - 公布日： 2021-10-26 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳化硅籽晶的固定方法及固定结构，固定方法包括以下几个步骤：材料的预处理：在碳化硅籽晶片的上表面镀一层碳化膜；材料的固定：将钨箔片放置在碳化硅籽晶片的碳化膜和碳化硅陶瓷片之间，在碳化硅陶瓷片上放置压重块使得钨箔片、碳化硅籽晶片和碳化硅陶瓷片紧密接触；烧结成型：将固定后的材料放入加热设备中烧结一段时间使得钨箔片加热熔融后与碳化硅籽晶片、碳化硅陶瓷片固定连接，去掉压重块，最终获得碳化硅籽晶固定结构。本发明具有在粘接固定籽晶时无需使用粘接剂以避免粘接剂对碳化硅籽晶的腐蚀，紧密固定籽晶，提高碳化硅晶体的质量和良品率等优点。
一种碳化硅籽晶固定方法结构

[发明专利]一种采用预处理籽晶生长碳化硅晶体的方法-CN202110216502.8有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司
申请日： 2021-02-26 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本发明涉及一种采用预处理籽晶生长碳化硅晶体的方法，属于碳化硅晶体制备技术领域。为解决现有籽晶预处理方法不能提供长期稳定保护而使制备的碳化硅晶体产生缺陷的问题，本发明提供了一种采用预处理籽晶生长碳化硅晶体的方法，先用氢氟酸浸泡碳化硅籽晶，再将碳化硅籽晶放入100℃去离子水中加热得到氢钝化的碳化硅籽晶；在氢钝化的碳化硅籽晶的生长面覆盖一层保护膜，得到预处理籽晶；最后采用PVT法以所得预处理籽晶为基础制备碳化硅晶体。本发明采用氢钝化与保护膜相结合的预处理方式，能够长期维持籽晶表面的低氧杂质含量状态，解决了氧杂质对半绝缘型碳化硅晶片制备的阻碍，提高了碳化硅晶体的良品率。
一种采用预处理籽晶生长碳化硅晶体方法

[实用新型]碳化硅籽晶夹具-CN202122891729.0有效
发明人：燕靖;陈俊宏 -专利权人：江苏集芯半导体硅材料研究院有限公司
申请日： 2021-11-23 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种碳化硅籽晶夹具，碳化硅籽晶夹具包括：第一籽晶夹，碳化硅籽晶设于第一籽晶夹的在厚度方向的一侧表面；第二籽晶夹，第二籽晶夹设于第一籽晶夹的在厚度方向的另一侧且与第一籽晶夹可相对转动，第二籽晶夹的朝向第一籽晶夹的一侧表面形成有多个第一凹槽，第一凹槽内设有填充介质，填充介质的导热率低于第二籽晶夹的导热率，在第二籽晶夹的径向从内向外的方向上，多个第一凹槽的排布密度逐渐减小。根据本实用新型的碳化硅籽晶夹具，减小了碳化硅籽晶表面的径向温差，实现了碳化硅蒸气在碳化硅籽晶表面均匀沉积，从而得到平整的碳化硅晶体。
碳化硅籽晶夹具

[实用新型]一种碳化硅产生用的籽晶片粘合设备-CN201921053034.1有效
发明人：吉野辰萌;程鹏 -专利权人：天津市卓辉电子有限公司
申请日： 2019-07-08 - 公布日： 2020-05-19 - 主分类号： C30B35/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种碳化硅产生用的籽晶片粘合设备，包括固定支架、贴紧装置、限位装置和吸盘构成，所述固定支架一端固定有贴紧装置，所述固定支架远离贴紧装置一端设有吸盘，所述吸盘内部设有卡槽，所述卡槽内部设有限位装置，所述固定支架与吸盘之间通过限位装置固定连接，此碳化硅产生用的籽晶片粘合设备，使用吸盘吸住碳化硅籽晶，保护碳化硅籽晶，确保碳化硅粘接时不会产生划痕和缺陷，进一步保证后期碳化硅制备的质量，通过贴紧装置可以在碳化硅籽晶粘接后，挤压碳化硅籽晶，提升碳化硅籽晶的粘接平整度和粘接强度，保证提升碳化硅制备的质量和速度。
一种碳化硅产生籽晶粘合设备

[实用新型]一种碳化硅籽晶的固定结构-CN202122297626.1有效
发明人：钟红生;徐所成;王亚哲;陈鹏磊;姚秋鹏;皮孝东 -专利权人：浙江大学杭州国际科创中心
申请日： 2021-09-18 - 公布日： 2022-01-28 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种碳化硅籽晶的固定结构，包括碳化硅籽晶、金属箔片和晶托，碳化硅籽晶的上表面设有碳化膜，金属箔片设置在碳化膜与晶托之间，金属箔片加热后与碳化硅籽晶、晶托固定连接。本实用新型具有无需使用粘接剂以避免其对碳化硅籽晶的腐蚀，紧密固定籽晶，提高碳化硅晶体的质量和良品率等优点。
一种碳化硅籽晶固定结构

[实用新型]一种用于碳化硅单晶生长的籽晶搭接装置-CN202222265445.5有效
发明人：苗浩伟;陈鹏飞;梁刚强 -专利权人：北京清研半导科技有限公司
申请日： 2022-08-29 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本实用新型公开一种用于碳化硅单晶生长的籽晶搭接装置，属于碳化硅单晶生长技术领域，包括坩埚、碳化硅籽晶部和用于加热所述坩埚的加热装置；所述碳化硅籽晶部设置于所述坩埚的内腔上部，所述坩埚的内腔下部填充有碳化硅粉料，所述碳化硅籽晶部与所述碳化硅粉料之间具有生长空腔；所述碳化硅籽晶部的生长面朝向所述生长空腔底部，非生长面朝向所述坩埚的坩埚盖，且所述坩埚盖与所述非生长面之间存在间隔。本实用新型提供的用于碳化硅单晶生长的籽晶搭接装置，将籽晶搭接在籽晶支撑部上，且籽晶与坩埚盖无接触，采用热辐射的方式传热，籽晶的径向温度梯度更小，从而改善了晶体生长质量。
一种用于碳化硅生长籽晶装置

[发明专利]一种碳化硅籽晶的粘接方法以及碳化硅单晶晶锭的制备方法-CN201811609801.2在审
发明人：张晓洪;宋东波;程海英;钮应喜;袁松;刘锦锦 -专利权人：芜湖启迪半导体有限公司
申请日： 2018-12-27 - 公布日： 2019-04-02 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳化硅籽晶的粘接方法以及碳化硅单晶晶锭的制备方法。所述碳化硅籽晶的粘接方法为：将碳化硅粉末、碳粉、硅粉，并添加粘结剂混合均匀得到混合粉末，并将其覆于碳化硅晶片上，并在混合粉末上放置碳化硅籽晶，在高温1500℃至2000℃惰性气氛下，使得籽晶与碳化硅晶片粘结紧密，得到碳化硅粘接籽晶，且不引入任何杂质；利用该方法得到的碳化硅粘接籽晶在碳化硅晶体生长炉中，通过PVT法生长碳化硅单晶晶锭时，导热迅速、传热均匀，能够得到高质量的碳化硅单晶晶锭。该方法增加了原料投料空间和投料量，从而增大了单个晶锭的尺寸，增加了单个晶锭的晶片产出，减少了碳化硅晶体生长炉运行成本。
晶锭粘接碳化硅单晶碳化硅籽晶籽晶碳化硅晶片碳化硅晶体混合粉末生长炉碳化硅制备导热碳化硅粉末传热均匀原料投料运行成本投料量粘结剂硅粉晶片碳粉粘结生长引入

[实用新型]一种碳化硅晶体生长用的碳化硅籽晶-CN201320005278.9有效
发明人：陶莹;邓树军;高宇;段聪;赵梅玉 -专利权人：河北同光晶体有限公司
申请日： 2013-01-06 - 公布日： 2013-07-17 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本实用新型涉及碳化硅晶体领域，特别涉及一种碳化硅晶体生长用的碳化硅籽晶，包括籽晶托，所述的碳化硅籽晶粘贴在所述籽晶托上，所述的碳化硅籽晶厚度不小于700μm。本实用新型采用厚度≥700μm的碳化硅晶片作为籽晶，厚度增加后的碳化硅晶片更容易研磨抛光，减少晶片的弯曲度和翘曲度；同时厚度增加后的籽晶在任何温度下的形变量将减少，有利于减少晶体生长过程中产生的热应力，
一种碳化硅晶体生长籽晶

[发明专利]碳化硅晶体及其生长方法和装置、半导体器件以及显示装置-CN201911363245.X有效
发明人：邓树军;张洁;汪良;付芬 -专利权人：福建北电新材料科技有限公司
申请日： 2019-12-25 - 公布日： 2021-06-08 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本发明提供了一种碳化硅晶体及其生长方法和装置、半导体器件以及显示装置，涉及晶体生长技术领域，碳化硅晶体的生长方法包括：将第一碳化硅籽晶层的第一表面与第二碳化硅籽晶层的第三表面相接触；分别在第一碳化硅籽晶层的第二表面和第二碳化硅籽晶层的第四表面生长碳化硅晶体；其中，第一表面与第二表面为第一碳化硅籽晶层相互对立的两个表面，第三表面与第四表面为第二碳化硅籽晶层相互对立的两个表面。该方法操作简单、方便，易于实现，可以同时生长两块碳化硅晶体，产率较高。
碳化硅晶体及其生长方法装置半导体器件以及显示装置

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