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[发明专利]一种对碳化硅晶片进行减薄的方法-CN201010145299.1有效
发明人：汪宁;陈晓娟;罗卫军;庞磊;刘新宇 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2010-04-09 - 公布日： 2011-10-12 - 主分类号： H01L21/302 文献下载
摘要：本发明公开了一种对碳化硅晶片进行减薄的方法，包括：步骤1：对在正面制作电路的碳化硅晶片进行清洗；步骤2：在碳化硅晶片正面均匀涂覆光刻胶；步骤3：将碳化硅晶片正面黏附于蓝宝石圆形托盘上；步骤4：将蓝宝石圆形托盘安装于减薄设备上，对碳化硅晶片背面进行减薄；步骤5：对碳化硅晶片背面进行粗糙研磨；步骤6：对碳化硅晶片背面进行中度研磨；步骤7：对碳化硅晶片背面进行低度研磨；步骤8：对碳化硅晶片背面进行精细研磨；步骤9：对碳化硅晶片背面进行抛光；步骤10：对碳化硅晶片进行清洗。利用本发明，达到了快速、晶片结构完整、无大物理损伤、表面细腻、光滑、形变小、减薄后碳化硅衬底晶片总体厚度小于100μm的工艺新成果。
一种碳化硅晶片进行方法

[发明专利]一种碳化硅晶片位错腐蚀方法及装置-CN202210244788.5有效
发明人：李佳君;王蓉;皮孝东;杨德仁 -专利权人：浙江大学杭州国际科创中心
申请日： 2022-03-14 - 公布日： 2022-06-17 - 主分类号： C30B33/10 文献下载
摘要：本发明涉及碳化硅加工技术领域，公开了一种碳化硅晶片位错腐蚀方法及装置，包括：提供碳化硅晶片，将碳化硅晶片放置到坩埚中，其中，碳化硅陪片的第一表面面向腐蚀剂，碳化硅陪片的第二表面面向碳化硅晶片的碳面，碳化硅陪片的尺寸与坩埚内壁的尺寸相适应且碳化硅陪片的侧边与坩埚的内壁之间留有间隙，碳化硅晶片的碳面与碳化硅陪片的第二表面之间小于或等于预定距离；基于加热工艺对坩埚进行加热，加热形成的腐蚀剂蒸汽对所述碳化硅晶片和所述碳化硅陪片进行腐蚀。本发明使得在保证高温腐蚀活性的同时有效降低腐蚀剂浓度，实现碳化硅晶片碳面和硅面位错的显露，在碳化硅晶片的碳面和硅面得到区分度高的位错腐蚀坑，识别明确。
一种碳化硅晶片腐蚀方法装置

[实用新型]一种用于碳化硅晶片的检测装置-CN202122102247.2有效
发明人：申雪珍;邹宇;张平 -专利权人：江苏天科合达半导体有限公司;北京天科合达半导体股份有限公司
申请日： 2021-09-01 - 公布日： 2022-01-21 - 主分类号： G01N21/958 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于碳化硅晶片的检测装置。该用于碳化硅晶片的检测装置包括支撑架；设置于支撑架上的晶片支撑组件，晶片支撑组件包括托板和支撑台，托板上设有第一透光孔、晶片支撑台阶和避让槽，晶片支撑台阶沿第一透光孔的圆周开设，并且晶片支撑台阶能够与碳化硅晶片的外圆周相配合；以及用于检测碳化硅晶片的目镜。由于晶片支撑台阶沿第一透光孔的圆周开设，晶片支撑台阶能够与碳化硅晶片的外圆周相配合，因此，晶片支撑台阶能对碳化硅晶片进行定位，限制碳化硅晶片的移动，减少碳化硅晶片的污染和损伤，同时，第一透光孔的设计减少了碳化硅晶片与托板的接触面积，使得碳化硅晶片与托板之间的摩擦减小，进一步减少了污染和损伤。
一种用于碳化硅晶片检测装置

[发明专利]碳化硅晶片表面清洗方法-CN202010485729.8在审
发明人：徐良;朱振佳;蓝文安;杨新鹏;占俊杰;刘建哲;余雅俊;郭炜;叶继春;夏建白 -专利权人：浙江博蓝特半导体科技股份有限公司
申请日： 2020-06-01 - 公布日： 2020-10-23 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种碳化硅晶片表面清洗方法，该方法包括以下步骤：高温处理：通过对碳化硅晶片进行高温处理使得所述碳化硅晶片表面形成氧化层；酸化处理：将经过高温处理后的所述碳化硅晶片进行酸化处理，以去除所述碳化硅晶片表面的氧化层；钝化处理：将经过酸化处理后的所述碳化硅晶片进行钝化处理，以在所述碳化硅表面形成钝化层。该清洗方法操作简单环保，能快速有效地清除碳化硅晶片表面的污染物，并在晶片表面氢钝化，提高了碳化硅晶片后续使用效率。
碳化硅晶片表面清洗方法

[发明专利]一种碳化硅晶片的生成方法-CN202211322470.0在审
发明人：石海燕;侯煜;李曼;文志东;张昆鹏;张喆;宋琦;许子业;薛美;张紫辰 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2022-10-26 - 公布日： 2023-01-10 - 主分类号： H01L21/04 文献下载
摘要：本发明提供了一种碳化硅晶片的生成方法，该碳化硅晶片的生成方法在从碳化硅晶锭剥离出碳化硅晶片之后，在对碳化硅晶片研磨之前，增加了将碳化硅晶片浸泡在化学溶液中，腐蚀碳化硅晶片的改质层界面的步骤，通过使用化学溶液腐蚀碳化硅晶片的改质层界面，能够去除碳化硅晶片剥离步骤产生的残余应力、位错及裂纹等缺陷。之后再研磨碳化硅晶片的改质层界面，由于此时碳化硅晶片的改质层界面上无残余应力或者存在较少的残余应力，能够减缓研磨工序的挤压使残余应力增大从而造成裂纹继续生长的现象，从而能够研磨更少材料即可完全去除损伤层，降低晶锭损失，提高晶片的质量。
一种碳化硅晶片生成方法

[发明专利]一种高效碳化硅晶片制备方法-CN201911022348.X在审
发明人：陈炳寺;戴磊 -专利权人：江苏晶杰光电科技有限公司
申请日： 2019-10-25 - 公布日： 2020-01-24 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种高效碳化硅晶片制备方法，所述制备方法包括原料混合，将碳和二氧化硅作为原料按照一定的比例配料，然后加入合适比例的催化剂进行混合，充分搅拌均匀，高温加热，将步骤（1）中混合均匀的混合料进行高温加热，操作结束后制备粗碳化硅晶片，过滤除杂，将步骤（2）中原料进行过滤除杂，得到碳化硅晶片，备用，研磨，将步骤（3）中的碳化硅晶片进行研磨，备用，抛光提高质量，将步骤（4）中碳化硅晶片进行抛光，得到高质量碳化硅晶片该种高效碳化硅晶片制备方法，制备方法较为简单，成本较低，提高碳化硅晶片的生产量，提高碳化硅晶片的生产效率，便于将制备的碳化硅晶片进行批量研磨，适合推广使用。
碳化硅晶片制备研磨高温加热过滤除杂抛光备用比例配料操作结束粗碳化硅二氧化硅生产效率原料混合混合料催化剂晶片

[发明专利]一种制备方法和晶片生长原料-CN202010440710.1有效
发明人：焦芳 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2020-05-22 - 公布日： 2022-06-17 - 主分类号： C30B35/00 文献下载
摘要：本发明提供一种碳化硅晶片生长原料的制备方法，所述制备方法包括：提供初始原料，所述初始原料包括碳粉料、硅粉料和碳化硅粉料；对所述初始原料进行加热，以得到所述碳化硅晶片生长原料。在本发明中，碳化硅晶片生长原料的初始原料中包括碳化硅粉料，该碳化硅粉料能够加快碳、硅反应速率，提高碳化硅晶片生长原料的颗粒生长速率，从而增大生长原料的颗粒体积，并提高碳化硅晶片生长原料的产率。本发明还提供一种碳化硅晶片生长原料。
一种制备方法晶片生长原料

[发明专利]一种清洗碳化硅晶片的方法-CN202310013148.8在审
发明人：田辉;林宏达;翟虎;宋亚滨 -专利权人：浙江兆晶新材料科技有限公司;东旭科技集团有限公司
申请日： 2023-01-05 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及半导体制造领域，公开了一种清洗碳化硅晶片的方法。该方法包括：(1)使用臭氧溶液对碳化硅晶片进行第一清洗，得到碳化硅晶片I；(2)使用二流体进行第二清洗，得到碳化硅晶片II；(3)使用氨水溶液进行第三清洗，得到碳化硅晶片III；(4)使用氢氟酸溶液进行第四清洗，得到碳化硅晶片IV；(5)对所述碳化硅晶片IV依次重复进行步骤(1)至步骤(4)中的操作；(6)使用所述臭氧溶液进行钝化处理。本发明提供的方法能有效去除碳化硅晶片的表面颗粒和金属污染物，并且提供碳化硅晶片的有效面积。
一种清洗碳化硅晶片方法

[发明专利]半导体装置的制造方法及半导体制造装置-CN202210868164.0在审
发明人：秋好恭兵;吉田敦史;中西洋介;香月真一郎 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2022-07-22 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：提供能够对多个SiC晶片间的氧化膜的厚度波动进行抑制的半导体装置的制造方法。还涉及半导体制造装置。在多个碳化硅晶片的下表面形成了第1无机膜后，以第1无机膜的厚度残留大于或等于750nm的方式进行多个碳化硅晶片的蚀刻，在蚀刻后进行热氧化处理而在多个碳化硅晶片的上表面形成氧化膜，在至少一个晶片及多个碳化硅晶片沿一个方向且使多个碳化硅晶片的上表面朝向一个方向地排列的状态下进行热氧化处理，该至少一个晶片包含哑晶片或监控晶片中的至少任意一者，在热氧化处理的状态下，多个碳化硅晶片中的第1碳化硅晶片配置于至少1个晶片的任意者的正下方，多个碳化硅晶片中的第2碳化硅晶片配置于多个碳化硅晶片中的第3碳化硅晶片的正下方。
半导体装置制造方法

[发明专利]一种结晶质量均匀的碳化硅单晶片及籽晶-CN202210005971.X有效
发明人：方帅;刘浩;赵树春;高宇晗;石志强;张宁;高超;窦文涛;周敏 -专利权人：山东天岳先进科技股份有限公司
申请日： 2022-01-04 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本申请公开了一种结晶质量均匀的碳化硅单晶片及籽晶，属于半导体材料领域。该结晶质量均匀的碳化硅单晶片，其特征在于，所述碳化硅单晶片的直径大于75mm，所述碳化硅单晶片为4H多型，所述碳化硅单晶片中的类米字形晶构的密度不大于5个/cm2；所述碳化硅单晶片的{0001}面上的所述类米字形晶构为具有不大于六条边的交叉型结构。本申请的碳化硅单晶片的缺陷数量少，尤其是避免了因籽晶表面形核缺陷导致靠近籽晶的碳化硅单晶片区域的缺陷数量高，碳化硅单晶片自靠近籽晶至长晶面质量均匀，碳化硅单晶片质量高。
一种结晶质量均匀碳化硅晶片籽晶

[发明专利]一种从碳化硅晶锭中剥离晶片的方法和装置-CN202211262662.7在审
发明人：尹韶辉;邱蕾;钱泽梁;刘坚;路恩会;索鑫宇 -专利权人：江苏优普纳科技有限公司;无锡市锡山区半导体先进制造创新中心
申请日： 2022-10-14 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种从碳化硅晶锭中剥离晶片的方法和装置，其中，碳化硅晶锭包括待剥离的晶片层、改质层和碳化硅基板，且改质层位于晶片层和碳化硅基板之间。本发明的从碳化硅晶锭中剥离晶片的方法包括：通过超声振动向碳化硅晶锭的改质层中注入预先备好的液体，待液体充满改质层后，对充入液体的碳化硅晶锭进行冷却处理，直至液体结冰使改质层膨胀断裂，晶片层与碳化硅基板分离，接着对分离后的晶片层进行磨削，得到晶片。本发明能够降低碳化硅晶片剥离时的材料损耗，从而可以有效提高碳化硅晶锭的利用率，并且本发明还能提高加工效率、降低制造成本。
一种碳化硅晶锭中剥离晶片方法装置

[发明专利]碳化硅晶棒多线切割方法-CN201910115290.7有效
发明人：卓廷厚;罗求发;黄雪润 -专利权人：厦门芯光润泽科技有限公司
申请日： 2019-02-14 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： B28D5/04 文献下载
摘要：一种碳化硅晶棒的多线切割方法，包括：在碳化硅晶棒的端面粘贴陪片；对粘贴有所述陪片的所述碳化硅晶棒进行多线切割，切割产生多个晶片，最外侧的所述晶片为端面晶片，所述端面晶片之外的所述晶片为中间晶片；分离所述陪片和所述端面晶片所述碳化硅晶棒的多线切割方法提高碳化硅晶棒的端面晶片质量和良品率，降低碳化硅晶片的加工成本。
碳化硅晶棒多线切割方法

[发明专利]一种碳化硅晶片贴蜡方法和辅助贴蜡装置-CN202210277587.5在审
发明人：张泽盛;张世博 -专利权人：北京晶格领域半导体有限公司
申请日： 2022-03-21 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： B28D5/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种碳化硅晶片贴蜡方法和辅助贴蜡装置，该碳化硅晶片贴蜡方法包括：利用辅助贴蜡装置将碳化硅晶片置于陶瓷盘上，并对陶瓷盘进行加热；待陶瓷盘达到预设温度时，在碳化硅晶片的待涂蜡表面的中心位置进行涂蜡；其中，待涂蜡表面为碳化硅晶片远离陶瓷盘的一面；利用辅助贴蜡装置将涂蜡的碳化硅晶片从陶瓷盘上取下并进行冷却，得到具有蜡层的碳化硅晶片；利用辅助贴蜡装置将具有蜡层的碳化硅晶片置于达到预设温度的陶瓷盘上，以实现碳化硅晶片与陶瓷盘的粘合本发明采用辅助贴蜡装置手动对碳化硅晶片进行贴蜡，降低对工人贴蜡熟练度的要求，能够在手动贴蜡中消除气泡，实现手动贴蜡的高效以及提高贴片成品率。
一种碳化硅晶片方法辅助装置

[发明专利]碳化硅晶片及其退火激活方法-CN202110546675.6在审
发明人：袁述;苗青;黎力;陈蕾;曹可 -专利权人：江苏中科汉韵半导体有限公司
申请日： 2021-05-19 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： H01L21/04 文献下载
摘要：本申请公开了一种碳化硅晶片及其退火激活方法，属于本申请涉及半导体器件制备领域。本申请提供的碳化硅晶片的退火激活方法，通过在碳化硅晶片的第一表面进行离子注入；在碳化硅晶片的第一表面进行镀膜，形成镀膜层；将所述碳化硅晶片的镀膜层与第一晶片的一侧表面贴合，得到贴合后的晶片；将所述贴合后的晶片进行退火处理；能够使得在高温退火处理时彼此贴合的晶片互相形成保护，减少高温退火处理对碳化硅晶片的影响，贴合面的镀膜在高温时发生熔融提高碳化硅晶片表面离子浓度。
碳化硅晶片及其退火激活方法

[发明专利]碳化硅外延晶片及其制造方法-CN201580047725.9有效
发明人：姜石民 -专利权人： LG伊诺特有限公司
申请日： 2015-07-31 - 公布日： 2020-08-28 - 主分类号： H01L29/16 文献下载
摘要：实施方案提供：用于制备碳化硅外延晶片的方法，所述方法包括以下步骤：准备晶片，向所述晶片施加反应气体，加热所述反应气体以产生中间化合物，以及利用产生的中间化合物在所述晶片上形成碳化硅外延层，其中所述反应气体包含多种烃类化合物；以及碳化硅外延晶片，所述碳化硅外延晶片包括由反应气体形成的碳化硅外延层，所述反应气体包含多种烃类化合物，其中在晶片上所述碳化硅外延层的C/Si值是均匀的，并因此可提高晶片上碳化硅外延层的均匀性。
碳化硅外延晶片及其制造方法

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