专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种硒硫化薄膜后硫化的方法及其制得的硒硫化薄膜和应用-CN202310569022.9在审
  • 高徽徽;黄玉茜;唐荣风;陈涛 - 中国科学技术大学
  • 2023-05-17 - 2023-08-04 - C03C17/22
  • 本发明属于硒硫化纳米材料技术领域,公开了一种硒硫化薄膜后硫化的方法及其制得的硒硫化薄膜和应用。本发明所述方法包括:将硫化钠溶液与硒硫化薄膜放置在同一密闭环境中,将硒硫化薄膜置于支撑结构上,硒硫化薄膜位于硫化钠溶液上方且不与硫化钠溶液接触,对密闭环境升温,进行蒸汽处理,洗涤、干燥,得到后硫化的硒硫化薄膜;所述硒硫化薄膜由水热法制备得到。本发明所述方法安全无毒,原料成本低廉,反应温度低且操作工艺简单,减少了薄膜内部硫空位的产生,提高了硒硫化薄膜的光电性能,将硫化后的硒硫化薄膜组装成太阳能电池,光电转换效率可达9.16%。
  • 一种硫化锑薄膜硫化方法及其应用
  • [发明专利]一种高纯硫化的制备方法-CN201911403754.0有效
  • 戴卫平;陈巍;郑春阳;韩龙;李建国;宋春丽;陈浩;马祥亚 - 昆明鼎邦科技股份有限公司
  • 2019-12-31 - 2023-03-28 - C01G30/00
  • 本发明公开一种高纯硫化的制备方法,所述方法包括步骤:将低纯硫化硫化精矿置于真空炉中,在第一预设温度条件下进行第一次蒸馏,使沸点低于硫化的杂质以及硫化同时挥发,通过控制真空蒸馏和冷凝的条件,收集得到仅含低沸点杂质的硫化;将所述含低沸点杂质的硫化置于另一真空炉中,常压下在第二预设温度条件下将收集得到的硫化进行匀化和再合成,然后在真空条件下进行第二次蒸馏进行除杂,使沸点低于硫化的杂质挥发而硫化不挥发,得到高纯硫化本发明提供的方法不使用酸碱等化学药剂,无三废排放,其工艺流程简单易操作,生产效率高;通过本发明制得的硫化纯度高达99.9%以上。
  • 一种高纯硫化锑制备方法
  • [发明专利]一种梯度带隙硒硫化太阳电池及其制备方法-CN202211343643.7在审
  • 李志强;冯阳;梁晓杨;王新华 - 河北大学
  • 2022-10-31 - 2023-01-31 - H01L31/032
  • 本发明提供了一种梯度带隙硒硫化太阳电池及其制备方法。所述梯度带隙硒硫化太阳电池采用了双梯度带隙硒硫化作为吸收层,双梯度带隙硒硫化吸收层是通过射流载气输运气相沉积技术、以硒硫化颗粒作为源、以硒化氢作为硒源制备而成,制备过程中通过调节硒化氢流量由小变大、再由大变小,从而得到双梯度带隙硒硫化吸收层。本发明所述方法为应用射流载气输运气相沉积技术沉积硒硫化薄膜,通过调控硒化氢的流量,从而实现双梯度带隙硒硫化吸收层的制备。本发明提供了一种新的梯度带隙硒硫化太阳电池的制备方法,能够有效优化硒硫化吸收层带隙结构,有助于器件性能的提升。
  • 一种梯度带隙硒硫化锑太阳电池及其制备方法
  • [发明专利]硫化矿-毒砂的浮选分离方法-CN87107129.0无效
  • 伍吉晖;吴暑莲;凌竟宏;黎友梅 - 广西冶金研究所
  • 1987-10-20 - 1992-02-05 - B03D1/00
  • 本发明涉及一种硫化矿与毒砂的浮选分离工艺。采用全抑制硫化、毒砂-活化捕收硫化的浮抑砷浮选工艺,在弱碱性介质中(pH=7.0-7.5),于磨矿过程中加入足量的亚硫酸钠,使硫化和毒砂均处于被抑制状态,然后将矿浆转至浮选槽,加入硝酸铅将硫化活化,加入少量捕收剂丁黄药将硫化上浮,毒砂仍留于槽中。最终获得含砷品位为0.24%以下,含品位在56%以上的精矿。的回收率达92%以上,除砷率达98%以上。
  • 硫化锑矿浮选分离方法
  • [发明专利]一种硫化薄膜的制备方法-CN201811555665.3有效
  • 刘芳洋;吴杰;韩璐;曾溢宇;孙振;陈佳;蒋良兴;贾明;刘业翔 - 中南大学
  • 2018-12-19 - 2021-11-30 - C23C14/06
  • 本发明公开一种硫化薄膜的制备方法,其中,制备硫化薄膜的原料为只经过简单筛选的辉锑矿物。本发明利用辉锑矿物中硫化与其他杂质的熔点差异,结合管式退火炉镀膜及退火一步处理,制备具有可以与以高纯硫化(≥99.999%)作为原料所制得的薄膜相媲美的薄膜。在制备硫化薄膜过程中,本发明在于既可避免制备高纯硫化原材料过程中所产生的环境污染问题,也可解决辉锑矿制备硫化薄膜时存在杂质和少硫的问题,且工艺流程简单高效,大大降低制备成本,稳定可靠,应用范围广泛,适用于绝大部分需要镀膜硫化的基底,是一种节能、高效、绿色、环保的方法。
  • 一种硫化锑薄膜制备方法
  • [发明专利]一种异质结、其制备方法和应用-CN201910436565.7有效
  • 宋海胜;侯腾轩;邓辉;张欢 - 华中科技大学;深圳华中科技大学研究院
  • 2019-05-23 - 2021-02-26 - H01L31/0236
  • 本发明属于半导体薄膜材料和太阳能电池技术领域,具体地,涉及一种异质结、其制备方法和应用,尤其涉及一种包含以[hk1]取向外延生长的硫化薄膜的异质结、其制备方法和应用。其包括衬底以及在该衬底表面外延生长的硫化薄膜,衬底与硫化薄膜形成异质结结构;该硫化薄膜与衬底材料晶面相匹配;所述硫化薄膜以分子链斜立的方式生长在衬底表面;所述硫化薄膜的生长取向以[hk1]为主,其中h和k为整数;所述硫化薄膜的表面具有陷光效应。以[hk1]取向外延生长的硫化薄膜作为太阳能电池的光吸收层,衬底薄膜作为太阳能电池的电子传输层,由此解决现有的以硫化薄膜作为光吸收层的太阳能电池光电转换效率低的技术问题。
  • 一种异质结制备方法应用
  • [发明专利]一种表面钝化制备硫化基薄膜太阳能电池的方法-CN201910993548.3有效
  • 李炫华;韩剑;曹琦 - 西北工业大学
  • 2019-10-18 - 2020-12-08 - H01L51/48
  • 一种表面钝化制备硫化基薄膜太阳能电池的方法,通过引入三氯化无机盐,并将其应用在硫化薄膜的后处理中,以达到抑制电池界面缺陷的目的。该处理方法有效钝化了硫化薄膜表面的缺陷态,抑制载流子复合,在阻挡电子的同时允许空穴遂穿到空穴传输层;同时该钝化处理方法耗能低、时间短,有益于进一步提升硫化基薄膜太阳能电池的能量转换效率。本发明在硫化薄膜表面形成一层三氯化无机盐钝化层,钝化了硫化表面的缺陷,抑制了载流子复合,提高了载流子传输,显著提高了硫化基薄膜太阳能电池的开路电压,短路电流密度,填充因子和能量转化效率。
  • 一种表面钝化制备硫化锑薄膜太阳能电池方法
  • [发明专利]一种含铁砷铅多元合金的分离回收方法-CN202310777047.8在审
  • 李一夫;马进萍;杨斌;黄大鑫;徐宝强;蒋文龙;田阳;陈秀敏;杨红卫;杨佳;吴鉴 - 昆明理工大学
  • 2023-06-28 - 2023-09-29 - C22B1/00
  • 本发明提供了一种含铁砷铅多元合金的分离回收方法,有色金属冶金技术领域。本发明的分离回收方法包括以下步骤:将含铁砷铅多元合金进行第一真空气化,分别得到铅蒸气和铁砷化合物;将所述铁砷化合物与硫蒸气进行硫化反应,得到金属硫化物;所述金属硫化物包括硫化铁、硫化砷和硫化;将所述金属硫化物进行第二真空气化,分别得到硫化铁和含有硫化砷蒸气与硫化蒸气的混合蒸气;将所述混合蒸气进行分级冷凝,分别得到硫化砷和硫化。本发明通过铅与铁砷的挥发性质的差异,将铅元素与铁砷分离;利用硫化铁与硫化砷、硫化的挥发性质差异,将铁元素与砷元素、元素分离;根据硫化砷和硫化的冷凝特性不同,将砷元素和元素分离。
  • 一种含铁砷锑铅多元合金分离回收方法

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