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[实用新型]一种硅片与硅片的加工模具-CN201120261392.9有效
发明人：沈彪;李向清;胡德良 -专利权人：江阴市爱多光伏科技有限公司
申请日： 2011-07-22 - 公布日： 2012-04-11 - 主分类号： H01L21/68 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种硅片与硅片的加工模具，在所述硅片中心设置有硅片通孔；在所述模具中心设置有与所述硅片通孔相对应的模具通孔；所述硅片通孔的大小与所述模具通孔的大小一致。由于在该硅片中心设置有通孔，从而可以通过目视硅片中心的通孔洞与模具的中心是否在相同点来进行校准。因此，本实用新型能够在不增加任何额外成本的情况下，对硅片位置进行准确校准。再由于本实用新型在模具中心设置了通孔，从而可以更好的研磨中心有通孔的硅片。
一种硅片加工模具

[发明专利]一种大尺寸硅片扩散工艺-CN202010003620.6有效
发明人：何秋霞;朱军;杨韦;马擎天 -专利权人：环晟光伏（江苏）有限公司
申请日： 2020-01-03 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供一种大尺寸硅片扩散工艺，将硅片放入扩散炉后，进行扩散，包括以下步骤，稳定硅片表面温度，减少硅片中心与边缘的温度差；制备氧化层，进行硅片表面氧化；低温恒定源扩散，进行硅片表面沉积磷源；高温推进，本发明的有益效果是具有稳定温度工序，减少硅片中心与边缘的温度差，再通入反应气体，使得硅片的均匀性更好。
一种尺寸硅片扩散工艺

[发明专利]监测膜厚均匀性的方法-CN200910057470.0无效
发明人：孙玲玲 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2009-06-25 - 公布日： 2010-12-29 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明公开了一种监测膜厚均匀性的方法，包括如下步骤：第1步，在一个硅片的薄膜上，取硅片中心位置的一个或多个测量点测量膜厚，取硅片边缘位置的一个或多个测量点测量膜厚；第2步，将硅片中心位置一个或多个测量点的膜厚平均值减去硅片边缘位置一个或多个测量点的膜厚平均值，得到一个具有正负的差值；第3步，当所述差值在预设的正常范围内，则判定所述薄膜膜厚的中心边缘差合格；否则即判定所述薄膜膜厚的中心边缘差不合格。本发明可以监测薄膜在硅片中心位置和硅片边缘位置的厚薄差异、以及具体的膜厚差值，工程技术人员可以据此判定所形成的薄膜是否合格，并采取相应的处理方式。
监测均匀方法

[发明专利]单晶硅体内BMD的批量评价方法-CN202111586944.8在审
发明人：倪浩然;谢国荣;冉泽平;祁海滨;王忠保 -专利权人：宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
申请日： 2021-12-23 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： G01N21/956 文献下载
摘要：单晶硅体内BMD的批量评价方法，选取不同氧含量的数个原始硅片；对数个原始硅片分别进行FTIR检测，获得每一原始硅片中心间隙氧的起始值；对每一个原始硅片采用相同的热处理工艺处理，得到处理硅片；对数个处理硅片分别进行FTIR检测，获得每一处理硅片中心间隙氧的剩余值；对数个处理硅片分别进行BMD检测，获得每一个处理硅片的BMD数值；对上述获得的中心间隙氧的起始值、中心间隙氧的剩余值、BMD数值的数据进行线性拟合，获得BMD个数与中心间隙氧的变化值的相关性公式，将待测试硅片通过FTIR检测待测试硅片的间隙氧的变化量，将间隙氧的变化量放入相关性公式中，得到BMD的数目。
单晶硅体内 bmd 批量评价方法

[发明专利]一种改善圆片成膜均匀性的加热方法-CN202210390072.6在审
发明人：邓欢;孙晨光;刘姣龙 -专利权人：中环领先半导体材料有限公司
申请日： 2022-04-14 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： B28D5/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种改善圆片成膜均匀性的加热方法，S1、将硅片放置于设备内部的托盘上，硅片边缘与托盘接触，硅片中心不接触；S2、再托盘的下方一定距离铺设石英板，石英板上方再铺设一层由若干小块石英板组成的热场改善层，小块石英板铺设时，铺设于对应硅片边缘位置下方，硅片中心区域下方不设有小块石英板，小块石英板制造了一个下凹的热场；S3、石英板下方再铺设加热丝，通过设定加热温度，加热硅片。通过人工干预热场分布，降低圆片中心及边缘的温度差，为均匀成膜提供了良好的温度条件，使出片均匀性大大提高。
一种改善圆片成膜均匀加热方法

[发明专利]安全传输硅片的机械手及方法-CN201511026648.7有效
发明人：徐冬 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2015-12-31 - 公布日： 2018-06-22 - 主分类号： H01L21/677 文献下载
摘要：本发明提供了一种安全传输硅片的机械手及方法，通过在机械手片叉上设置图像传感器，利用图像传感器获取硅片边缘位置数据，再通过判断器计算出硅片的识别中心位置，然后计算出识别中心位置超出片叉中心的超出范围，并且判断该超出范围是否在片叉中心的安全范围之内，若为否，则报警，并且根据该超出范围调整片叉位置，使片叉中心和硅片中心精确对准；进一步地，还可以获取支撑部件的位置数据，按照上述相同原理，来判断支撑部件的识别中心和硅片理论中心的超出范围，并且判断该超出范围是否在硅片理论中心的安全范围之内，若为否，则报警，并且调整片叉位置，使支撑部件中心和硅片中心精确对准，确保硅片传输过程中的安全性。
硅片机械手图像传感器安全传输硅片中心理论中心支撑部件对准报警硅片边缘位置支撑部件中心范围调整硅片传输位置数据调整片判断器安全

[发明专利]一种集成电路硅片表面氧化膜自适应均匀腐蚀方法-CN202010258262.3有效
发明人：罗继薇;张俊宝;陈猛 -专利权人：重庆超硅半导体有限公司;上海超硅半导体股份有限公司
申请日： 2020-04-03 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明公开了一种集成硅片（wafer）表面氧化膜均匀腐蚀去膜方法，应用于集成电路硅片分析过程中硅片表面膜层的均匀腐蚀。本发明方法包含硅片吸附夹具和表面腐蚀方法。硅片吸附夹具主要由托盘、支架、真空管路和高度调整四部分组成，托盘上面有三个真空吸盘，等分分布在以托盘中心为圆心的圆周上，通过内部管路联通真空吸附硅片，通过高度控制器使硅片处于水平状态。硅片表面膜层的均匀腐蚀方法为在硅片中心滴一滴腐蚀液，然后三个真空吸盘按照一定的频率振动，使腐蚀液滴在硅片表面匀速以螺纹渐开线形式运动，从硅片中心一直运动到硅片边缘，达到硅片表面膜层均匀去除的目的。
一种集成电路硅片表面氧化自适应均匀腐蚀方法

[发明专利]测量硅片径向电阻均匀性的装置及方法-CN202211613264.5在审
发明人：陈曦鹏;孙介楠;金花;朴星昱 -专利权人：西安奕斯伟材料科技有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司
申请日： 2022-12-15 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： G01R27/02 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种测量硅片径向电阻均匀性的装置及方法；所述装置包括：能够旋转的机械臂；设置于所述机械臂上的中心探针，所述中心探针用于测量待测硅片中心处的电阻；设置于所述机械臂上的至少一个边缘探针，所述边缘探针用于测量所述待测硅片边缘处的电阻；数据处理单元，所述数据处理单元用于根据所述待测硅片中心的电阻与所述不同的边缘去除量规格分别对应的多个所述目标边缘测量点的电阻，计算获得所述不同的边缘去除量规格分别对应的所述待测硅片的径向电阻均匀性。
测量硅片径向电阻均匀装置方法

[发明专利]一种涂布机构以及在硅片上涂布HMDS的方法-CN201811064491.0有效
发明人：吴林;张辰明 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2018-09-12 - 公布日： 2022-04-22 - 主分类号： G03F7/16 文献下载
摘要：本发明提供了一种涂布机构和在硅片上涂布HMDS的方法，所述涂布机构包括涂布通道机构，所述涂布通道机构包括中央通道和周边通道，所述中央通道用于对硅片的中心区域进行涂布，所述周边通道用于对硅片的周边区域进行涂布，而且对硅片中心区域和周边区域的涂布是分步进行的，如此便可避免HMDS气体重复在硅片中心区域进行涂布，而周边区域涂布不到位的问题，也从一定程度上减少了HMDS从中心区域扩散到周边区域的时间，从而减少了制程的总时间
一种机构以及硅片上涂布 hmds 方法

[发明专利]一种硅片检测仪-CN201210164856.3无效
发明人：史志和;王康;张凯 -专利权人：天津英利新能源有限公司
申请日： 2012-05-24 - 公布日： 2012-09-19 - 主分类号： G01N3/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅片检测仪，包括支撑体、千分表和砝码；支撑体具有支撑面水平的支撑件，支撑件支撑待测硅片的周部；支撑件的外侧具有定位件，定位件的内侧接触待测硅片，待测硅片每边接触至少一个定位件；千分表位于支撑体内部，千分表指针的中心线穿过待测硅片的几何中心；砝码的组合能够组成预定的重量，并放置在待测硅片的中央。硅片检测仪检测硅片时，硅片放置在支撑件上由定位件定位，千分表的触点抵顶硅片中央并调零，将预定重量的砝码放置在硅片中央，此时，千分表的读数能够反映硅片中央的实际变形量，如果此实际变形量大于合格变形量的最小值，则此硅片合格。此硅片检测仪结构简单操作方便，与现有技术相比，更适用于生产一线。
一种硅片检测

[发明专利]调焦调平光斑水平位置的测量方法-CN201310429103.5有效
发明人：韩春燕 -专利权人：上海微电子装备有限公司
申请日： 2013-09-18 - 公布日： 2017-01-04 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种调焦调平光斑水平位置的测量方法，应用于投影光刻机设备中，采用工具硅片，所述工具硅片上设有对准标记、方形标记和参考区域，该测量方法包括：步骤1：利用工具硅片上的对准标记和硅片对准系统，计算工具硅片中心与对准光轴的位置偏差；步骤2：通过调焦调平光斑在工具硅片的四个上片方向上对工具硅片上的方形标记和参考区域进行扫描，并获取扫描结果；步骤3：利用工具硅片中心与对准光轴的位置偏差和扫描结果，计算调焦调平光斑中心与对准光轴的位置偏差本发明采用工具硅片作为辅助工具，采用硅片对准的方法测量调焦调平光斑的水平位置，由于硅片对准的精度较高，因此可以获得更加精确的光斑位置。
调焦平光水平位置测量方法

[发明专利]单晶硅片氧化吸杂工艺、太阳能电池片制备工艺及硅片-CN202110127530.2在审
发明人：何秋霞;朱军;李慧;王鹏;马擎天 -专利权人：环晟光伏（江苏）有限公司
申请日： 2021-01-29 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供一种单晶硅片氧化吸杂工艺、太阳能电池片制备工艺及硅片，包括以下步骤：升温阶段：将氧化炉温度升至700‑950℃，并通入氮气；稳温阶段：保持氧化炉的温度为700‑950℃，通入氮气；氧化吸杂：保持氧化炉的温度为本发明的有益效果是将硅片中的杂质富集到氧化层，并进行去除氧化层工序，将氧化层去除，进而将硅片中杂质去除，减少硅片中少数载流子复合中心，提高电池的开路电压，提高太阳电池光电转换效率。
单晶硅氧化杂工太阳能电池制备工艺硅片

[发明专利]使用普通喷嘴实现降低阻胶消耗的光刻胶涂布工艺-CN200810207833.X无效
发明人：徐建卫 -专利权人：上海先进半导体制造股份有限公司
申请日： 2008-12-25 - 公布日： 2010-06-30 - 主分类号： G03F7/16 文献下载
摘要：本发明揭示了一种使用普通喷嘴实现降低阻胶消耗的光刻胶涂布工艺，利用空闲的喷嘴，在空闲的喷嘴的管路中添加溶剂，该光刻胶涂布工艺包括：将空闲的喷嘴移动至硅片中心，硅片保持静止；空闲的喷嘴向硅片上喷射溶剂，硅片保持静止；空闲的碰嘴返回，硅片保持静止；光刻胶喷嘴移动至硅片中心，硅片保持静止；加速旋转硅片至第一旋转速度；光刻胶喷嘴向硅片上喷射光刻胶，硅片保持第一旋转速度；将硅片的旋转减速至第二旋转速度，第二旋转速度小于第一旋转速度；维持硅片以第二旋转速度旋转第一时间，光刻胶喷嘴返回。
使用普通喷嘴实现降低消耗光刻胶涂布工艺

[发明专利]用于制备稳定的理想的氧沉淀硅片的方法-CN200480025648.9无效
发明人： R·J·法尔斯特;V·V·沃龙科夫 -专利权人： MEMC电子材料有限公司
申请日： 2004-06-25 - 公布日： 2006-10-11 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种单晶直拉型硅片，以及一种用于制备该硅片的方法，该硅片中的稳定的氧沉淀物成核中心具有非均匀的分布。具体地，峰值浓度位于硅片主体内，而无沉淀物区域从表面向内延伸。
用于制备稳定理想沉淀硅片方法

[发明专利]降低硅片吸杂退火麻点不良的方法-CN202310300969.X在审
发明人：高永强 -专利权人：通威太阳能（安徽）有限公司
申请日： 2023-03-23 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供了一种降低硅片吸杂退火麻点不良的方法，包括以下步骤：对待处理硅片进行超声波清洗，以去除待处理硅片上的硅粉，得到第一硅片中间体；对第一硅片中间体进行第一酸处理，以去除第一硅片中间体上的金属杂质和有机脏污，得到第二硅片中间体；对第二硅片中间体进行制绒，以在第二硅片中间体的表面形成金字塔绒面，得到第三硅片中间体；对第三硅片中间体进行第二酸处理，以去除第三硅片中间体上的金属杂质。本发明降低了硅片在吸杂退火后麻点的不良比例以及提高后续制备的太阳电池的转换效率。
降低硅片退火麻点不良方法

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