“硅沉积”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果431485个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]通过大表面积气-固界面及液相再生沉积高纯硅-CN201310182412.7无效
发明人：卡甘·塞兰 -专利权人：卡甘·塞兰
申请日： 2008-04-25 - 公布日： 2013-10-16 - 主分类号： C01B33/035 文献下载
摘要：固态硅通过被混合和泵送经过沉积板的表面的气态三氯氢硅和氢的还原反应来沉积在电加热的沉积板上。沉积板可以具有多种大表面积的几何形状，诸如同心圆筒、螺旋或者重复的S形。一旦已经沉积所需量的硅，沉积板就被加热到高于硅的熔点的温度，从而导致沉积的硅由于重力而以硅壳的形式从沉积板上滑落。剩下的沉积板涂覆有包含从沉积板上溶入的任何杂质的液态硅薄膜。该薄膜被单独地从主体硅壳上熔融掉落以避免污染硅壳，这样沉积板就已备好用于下一沉积周期。
通过表面积界面再生沉积高纯

[发明专利]通过大表面积气-固或气-液界面及液相再生沉积高纯硅-CN200880013726.1无效
发明人：卡甘·塞兰 -专利权人：卡甘·塞兰
申请日： 2008-04-25 - 公布日： 2010-05-12 - 主分类号： C01B33/035 文献下载
摘要：固态硅通过被混合和泵送经过沉积板的表面的气态三氯氢硅和氢的还原反应来沉积在电加热的沉积板上。沉积板可以具有多种大表面积的几何形状，诸如同心圆筒、螺旋或者重复的S形。一旦已经沉积所需量的硅，沉积板就被加热到高于硅的熔点的温度，从而导致沉积的硅由于重力而以硅壳的形式从沉积板上滑落。剩下的沉积板涂覆有包含从沉积板上溶入的任何杂质的液态硅薄膜。该薄膜被单独地从主体硅壳上熔融掉落以避免污染硅壳，这样沉积板就已备好用于下一沉积周期。
通过表面积界面再生沉积高纯

[发明专利]硅基负极材料及其制备方法-CN202310917101.4在审
发明人：请求不公布姓名 -专利权人：苏州佩瓦能源科技有限公司
申请日： 2023-07-25 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅基负极材料及其制备方法，其中，硅基负极材料包括硅碳复合颗粒，硅碳复合颗粒以多孔碳骨架为基体并经气态硅源、气态碳源交替沉积而成。制备方法包括将多孔碳骨架投入至沉积设备中，并对多孔碳骨架进行至少一次复合沉积，以形成硅碳复合颗粒，复合沉积包括依次进行的硅沉积、碳沉积；其中，硅沉积包括如下步骤：采用稀释气体对气态硅源进行稀释，以形成混合气体；将混合气体投入至沉积设备中，并将沉积温度控制在350～600℃，沉积时间控制在0.1～100h，以使沉积在多孔碳骨架上的硅层厚度在0.1～20nm之间。本发明的硅基负极材料及其制备方法在保证电容量的同时，能抑制体积膨胀，延长电池的循环寿命。
负极材料及其制备方法

[发明专利]一种降低碳硅接触电阻的方法-CN202010723152.X在审
发明人：秦臻;王沛远;杨克蒋;朱景兵;施正荣 -专利权人：浙江海晫新能源科技有限公司
申请日： 2020-07-24 - 公布日： 2020-11-10 - 主分类号： H01M8/0228 文献下载
摘要：本发明公开了一种降低碳硅接触电阻的方法，包括硅板，通过如下工艺来降低硅板和碳膜之间的接触电阻；工艺包括如下操作步骤：S10)、准备硅板，硅板采用掺杂导电的晶体硅材料制成；S20)、在硅板上通过沉积工艺得到过渡沉积膜和碳沉积膜，过渡沉积膜和碳沉积膜通过单独沉积工艺分别成型得到或通过单次沉积工艺一次成型得到；本发明通过设置过渡沉积膜的结构设计，使得硅板和碳沉积膜之间的接触电阻得到显著降低。
一种降低接触电阻方法

[发明专利]纳米晶硅有源膜及其制备方法与薄膜晶体管-CN202210385387.1在审
发明人：王伟;朱虹玲;卓恩宗;康报虹 -专利权人：滁州惠科光电科技有限公司;惠科股份有限公司
申请日： 2022-04-13 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种纳米晶硅有源膜及其制备方法与薄膜晶体管，纳米晶硅有源膜的制备方法包括：提供绝缘材料层，在绝缘材料层的表面进行第一沉积速率沉积处理，形成硅种子层；在硅种子层背离绝缘材料层的表面进行第二沉积速率沉积处理，形成硅缓冲层；在所述硅缓冲层背离所述硅种子层的表面进行第三沉积速率沉积处理，形成硅本体层，得到纳米晶硅有源膜。该方法通过在硅种子层和硅本体层之间制备硅缓冲层，进一步逐渐提高结晶度，确保进行第三沉积速率沉积处理形成的硅本体层结晶度较高、迁移率较高；此外，该制备方法工艺简单，分别通过控制三次不同沉积速率的方法即可得到纳米晶硅有源膜
纳米有源及其制备方法薄膜晶体管

[发明专利]化学气相沉积非晶硅镀膜均匀性的改善方法-CN201910190768.2有效
发明人：王鹏翔 -专利权人： TCL华星光电技术有限公司
申请日： 2019-03-13 - 公布日： 2021-03-23 - 主分类号： C23C16/52 文献下载
摘要：本发明涉及一种化学气相沉积非晶硅镀膜均匀性的改善方法。该化学气相沉积非晶硅镀膜均匀性的改善方法包括：降低非晶硅镀膜结构中高速沉积非晶硅层所占厚度比例；以及选定化学气相沉积制备高速沉积非晶硅层的关键参数，使得所述高速沉积非晶硅层均匀性较佳；所述非晶硅镀膜结构中高速沉积非晶硅层所占厚度比例小于应用本发明化学气相沉积非晶硅镀膜均匀性改善方法改善非晶硅镀膜均匀性后，机台间差异变小，且整体随时间及机台变化较小，镀膜稳定，对产品特性及品质稳定有较大帮助。
化学沉积非晶硅镀膜均匀改善方法

[发明专利]薄硅化钨层沉积和栅金属集成-CN200580024386.9无效
发明人：李明;树林·王 -专利权人：应用材料股份有限公司
申请日： 2005-07-07 - 公布日： 2007-06-27 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于沉积栅极层的方法。该方法包括沉积掺杂多晶硅层、薄硅化钨层和金属层。一方面，在集成处理系统内沉积该掺杂多晶硅层和薄多晶硅层。另一方面，沉积该薄硅化钨层包括将多晶硅层暴露于硅源中、沉积硅化钨层，并将该硅化钨层暴露于硅源中。
薄硅化钨层沉积金属集成

[发明专利]一种大直径硅基多晶硅膜的制备方法-CN201510957204.9有效
发明人：徐继平;曲翔;刘斌;李耀东;王海涛;程凤伶;刘俊;肖清华;卢立延;盛方毓;边永智;宁永铎;何宇;王雷;张建;刘浩懿 -专利权人：有研半导体材料有限公司
申请日： 2015-12-18 - 公布日： 2019-03-29 - 主分类号： C30B28/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种大直径硅基多晶硅膜的制备方法，包括低温高速沉积步骤和高温低速沉积步骤；在低温高速沉积步骤中，温度为600℃‑640℃，转速为1.5‑2.5rpm；在高温低速沉积步骤中，温度为660℃‑690本发明的方法通过先低温高速沉积后高温低速沉积的组合方式沉积多晶硅薄膜，能够显著改善BOW/WARP参数。本发明工艺控制简单，有效控制多晶硅薄膜应力，满足硅基材料多晶沉积，特别是8英寸以上大直径硅基材料多晶沉积。
沉积高速沉积多晶硅膜硅基材料多晶硅基制备沉积多晶硅薄膜多晶硅薄膜工艺控制有效控制组合方式

[发明专利]低缺陷掺杂多晶硅及其制备方法-CN202211157224.4在审
发明人：胡良斌 -专利权人：广州粤芯半导体技术有限公司
申请日： 2022-09-22 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： C30B28/14 文献下载
摘要：本申请涉及一种低缺陷掺杂多晶硅及其制备方法，其制备方法包括：保护气体氛围下，将多晶硅在硅烷和掺杂气体的混合气体下进行预沉积，制备掺杂多晶硅预成品；提高沉积压力，将掺杂多晶硅预成品在硅烷和掺杂气体的混合气体下进行主沉积；预沉积有多次，每次预沉积的沉积压力逐次升高；每次预沉积的时间相等。通过在主沉积步骤之前添加沉积压力低于主沉积的沉积压力的预沉积步骤，可以有效减少将压力由底压直接一步升到主沉积压力，直接在主沉积压力下进行掺杂时由于压力相对较高导致的硅原子的扩散聚集，从而改善掺杂多晶硅表面形成大量多晶堆积和凹坑的情况，得到低缺陷掺杂多晶硅。
缺陷掺杂多晶及其制备方法

[发明专利]具有柱状晶粒的硅粘合涂层及其形成方法-CN201910695247.2有效
发明人：格伦·哈罗德·柯比;贾斯汀·迈克尔·纳吉;约翰·塔姆·阮;杰弗里·艾伦·布罗斯;布莱恩·哈维·比尔森纳;罗伯特·马丁·费克 -专利权人：通用电气公司
申请日： 2019-07-30 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： C23C16/24 文献下载
摘要：该方法可以包括在基底的表面上形成硅基粘合涂层并在硅基粘合涂层上形成隔离涂层。硅基粘合涂层包括晶体硅的柱状晶粒。化学气相沉积(CVD)可用于在沉积温度和沉积压力下通过含硅前体的CVD来形成硅基粘合涂层，该沉积温度和沉积压力在硅基粘合涂层的沉积期间引起硅材料的结晶。含硅前体可以是硅烷、一氯甲硅烷、二氯甲硅烷和/或三氯甲硅烷。
具有柱状晶粒粘合涂层及其形成方法

[发明专利]一种基于化合物半导体激光器的硅基集成光源-CN202310278037.X在审
发明人：张敏明;田琦 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2023-03-21 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H01S5/026 文献下载
摘要：本发明公开一种基于化合物半导体激光器的硅基集成光源，包括：绝缘体上硅SOI区、沉积硅区、键合区和激光器区；激光器区通过键合区集成到SOI区及沉积硅区的上方；沉积硅区在绝缘体上硅区上采用低温沉积非晶硅制成，包括第一沉积硅锥形波导、沉积硅过渡波导和第二沉积硅锥形波导；激光器区包括有源区、光栅层、激光器过渡波导和激光器锥形波导；激光器区沿出光方向的右侧镀高反膜，左侧镀增透膜，构建谐振腔；光栅层对光信号选模得到目标光信号，经激光器锥形波导耦合到第二沉积硅锥形波导，再经第一沉积硅锥形波导耦合到SOI锥形波导，沿SOI硅波导输出高功率光信号。提高光耦合效率，实现高可靠、高输出光功率、低成本的硅基集成光源。
一种基于化合物半导体激光器集成光源

[发明专利]相变非易失性存储器及其加工方法-CN201010248140.2有效
发明人：三重野文健;庞军玲 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2010-08-05 - 公布日： 2012-03-14 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种相变非易失性存储器的加工方法，包括以下步骤：成型出N型硅衬底，在该N型硅衬底上方成型出氧化硅层，在该氧化硅层中刻蚀出氧化硅凹槽；在氧化硅凹槽中的N型硅衬底上外延生长出本征沉积硅层；在本征沉积硅层上外延生长出p型沉积硅层；在p型沉积硅层上外延生长出锗化硅层；在锗化硅层上外延生长出另外一层本征沉积硅层；将外延生长出的本征沉积硅层刻蚀去除，使锗化硅层处于氧化硅凹槽中的最上一层；在锗化硅层上沉积出相变材料层。本发明的加工方法，使得在对本征沉积硅进行腐蚀去除的过程中，腐蚀结束本征沉积硅以后不再对锗化硅层进行腐蚀，从而也就避免了对所述锗化硅层下方的p型沉积硅层的过腐蚀。
相变非易失性存储器及其加工方法

[发明专利]多晶硅的沉积方法及接触插塞的制造方法-CN202110020532.1在审
发明人：崔锺武;金成基;熊文娟;蒋浩杰;李亭亭;崔恒玮;罗英 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2021-01-07 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本发明涉及多晶硅的沉积方法及位线/存储节点接触插塞的制造方法。一种多晶硅的沉积方法，包括：提供一待沉积多晶硅的半导体结构；将所述半导体结构置于沉积炉中，升温至T1后，保持恒温，在恒温下进行第一阶段硅沉积；然后按一定速率升温至T2，在升温过程中同时不断沉积硅，完成第二阶段硅沉积；继续使温度保持在T2，保持恒温，在恒温下进行第三阶段硅沉积；其中，T1和T2的范围均为300～650℃，并且T2＞T1。本发明用于凹槽内沉积时具有较高的台阶覆盖率，并且由于在升温过程中完成了部分硅沉积，沉积效率相比现有技术大幅提高。
多晶沉积方法接触制造

[发明专利]具有NIP隧穿结的a-Si/μc-SiGe叠层太阳能电池及其制造方法-CN201210230875.1无效
发明人：何文;俞远高;张鹏强;成惠峰;王闪闪;徐娜;柏龙凤;葛伟青;丰浩 -专利权人：圣睿太阳能科技（镇江）有限公司
申请日： 2012-07-04 - 公布日： 2012-10-24 - 主分类号： H01L31/076 文献下载
摘要：其方法包括以下步骤：步骤一，生成上层电池的非晶硅薄膜，步骤包括，以已知方法沉积P型非晶硅窗囗层；以已知方法沉积本征非晶硅吸收层；沉积N型非晶硅层。步骤二，生成下层电池的微晶硅薄膜，步骤包括，将步骤一制作的电池放入真空室里，在通入氩气的条件下，刻蚀氧化层；沉积沉积N型微晶硅层；沉积本征微晶硅层；沉积P型微晶硅层；沉积本征微晶硅锗吸收层；沉积N型微晶硅层步骤三，在PVD反应室里以已知方法依次沉积ZnO和Al膜，厚度分别为70和300nm。本发明的方法能与现有PECVD法的工艺兼容，同时提高了电池的转化效率。
具有 nip 隧穿结 si sige 太阳能电池及其制造方法

[发明专利]一种用于硅异质结太阳电池生产的单腔PECVD沉积工艺-CN202011062480.6在审
发明人：刘文柱;张丽平;刘正新;黄圣磊;李晓东 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2020-09-30 - 公布日： 2021-01-26 - 主分类号： C23C16/50 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于硅异质结太阳电池生产的单腔PECVD沉积工艺，该硅异质结太阳电池包括本征非晶硅薄膜和掺杂硅薄膜，该单腔PECVD沉积工艺包括在同一PECVD沉积腔室中沉积本征非晶硅薄膜和掺杂硅薄膜，其中，在沉积掺杂硅薄膜之后通过氧化性等离子体对PECVD沉积腔室进行后处理，以利用氧化性等离子体产生的氧化性粒子钝化附着在PECVD沉积腔室上的掺杂原子使其失去活性以避免交叉污染。根据本发明的用于硅异质结太阳电池生产的单腔PECVD沉积工艺，引入氧化性等离子体，实现了对PECVD沉积腔室的沉积腔壁上残余掺杂原子的钝化作用，有效避免了不同硅薄膜沉积之间的交叉污染，而且能够获得很高的光电转换效率
一种用于硅异质结太阳电池生产 pecvd 沉积工艺

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 100000 条