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[实用新型]硅异质结太阳电池-CN201720708354.0有效
发明人：王伟;田宏波;赵晓霞;王恩宇;宗军;李洋;杨瑞鹏;周永谋 -专利权人：国家电投集团科学技术研究院有限公司
申请日： 2017-06-16 - 公布日： 2018-04-13 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本实用新型公开了硅异质结太阳电池，该硅异质结太阳电池包括n型晶硅衬底；第一轻掺杂n型氢化非晶硅层；重掺杂p型氢化非晶硅发射极层；第一透明导电氧化物层；第二轻掺杂n型氢化非晶硅层；重掺杂n型氢化非晶硅背场层该硅异质结太阳电池采用轻掺杂的氢化非晶硅替代本征非晶硅作为钝化层，可以在保证良好的界面钝化作用的前提下，显著改善串联电阻，提高电池性能。
硅异质结太阳电池

[发明专利]一种硅异质结太阳电池组件的制作方法-CN202010417758.0在审
发明人：韩安军;刘正新;孟凡英;张丽平;石建华;杜俊霖;陈红元;李金萍;周华;谢毅 -专利权人：中威新能源（成都）有限公司
申请日： 2020-05-18 - 公布日： 2020-09-25 - 主分类号： H01L31/074 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅异质结太阳电池组件的制作方法，解决了因焊接和层压高温对太阳电池钝化效果和转换效率带来的劣化问题，属于太阳电池技术领域，制作步骤为：(1)制备硅异质结太阳能电池；(2)将硅异质结太阳电池进行串并联形成硅异质结太阳电池串；(3)铺设组件封装材料形成堆叠物；(4)将堆叠物放入层压机中，采用LED光源作为加热源进行层压制备组件，层压完成后得到硅异质结太阳电池组件；本发明通过采用LED光源作为层压加热源，在对组件进行层压的过程中同时完成对硅异质结电池片的高温下光注入处理，显著改善非晶硅对异质结太阳电池的钝化效果，提升太阳电池的转换效率，增加太阳电池组件的输出功率，同时加热快，效率高，能耗低。
一种硅异质结太阳电池组件制作方法

[实用新型]晶体硅-非晶硅异质结太阳电池-CN200820169329.0有效
发明人：李志强;黄岳文;易月星;唐则祁;胡宏勋 -专利权人：宁波尤利卡太阳能科技发展有限公司
申请日： 2008-11-29 - 公布日： 2009-11-18 - 主分类号： H01L31/072 文献下载
摘要：一种晶体硅-非晶硅异质结太阳电池，包括第二电极(2)和设于晶体硅-非晶硅异质结太阳电池背光面(9)上的第一电极(1)，所述的第二电极(2)设于所述的晶体硅-非晶硅异质结太阳电池的背光面(9)。本实用新型晶体硅-非晶硅异质结太阳电池增加了受光面积以提高光电转换效率。
晶体非晶硅异质结太阳电池

[发明专利]一种硅基钙钛矿异质结太阳电池及其制备方法-CN201510283480.1有效
发明人：沈辉;吴伟梁;包杰;邱开富 -专利权人：中山大学
申请日： 2015-05-28 - 公布日： 2017-11-10 - 主分类号： H01L51/46 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅基钙钛矿异质结太阳电池，该太阳电池的结构从上至下为铝电极、金导电膜、钙钛矿、氧化铝、n型硅片和银电极，其中钙钛矿为CH3NH3PbI3。本发明硅基钙钛矿异质结太阳电池与传统硅基异质结太阳电池材料相比具有更优越的电学与光学性能，作为钙钛矿/硅异质结太阳电池的发射极，可实现对光谱的分段吸收，钙钛矿吸收可见光部分，硅吸收红外部分，使得太阳光的利用更加充分本发明还公开了上述硅基钙钛矿异质结太阳电池的制备方法。
一种硅基钙钛矿异质结太阳电池及其制备方法

[实用新型]一种异质结太阳电池-CN202121187548.3有效
发明人：张海川;袁强;石建华;孟凡英;刘正新;程琼;周华 -专利权人：中威新能源(成都)有限公司
申请日： 2021-05-28 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种异质结太阳电池，涉及异质结太阳电池领域。该异质结太阳电池包括硅衬底，硅衬底的正面依次叠加设置有正面钝化层、n型掺杂层、正面TCO层和正面电极，硅衬底的背面依次叠加设置有背面钝化层、p型掺杂层、背面TCO层和背面电极，正面TCO层和/或背面TCO该异质结太阳电池在保证电池成本、效率的同时，有效提升异质结太阳电池的可靠性，减缓异质结太阳电池的老化衰减。
一种异质结太阳电池

[发明专利]一种硅基硫化锌异质结太阳电池及其制备方法-CN201611205458.6在审
发明人：沈辉;邱开富;邱德鹏;谢琦;蔡伦;吴伟梁 -专利权人：中山大学
申请日： 2016-12-23 - 公布日： 2017-05-31 - 主分类号： H01L31/074 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅基硫化锌异质结太阳电池，所述硅基硫化锌异质结太阳电池的结构为银前电极/氢掺杂AZO透明导电膜/硫化锌薄膜/硅基体/铝背场/铝电极，所述硫化锌薄膜为n型硫化锌发射极，所述硅基体为p型单晶硅，所述n型硫化锌发射极与所述p型单晶硅形成异质结太阳电池。该异质结太阳电池中硫化锌与硅晶格匹配好，具有较高的开路电压与短路电流，转换效率高；本发明还公开了上述硅基硫化锌异质结太阳电池的制备方法，该制备方法成本和能耗低，避免了高温过程。
一种硫化锌异质结太阳电池及其制备方法

[实用新型]一种晶体硅异质结太阳电池结构-CN201820674074.7有效
发明人：彭德香;徐昕;周浪;黄海宾;刘超;任栋梁;吴小元;何学勇;汤波;江超 -专利权人：中智（泰兴）电力科技有限公司
申请日： 2018-05-08 - 公布日： 2018-11-30 - 主分类号： H01L31/074 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种晶体硅异质结太阳电池结构，在制绒的n型晶体硅片的一面或两面依次沉积本征非晶硅基薄膜、掺杂非晶硅薄膜、氧化铟钛ITiO薄膜。本实用新型的晶体硅异质结太阳电池结构均匀性、稳定性好，沉积速率快可满足高速率生产的需要；用于晶体硅异质结太阳电池的大规模生产，可得到转换效率大于22.5%的晶体硅异质结太阳电池，良品率可大于99.5%。
异质结太阳电池晶体硅本实用新型沉积掺杂非晶硅薄膜本征非晶硅结构均匀性氧化铟钛转换效率基薄膜良品率制绒薄膜生产

[实用新型]一种晶体硅异质结太阳电池结构-CN201721902869.0有效
发明人：张闻斌;黄海宾;李杏兵;王月斌;王磊;徐昕;彭德香 -专利权人：中智(泰兴)电力科技有限公司
申请日： 2017-12-29 - 公布日： 2018-11-30 - 主分类号： H01L31/0747 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种晶体硅异质结太阳电池结构，在制绒的n型晶体硅片的一面或两面依次沉积本征非晶硅基薄膜、掺杂非晶硅薄膜、氧化铟钛ITiO薄膜。本实用新型的晶体硅异质结太阳电池结构均匀性、稳定性好，沉积速率快可满足高速率生产的需要；用于晶体硅异质结太阳电池的大规模生产，可得到转换效率大于22.5％的晶体硅异质结太阳电池，良品率可大于99.5％。
异质结太阳电池晶体硅本实用新型沉积掺杂非晶硅薄膜本征非晶硅结构均匀性氧化铟钛转换效率基薄膜良品率制绒薄膜生产

[发明专利]一种异质结太阳电池及其制备方法-CN202110596804.2在审
发明人：张海川;袁强;石建华;孟凡英;刘正新;程琼;周华 -专利权人：中威新能源(成都)有限公司
申请日： 2021-05-28 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种异质结太阳电池及其制备方法，涉及异质结太阳电池领域。该异质结太阳电池包括硅衬底，硅衬底的正面依次叠加设置有正面钝化层、n型掺杂层、正面TCO层和正面电极，硅衬底的背面依次叠加设置有背面钝化层、p型掺杂层、背面TCO层和背面电极，正面TCO层和/或背面TCO该异质结太阳电池及其制备方法在保证电池成本、效率的同时，有效提升异质结太阳电池的可靠性，减缓异质结太阳电池的老化衰减。
一种异质结太阳电池及其制备方法

[发明专利]一种钙钛矿/硅异质结叠层太阳电池的封装方法-CN201711453544.3有效
发明人：张晓丹;朱世杰;黄伟;侯福华;石标;李跃龙;魏长春;丁毅;任慧志;黄茜;侯国付;陈新亮;王广才;许盛之;徐文涛;赵颖 -专利权人：南开大学;天合光能股份有限公司
申请日： 2017-12-28 - 公布日： 2019-11-26 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供一种钙钛矿/硅异质结叠层太阳电池的封装方法，涉及太阳电池领域。该方法是在钙钛矿/硅异质结叠层太阳电池正表面，利用特殊设计的掩膜板来制备便于封装的透明电极与金电极，再使用平均透过率在89％以上的超薄玻璃或者聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)膜以及透明AB胶来对钙钛矿/硅异质结叠层太阳电池进行封装，最大程度地保证了密封性，使得钙钛矿/硅异质结叠层太阳电池的稳定性得到明显的提升，且方法简单，易于实施。
叠层太阳电池硅异质结钙钛矿封装聚对苯二甲酸乙二醇酯最大程度地超薄玻璃透明AB胶透明电极金电极密封性透过率掩膜板再使用正表面制备保证

[发明专利]一种硅薄膜异质结太阳电池及其制作方法-CN201110390864.5无效
发明人：沈辉;刘超;梁齐兵;艾斌 -专利权人：中山大学
申请日： 2011-11-30 - 公布日： 2012-05-02 - 主分类号： H01L31/072 文献下载
摘要：本发明属于太阳电池技术领域，具体公开一种新型的硅薄膜异质结太阳电池及其制作方法。该硅薄膜异质结太阳电池包括具有导电薄膜的衬底，所述衬底的导电薄膜上设有第一晶体硅薄膜层，所述该第一晶体硅薄膜层上依次设有本征非晶体硅薄膜层、第二晶体硅薄膜层和透明导电薄膜层，所述透明导电薄膜层上设有金属电极该硅薄膜异质结太阳电池具有较高的效率和较好的稳定性，同时薄膜厚度远远小于目前的晶体硅薄膜太阳电池，减少材料消耗，降低生产成本。
一种薄膜异质结太阳电池及其制作方法

[发明专利]非晶硅－晶体硅异质结太阳电池-CN200610024876.5无效
发明人：袁晓;李涛勇 -专利权人：上海太阳能科技有限公司
申请日： 2006-03-20 - 公布日： 2007-09-26 - 主分类号： H01L31/042 文献下载
摘要：本发明公开了一种非晶硅－晶体硅异质结太阳电池的结构，在太阳电池受光面电极与N型硅扩散层间还包括有一层非晶硅薄膜层；该非晶硅薄膜层与N型硅扩散层形成异质高低结结构。本发明利用不同性质半导体材料不同的光吸收特性和半导体异质结带来的二维电子气效应，达到了比普通的晶体硅太阳电池更高光电转换效率；比普通非晶硅太阳电池更好的长期使用稳定性和更高的光电转换效率；以及比单纯的非晶硅－单晶硅异质结太阳电池具有更低的串联电阻，更易于得到较高的光电转换效率。
非晶硅晶体硅异质结太阳电池

[发明专利]一种清洗器和提高异质结太阳电池转换效率的方法-CN202110943399.7有效
发明人：孙林;杜俊霖;陈功兵;张林;杨秀清;刘香飞;闫涛;潘登 -专利权人：通威太阳能（金堂）有限公司
申请日： 2021-08-17 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H01L31/20 文献下载
摘要：一种清洗器和提高异质结太阳电池转换效率的方法，属于太阳电池领域。提高异质结太阳电池转换效率的方法包括于制作异质结太阳电池时，在对异质结太阳电池的单晶硅片制绒之后、以及制作非晶硅层之前，实施以下去有机物操作：使用紫外线照射，用以对制绒后的单晶硅片进行清洗的清洗液和/或清洗槽该方案可以提高异质结太阳电池的转换效率。
一种清洗提高异质结太阳电池转换效率方法

[发明专利]一种硅锗异质结太阳电池及其制备方法-CN201510282991.1有效
发明人：沈辉;邱开富;吴伟梁;包杰 -专利权人：中山大学
申请日： 2015-05-28 - 公布日： 2017-08-11 - 主分类号： H01L31/077 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅锗异质结太阳电池，该硅锗异质结太阳电池的结构从上至下依次包括银电极、掺铝氧化锌AZO导电层、n型单晶硅、i型SiGe合金缓冲层薄膜、p型Ge薄膜和金电极，所述硅锗异质结太阳电池具有300该电池在硅与锗之间沉积一层硅锗合金缓冲层，可以有效地降低界面态，减少界面复合，增大电池的开路电压。另外由于缓冲层的带隙渐变，可以更好地吸收太阳光，从而增大电池的短路电流。还公开了上述硅锗异质结太阳电池的制备方法。该制备方法原料安全，可直接应用现有设备，成本相对较低。
一种硅锗异质结太阳电池及其制备方法

[发明专利]一种晶硅异质结太阳电池的迎光面结构-CN202210577918.7在审
发明人：赵雷;王文静 -专利权人：中国科学院电工研究所
申请日： 2022-05-25 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明涉及晶硅异质结太阳电池技术领域，尤其涉及一种晶硅异质结太阳电池的迎光面结构。本发明提供了一种晶硅异质结太阳电池的迎光面结构，包括依次层叠设置的晶硅衬底和界面钝化层；在所述界面钝化层的表面进行线状选区设置载流子选择性接触表面场层，未设置载流子选择性接触表面场层的区域设置电学隔离层；所述载流子选择性接触表面场层能够取出所述晶硅衬底中的多子；所述载流子选择性接触表面场层的表面设置透明导电电极层；所述电学隔离层和透明导电电极层的表面设置栅状金属电极；所述栅状金属电极的栅线取向与所述透明导电电极层的线取向相垂直所述晶硅异质结太阳电池的迎光面结构可以很好的提高晶硅异质结太阳电池的短路电流密度。
一种晶硅异质结太阳电池光面结构

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