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[发明专利]硅基异质接面太阳能电池及其制作方法-CN201610135251.X在审
发明人：张金隆;杨茹媛;苏盛隆;陈坤贤 -专利权人：盐城金合盛光电科技有限公司
申请日： 2016-03-10 - 公布日： 2017-09-22 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明揭示一种硅基异质接面太阳能电池及其制作方法。该硅基异质接面太阳能电池包括一硅基PN接面结构、一第一透明导电膜、一第二透明导电膜、一第一电极，以及一第二电极。借由电喷雾裂解高速沉积透明导电膜，该硅基异质接面太阳能电池具有改善其电流特性及提升光电转换效率的特性，并可以达到快速量产。
硅基异质接面太阳能电池及其制作方法

[发明专利]硅基异质接面太阳能电池及其制备方法-CN201510931989.2在审
发明人：张金隆;杨茹媛;陈坤贤;许硕夫 -专利权人：盐城金合盛光电科技有限公司
申请日： 2015-12-15 - 公布日： 2017-06-23 - 主分类号： H01L31/072 文献下载
摘要：本发明公开一种硅基异质接面太阳能电池及其制备方法。所述硅基异质接面太阳能电池，包括一硅基PN接面结构、一第一透明导电膜、一第二透明导电膜、一第一电极以及一第二电极。本发明借由直流电弧放电在低温下高速沉积透明导电膜，该硅基异质接面太阳能电池具有改善其电流特性及提升光电转换效率的特性。
硅基异质接面太阳能电池及其制备方法

[实用新型]硅基异质接面太阳能电池-CN201521041501.0有效
发明人：张金隆;杨茹媛;陈坤贤;许硕夫 -专利权人：盐城金合盛光电科技有限公司
申请日： 2015-12-15 - 公布日： 2016-08-03 - 主分类号： H01L31/072 文献下载
摘要：本实用新型公开一种硅基异质接面太阳能电池。所述硅基异质接面太阳能电池，包括：一硅基PN接面结构、一第一透明导电膜、一第二透明导电膜、一第一电极以及一第二电极。本实用新型借由直流电弧放电在低温下高速沉积二层不同材质所组成的透明导电膜，该硅基异质接面太阳能电池具有改善其电流特性及提升光电转换效率的特性。
硅基异质接面太阳能电池

[发明专利]硅异质接面太阳能电池的制程-CN201010226886.3有效
发明人：杨士贤;吴永俊 -专利权人：国立清华大学
申请日： 2010-07-09 - 公布日： 2012-01-11 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种硅异质接面太阳能电池的制程，所述硅异质接面太阳能电池包含一第一电性硅基板、分别形成于第一电性硅基板两侧并与第一电性硅基板形成异质接面的第一本征硅层与第二本征硅层、分别形成第一本征硅层与第二本征硅层上的第二电性硅层与第一电性重掺杂型硅层；其中本发明以离子布植的方式形成该第二电性硅层与第一电性重掺杂型硅层，以优化第二电性硅层与第一电性重掺杂型硅层的厚度与掺杂质量。
硅异质接面太阳能电池

[发明专利]异质接面太阳能电池-CN201110213675.0有效
发明人：谢芳吉;王立康 -专利权人：王立康;江苏艾德太阳能科技有限公司
申请日： 2011-07-28 - 公布日： 2016-04-27 - 主分类号： H01L31/0747 文献下载
摘要：一种异质接面太阳能电池，其在硅晶基板上镀制一层本质非晶硅薄膜，然后置于扩散炉内形成P-N接面，以制作具有异质接面的太阳能电池，其至少包括含有电性掺杂的硅晶基板、本质非晶硅薄膜、透明导电层、前电极及背电极所构成；于另一较佳实施例，系先在硅晶基板上以化学溶液生成法生长一层二氧化硅薄膜，然后镀制一层本质非晶硅薄膜，其后置于扩散炉内形成P-N接面，以制作具有异质接面的太阳能电池，其至少包括含有电性掺杂的硅晶基板、二氧化硅薄膜、本质非晶硅薄膜、透明导电层、前电极及背电极所构成。
异质接面太阳能电池

[发明专利]硅基异质接面太阳能电池-CN201610135250.5在审
发明人：张金隆;杨茹媛;苏盛隆;陈坤贤 -专利权人：盐城金合盛光电科技有限公司
申请日： 2016-03-10 - 公布日： 2017-09-22 - 主分类号： H01L31/072 文献下载
摘要：本发明揭示一种硅基异质接面太阳能电池，其包含一硅基PN接面结构、一第一透明导电膜、一第二透明导电膜、一第一电极，以及一第二电极。借由使用有机无机混合式透明导电膜，该硅基异质接面太阳能电池具有改善其电流特性及提升光电转换效率的特性，并可以简化工艺达到快速量产。
硅基异质接面太阳能电池

[实用新型]硅基异质接面太阳能电池-CN201620182609.X有效
发明人：张金隆;杨茹媛;苏盛隆;陈坤贤 -专利权人：盐城金合盛光电科技有限公司
申请日： 2016-03-10 - 公布日： 2016-09-28 - 主分类号： H01L31/072 文献下载
摘要：本实用新型揭示一种硅基异质接面太阳能电池，其包含：一硅基PN接面结构、一第一透明导电膜、一第二透明导电膜、一第一电极，以及一第二电极。借由使用有机无机混合式透明导电膜，该硅基异质接面太阳能电池具有改善其电流特性及提升光电转换效率的特性，并可以简化工艺达到快速量产。
硅基异质接面太阳能电池

[实用新型]硅基异质接面太阳能电池-CN201620459734.0有效
发明人：张金隆;杨茹媛;陈坤贤 -专利权人：盐城金合盛光电科技有限公司
申请日： 2016-05-19 - 公布日： 2016-12-14 - 主分类号： H01L31/074 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种硅基异质接面太阳能电池。硅基异质接面太阳能电池，包含：一硅基PN接面结构，具有两个相对表面，其中硅基PN接面结构是由一P型半导体层与一N型半导体基板所组成，N型半导体基板具有一第一糙化表面以及一第二糙化表面，且P型半导体层的能隙不同于该硅基异质接面太阳能电池能具有高质量的纹理结构，改善其电流特性及提升光电转换效率的特性。
硅基异质接面太阳能电池

[发明专利]硅基异质接面太阳能电池及其制程方法-CN201610334675.9在审
发明人：张金隆;杨茹媛;陈坤贤 -专利权人：盐城金合盛光电科技有限公司
申请日： 2016-05-19 - 公布日： 2017-11-28 - 主分类号： H01L31/074 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅基异质接面太阳能电池及其制程方法。硅基异质接面太阳能电池，包含一硅基PN接面结构，具有两个相对表面，其中硅基PN接面结构是由一P型半导体层与一N型半导体基板所组成，N型半导体基板具有一第一糙化表面以及一第二糙化表面，且P型半导体层的能隙不同于借由无异丙醇的变温纹理化碱蚀刻，该硅基异质接面太阳能电池能具有高质量的纹理结构，改善其电流特性及提升光电转换效率的特性。
硅基异质接面太阳能电池及其方法

[发明专利]异质接面太阳能电池及其制造方法-CN201611119537.5在审
发明人：黃玉君;吴春森;翁敏航;叶昌鑫;田伟辰 -专利权人：财团法人金属工业研究发展中心
申请日： 2016-12-08 - 公布日： 2018-06-22 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明公开一种异质接面太阳能电池，包含：配置于半导体基板相对两侧的第一本质非晶硅层与第二本质非晶硅层、配置于第一本质非晶硅层上的P型非晶硅层、配置于第二本质非晶硅层上的N型非晶硅层、配置于P型非晶硅层上的第一透明导电层、配置于N型非晶硅层上的第二透明导电层、配置于第一透明导电层上的多个电极线及覆盖第二透明导电层的电极层。太阳光由第一透明导电层进入异质接面太阳能电池后，可通过电极层将短波长的光线反射回内部，让异质接面太阳能电池二次吸收短波长的光线，使得短路电流上升，用以达成提高光电转换效率的技术功效。
透明导电层太阳能电池非晶硅层异质接面配置电极层短波长光电转换效率半导体基板短路电流二次吸收光线反射技术功效相对两侧电极线太阳光覆盖制造

[发明专利]包含用于表面钝化的结晶硅P-N同质接面和非晶硅异质接面的太阳能电池-CN200880128829.2有效
发明人：丹尼尔·L·迈耶;艾吉特·罗哈吉 -专利权人：桑艾维公司
申请日： 2008-06-11 - 公布日： 2011-04-13 - 主分类号： H01L31/078 文献下载
摘要：本发明公开了一种薄硅太阳能电池，更具体地，太阳能电池可以由厚度约50至500微米的结晶硅晶片制成。太阳能电池包括具有p-n同质接面的第一区、可产生异质接面表面钝化的第二区，以及可产生异质接面表面钝化的第三区。非晶硅层在低于约400摄氏度的温度下沉积于硅晶片的两侧，以减小非晶硅钝化特性损失。
包含用于表面钝化结晶同质非晶硅异质接面太阳能电池

[发明专利]太阳能电池-CN201210063143.8有效
发明人：杨伯川;詹逸民 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2012-03-08 - 公布日： 2012-07-18 - 主分类号： H01L31/0735 文献下载
摘要：光电转换层包含一硒化铜铟镓层以及一硅基材。硒化铜铟镓层接触硅基材，使硒化铜铟镓层与硅基材间形成一异质PN接面。第二导电层位于光电转换层上方。
太阳能电池

[发明专利]硅基异质接面太阳能电池-CN201710152774.X在审
发明人：翁敏航;叶昌鑫;黄俊凯;蔡洁娃;吴春森 -专利权人：财团法人金属工业研究发展中心
申请日： 2017-03-15 - 公布日： 2018-06-12 - 主分类号： H01L31/0747 文献下载
摘要：本发明提供一种硅基异质接面太阳能电池，包括以下构件。基板具有相对的第一表面与第二表面。第一本征半导体层设置于第一表面上。第二本征半导体层设置于第二表面上。P型半导体层设置于第一本征半导体层上。在第一本征半导体层与第二本征半导体层中分别包含至少一个硅量子点。所述硅基异质接面太阳能电池可有效地降低制作上的困难度，且可有效地防止电场下降的情况发生。
本征半导体层太阳能电池异质接面硅基第二表面第一表面有效地第二电极第一电极硅量子点电场困难度基板制作

[发明专利]具有应力分量的异质接面双极晶体管-CN201710513610.5有效
发明人： V·贾殷;R·A·卡米洛卡斯蒂洛;A·K·斯坦珀 -专利权人：格芯(美国)集成电路科技有限公司
申请日： 2017-06-29 - 公布日： 2021-06-11 - 主分类号： H01L29/737 文献下载
摘要：本发明涉及具有应力分量的异质接面双极晶体管，其关于半导体结构，并且尤指具有应力分量的异质接面双极晶体管及其制造方法。该异质接面双极晶体管包括集电极区、发射极区与基极区。
具有应力分量异质接面双极晶体管

[发明专利]用于自然光LED及其荧光粉-CN201010521445.6无效
发明人：索辛·纳姆;罗维鸿 -专利权人：罗维鸿
申请日： 2010-10-21 - 公布日： 2011-06-01 - 主分类号： H01L33/50 文献下载
摘要：本发明提供一种自然光LED，其包括第一电极；第二电极；可发射400-490nm的辐射的异质结面，其设置于所述第一电极与第二电极之间；设置于异质结面下方的蓝宝石导热基板；发光转换层，其覆盖异质结面的表面和四周，并由透明的有机硅聚合物或环氧树脂和分散于该有机硅聚合物或环氧树脂中的荧光粉颗粒组成；所述异质接面和发光转换层设置于锥形集光器中；光学透镜盖；以及填充于光学透镜盖与发光转换层之间的透光介质；其特征在于所述荧光粉具有化学式
用于自然光 led 及其荧光粉

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