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[发明专利]硅太阳电池-CN200610025566.5无效
发明人：李涛勇;袁晓 -专利权人：上海太阳能科技有限公司
申请日： 2006-04-10 - 公布日： 2007-10-17 - 主分类号： H01L31/042 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅太阳电池的结构，包括电池背电极、半导体硅衬底层和费米能级不同于半导体硅衬底层的半导体薄膜层，在半导体硅衬底层的材料受光面的表面制备有具有准一维纳米晶体结构，这层纳米晶体结构的孔隙被半导体薄膜层填充由于在结构上利用了纳米结构的表面效应、体积效应和量子尺寸效应，可以使用较低纯度的硅材料制造硅太阳电池，并获得满意的光电转换效率。
太阳电池

[发明专利]一种硅基-砷化镓太阳电池及其制备方法-CN202111152281.9在审
发明人：张璐;张无迪;王赫 -专利权人：中国电子科技集团公司第十八研究所
申请日： 2021-09-29 - 公布日： 2022-01-11 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅基‑砷化镓太阳电池及其制备方法，属于太阳电池技术领域，包括：一、制备硅太阳电池；二、制备砷化镓太阳电池；三、在硅太阳电池与砷化镓太阳电池上蒸镀半透明金属电极；四、利用金属键合技术将硅太阳电池与砷化镓太阳电池键合；五、采用化学腐蚀的方法将砷化镓太阳电池中的牺牲层腐蚀，砷化镓衬底被剥离得到硅基‑砷化镓叠层太阳电池；六、利用PVD的方法分别在上层砷化镓太阳电池的表面制作硅基‑砷化镓叠层太阳电池的上电极，在硅太阳电池的背面制作硅基‑砷化镓叠层太阳电池的下电极；七、利用PVD的方法在硅基‑砷化镓叠层太阳电池的上表面制备电池减反射膜；八、切割，得到所需尺寸的硅基‑砷化镓叠层太阳电池。
一种砷化镓太阳电池及其制备方法

[发明专利]一种薄晶硅太阳电池组件及其制备方法-CN202210402060.0在审
发明人：刘敏娟;赵骥宇;姚会勤;宋建青 -专利权人：中电科能源有限公司;中国电子科技集团公司第十八研究所
申请日： 2022-04-18 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L31/0443 文献下载
摘要：一种薄晶硅太阳电池组件及其制备方法，所述薄晶硅太阳电池组件包括：若干依次堆叠的薄晶硅太阳电池串，所述薄晶硅太阳电池串包括若干依次串联的薄晶硅太阳电池片，其中，相邻两个所述薄晶硅太阳电池片之间并联设置有旁路二极管本申请提供的一种薄晶硅太阳电池组件及其制备方法有效地防止了薄晶硅太阳电池组件中某一部分被阴影遮挡或出现故障时导致薄晶硅太阳电池组件停止发电的现象，同时也保护了被旁路薄晶硅太阳电池片，避免其被当作负载消耗其他光照薄晶硅太阳电池片的能量发热形成热斑而被破坏这种薄晶硅太阳电池组件制作方法也扩大了组件的使用领域，延长了薄晶硅太阳电池组件的使用寿命。
一种薄晶硅太阳电池组件及其制备方法

[发明专利]一种双绒面晶体硅太阳电池的制造方法-CN201410178484.9无效
发明人：王国宁;周青;郭芳芳 -专利权人：江西科技学院
申请日： 2014-04-30 - 公布日： 2014-10-01 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种双绒面晶体硅太阳电池的制造方法，它涉及晶体硅太阳电池制造领域。本发明通过对晶体硅太阳电池普遍工艺流程的改进，在晶体硅太阳电池普遍工艺流程的基础上增加一道背表面镀膜工艺，在晶体硅太阳电池前、后表面制作双绒面陷光结构，增强了晶体硅太阳电池的陷光效应，提高太阳电池的光电转换效率
一种双绒面晶体太阳电池制造方法

[发明专利]晶体硅太阳电池少子寿命的快速测定方法-CN201210017659.9有效
发明人：沈文忠;刘霄 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2012-01-19 - 公布日： 2012-07-25 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶体硅太阳电池少子寿命的快速测定方法，通过使用电致发光技术，实现快速测定晶体硅太阳电池的少子寿命，包括步骤：在标准晶体硅太阳电池上施加正向偏置电压U₀，得到标准晶体硅太阳电池的电致发光图像，测量标准晶体硅太阳电池的电致发光强度I_Ls；通过关系式以及标准晶体硅太阳电池的平均少子寿命τ_ns，得到系数A；在晶体硅太阳电池上施加正向偏置电压U₀，得到晶体硅太阳电池的电致发光图像，测量晶体硅太阳电池的发光强度I_L；通过关系式以及系数A，得到晶体硅太阳电池的平均少子寿命τ_n以及太阳电池上某一选定区域内的少子寿命面分布
晶体太阳电池少子寿命快速测定方法

[实用新型]一种具有改进背面结构的晶体硅太阳电池-CN201220061967.7有效
发明人：许佳平;黄纪德;金井升;蒋方丹;陈良道 -专利权人：上饶光电高科技有限公司
申请日： 2012-02-24 - 公布日： 2012-10-10 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种具有改进背面结构的晶体硅太阳电池，包括晶体硅太阳电池，在所述晶体硅太阳电池背面设有背电极和背电场，所述背电极的长度占晶体硅太阳电池总长度的3～90％。该具有改进背面结构的晶体硅太阳电池通过减短背电极的长度来减少背电极银浆的印刷量，从而减少太阳电池的制作成本，并提高太阳电池的转换效率。
一种具有改进背面结构晶体太阳电池

[发明专利]基于碳纳米管增效的太阳电池制备方法-CN201010116107.4无效
发明人：张亚非;王艳芳;魏浩 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2010-03-03 - 公布日： 2010-08-04 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：一种太阳能电池技术领域的基于碳纳米管增效的太阳电池制备方法，在制作好太阳电池PN结后，将碳纳米管分散吸附到太阳电池表面。本发明将碳纳米管分散吸附到太阳电池表面，用以提高太阳电池的光电转换效率，此方法适用各种太阳电池。与未分散吸附碳纳米管的太阳电池相比，分散吸附了碳纳米管的单晶硅太阳电池和多晶硅太阳电池光电转换效率提高0.5～4.5％，非晶硅薄膜太阳电池和CIGS薄膜太阳电池光电转换效率提高0.5～3.5％。
基于纳米增效太阳电池制备方法

[发明专利]一种键合连接的硅基与砷化镓基的太阳电池-CN201510619638.8有效
发明人：程学瑞;张焕君;冯世全;康利平;李俊玉 -专利权人：郑州轻工业学院
申请日： 2015-09-25 - 公布日： 2017-04-12 - 主分类号： H01L31/0725 文献下载
摘要：本发明属于太阳电池技术领域，具体涉及一种键合连接的硅基与砷化镓（GaAs）基的太阳电池。该太阳电池包括上层砷化镓基电池和下层硅基电池，上、下层电池间硅与砷化镓通过键合连接的方法形成隧穿结互联起来，形成叠层太阳电池；所述上层砷化镓基电池为AlGaAs（铝镓砷）单结电池或GaInP/AlGaAs双结电池；所述下层硅基太阳电池为Si单结电池。本发明通过采用直接键合技术，较好解决了硅基太阳电池与砷化镓基太阳电池之间晶格匹配问题，解决了不同晶格常数材料直接生长的难题，使砷化镓太阳电池外延层可以有效转移到硅太阳电池上。基于此结构的硅基多结太阳电池理论效率可达到30%以上，具有较好的推广应用价值。
一种连接砷化镓基太阳电池

[发明专利]太阳电池模块-CN201110222434.2有效
发明人：陈奕嘉;刘得志;黄明远;黄秋华 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2011-07-27 - 公布日： 2011-12-14 - 主分类号： H01L31/048 文献下载
摘要：一种太阳电池模块，其包括结晶硅太阳电池、第一密封材料层、透光基板、第二密封材料层以及薄膜太阳电池。结晶硅太阳电池具有第一表面以及与第一表面相对的第二表面。第一密封材料层配置于结晶硅太阳电池的第一表面上。透光基板配置于第一密封材料层上，其中第一密封材料层位于透光基板与结晶硅太阳电池之间。第二密封材料层配置于结晶硅太阳电池的第二表面上。薄膜太阳电池配置于第二密封材料层上，其中第二密封材料层位于薄膜太阳电池与结晶硅太阳电池之间。
太阳电池模块

[发明专利]降低太阳电池转换效率衰减的方法-CN202310116078.9在审
发明人：高永强 -专利权人：通威太阳能（安徽）有限公司
申请日： 2023-02-03 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H01L31/20 文献下载
摘要：本发明提供了一种降低太阳电池转换效率衰减的方法，包括以下步骤：提供太阳电池，所述太阳电池包括硅片以及位于所述硅片上的非晶硅薄膜，所述非晶硅薄膜中具有缺陷；加热所述太阳电池，使所述太阳电池的温度为120℃～145℃，并保持20min～30min，以增加所述非晶硅薄膜中缺陷的密度；以及光照加热后的所述太阳电池，并控制所述太阳电池的温度小于100℃，以修复所述非晶硅薄膜中的缺陷。本发明能够降低所述太阳电池转换效率的衰减，从而修复所述太阳电池的转换效率。
降低太阳电池转换效率衰减方法

[发明专利]大尺寸机翼的薄硅太阳电池组件一体化赋形方法及结构-CN201610957607.8有效
发明人：张冬冬;杨洋;宋琳琳;焦小雨;王顺;徐建明 -专利权人：上海空间电源研究所
申请日： 2016-11-03 - 公布日： 2019-04-12 - 主分类号： B64C3/20 文献下载
摘要：本发明涉及大尺寸机翼的薄硅太阳电池组件一体化赋形方法及结构，所述方法包括：A）将薄硅太阳电池组件铺在机翼曲面表面上；B）用机翼表面蒙皮封装所述薄硅太阳电池组件；C）抽出封装内的空气，在负压作用下，所述薄硅太阳电池组件与机翼曲面表面、机翼表面蒙皮与所述薄硅太阳电池组件及机翼曲面表面密封贴合，实现薄硅太阳电池组件一体化赋形。本发明涉及大尺寸机翼的薄硅太阳电池组件一体化赋形方法及结构，解决了大尺寸机翼薄硅太阳电池组件铺装难度大，铺装过程易损坏的技术问题。
尺寸机翼太阳电池组件一体化赋形方法结构

[发明专利]一种提高硅太阳电池效率的发射极结构-CN200910060859.0无效
发明人：丁孔贤;李化铮;丁孔奇 -专利权人：珈伟太阳能（武汉）有限公司
申请日： 2009-02-24 - 公布日： 2009-07-22 - 主分类号： H01L31/06 文献下载
摘要：一种提高硅太阳电池效率的发射极结构，包括已形成单个或多个PN结的硅太阳电池基片，其特征是在硅太阳电池基片受光面上的栅线与硅太阳电池基片之间的焊点处设置透明导电膜，该透明导电膜沉积在硅太阳电池基片受光面表面本发明利用透明导电膜和焊点收集太阳电池基片表面光电流，利用栅线汇集各焊点的电流并将太阳电池基片产生的电力输出。由于本发明采用了透明导电膜和若干焊点代替背景技术中的分栅线，因此，减小太阳电池基片发射极的遮光面积以及光反射，同时还减小了太阳电池基片顶层横向电流引起的功率损失和电池的串联电阻等，进而提高硅太阳电池的效率
一种提高太阳电池效率发射极结构

[发明专利]中低倍聚光太阳电池的生产工艺以及太阳电池片-CN201510960182.1有效
发明人：黄忠;罗敏;帅麒;黄饶 -专利权人：四川钟顺太阳能开发有限公司
申请日： 2015-12-18 - 公布日： 2017-08-04 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种中低倍聚光太阳电池的生产工艺以及太阳电池片，首先在生产的125mm*125mm或156*156mm的晶硅太阳电池片上制备了多个中低倍聚光太阳电池单元，利用金刚石或激光可以将这些聚光太阳电池单元从晶硅太阳电池片上切割下来该生产工艺在原有的普通晶硅太阳电池生产工艺上进行了改进，进而实现了利用普通晶硅太阳电池生产设备和工艺来生产低成本的可贴片式的中低倍聚光太阳电池。
中低倍聚光太阳电池生产工艺以及

[发明专利]一种混合太阳电池组件及其制作方法-CN201110413624.2无效
发明人：沈辉;刘超 -专利权人：中山大学
申请日： 2011-12-09 - 公布日： 2012-05-09 - 主分类号： H01L31/042 文献下载
摘要：本发明属于太阳电池技术领域，具体公开一种混合太阳电池组件及其制作方法，该电池组件包括依次层叠设置的透光前盖板、沉积于透光前盖板上的非晶硅太阳电池、第一胶合剂层、多晶硅/或单晶硅太阳电池层、第二胶合剂层和背板该混合太阳电池组件其能集非晶硅太阳电池较好的弱光响应和晶体硅太阳电池更高的效率和更稳定的性能于一体，该混合太阳电池组件有效提高整个电池的效率及弱光性能，实用性强，制作成本低。
一种混合太阳电池组件及其制作方法

[发明专利]用于临近空间环境的薄硅太阳电池组件-CN201710047218.6在审
发明人：王顺;韦祎;陈萌炯;钱峰伟;贾巍 -专利权人：上海太阳能工程技术研究中心有限公司
申请日： 2017-01-20 - 公布日： 2018-07-27 - 主分类号： H01L31/048 文献下载
摘要：一种用于临近空间环境的薄硅太阳电池组件，包括薄硅太阳电池组，该薄硅太阳电池组由多个薄硅太阳电池通过高导电互联银带连接构成，在薄硅太阳电池组的上表面铺设有高透光性可耐受临近空间环境的带胶顶膜，在薄硅太阳电池组的下表面铺设有可耐受临近空间环境的带胶底膜本发明针对临近空间环境对太阳电池阵的影响，通过采用高透光性可耐受临近空间环境的带胶顶膜和可耐受临近空间环境的带胶底膜为太阳电池组件所有表面进行保护，有效提高了太阳电池阵在临近空间环境中的适应能力，提升了临近空间飞行器的综合性能
临近空间太阳电池组耐受硅太阳电池太阳电池阵高透光性胶底膜胶顶临近空间飞行器太阳电池组件铺设综合性能高导电上表面下表面银带互联

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