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[发明专利]硅光电倍增器的温度和不均匀补偿电路-CN202010277458.7有效
发明人： B·P·麦加维;S·J·贝里斯 -专利权人：半导体元件工业有限责任公司
申请日： 2020-04-10 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明题为“硅光电倍增器的温度和不均匀补偿电路”。成像设备可包括有源硅光电倍增器和相关联的温度和不均匀补偿电路，电路被配置为减轻器件上的温度和工艺变化。补偿电路可包括基准硅光电倍增器、将固定电流提供到基准硅光电倍增器中的恒定电流源、用于检测从基准硅光电倍增器输出的电压的电压传感器、用于转换从电压传感器输出的电压的数据转换器、以及用于根据从数据转换器输出的信号来生成用于偏置有源硅光电倍增器的可调电压的电压控制器有源硅光电倍增器可包括由微透镜覆盖的多个照亮的微小区，而基准硅光电倍增器可包括分布在照亮的微小区之间的多个暗微小区，以帮助应对成像设备上的微小区性能的不均匀性。
光电倍增器温度不均匀补偿电路

[发明专利]一种硅光电倍增器阵列的组装方法及组装装置-CN202211055201.2在审
发明人：柳正;杨永峰;张又驰;秦磊;朱雅琳 -专利权人：中国科学院深圳先进技术研究院
申请日： 2022-08-31 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： H05K3/30 文献下载
摘要：本发明涉及探测器技术领域，提供一种硅光电倍增器阵列的组装方法及组装装置，所述组装方法包括制造贴装模具、贴装模具预固定、硅光电倍增器预贴装及贴装步骤。所述组装装置包括贴装模具，所述贴装模具上开设有容置硅光电倍增器的限位孔。相比于现有技术，本发明硅光电倍增器阵列贴装技术提高了硅光电倍增器阵列的贴装精度，有利于PET探测器中硅光电倍增器阵列对晶体输出的闪烁光进行收集，使得能量分辨率大大提高，晶体分辨能力强。
一种光电倍增器阵列组装方法装置

[发明专利]一种基于脉冲时间甄别的硅光电倍增器降噪方法与系统-CN201610895689.8在审
发明人：陈法国;韩毅;于伟跃;杨明明;沈华亚 -专利权人：中国辐射防护研究院
申请日： 2016-10-13 - 公布日： 2018-04-20 - 主分类号： G01T1/208 文献下载
摘要：本发明属于核物理与弱光测量领域，涉及一种基于脉冲时间甄别的硅光电倍增器降噪方法与系统。所述的方法是将闪烁体的光信号同时引到2个硅光电倍增器，经2个硅光电倍增器各自转换放大并整形后输入到脉冲时间甄别单元，通过时间甄别来分辨测量系统的输出脉冲和硅光电倍增器的暗脉冲。用本发明的方法，可使采用硅光电倍增器的测量系统在本底条件下的暗脉冲率降低3‑4个量级，从而降低测量系统的探测下限。
一种基于脉冲时间甄别光电倍增器方法系统

[发明专利]一种硅光电倍增器测试系统及测试方法-CN201610603502.2有效
发明人：杨健;徐青;王麟;李开富 -专利权人：武汉京邦科技有限公司
申请日： 2016-07-27 - 公布日： 2017-08-29 - 主分类号： G01J1/44 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅光电倍增器测试系统，包括驱动模块、光源模块、硅光电倍增器单元、暗箱、比较电路模块、电源模块、逻辑分析仪及计算机。在该测试系统中，驱动模块产生模拟脉冲驱动信号来驱动光源产生光脉冲，光脉冲作为光激励作用在硅光电倍增器单元上，使硅光电倍增器产生模拟脉冲响应信号。放大电路模块通过对模拟脉冲响应信号的幅值进行判定，从而以数字脉冲的形式标记能够产生特定信号幅值大小的硅光电倍增器。本发明的测试系统具有简单、高效、可批量测试等优点，可方便地用于硅光电倍增器产品的大规模测试。此外，本发明还公开了一种利用前述测试系统对硅光电倍增器进行测试的测试方法。
一种光电倍增器测试系统方法

[实用新型]一种硅光电倍增器测试系统-CN201620798825.7有效
发明人：杨健;徐青;王麟;李开富 -专利权人：武汉京邦科技有限公司
申请日： 2016-07-27 - 公布日： 2017-01-18 - 主分类号： G01J1/44 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种硅光电倍增器测试系统，包括驱动模块、光源模块、硅光电倍增器单元、暗箱、比较电路模块、电源模块、逻辑分析仪及计算机。在该测试系统中，驱动模块产生模拟脉冲驱动信号来驱动光源产生光脉冲，光脉冲作为光激励作用在硅光电倍增器单元上，使硅光电倍增器产生模拟脉冲响应信号。放大电路模块通过对模拟脉冲响应信号的幅值进行判定，从而以数字脉冲的形式标记能够产生特定信号幅值大小的硅光电倍增器。本实用新型的测试系统具有简单、高效、可批量测试等优点，可方便地用于硅光电倍增器产品的大规模测试。
一种光电倍增器测试系统

[实用新型]用于高能粒子束流实验的塑闪系统-CN201822053333.7有效
发明人：王瑞杰;董永伟;王志刚;胡鹏 -专利权人：中国科学院高能物理研究所
申请日： 2018-12-07 - 公布日： 2019-10-15 - 主分类号： G01T7/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于高能粒子束流实验的塑闪系统，包括：塑闪探测器；平移台，塑闪探测器与平移台固定连接；以及可调支架，平移台与可调支架固定连接；其中，塑闪探测器包括：塑闪探测器底板；塑料闪烁体，塑料闪烁体插装在塑闪探测器底板上，其中，塑料闪烁体的端面与硅光电倍增器耦合；第一侧面硅光电倍增器固定板以及第二侧面硅光电倍增器固定板，第一侧面硅光电倍增器固定板以及第二侧面硅光电倍增器固定板分别位于塑闪探测器底板两侧；电子学，电子学位于硅光电倍增器上方本实用新型的塑闪系统保证了引出信号线的长度尽量更短，并将电子学设计在探测器两端面上方，检测效率高。
硅光电倍增器探测器固定板底板塑料闪烁体平移台电子学侧面本实用新型高能粒子可调支架束流引出信号线系统保证耦合两端面插装检测

[发明专利]光电检测装置、系统和方法-CN201811018215.0有效
发明人：韩德俊;刘健;代雷 -专利权人：北京师范大学
申请日： 2018-09-03 - 公布日： 2020-02-18 - 主分类号： G01N27/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种光电检测装置、系统和方法。该装置包括硅光电倍增器，其用于检测被测样品被光脉冲照射后来自所述被测样品的光脉冲信号，并将检测的信号转换为电脉冲信号；信号协同读出电路，其连接所述硅光电倍增器，基于用来控制发光器件产生所述光脉冲信号的脉冲控制信号协同生成控制硅光电倍增器的输出的门控信号，使得硅光电倍增器处于门控光子计数模式，并在所述门控信号的门控时间内采集硅光电倍增器输出的电脉冲信号；以及信号处理单元，其连接所述信号协同读出电路，用于基于采集的电脉冲信号中各脉冲对应的光电子数并统计光电子事件，在光电子事件统计结果符合泊松分布条件时基于统计的光电子数按照泊松分布的概率函数计算平均光电子数。
光电检测装置系统方法

[发明专利]硅光电倍增器、光电探测装置和成像系统-CN202010471026.X在审
发明人：张玺;徐青;王麟 -专利权人：湖北京邦科技有限公司
申请日： 2020-05-28 - 公布日： 2020-08-14 - 主分类号： H01L31/02 文献下载
摘要：本申请公开了一种硅光电倍增器、光电探测装置和成像系统，该硅光电倍增器包括一个像素单元或并联连接的多个像素单元，每个像素单元均包括雪崩光电二极管以及淬灭晶体管，其中，多个像素单元中的雪崩光电二极管的阳极或阴极并联连接以构成硅光电倍增器的阳极或阴极，雪崩光电二极管的阴极或阳极分别与对应的淬灭晶体管的源极或漏极连接；多个像素单元中的淬灭晶体管的漏极或源极并联连接以构成硅光电倍增器的阴极或阳极，淬灭晶体管的栅极并联连接以构成硅光电倍增器的栅极。通过利用本申请提供的技术方案，可以实现高速时间门控、雪崩光电二极管输出状态的调节以及提高像元响应一致性。
光电倍增器探测装置成像系统

[发明专利]一种基于硅光电倍增器的局部放电检测装置-CN202010155882.4在审
发明人：任明;王思云;夏昌杰;王彬;李信哲 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2020-03-06 - 公布日： 2020-06-19 - 主分类号： G01R31/12 文献下载
摘要：本公开揭示了一种基于硅光电倍增器的局部放电检测装置，包括：硅光电倍增器、信号处理单元、信号采集单元、直流供电单元、法兰和显示单元。本公开还揭示了一种基于硅光电倍增器的局部放电检测方法。
一种基于光电倍增器局部放电检测装置

[发明专利]基于MPPC阵列的α、β和γ表面污染仪探测器及其组装方法-CN201910437288.1在审
发明人：张志勇;刘思平;李晨 -专利权人：上海仁机仪器仪表有限公司
申请日： 2019-05-23 - 公布日： 2019-08-02 - 主分类号： G01T1/167 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于MPPC阵列的α、β和γ表面污染仪探测器及其组装方法，该探测器包括探测粒子所产生的光子的双闪探测器，用于将所述双闪探测器探测到的光子进行反射的反射碗(1)，用于接收所述反射碗反射的光子并将光信号转换成电荷信号的硅光电倍增器，以及用于对所述硅光电倍增器形成的电荷信号进行活度测量的信号处理电路。本发明提供的探测器利用硅光电倍增器实现光信号与电荷信号之间的转换硅光电倍增器电压低、体积小、可阵列使用，解决了探测面的位置响应差的问题。
探测器硅光电倍增器电荷信号光子表面污染反射碗反射探测组装信号处理电路光信号转换探测粒子位置响应电压低体积小活度测量转换

[实用新型]硅光电倍增器、光电探测装置和成像系统-CN202020944174.4有效
发明人：张玺;徐青;王麟 -专利权人：湖北京邦科技有限公司
申请日： 2020-05-28 - 公布日： 2020-11-20 - 主分类号： H01L31/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种硅光电倍增器、光电探测装置和成像系统，该硅光电倍增器包括一个像素单元或并联连接的多个像素单元，每个像素单元均包括雪崩光电二极管以及淬灭晶体管，其中，多个像素单元中的雪崩光电二极管的阳极或阴极并联连接以构成硅光电倍增器的阳极或阴极，雪崩光电二极管的阴极或阳极分别与对应的淬灭晶体管的源极或漏极连接；多个像素单元中的淬灭晶体管的漏极或源极并联连接以构成硅光电倍增器的阴极或阳极，淬灭晶体管的栅极并联连接以构成硅光电倍增器的栅极。通过利用本申请提供的技术方案，可以实现高速时间门控、雪崩光电二极管输出状态的调节以及提高像元响应一致性。
光电倍增器探测装置成像系统

[发明专利]基于硅光电倍增器的环境X、γ辐射测量方法及测量装置-CN201110391344.6无效
发明人：靳根;陈法国;刘倍;徐园;王希涛;杨亚鹏 -专利权人：中国辐射防护研究院
申请日： 2011-11-30 - 公布日： 2013-06-05 - 主分类号： G01T1/208 文献下载
摘要：本发明涉及辐射测量技术，具体涉及一种基于硅光电倍增器的环境X、γ辐射测量方法及测量装置。该装置用硅光电倍增器代替传统的真空型光电倍增管，实现以闪烁晶体为探测器的环境X、γ辐射剂量仪表的设计，利用硅光电倍增器体积小、工作电压低、响应时间短、对磁场不敏感等特点，将其作为闪烁体探测器的光电转换和信号放大部件
基于光电倍增器环境辐射测量方法测量装置

[发明专利]一种基于硅电子倍增器的混合型大面积光电倍增管-CN202010953334.6有效
发明人：陈萍;田进寿;郭乐慧;王兴;赛小锋;刘虎林;缑永胜;刘百玉;何凯;高贵龙;张敏睿;薛彦华;王俊锋;徐向晏 -专利权人：中国科学院西安光学精密机械研究所
申请日： 2020-09-11 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： H01J43/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种光电倍增管，具体涉及一种基于硅电子倍增器的混合型大面积光电倍增管，旨在解决现有光电倍增管响应时间较慢、制作装配流程复杂，加载电压过高致使高压器件负担增大，以及增大聚焦电极结构尺寸导致装配难度大等问题该光电倍增管包括玻璃外壳、光电阴极、聚焦电极、硅电子倍增器以及电极引线，所述玻璃外壳为真空腔体，光电阴极沉积于玻璃外壳的入射端内表面，聚焦电极与硅电子倍增器置于所述真空腔体沿入射光方向的中心轴上。本发明采用工作于盖革模式下的硅电子倍增器可获得较好的单光子信号探测能力，采用金属圆盘聚焦、单级或多级静电聚焦电极结构可实现光电子的有效收集和提高大面积PMT探测效率。
一种基于电子倍增器混合大面积光电倍增管

[发明专利]局部放电微光光谱探测器-CN202110213346.X有效
发明人：任明;李信哲 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2021-02-25 - 公布日： 2021-12-28 - 主分类号： G01R31/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种局部放电微光光谱探测器，局部放电微光光谱探测器中，硅光电倍增管线阵连接线性渐变滤光片以基于线性分光光束生成光电流信号，硅光电倍增管线阵具有多个独立信号通道的硅光电倍增器，中央处理单元连接多通道采集器和可控开关以切换监视模式和光谱分析模式，监视模式中，中央处理单元控制可控开关使得在第一预定时间内硅光电倍增管线阵中仅有其中一个硅光电倍增器处于工作中并采用预定顺序轮流工作，光谱分析模式中，中央处理单元控制可控开关使得硅光电倍增管线阵中全部的硅光电倍增器处于工作中并维持第二预定时间以获得光谱脉冲信号的统计数据
局部放电微光光谱探测器

[实用新型]基于MPPC阵列的α、β和γ表面污染仪探测器-CN201920745114.7有效
发明人：张志勇;刘思平;李晨 -专利权人：上海仁机仪器仪表有限公司
申请日： 2019-05-23 - 公布日： 2020-04-10 - 主分类号： G01T1/167 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种基于MPPC阵列的α、β和γ表面污染仪探测器，该探测器包括探测粒子所产生的光子的双闪探测器，用于将所述双闪探测器探测到的光子进行反射的反射碗(1)，用于接收所述反射碗反射的光子并将光信号转换成电荷信号的硅光电倍增器，以及用于对所述硅光电倍增器形成的电荷信号进行活度测量的信号处理电路。本实用新型提供的探测器利用硅光电倍增器实现光信号与电荷信号之间的转换硅光电倍增器电压低、体积小、可阵列使用，解决了探测面的位置响应差的问题。
基于 mppc 阵列表面污染探测器

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