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[发明专利]锗衬底-砷化镓/锗异质结薄膜复合结构及其制法和应用-CN202110274722.6有效
发明人：张建军;黄鼎铭 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2021-03-15 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H01L31/109 文献下载
摘要：本发明提供一种锗衬底‑砷化镓/锗异质结薄膜复合结构，其包括具有图形结构的锗衬底、位于所述锗衬底上的具有无原子台阶锗表面的锗层，以及位于所述锗层上的砷化镓层。本发明还提供一种制备本发明的锗衬底‑砷化镓/锗异质结薄膜复合结构的方法。本发明还提供本发明的锗衬底‑砷化镓/锗异质结薄膜复合结构或本发明的方法制得的锗衬底‑砷化镓/锗异质结薄膜复合结构在锗基III‑V族半导体光电器件中的应用。本发明的锗衬底‑砷化镓/锗异质结薄膜复合结构能够完全避免砷化镓/锗异质结构中反向畤的产生，进而实现无缺陷的异质结薄膜。本发明的制备方法简单，且能够实现大规模阵列式可控生长。
衬底砷化镓锗异质结薄膜复合结构及其制法应用

[发明专利]砷化镓双极结型高电子迁移率晶体管及其制作方法-CN202210311792.9在审
发明人：樊永辉;许明伟;樊晓兵 -专利权人：深圳市汇芯通信技术有限公司
申请日： 2022-03-28 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本申请公开了一种砷化镓双极结型高电子迁移率晶体管及其制作方法，砷化镓双极结型高电子迁移率晶体管包括：硅衬底；砷化镓高电子迁移率晶体管外延层，设置在所述硅衬底上；砷化镓高电子迁移率晶体管，设置在所述砷化镓高电子迁移率晶体管外延层上；砷化镓异质结双极型晶体管外延层，设置在所述硅衬底上；砷化镓异质结双极型晶体管，设置在所述砷化镓异质结双极型晶体管外延层上；以及隔离带，设置在所述硅衬底上，且设置在所述砷化镓高电子迁移率晶体管外延层与所述砷化镓异质结双极型晶体管外延层之间
砷化镓双极结型高电子迁移率晶体管及其制作方法

[实用新型]异质面砷化镓背场太阳能电池-CN98209986.X无效
发明人：鞠定德 -专利权人：云南师范大学太阳能研究所;鞠定德
申请日： 1998-01-20 - 公布日： 1999-11-17 - 主分类号： H01L31/06 文献下载
摘要：本实用新型提供一种异质面砷化镓背场太阳能电池,它由异质面P型镓铝砷层(P－Ga1－xAlxAs)和P型砷化镓层(P－GaAs)以及N型砷化镓层(n－GaAs)三层构成,其特征在于在该异质面三层结构的背面设有一强N型砷化镓层(n+GaAs)。从而构成四层结构的砷化镓背场太阳能电池,有效提高了电池的开路电压以及光电转换效率,并可大大降低电池基片厚度,有利于节约材料,降低电池成本。
异质面砷化镓背场太阳能电池

[发明专利]柔性钙钛矿量子点薄膜-砷化镓异质结电池及其制备方法-CN201810892054.1在审
发明人：乔秀梅 -专利权人：东泰高科装备科技（北京）有限公司
申请日： 2018-08-07 - 公布日： 2020-02-21 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种柔性钙钛矿量子点薄膜‑砷化镓异质结电池及其制备方法，其中该电池包括基底，基底上依次设置有背电极层、背场层、P型砷化镓薄膜层、钙钛矿量子点薄膜层、N型透明导电窗口层和前电极层。本发明提供的柔性钙钛矿量子点薄膜‑砷化镓异质结电池及其制备方法，通过形成钙钛矿量子点薄膜‑砷化镓异质结，减少了稀缺材料砷化镓的用量，降低了成本，同时也提高了电池效率。
柔性钙钛矿量子薄膜砷化镓异质结电池及其制备方法

[发明专利]变形异质接面双极性晶体管-CN00124312.8无效
发明人：赵鹏盛;吴展兴;林燕津 -专利权人：稳懋半导体股份有限公司
申请日： 2000-09-04 - 公布日： 2001-05-23 - 主分类号： H01L29/737 文献下载
摘要：一种变形异质接面双极性晶体管,特别是有关于一种具有适用于低成本生产于大尺寸砷化镓晶圆的材料结构的变形异质接面双极性晶体管。本发明材料结构包括有一半绝缘的伸化镓基板;一未掺杂的砷锑化铝镓或砷化铝铟镓或其他形式的变形缓冲层;一高掺杂的n－型砷化铟镓层;一低掺杂的n－型砷化铟镓或磷化铟或砷化铟铝层;一高掺杂的p－型砷化铟镓层;一n－型砷化铟铝或渐变的砷化铝铟镓或磷化铟层;以及一高掺杂的n－型砷化铟镓层。
变形异质接面双极性晶体管

[发明专利]异质结双极晶体管及其制造方法-CN202310345435.9在审
发明人：田宇 -专利权人：绍兴中芯集成电路制造股份有限公司
申请日： 2023-03-29 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种异质结双极晶体管及其制造方法，包括依次层叠的集电区层、基区层和发射区层，所述基区层包括含砷镓的能带层，所述含砷镓的能带层的能带低于砷化镓材料的能带，从而能够降低异质结双极晶体管的能带；进一步的，所述基区层还包括第一含砷镓的过渡层，通过所述第一含砷镓的过渡层以实现晶格常数的过渡，可以避免与集电区层之间的晶格失配；进一步的，所述基区层还包括第二砷化镓层，通过所述第二砷化镓层可以实现与发射区层之间的晶格匹配在本发明提供的异质结双极晶体管及其制造方法中，能够得到低能带、高质量的异质结双极晶体管。
异质结双极晶体管及其制造方法

[实用新型]功率放大器模组中砷化镓芯片的封装结构-CN201220739067.3有效
发明人：吕致纬 -专利权人：矽格微电子（无锡）有限公司
申请日： 2012-12-28 - 公布日： 2013-06-19 - 主分类号： H01L23/12 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种封装结构，尤其是一种功率放大器模组中砷化镓芯片的封装结构，属于砷化镓芯片封装的技术领域。按照本实用新型提供的技术方案，所述功率放大器模组中砷化镓芯片的封装结构，包括基板及位于所述基板上的砷化镓异质接面双极性晶体管；所述基板的第二支撑连接体与砷化镓异质接面双极性晶体管之间设有晶体管连接支撑体，所述晶体管连接支撑体包括位于第二支撑连接体上的导电薄膜，砷化镓异质接面双极性晶体管通过导电薄膜支撑连接在第二支撑连接体上。
功率放大器模组中砷化镓芯片封装结构

[发明专利]低开启电压砷化镓基新结构异质结双极晶体管结构设计-CN200310110889.0无效
发明人：石瑞英;龚敏 -专利权人：四川大学
申请日： 2003-11-10 - 公布日： 2005-05-18 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：本发明低开启电压砷化镓基新结构异质结双极晶体管结构设计，其中包括：砷化镓衬底；该衬底上生长一层重掺杂的N型砷化镓子收集区；该子收集区上是轻掺杂的N型砷化镓收集区；该收集区上为重掺杂的P型铟镓砷锑基区；该基区上为铟镓磷发射区
开启电压砷化镓基新结构异质结双极晶体管结构设计

[发明专利]一种碳纳米管/砷化镓异质结宽光谱超薄太阳能电池及其构筑方法-CN202010403729.9在审
发明人：苏言杰;刘丕均;叶显柱 -专利权人：南京晶碳纳米科技有限公司;南京微米电子产业研究院有限公司
申请日： 2020-05-13 - 公布日： 2020-08-25 - 主分类号： H01L51/46 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳纳米管/砷化镓异质结宽光谱超薄太阳能电池及其构筑方法，属于半导体光电器件技术领域。包括：下电极、N型砷化镓基底，位于砷化镓基底上带窗口的绝缘层，位于绝缘层窗口内与砷化镓直接接触的碳纳米管薄膜，设置在绝缘层表面碳纳米管薄膜上的图形化上电极。与现有技术相比，本发明可以同时利用碳纳米管与砷化镓对光子的高效吸收与转换特性，并通过所形成的异质结界面快速分离、输运，一方面大幅度降低了光生载流子复合几率，另一方面大大拓宽了砷化镓的响应光谱。
一种纳米砷化镓异质结宽光谱超薄太阳能电池及其构筑方法

[发明专利]砷化镓基复合收集区弹道传输异质结双极晶体管-CN02124452.9无效
发明人：石瑞英;刘训春 -专利权人：中国科学院微电子中心
申请日： 2002-06-26 - 公布日： 2003-12-31 - 主分类号： H01L29/737 文献下载
摘要：一种砷化镓基复合收集区弹道传输异质结双极晶体管，具有多重收集区结构，器件结构包括：一半绝缘砷化镓衬底；一N+掺杂的砷化镓子收集区，该N+掺杂的砷化镓子收集区生长在半绝缘砷化镓衬底上；一复合收集区，该复合收集区生长在N+掺杂的砷化镓子收集区上；一很重掺杂的P型砷化镓基区，该很重掺杂的P型砷化镓基区生长在复合收集区上；在基区上形成有一N型铟镓磷发射区，最上面是为制作欧姆接触用的帽层，在帽层上形成发射极，在基区上、N型铟镓磷发射区的两侧形成有基极
砷化镓基复合收集弹道传输异质结双极晶体管

[发明专利]钙钛矿和砷化镓异质集成的太阳能电池制造方法及电池-CN201611256820.2有效
发明人：薛超;高鹏;张无迪;刘如斌;孙强;肖志斌;王宇 -专利权人：中国电子科技集团公司第十八研究所
申请日： 2016-12-30 - 公布日： 2019-07-12 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种钙钛矿和砷化镓异质集成的太阳能电池制造方法及电池；其特征在于：包括如下步骤：步骤1、分别制备多结砷化镓电池和钙钛矿电池；步骤2、在多结砷化镓电池和钙钛矿电池表面通过光刻和镀膜工艺制备金属栅线；步骤3、通过金属键合工艺将多结砷化镓电池和钙钛矿电池键合集成在一起。本发明采用高禁带宽度的钙钛矿太阳能电池作为子电池代替多结砷化镓太阳能电池的顶电池，解决三结以上多结砷化镓太阳能电池高禁带宽度的顶电池制备困难的问题。显著提高了三结以上多结砷化镓太阳能电池的光电转换效率。采用金属键合的方式，将钙钛矿太阳能电池和多结砷化镓太阳能电池通过金属栅线级联起来，方便的实现了异质集成，工艺成熟重复性好。
钙钛矿砷化镓异质集成太阳能电池制造方法电池

[发明专利]一种砷化镓基异质结遂穿场效应晶体管-CN201611076133.2在审
发明人：刘丽蓉;王勇;丁超 -专利权人：东莞市广信知识产权服务有限公司;东莞华南设计创新院
申请日： 2016-11-29 - 公布日： 2017-04-26 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公布了一种砷化镓基异质结遂穿场效应晶体管结构，该器件结构包括一N型掺杂的砷化镓半导体层；一本征的砷化镓半导体层；一P型锑化镓半导体层；一在N型掺杂的砷化镓半导体层上形成的漏电极；一在P型锑化镓半导体材料上形成的源电极；一在本征砷化镓半导体层上生长的氧化铝介质层；一在氧化铝介质层上形成的栅金属电极。
一种砷化镓基异质结遂穿场效应晶体管

[发明专利]砷化镓衬底上制备纳米尺寸坑的方法-CN200510084357.3无效
发明人：李凯;叶小玲;王占国 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2005-07-19 - 公布日： 2007-01-24 - 主分类号： H01L21/18 文献下载
摘要：一种砷化镓衬底上制备纳米尺寸坑的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：以半绝缘砷化镓单晶片为衬底；步骤2：异质外延生长砷化铟应变自组装纳米点；步骤3：外延砷化镓薄层，使其部分覆盖上述砷化铟纳米点；步骤4：第一次退火；步骤5：衬底温度降温至400℃以下；步骤6：衬底温度升温到500－530℃；步骤7：第二次退火，在砷化镓衬底上形成纳米尺寸坑。
砷化镓衬底制备纳米尺寸方法

[发明专利]砷化镓异质结双极晶体管及其制作方法-CN202211026754.5在审
发明人：黄勇 -专利权人：苏州晶歌半导体有限公司
申请日： 2022-08-25 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： H01L29/737 文献下载
摘要：本发明公开了一种砷化镓异质结双极晶体管，所述砷化镓异质结双极晶体管的亚集电区和/或发射区盖层采用Si和C共掺杂的N型GaAs。本发明还公开了一种砷化镓异质结双极晶体管的制作方法。
砷化镓异质结双极晶体管及其制作方法

[发明专利]石墨烯/三氧化二铝/砷化镓太赫兹探测器及其制作方法-CN201910865062.1在审
发明人：杨冬晓;王畅;林时胜;陆阳华;胡欣怡 -专利权人：浙江大学
申请日： 2019-09-09 - 公布日： 2020-02-11 - 主分类号： H01L31/115 文献下载
摘要：本发明公开了一种石墨烯/三氧化二铝/砷化镓太赫兹光电探测器及其制作方法。在N型砷化镓衬底上自下而上依次有三氧化二铝绝缘层、石墨烯层，并设有第一电极以及边电极；制备方法是先在N型掺杂的砷化镓片上制作边电极及三氧化二铝绝缘层，将石墨烯转移到三氧化二铝上，使得石墨烯/三氧化二铝/砷化镓接触形成隧穿异质结；再在石墨烯上制作第一电极，得到石墨烯/三氧化二铝/砷化镓光电探测器。本发明的太赫兹光电探测器通过异质结的隧穿效应进一步优化了其器件性能，暗态电流低，且对太赫兹波段具有极高的响应度与探测度，器件工艺简单。
三氧化二铝石墨烯砷化镓绝缘层太赫兹光电探测器第一电极边电极异质结制作光电探测器太赫兹波段器件工艺器件性能砷化镓片石墨烯层隧穿效应响应度暗态衬底隧穿制备探测优化

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