“砷化镓器件”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果2829747个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种集成芯片及其制作方法-CN202110992587.9在审
发明人：樊永辉;许明伟;樊晓兵 -专利权人：深圳市汇芯通信技术有限公司
申请日： 2021-08-27 - 公布日： 2021-12-21 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本申请公开了一种集成芯片及其制作方法，包括步骤：在硅衬底上划分硅器件区域和砷化镓器件区域；在硅衬底对应砷化镓器件区域上形成砷化镓外延结构；在砷化镓外延结构上形成砷化镓器件；在硅衬底上对应硅器件区域形成硅器件；形成所述砷化镓器件与所述硅器件之间的金属互连层。可以将砷化镓器件和硅器件集成到一个芯片上，实现降低制造成本、减小器件面积、提升系统集成度等优点。
一种集成芯片及其制作方法

[发明专利]室温环境下激励砷化镓中金属原子扩散的方法-CN201510976237.8在审
发明人：徐万劲;李磊;李艳平;姚利;侯瑞祥;秦国刚 -专利权人：北京大学
申请日： 2015-12-23 - 公布日： 2017-06-30 - 主分类号： H01L21/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种激励砷化镓中金属原子扩散的方法，在室温环境下先通过感应耦合等离子体处理或其他方法在砷化镓材料或砷化镓器件表面引入表面缺陷，再对砷化镓材料或砷化镓器件进行一定剂量的伽马射线辐照，激活励砷化镓内的金属杂质扩散该方法简单快捷，而且由于不需高温，不仅可用于改善砷化镓晶片的性能，还可用于改善砷化镓器件的性能。
室温环境激励砷化镓中金属原子扩散方法

[发明专利]一种基于砷化镓p-n结器件的β型核电池-CN202111185180.1在审
发明人：张光辉;刘玉敏;林坤宇;桑天贵;王物达;罗朝君 -专利权人：东华理工大学
申请日： 2021-10-12 - 公布日： 2022-01-11 - 主分类号： G21H1/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于砷化镓p‑n结器件的β型核电池。这种核电池是由放射源镍‑63源、砷化镓p‑n结换能器件和电池外壳组成。利用MOCVD外延生长技术及设备制备砷化镓p‑n结，这种p‑n结包括：n型砷化镓衬底层、n型砷化镓缓冲层、n型铝砷化镓层、n型砷化镓基区层和p型砷化镓层。由砷化镓p‑n结和电极层构成砷化镓p‑n结器件。然后，在正面格栅电极层和背面电极层上分别焊接金引线形成电池的正、负极引线。接着，将薄片放射源镍‑63源放置于砷化镓p‑n结器件的正面格栅电极层上。最后，将整个装置封装后制备成一种基于砷化镓p‑n结器件的β型核电池。
一种基于砷化镓器件核电

[发明专利]砷化镓基半导体器件的制造方法-CN202011468551.2有效
发明人：于良成;白龙刚;杨国文;赵卫东 -专利权人：度亘激光技术(苏州)有限公司
申请日： 2020-12-15 - 公布日： 2021-03-23 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种砷化镓基半导体器件的制造方法，涉及半导体器件制备技术领域。本发明提供的砷化镓基半导体器件的制造方法包括：将砷化镓基底放入酸溶液中进行清洗；向经过清洗的砷化镓基底表面通入流动的氨气，并使氨气进行等离子反应，以去除砷化镓基底表面的氧化物；在砷化镓基底上制备氮化硅保护膜本发明提供的砷化镓基半导体器件的制造方法，在砷化镓基底上制备氮化硅保护膜之前，利用氨气的等离子反应去除砷化镓基底表面的氧化物，并在砷化镓基底上形成完整的氮氢化学键，从而可以得到表面粗糙的稳态砷化镓基底，使得制备在砷化镓基底上的氮化硅保护膜不易于脱落，提高了产品良率。
砷化镓基半导体器件制造方法

[发明专利]一种集成芯片及其制作方法和集成电路-CN202110995384.5在审
发明人：樊永辉;许明伟;樊晓兵 -专利权人：深圳市汇芯通信技术有限公司
申请日： 2021-08-27 - 公布日： 2021-12-10 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：集成芯片包括：硅衬底、基于硅半导体的开关控制电路、砷化镓外延结构和基于砷化镓的开关电路；所述硅衬底被划分为硅器件区域和砷化镓器件区域；基于硅半导体的开关控制电路设置在硅衬底上，对应设置在所述硅器件区域；砷化镓外延结构设置在硅衬底上，对应所述砷化镓器件区域；以及基于砷化镓的开关电路设置在砷化镓外延结构上；所述基于硅半导体的开关控制电路与所述基于砷化镓的开关电路通过金属互联；所述基于砷化镓的开关电路包括砷化镓高电子迁移率晶体管，可以将基于硅半导体的开关控制电路和基于砷化镓的开关电路集成到一个芯片上，实现更高的集成度、更小的器件面积、更低的制作成本以及更好的性能。
一种集成芯片及其制作方法集成电路

[发明专利]一种集成式硅基芯片及其制作方法、集成电路-CN202110996272.1在审
发明人：樊永辉;许明伟;樊晓兵 -专利权人：深圳市汇芯通信技术有限公司
申请日： 2021-08-27 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本申请公开了一种集成式硅基芯片及其制作方法、集成电路，集成式硅基芯片包括：硅衬底、基于硅的控制电路、砷化镓外延结构、砷化镓高电子迁移率晶体管和匹配电路；硅衬底被划分为硅器件区域和砷化镓器件区域；基于硅的控制电路，设置在硅衬底上，对应设置在硅器件区域；砷化镓外延结构，设置在硅衬底上，对应砷化镓器件区域；砷化镓高电子迁移率晶体管，设置在砷化镓外延结构上；以及匹配电路，设置在砷化镓外延结构上；基于硅的控制电路与砷化镓高电子迁移率晶体管电连接；匹配电路与砷化镓高电子迁移率晶体管电连接。可以将基于硅的控制电路、砷化镓高电子迁移率晶体管和匹配电路集成到一个芯片上。
一种集成式硅基芯片及其制作方法集成电路

[发明专利]一种室温环境下激励砷化镓中金属原子扩散的方法-CN201510977322.6有效
发明人：秦国刚;李磊;侯瑞祥;姚利;徐万劲 -专利权人：北京大学
申请日： 2015-12-23 - 公布日： 2019-12-13 - 主分类号： H01L21/223 文献下载
摘要：本发明公开了一种激励砷化镓中金属原子扩散的方法，是在室温环境下对砷化镓材料或砷化镓器件进行电感耦合等离子体(ICP)处理，激励砷化镓中的金属原子发生扩散。该方法简单快捷，在室温环境下实现，不仅可用于改善砷化镓材料的性能，还可用于改善砷化镓器件的性能。
一种室温环境激励砷化镓中金属原子扩散方法

[发明专利]从废旧含砷化镓IC元器件中回收砷化镓、铜的方法和应用-CN202011138352.5有效
发明人：詹路;许振明;张永亮 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2020-10-22 - 公布日： 2021-09-10 - 主分类号： C22B58/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种从废旧砷化镓基IC元器件中回收砷化镓、铜的方法，将废旧含砷化镓IC元器件经水热缓冲体系处理，而后真空抽滤、筛分，得到砷化镓初次富集体和金属铜支架以及二氧化硅粉末。然后研磨初次砷化镓富集体以去除少量残余的封装材料，再次筛分从而得到含砷化镓富集体。本发明不仅能够有效回收废旧含砷化镓IC元器件中的砷化镓以及金属铜支架，而且在回收过程中，使材料中的非金属组分也得到资源化处理。本发明在减少环境污染和电子固废资源化利用方面优势突出，具有回收效果好、运行成本低、对环境无污染等特点。本发明还公开了所述方法在从废旧砷化镓基IC元器件中回收砷化镓、铜中的应用。
废旧含砷化镓 ic 元器件回收砷化镓方法应用

[发明专利]可实现自旋存储探测和光探测器复合功能的器件-CN200910083493.9无效
发明人：孙晓明;郑厚植;甘华东;申超 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2009-05-06 - 公布日： 2010-11-10 - 主分类号： H01L29/66 文献下载
摘要：一种可实现自旋存储探测和光探测器复合功能的器件，包括：一砷化镓衬底；一砷化镓缓冲层，该砷化镓缓冲层生长在砷化镓衬底上；一微腔结构，该微腔结构生长在砷化镓缓冲层上。本发明可实现自旋存储探测和光探测器复合功能的器件结构，运用这种器件结构，可以在一个器件结构中实现自旋的存储、自旋的探测以及光探测三种功能。
实现自旋存储探测探测器复合功能器件

[发明专利]宽光谱砷化铟/砷化铟镓/砷化镓量子点材料生长方法-CN200610002667.0无效
发明人：刘宁;金鹏;王占国 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2006-01-26 - 公布日： 2007-08-01 - 主分类号： C09K11/62 文献下载
摘要：一种宽光谱砷化铟/砷化铟镓/砷化镓量子点材料生长方法，包括如下步骤：在衬底上制备砷化镓缓冲层，该缓冲层是下述有源区的下势垒层；在砷化镓缓冲层上制备有源区，该有源区是该砷化铟/砷化铟镓/砷化镓量子点材料的核心部分，为该材料的光谱发射区；在有源区上制备低温砷化镓盖层，该低温砷化镓盖层为上述有源区的上势垒层；在低温砷化镓盖层上制备高温砷化镓盖层，该高温砷化镓盖层是该砷化铟/砷化铟镓/砷化镓量子点材料的最外一层，具有保护作用本发明能应用于超辐射发光管等需要宽光谱特性的半导体光电子器件有源区结构的设计和外延生长。
光谱砷化铟砷化铟镓砷化镓量子材料生长方法

[发明专利]砷化镓基增强/耗尽型膺配高电子迁移率晶体管材料-CN200510011893.0无效
发明人：李海鸥;尹军舰;和致经;张海英;叶甜春 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2005-06-09 - 公布日： 2006-12-13 - 主分类号： H01L29/15 文献下载
摘要：一种砷化镓基增强/耗尽型膺配高电子迁移率晶体管材料，其采用铟镓磷/铝镓砷/铟镓砷材料结构，在半绝缘砷化镓衬底材料上，生长超晶格层作为缓冲层，然后在超晶格层上顺序生长：铝镓砷层、铟镓砷层、铝镓砷层、平面掺杂层、铝镓砷层、铟镓磷层、砷化镓层；其中，第九层砷化镓外延层作为帽层，第八层铟镓磷外延层作为耗尽型的势垒层，第七层铝镓砷外延层作为增强型的势垒层，第四层铟镓砷作为沟道层。本发明设计的材料结构制作出了具有良好性能的增强/耗尽型膺配高电子迁移率晶体管器件，具有工艺重复性好、可靠性强的特点，在微波、毫米波化合物半导体器件制作和直接耦合场效应管逻辑电路中具有非常明显的实际应用价值
砷化镓基增强耗尽型膺配高电子迁移率晶体管材料

[发明专利]一种砷化镓基半导体－氧化物绝缘衬底及其制备方法-CN03121823.7无效
发明人：周均铭;陈弘;贾海强;王文冲;黄绮 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2003-04-11 - 公布日： 2004-10-13 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种砷化镓基半导体一氧化物绝缘衬底及其制备方法。本发明提供一种砷化镓基半导体一氧化物绝缘衬底，包括砷化镓衬底，在砷化镓衬底上外延生长厚度为20～2000nm的含Al的半导体化合物层，上面覆盖厚度为5～500nm的砷化镓层。本发明采用AlAs侧向氧化的方法制备砷化镓基半导体一氧化物绝缘衬底。本发明提供的砷化镓基半导体一氧化物绝缘衬底具有良好的热稳定性，并可二次外延，非常有利于器件的性能。另外，这种制作方法还大大增加了器件结构的灵活性，并且非常适于高性能电子器件结构和光电集成电路结构。
一种砷化镓基半导体氧化物绝缘衬底及其制备方法

[发明专利]一种基于镍-63源和砷化镓p-n结器件的微型核电池-CN202210266537.7在审
发明人：张光辉;刘玉敏;李嘉芯;林坤宇 -专利权人：东华理工大学
申请日： 2022-03-17 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： G21H1/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于镍‑63源和砷化镓p‑n结器件的微型核电池，其基本结构包括：镍‑63源，砷化镓p‑n结器件，电池防护外壳和电池正、负极引线。这种核电池中砷化镓p‑n结器件内部结构依次为：正面铟锡金属氧化物(ITO)薄膜电极层，p型高掺杂砷化镓帽子层，p型砷化镓发射层，n型砷化镓基区层，n型铝砷化镓(Al0.7Ga0.3As)背散层，n型砷化镓缓冲层，n型砷化镓衬底层和背面金属电极层。
一种基于 63 砷化镓器件微型核电

[发明专利]一种制作砷化镓基HEMT器件背孔的方法-CN201511032303.2在审
发明人：刘丽蓉;马莉;夏校军 -专利权人：东莞市青麦田数码科技有限公司
申请日： 2015-12-30 - 公布日： 2016-04-06 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明公开了一种制作砷化镓基HEMT器件背孔的方法，1)制作完成砷化镓基HEMT器件有源区；2)然后采用光刻、刻蚀的方法在化合物半导体衬底片正面形成背孔，并采用电镀等方式制作背金工艺，完成器件制作；3)将砷化镓衬底与临时衬底片进行粘附；4)对化合物基半导体衬底片进行减薄、抛光、直到化合物基衬底厚度减薄到100微米；5)采用等离子体刻蚀的方式，刻蚀衬底背面，直到背孔区域露出背金；6)最后在砷化镓背面电镀背金，完成砷化镓基 HEMT器件。
一种制作砷化镓基 hemt 器件方法

[发明专利]一种砷化镓衬底的表面处理方法-CN201710504108.8在审
发明人：胡夕伦;闫宝华;刘琦;郑兆河;肖成峰 -专利权人：山东浪潮华光光电子股份有限公司
申请日： 2017-06-27 - 公布日： 2019-01-04 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：一种砷化镓衬底的表面处理方法，包括以下步骤：（1）对砷化镓衬底进行减薄；（2）将脉冲激光均匀作用于砷化镓衬底表面；（3）将脉冲激光作用后的砷化镓衬底用去离子水清洗；（4）将去离子水清洗后的砷化镓衬底用热氮烘干,得到表面洁净的砷化镓衬底。该方法简单，处理效率高，不引入刺激性化学试剂，只需借助脉冲激光、去离子水和热氮即可实现砷化镓衬底的表面清洁处理，处理后的砷化镓衬底表面无有机物、杂质颗粒，保证了后续金属蒸镀后的界面接触质量，防止产生掉电极、器件电压高等异常，提高产品良率和器件性能，最大程度的保证了表面清洁度，同时也提高了生产效率。
砷化镓衬底脉冲激光去离子水衬底表面热氮清洗表面清洁度表面洁净表面清洁产品良率处理效率化学试剂界面接触金属蒸镀均匀作用器件电压器件性能生产效率杂质颗粒有机物电极烘干减薄保证引入

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 100000 条