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[发明专利]用于制备有机/无机薄膜的有机分子束沉积设备-CN200610080612.1无效
发明人：曹国华;秦大山;李建平;曹峻松;曾一平 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2006-05-19 - 公布日： 2007-11-21 - 主分类号： C23C14/24 文献下载
摘要：本发明一种用于制备有机/无机薄膜的有机分子束沉积设备，其特征在于，沉积设备包括：一有机材料生长室，该生长室位于设备的一侧；一无机材料生长室，该生长室一端与有机材料生长室相连；一进样室，该进样室位于无机材料生长室的另一端；一真空系统，该真空系统包括：前真空部分，该前真空部分与有机材料生长室相连；后真空部分，该后真空部分与进样室相连；一手套箱，该手套箱位于进样室的另一端。
用于制备有机无机薄膜分子沉积设备

[发明专利]HTCVD法碳化硅晶体生长装置-CN201110264570.8有效
发明人：刘兴昉;董林;郑柳;闫果果;王雷;赵万顺;孙国胜;曾一平;李晋闽 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2011-09-08 - 公布日： 2012-01-04 - 主分类号： C23C16/32 文献下载
摘要：一种HTCVD法碳化硅晶体生长装置，所述晶体生长装置适用于高温化学气相沉积工艺，所述晶体生长装置包括：一真空室；一晶体生长室，与真空室连接，该晶体生长室包括多个独立的晶体生长腔；多个输送源气体的管路，该输送源气体的管路位于真空室和晶体生长室内，分别与晶体生长室的独立的晶体生长腔连通，用于向晶体生长室输送源气体；一用于排除尾气的管路，位于真空室和晶体生长室内，分别与多个晶体生长腔连接，用于排出晶体生长尾气。
htcvd 碳化硅晶体生长装置

[发明专利]一种用于以物理气相传输沉淀法生长单晶用的单晶生长设备-CN200710119163.1有效
发明人：吴晟 -专利权人：吴晟
申请日： 2007-07-17 - 公布日： 2008-03-19 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本申请公开了一种用于物理气相传输法生长单晶用的单晶生长设备，包括管状的真空生长室，高频或中频电源、真空系统、气压控制系统，放置单晶原料粉以及被生长的原始单晶体的石墨坩埚、感应加热线圈、密封真空生长室上、下端的法兰盘，其特征在于，所述管状的真空生长室由陶瓷材料制成。由于本发明的单晶生长设备中采用了工业陶瓷制作的真空生长室，使真空生长室的机械强度高、不易碎裂，也没有石英玻璃管微晶化的问题，单晶生长设备可以可靠地在高温环境下工作，且价格低，降低了设备成本。
一种用于物理相传沉淀生长单晶用设备

[发明专利]一种碳化硅晶体生长装置-CN200310113521.X有效
发明人：陈小龙;吴星;李河清;倪代秦;胡伯清;李金成 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2003-11-14 - 公布日： 2004-11-10 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳化硅晶体生长装置，该装置包括真空室、石墨生长室、感应线圈，石墨生长室外部包覆有具有适当厚度的绝热材料，感应线圈设置在绝热材料外部，石墨生长室连同其外部的绝热材料层及感应线圈一起固定在真空室内，真空室上带有能够开启的密封盖，其上还设置有供与真空泵相连的抽气口。将晶体生长室及其绝热材料层和感应线圈一同设置在由金属制成的真空室中后，消除了真空室壁夹在感应线圈和晶体生长室之间所带来的缺陷，可以方便地通过调整保温材料的厚度，改变石墨生长室的尺寸来达到改变生长晶体尺寸的目的；同时由于感应线圈和石墨生长室之间没有双层石英管，从而无需进行大的设备改造，即可生长大尺寸SiC晶体。
一种碳化硅晶体生长装置

[发明专利]超高真空原位薄膜刻蚀电极生长系统-CN201910842219.9在审
发明人：王文杰 -专利权人：仪晟科学仪器(嘉兴)有限公司
申请日： 2019-09-06 - 公布日： 2019-11-22 - 主分类号： G01N1/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种超高真空原位薄膜刻蚀电极生长系统，快速进样室包括第一传样杆、高真空腔体部、第一超高真空插板阀，所述第一传样杆与所述高真空腔体部法兰刀口密封连接，电极生长室包括超高真空腔体部、第一真空获得系统、第一真空测量系统，所述快速进样室的第一超高真空插板阀与所述电极生长室的超高真空腔体部法兰刀口密封连接。本发明公开的一种超高真空原位薄膜刻蚀电极生长系统，可以对生长好的薄膜样品进行特殊形状的刻蚀加工并原位生长电极获得用于测量材料输运特性的特殊样品。
超高真空超高真空腔高真空腔体刀口密封电极生长刻蚀电极生长系统插板阀传样杆进样室法兰薄膜真空测量系统真空获得系统薄膜样品测量材料输运特性原位生长电极刻蚀生长加工

[发明专利]用于柔性衬底外延生长大尺寸GaN的卷对卷设备和方法-CN202310071867.5在审
发明人：杨军;姜平;孔玮 -专利权人：西湖烟山科技（杭州）有限公司
申请日： 2023-02-07 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： C30B25/02 文献下载
摘要：本发明属于外延生长材料的技术领域，涉及一种用于柔性衬底外延生长大尺寸GaN的卷对卷设备和方法，该设备包括：真空腔室、真空过渡腔室、常压腔室及连通所述真空腔室、真空过渡腔室、常压腔室的柔性基带传输系统；柔性衬底利用柔性基带传输系统，经真空腔室沉积生长缓冲层后传出，由真空过渡腔室过渡环境压强至常压下，最后进入常压腔室进行柔性衬底的外延生长GaN膜层。此设备结构设计合理，能高效实现大尺寸柔性带材基底的GaN膜层外延生长，克服了传统柔性外延GaN的工艺步骤繁琐、生长面积小等难题，同时卷对卷设备可以连续、稳定生产柔性外延GaN，可以实现大尺寸GaN衬底的制备
用于柔性衬底外延生长尺寸 gan 设备方法

[实用新型]超高真空原位薄膜刻蚀电极生长系统-CN201921484951.5有效
发明人：王文杰 -专利权人：仪晟科学仪器（嘉兴）有限公司
申请日： 2019-09-06 - 公布日： 2020-07-07 - 主分类号： G01N1/28 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种超高真空原位薄膜刻蚀电极生长系统，快速进样室包括第一传样杆、高真空腔体部、第一超高真空插板阀，所述第一传样杆与所述高真空腔体部刀口法兰密封连接，电极生长室包括超高真空腔体部、第一真空获得系统、第一真空测量系统，所述快速进样室的第一超高真空插板阀与所述电极生长室的超高真空腔体部刀口法兰密封连接。本实用新型公开的一种超高真空原位薄膜刻蚀电极生长系统，可以对生长好的薄膜样品进行特殊形状的刻蚀加工并原位生长电极获得用于测量材料输运特性的特殊样品。
超高真空原位薄膜刻蚀电极生长系统

[发明专利]卧式石墨烯卷对卷连续生长设备-CN201710186762.9有效
发明人：李占成;伍俊;史浩飞;李昕;朱鹏;黄德萍;段银武;余杰 -专利权人：重庆墨希科技有限公司
申请日： 2017-03-27 - 公布日： 2020-06-19 - 主分类号： C01B32/186 文献下载
摘要：本发明公开了一种能够提高生产效率，降低能耗，保证产品品质的卧式石墨烯卷对卷连续生长设备。该卧式石墨烯卷对卷连续生长设备，包括真空上料室、高温工艺腔室、真空取料室、驱动装置；所述真空上料室和真空取料室均设置有真空泵；所述高温工艺腔室上设置有快速加热装置；所述高温工艺腔室一端与真空上料室连接且连通，另一端与真空取料室连接且连通；所述高温工艺腔室的两端均设置有匀流隔热板以及快速冷却装置；所述真空上料室内设置有用于检测石墨烯生长基底张力的张力检测装置，所述石墨烯基底收料辊与收料导向辊之间设置有用于冷却检测石墨烯生长基底的冷却装置采用该卧式石墨烯卷对卷连续生长设备能够提高产品品质，节约生产成本。
卧式石墨连续生长设备

[实用新型]卧式石墨烯卷对卷连续生长设备-CN201720306560.9有效
发明人：李占成;伍俊;史浩飞;李昕;朱鹏;黄德萍;段银武;余杰 -专利权人：重庆墨希科技有限公司
申请日： 2017-03-27 - 公布日： 2018-02-23 - 主分类号： C01B32/186 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种能够提高生产效率，降低能耗，保证产品品质的卧式石墨烯卷对卷连续生长设备。该卧式石墨烯卷对卷连续生长设备，包括真空上料室、高温工艺腔室、真空取料室、驱动装置；所述真空上料室和真空取料室均设置有真空泵；所述高温工艺腔室上设置有快速加热装置；所述高温工艺腔室一端与真空上料室连接且连通，另一端与真空取料室连接且连通；所述高温工艺腔室的两端均设置有匀流隔热板以及快速冷却装置；所述真空上料室内设置有用于检测石墨烯生长基底张力的张力检测装置，所述石墨烯基底收料辊与收料导向辊之间设置有用于冷却检测石墨烯生长基底的冷却装置采用该卧式石墨烯卷对卷连续生长设备能够提高产品品质，节约生产成本。
卧式石墨连续生长设备

[发明专利]超高真空极低温原位多探针输运测量系统-CN201910842209.5在审
发明人：王文杰 -专利权人：仪晟科学仪器(嘉兴)有限公司
申请日： 2019-09-06 - 公布日： 2019-11-26 - 主分类号： G01Q60/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种超高真空极低温原位多探针输运测量系统，包括快速进样室、生长室、输运测试室、真空互联系统、系统支架及电源系统，其中快速进样室主要实现大气和超高真空环境之间快速传递样品和针尖；生长室主要在高温下实现指定图案薄膜器件和电极的生长；输运测量室主要实现生长好的薄膜器件在极低温下的原位多探针输运测量；真空互联系统主要实现系统与其他系统的真空连接。本发明公开的一种超高真空极低温原位多探针输运测量系统，其可以通过真空环境和制冷技术，能够实现从低温到室温的样品温度控制。
输运多探针极低温测量系统超高真空互联系统进样室生长室超高真空环境薄膜器件电源系统图案薄膜系统支架真空环境真空连接制冷技术测量室测试室电极生长针尖测量传递

[实用新型]超高真空极低温原位多探针输运测量系统-CN201921487278.0有效
发明人：王文杰 -专利权人：仪晟科学仪器（嘉兴）有限公司
申请日： 2019-09-06 - 公布日： 2020-06-16 - 主分类号： G01Q60/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种超高真空极低温原位多探针输运测量系统，包括快速进样室、生长室、输运测试室、真空互联系统、系统支架及电源系统，其中快速进样室主要实现大气和超高真空环境之间快速传递样品和针尖；生长室主要在高温下实现指定图案薄膜器件和电极的生长；输运测量室主要实现生长好的薄膜器件在极低温下的原位多探针输运测量；真空互联系统主要实现系统与其他系统的真空连接。本实用新型公开的一种超高真空极低温原位多探针输运测量系统，其可以通过真空环境和制冷技术，能够实现从低温到室温的样品温度控制。
超高真空低温原位探针输运测量系统

[发明专利]一种制备光散射薄膜的方法-CN201110351813.1无效
发明人：施利毅;袁帅;周才龙;赵尹;王竹仪;刘立;方建慧 -专利权人：东莞上海大学纳米技术研究院;上海大学
申请日： 2011-11-09 - 公布日： 2012-04-04 - 主分类号： C23C24/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种制备光散射薄膜的方法，其包括以下步骤：(1)制备喷涂液；(2)设置一生长室，于该生长室中设置一能使该生长室中为真空状态的真空系统；(3)于生长室中设置一用于固定需要喷涂上光散射薄膜的基底材料的沉积基板，该沉积基板与基底材料处于加热状态；(4)使用喷射系统将喷涂液朝向基板喷射到生长室中，由于真空系统的作用，该生长室中为真空状态，喷射到生长室中的喷涂液瞬间体积急剧膨胀为雾状，并具有飞向所述沉积基板的初速度，在该雾状喷涂液的飞行过程中，有机溶剂急剧挥发并被大抽速的真空泵抽走，雾状喷涂液中的为纳米粒子状态的溶胶于基底材料上形成光散射膜。
一种制备散射薄膜方法

[发明专利]一种制备Ⅳ-Ⅵ族半导体单晶薄膜的生长装置-CN200710068863.2无效
发明人：吴惠桢;斯剑霄;夏明龙;徐天宁 -专利权人：浙江大学
申请日： 2007-05-17 - 公布日： 2008-01-09 - 主分类号： C30B23/08 文献下载
摘要：一种制备Ⅳ-Ⅵ族半导体晶体薄膜生长装置，包括有生长设备，抽真空系统，加热系统，冷却系统，控制系统，其特征是：所述的生长设备由进样室，生长准备室，生长室三个真空室依次连接构成，进样室与生长准备室之间及生长准备室与生长室之间由闸板阀隔离，进样室与生长准备室有样品传送杆传送衬底，生长准备室与生长室有样品传送杆传送衬底，生长准备室和生长室有可升降和转动的样品架，生长室样品架下边有2-8只束源炉，由挡板隔离样品架与束源炉，生长室可根据需要选择用水冷或液氮冷却
一种制备半导体薄膜生长装置

[实用新型]一种制备太阳能薄膜材料的团簇装置-CN201921871798.1有效
发明人：邹杨;孙蕾;邹松东 -专利权人：洛阳奥尔材料科技有限公司
申请日： 2019-11-02 - 公布日： 2020-05-22 - 主分类号： C23C14/56 文献下载
摘要：本实用新型涉及真空镀膜技术领域，且公开了一种制备太阳能薄膜材料的团簇装置，包括进出样室，所述进出样室的左侧设置有P型薄膜材料生长室，所述进出样室的上方设置有I型薄膜材料生长室，所述进出样室的右侧设置有N型薄膜材料生长室，每个两个生长室之间均设置有门阀，所述进出样室、P型薄膜材料生长室、I型薄膜材料生长室、N型薄膜材料生长室上均设置有真空抽气口。本方案一种制备太阳能薄膜材料的团簇装置结构，通过样片传递小车带动样片在进出样室和生长室来回运动，并根据需要在每个生长室掺杂沉积相应的薄膜材料，不会交叉污染，而且不用破坏真空，从而制备出高纯度的太阳能薄膜材料，薄膜材料质量更有保障、生长效率更高。
一种制备太阳能薄膜材料装置

[发明专利]一种用于控制真空生长室内气体压力的压力自动控制装置-CN200710119164.6无效
发明人：吴晟 -专利权人：吴晟
申请日： 2007-07-17 - 公布日： 2008-03-19 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本申请公开了一种用于控制单晶生长设备的真空生长室内气体压力的压力自动控制装置，包括与真空生长室连通的抽气泵、气阀流量计、以及与气阀流量计相连的气源、其特征在于，在真空生长室与真空抽气泵之间，或真空生长室与气体流量计之间设置有电磁阀，该装置进一步包括压力传感器、程序给定器、PID控制器和多谐振荡器，压力传感器测量生长室的气压，并将测得的压力转换成电信号，该信号与程序给定器给出的压力数值进行比较，其差值被送入PID控制器，PID控制器将输出到压控多谐振荡器，该压控多谐振荡器的输出信号控制所述电磁阀的气阀的通、断，进而控制真空生长室的进气和出气，使真空生长室内的压力保持在晶体生长工艺要求的稳定状态。
一种用于控制真空生长室内气体压力自动控制装置

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