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[发明专利]ITO薄膜溅射工艺方法及ITO薄膜溅射设备-CN201310023126.6有效
发明人：耿波;叶华;文利辉;杨玉杰;夏威;王厚工;丁培军 -专利权人：北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
申请日： 2013-01-22 - 公布日： 2014-07-23 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种ITO薄膜溅射工艺方法和ITO薄膜溅射设备。其中ITO薄膜溅射工艺包括以下步骤：1）将直流溅射电源的输出电压限制到所述直流溅射电源的额定电压以下，且通过所述直流溅射电源对靶材施加预定功率；2）向反应腔内通入工艺气体，所述反应腔内的工艺气体压力设定为所述反应腔内的所述工艺气体能够启辉的预定压力，以使所述工艺气体在所述反应腔内启辉；和3）将所述反应腔内的工艺气体压力降低到所述预定压力以下且通过所述直流溅射电源对所述靶材施加溅射功率以进行溅射，所述溅射功率大于等于所述预定功率且小于等于所述溅射电源的额定功率本发明的ITO薄膜溅射工艺可降低启辉时的电压峰值。
ito 薄膜溅射工艺方法设备

[发明专利]一种射频和直流共溅射灰色装饰膜层及其方法和应用-CN202210035636.4在审
发明人：黄先杰;潘弦;乔永亮;陈招豪;蒋义锋 -专利权人：厦门建霖健康家居股份有限公司
申请日： 2022-01-13 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明提供一种射频和直流共溅射灰色装饰膜层的方法，包括以下步骤：将基材置于镀膜机中，将射频溅射电源连接石墨靶，直流溅射电源连接锆靶，开启真空抽气，通入氩气使真空度维持在4.0*10‑1～6.0*10‑1Pa，开启直流溅射电源，调节输出功率为50～100w，沉积金属锆5～10min打底；通入氩气，使腔体内真空度维持在4.0*10‑1～6.0*10‑1Pa，同时开启射频溅射电源和直流溅射电源，调节射频溅射电源输出功率为100～150w，直流溅射电源输出功率为本发明采用射频和直流共溅射获得灰色装饰膜层的方法，工艺简单，颜色可调，可镀于各种金属或非金属材料表面，所获得的灰色装饰膜层在空气中自然放置不会变色，可稳定通过盐雾测试，在装饰镀膜领域具备广阔的市场前景。
一种射频直流溅射灰色装饰及其方法应用

[发明专利]ITO薄膜溅射工艺方法及ITO薄膜溅射设备-CN201310045824.6有效
发明人：耿波;叶华;文利辉;杨玉杰;夏威;王厚工;丁培军 -专利权人：北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
申请日： 2013-02-05 - 公布日： 2014-08-06 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种ITO薄膜溅射工艺方法及ITO薄膜溅射设备。所述方法包括以下步骤：在向反应腔内通入工艺气体之前，控制直流溅射电源的输出电压为预定电压，并通过直流溅射电源对靶材施加预定功率；在预定时间之后向反应腔内通入工艺气体，以使工艺气体在反应腔内启辉；在启辉之后，通过直流溅射电源对靶材施加溅射功率以进行溅射，溅射功率大于等于所述预定功率且小于等于所述溅射电源的额定功率。本发明的ITO薄膜溅射工艺方法，能够大幅减小启辉电压，减小启辉瞬间粒子能量过高对GaN层的轰击，有效的减小对GaN层的损伤。
ito 薄膜溅射工艺方法设备

[发明专利]一种快速确认CIGS电池缓冲层厚度工艺窗口的方法-CN202211177276.8在审
发明人：尚航;连重炎;李全友;郑威;曹云虎 -专利权人：宣城开盛新能源科技有限公司;宣城先进光伏技术有限公司
申请日： 2022-09-26 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及CIGS电池制备方法技术领域，具体涉及一种快速确认CIGS电池缓冲层厚度工艺窗口的方法，初始状态下，柔性薄膜基材连续传送进入镀膜机，在柔性薄膜基材上利用直流磁控溅射方法沉积制备缓冲层，直流溅射电源的功率按照初始固定功率设定，镀膜机内靶材使用至不同周期节点或更换新靶材时，设定靶材对应的直流溅射电源的功率按照定义的爬坡曲线进行步进式调整，步进式调整时间段内获得连续不同缓冲层厚度的CIGS芯片，并在线对传送的CIGS芯片进行连续光电转化效率测试
一种快速确认 cigs 电池缓冲厚度工艺窗口方法

[发明专利]直流溅射方法及直流溅射装置-CN202210795406.8在审
发明人：周张琪;李志华 -专利权人：广州粤芯半导体技术有限公司
申请日： 2022-07-07 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： C23C14/54 文献下载
摘要：本发明提供一种直流溅射方法及直流溅射装置，包括：对置于直流溅射装置中的板执行直流溅射工艺，执行直流溅射工艺时通过监测溅射电流是否大于设定电流以判定直流溅射工艺是否发生电弧放电，设定电流大于直流溅射工艺的标准电流；若发生电弧放电则发出异常信号，并响应于异常信号而切断直流电源以进行熄弧处理，并于预定时间后再继续执行直流溅射工艺。本发明中，通过在直流溅射工艺中监测溅射电流是否大于设定电流以判定该直流溅射工艺是否发生电弧放电，若发生电弧放电即切断直流电源进行熄弧处理，从而减少电弧放电对靶材或基板等的危害，进而减少基板上因电弧放电引起的缺陷
直流溅射方法装置

[实用新型]氧化锌绒面透明导电镀膜玻璃生产装置-CN200920035730.X有效
发明人：赵青南;董玉红;卢秀强 -专利权人：江苏秀强玻璃工艺股份有限公司
申请日： 2009-03-18 - 公布日： 2009-12-16 - 主分类号： C03C17/245 文献下载
摘要：它装有三个直流溅射电源和十二个中频溅射电源，电源之间可以互换；在溅射镀膜室的前、后锁定室和缓冲室增加等离子体源产生装置，该等离子体源产生的等离子体能够对玻璃基片进行轰击处理，在玻璃表面形成绒面；也能对溅射镀制的ZnO膜面进行轰击处理，形成ZnO绒面透明导电玻璃；各溅射室之间装真空锁，避免串气、以及根据需要开启各室的真空系统，降低电耗；在进片和前锁定室有加热装置、在传输辊上套装无水冷却就可耐热200℃的含氟橡胶轮
氧化锌透明导电镀膜玻璃生产装置

[实用新型]一种薄膜生长过程原位动态特性监测实验仪器-CN03200903.8无效
发明人：黄筱玲;田跃;邱宏;李杰;王凤平;吴平;潘礼庆;罗胜;刘亚琪;李祥林;党彦军 -专利权人：北京科技大学;北京科大天宇微电子材料技术开发有限公司;北京中科科仪技术发展有限责任公司
申请日： 2003-01-14 - 公布日： 2004-09-15 - 主分类号： G01N27/04 文献下载
摘要：由真空控制部分、直流溅射镀膜部分和测量部分组成。其真空控制部分由机械泵、真空测量规和真空度显示仪表组成；直流溅射镀膜部分由镀膜用的靶材、安放衬底的衬底架和直流溅射电源组成。镀膜用的靶材和安放衬底的衬底架放置在直流溅射镀膜室中；测量部分由用于同衬底的电流输入电极相连接的电流输入接头、用于同衬底的电压输出电极相连接的电压输出接头、恒流源、电流表和电压表组成。
一种薄膜生长过程原位动态特性监测实验仪器

[发明专利]一体化连续生产氧化锌绒面透明导电镀膜玻璃生产线-CN200910026059.7无效
发明人：赵青南;董玉红;卢秀强 -专利权人：江苏秀强玻璃工艺有限公司
申请日： 2009-03-18 - 公布日： 2009-10-07 - 主分类号： C03C17/245 文献下载
摘要：它装有三个直流溅射电源和十二个中频溅射电源，电源之间可以互换；在溅射镀膜室的前、后锁定室和缓冲室增加等离子体源产生装置，该等离子体源产生的等离子体能够对玻璃基片进行轰击处理，在玻璃表面形成绒面；也能对溅射镀制的ZnO膜面进行轰击处理，形成ZnO绒面透明导电玻璃；各溅射室之间装真空锁，避免串气、以及根据需要开启各室的真空系统，降低电耗；在进片和前锁定室有加热装置、在传输辊上套装无水冷却就可耐热200℃的含氟橡胶轮
一体化连续生产氧化锌透明导电镀膜玻璃生产线

[发明专利]一种直流磁控溅射镀膜电源快速可靠助燃电路-CN201910441113.8在审
发明人：李民久;陈庆川;蒲世豪;贺岩斌;姜亚南;熊涛;黄雨;邵斌 -专利权人：核工业西南物理研究院;成都同创材料表面科技有限公司
申请日： 2019-05-24 - 公布日： 2019-09-03 - 主分类号： H02M7/5387 文献下载
摘要：本发明属于自动控制技术和电力电子技术领域，具体涉及一种直流磁控溅射镀膜电源快速可靠助燃电路，通过增加助燃电路，助燃电路输出的电压叠加上高频逆变开关电源的高频整流桥输出的电压，以达到助燃启辉电压的幅值，当启辉成功后，直流磁控溅射电源输出电流超过启辉成功判断阈值，或者直流磁控溅射电源输出电压低于主电源空载电压判断阈值，助燃电路停止工作，这时直流磁控溅射工艺需要的电压和电流由直流磁控溅射电源的主电路供给；一但辉光熄灭，助燃电路启动输出，电源的输出电压又达到助燃启辉电压的幅值，确保镀膜工艺连续性；减小电弧能量，提高镀膜质量。
助燃直流磁控溅射电源直流磁控溅射电路镀膜电源启辉电压输出电压启辉电力电子技术领域高频逆变开关电源自动控制技术电弧能量电路启动电路输出镀膜工艺高频整流空载电压输出电流桥输出主电路主电源辉光减小熄灭成功输出

[实用新型]一种直流磁控溅射镀膜电源快速可靠助燃电路-CN201920760742.2有效
发明人：李民久;陈庆川;蒲世豪;贺岩斌;姜亚南;熊涛;黄雨;邵斌 -专利权人：核工业西南物理研究院;成都同创材料表面科技有限公司
申请日： 2019-05-24 - 公布日： 2020-05-22 - 主分类号： H02M7/5387 文献下载
摘要：本实用新型属于自动控制技术和电力电子技术领域，具体涉及一种直流磁控溅射镀膜电源快速可靠助燃电路，通过增加助燃电路，助燃电路输出的电压叠加上高频逆变开关电源的高频整流桥输出的电压，以达到助燃启辉电压的幅值，当启辉成功后，直流磁控溅射电源输出电流超过启辉成功判断阈值，或者直流磁控溅射电源输出电压低于主电源空载电压判断阈值，助燃电路停止工作，这时直流磁控溅射工艺需要的电压和电流由直流磁控溅射电源的主电路供给；一但辉光熄灭，助燃电路启动输出，电源的输出电压又达到助燃启辉电压的幅值，确保镀膜工艺连续性；减小电弧能量，提高镀膜质量。
一种直流磁控溅射镀膜电源快速可靠助燃电路

[发明专利]一种在锆包壳表面制备铬涂层的方法及包含铬涂层的锆包壳-CN202210460545.5有效
发明人：栾佰峰;杨晓玲;孙德恩 -专利权人：重庆大学
申请日： 2022-04-24 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： C23C14/16 文献下载
摘要：本发明提供了一种在锆包壳表面制备铬涂层的方法及包含铬涂层的锆包壳，该制备方法包括：切割制备合金板材样品，对其进行打磨抛光，然后进行超声清洗，烘干得基材；将基材放入磁控溅射沉积室内，磁控溅射沉积室内设置有两块铬靶，两块铬靶分别连接有直流磁控溅射电源和高功率磁控溅射电源，操作时，将沉积室抽真空后通入氩气，待沉积室内气体稳定后，打开离子源和偏压电源，采用离子源对基材进行溅射清洗，然后开启高功率磁控溅射电源，在基材表面沉积铬涂层，然后再开启直流磁控溅射电源，继续在基材表面沉积铬涂层，溅射完成后冷却至室温，制得。
一种锆包壳表面制备涂层方法包含

[发明专利]硬质薄膜与基体间梯度过渡层的制备方法-CN201210196793.X无效
发明人：吴行阳;黄一鸣;华子恺;张建华 -专利权人：上海大学
申请日： 2012-06-15 - 公布日： 2012-11-14 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本方法采用溅射与射频或微波化学气相沉积法相结合的方法制备梯度过渡层，使用的沉积设备包括一个或两个及以上的石墨靶和一个或两个及以上的金属靶；采用射频或直流溅射电源；金属靶材为铬、钛、铜、铝、锰、钨、钼、铁、硅、锌、镁、锡、镍、钴、铟、锗和镓中的一种纯金属或含有其中一种或者多种元素的合金；溅射气体为氩气或氦气；基体上通过样品台接有射频或微波电源，在进行溅射或反应溅射的同时，在基体上施加射频或微波功率。调节金属靶的溅射电源，使其电流和电压逐渐减小，或调节石墨靶的溅射或微波电源，使其功率逐渐加大，从而获得所需的梯度过渡层。本方法制备的梯度过渡层可增强膜基结合力与薄膜致密度，显著提高薄膜的承载能力。
硬质薄膜基体梯度过渡制备方法

[发明专利]梯度自掺杂纯相多元金属氧化物薄膜的磁控溅射制备方法-CN201910022023.5在审
发明人：汪福宪;郭鹏然;梁维新 -专利权人：广东省测试分析研究所(中国广州分析测试中心)
申请日： 2019-01-10 - 公布日： 2019-04-05 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开了一种梯度自掺杂纯相多元金属氧化物薄膜的磁控溅射制备方法，采用磁控共溅射法，靶A和靶B分别采用独立的直流溅射电源，并利用溅射功率渐变控制器控制共溅射过程中靶A和靶B的起始溅射功率和功率渐变速率，调控薄膜中金属离子的比例；通过在共溅射过程中控制靶A和靶B溅射组分的溅射功率，从薄膜底部至薄膜顶部形成金属离子A/B比例的梯度变化，在多元金属氧化缺陷容忍度范围内实现金属A/B比例的可控调节，在抑制杂相析出的前提下
薄膜多元金属氧化物溅射功率自掺杂制备磁控溅射金属离子共溅射渐变磁控共溅射法直流溅射电源控制器控制析出多元金属梯度变化氧化缺陷容忍度溅射可控金属调控

[发明专利]一种制备掺钨氧化钒薄膜的方法-CN201110202231.7有效
发明人：吴志明;蒋亚东;杜明军;罗振飞;王涛;许向东 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2011-07-19 - 公布日： 2011-11-23 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种制备掺钨氧化钒薄膜的方法，包括以下步骤：首先将清洗后的基片放入高真空腔室中；其次将高纯氩气通入真空腔室，在基片用基片挡板遮住的情况下通过开启钒靶溅射电源和钨靶溅射电源分别对金属钒靶和金属钨靶表面进行预溅射清洗，将高纯氧气通入真空腔室中，打开基片挡板，关闭钨靶挡板，开启钒靶溅射电源，沉积底层氧化钒薄膜；待底层氧化钒薄膜沉积完毕后，关闭氧气，关闭钒靶溅射电源和钒靶挡板，开启钨靶溅射电源和钨靶挡板，沉积中间层金属钨薄膜；待金属钨薄膜沉积完毕后，关闭钨靶溅射电源和钨靶挡板，再次通入氧气，开启钒靶溅射电源和钒靶挡板，沉积上层氧化钒薄膜；最后对沉积得到的复合薄膜进行原位退火处理。
一种制备氧化薄膜方法

[发明专利]一种利用纳米材料提高慢波组件散热性能的方法-CN200810238873.0无效
发明人：韩勇;刘燕文;丁耀根;刘濮鲲 -专利权人：中国科学院电子学研究所
申请日： 2008-12-03 - 公布日： 2010-06-23 - 主分类号： H01J9/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用纳米材料提高慢波组件散热性能的方法，涉及微波器件技术，包括步骤：将样品放入直流磁控溅射台内；抽真空，并对样品进行烘烤，烘烤温度控制在200℃；观察溅射台内的真空状况，当真空达到8×10-4Pa时，充入惰性气体(氩气)，使真空降低，达到5～30Pa；此时，打开直流溅射电源(电压350V，电流200mA)，对金属靶(Ir)进行溅射20分钟；由于真空室内气压较高，这时被溅射出的原子相互碰撞而形成较大的原子团
一种利用纳米材料提高组件散热性能方法

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