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- [发明专利]直拉晶体生长方法及其设备-CN202310315825.1在审
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冯睿超;赵言
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上海新昇半导体科技有限公司
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2023-03-28
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2023-06-23
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C30B15/22
- 本发明提供一种直拉晶体生长方法及其设备,所述直拉晶体生长方法包括采用直拉法生长晶体至等径生长的后期,并获取晶体的等径长度、测量直径及工艺信息;提供历史数据库,从历史数据库中获得与晶体相应的模拟直径;比较测量直径与模拟直径的差异是否小于或等于预设差值;若是,以测量直径作为当前直径执行工艺控制;若否,以模拟直径作为当前直径执行工艺控制。本发明中,通过模拟直径结合预设差值使当前直径始终锚定在模拟直径的允许波动范围内并使该当前直径紧跟测量直径波动而变化,因此将该当前直径用于控制晶体等径生长的直径时,可使得晶体直径稳定在模拟直径的波动范围内,防止晶体直径大幅振荡。
- 晶体生长方法及其设备
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