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[发明专利]一种存储单元的抗老化方法、装置和相关设备-CN202111673337.5在审
发明人：魏依苒;黄瑞锋;钱雅倩 -专利权人：海光信息技术股份有限公司
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：本发明实施例提供了一种存储单元的抗老化方法、装置和相关设备，其中存储单元的抗老化方法，包括：确定目标存储单元；生成针对目标存储单元的交换指令；根据交换指令，控制目标存储单元与其他存储单元进行存储数据的交换，以通过不同存储单元之间存储数据的交换，实现目标存储单元存储数据的翻转，实现目标存储单元的抗老化。
一种存储单元老化方法装置相关设备

[发明专利]用于LEPS软译码估计的读写方法、装置及电子设备-CN202011351051.0有效
发明人：王颀;姜一扬;李前辉;霍宗亮;叶甜春 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2020-11-25 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： G11C7/10 文献下载
摘要：读写方法包括：将信息位编码得到的码字沿着第一方向依次写入至三维存储器中各层存储单元阵列的目标存储单元。随机对各层存储单元阵列中的目标存储单元进行读取，或者按照第二方向依序对各层存储单元阵列中的目标存储单元进行读取。根据读取时当前目标存储单元对应的存储时间、阈值电压分区、综合分布态以及一预先建立的LLR表确定当前目标存储单元的LLR值，以基于当前目标存储单元的LLR值对目标存储单元的码字进行软译码操作。其中，目标存储单元的综合分布态根据参考存储单元对于当前目标存储单元分布态的影响确定，参考存储单元根据第一方向确定或者根据第一方向与第二方向确定。
用于 leps 译码估计读写方法装置电子设备

[发明专利]对包括可逆电阻器件的非易失性存储器件进行编程的方法-CN202110986572.1在审
发明人：韩在贤 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2021-08-26 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：提供一种对包括多个存储单元的非易失性存储器件进行编程的方法。多个存储单元中的每个存储单元包括可逆电阻器件。从多个存储单元之中选择目标存储单元。确定用于目标存储单元的可逆电阻器件的目标电阻状态。读取目标存储单元的可逆电阻元件的电阻状态。将所读取的电阻状态与目标电阻状态进行比较。当所读取的电阻状态与目标电阻状态不同时，对目标存储单元的可逆电阻器件执行正编程操作和负编程操作之一。
包括可逆电阻器件非易失性存储器进行编程方法

[发明专利]一种存储设备存储单元选择方法及装置-CN201711048779.4在审
发明人：王亚亮 -专利权人：杭州迪普科技股份有限公司
申请日： 2017-10-31 - 公布日： 2018-03-30 - 主分类号： G11C16/14 文献下载
摘要：本申请提供一种存储设备存储单元选择方法，所述方法包括在存储设备接收到数据的情况下，根据预设规则确定目标存储单元；判断所述目标存储单元是否处于写保护状态；在所述目标存储单元未处于写保护状态的情况下，获取所述目标存储单元记录的已有擦写次数；将所述目标存储单元记录的已有擦写次数加1与预设阈值进行比较；在所述目标存储单元记录的已有擦写次数加1未超过预设阈值的情况下，将存储设备接收的数据存储到所述目标存储单元。
一种存储设备单元选择方法装置

[发明专利]存储器装置及其编程方法-CN201410346191.7在审
发明人：蔡秉宏;蔡文哲 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2014-07-21 - 公布日： 2016-02-03 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种存储器装置及其编程方法，存储器装置包括相互串接的第一晶体管、存储单元串与第二晶体管。存储单元串包括目标存储单元、与目标存储单元相邻的第一与第二周边存储单元以及与目标存储单元不相邻的多个非目标存储单元。存储器装置的编程方法包括下列步骤：导通第一晶体管并关闭第二晶体管；利用传递电压开启所述多个非目标存储单元，并利用辅助电压开启第一周边存储单元与第二周边存储单元；以及，利用编程电压对目标存储单元进行编程，
存储器装置及其编程方法

[发明专利]非易失性存储器及其读取方法-CN201910169800.9有效
发明人：林昱佑;李峰旻;李明修 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2019-03-06 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种非易失性存储器及其读取方法。读取方法包括：擦除存储单元串的多个存储单元；设定存储单元中的目标存储单元，设定初始电压，依据步阶值以递增初始电压来产生多个编程电压，并使目标存储单元分别依据编程电压以依序执行多个编程动作，并在编程动作中验证目标存储单元以获得第一验证电流；依据判断第一验证电流以及第一参考电流以设定对应的编程电压为目标电压；以及，依据目标电压对目标存储单元外的多个其他存储单元进行编程动作，并使存储单元串为读取参考存储单元串。
非易失性存储器及其读取方法

[发明专利]一种图像处理方法、装置、服务器及存储介质-CN202011411295.3有效
发明人：章红春;白璐;孙艳艳;刘鹏;李进利;王宏民;付晓明;宫雪飞;张维 -专利权人：北京首钢自动化信息技术有限公司
申请日： 2020-12-03 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： G06F11/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种图像处理方法、装置、服务器及存储介质，应用于服务器中，所述服务器包括多个存储单元，所述方法包括：接收图像上传请求；确定与所述图像上传请求对应的目标图像的图像特征；通过所述图像特征，判断所述多个存储单元中是否存储有所述目标图像，若否，则在所述多个存储单元中确定出目标存储单元，并将所述目标图像存储在所述目标存储单元中；在除所述目标存储单元以外的存储单元中确定出N个存储单元，并将所述目标图像存储在所述N个存储单元中，N为正整数。本发明可以有效地避免用户上传的图像因存储单元故障而丢失。
一种图像处理方法装置服务器存储介质

[发明专利]一种存储设备的控制方法及存储设备、电子设备-CN201811549785.2在审
发明人：徐博声;郭丹;邓恩华;李志雄 -专利权人：深圳市江波龙电子股份有限公司
申请日： 2018-12-18 - 公布日： 2020-06-26 - 主分类号： G11C16/08 文献下载
摘要：本发明提供一种存储设备的控制方法，存储设备包括控制器以及至少一个存储单元组，控制器包括至少一个片选引脚、命令引脚、地址引脚及若干个数据引脚；存储单元组包括至少两个存储单元，每个片选引脚电连接一个存储单元组；至少一个存储单元组中的每个存储单元分别与命令引脚、地址引脚及若干个数据引脚电连接；该控制方法包括：向目标存储单元组发送通知命令，以通知目标存储单元组中的所有存储单元将进行目标存储单元选择；以及向目标存储单元组发送地址命令，以选中目标存储单元。本发明中，一个片选可以控制多个存储单元，克服存储设备自身的片选数量的限制。
一种存储设备控制方法电子设备

[发明专利]一种三维存储器的纠错方法及装置-CN202110372885.8有效
发明人：王颀;杨柳;何菁;李前辉;于晓磊;霍宗亮;叶甜春 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2021-04-07 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： G11C16/12 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种三维存储器的纠错方法及装置，确定位于目标层的目标存储单元后，在目标存储单元的相邻层的编程单元施加编程电压，以利用字线串扰效应向目标存储单元注入电子，编程单元最终编程到的阈值电压高于存储器的存储单元的最高阈值电压，编程单元和目标存储单元串联连接，即本申请实施例中可以利用字线串扰效应对目标存储单元进行重编程，使目标存储单元的阈值电压增加到较大的数值，延长了目标存储单元的阈值电压再次降低到读电压之下的时间，延长了目标存储单元的数据保持时间，相比于现有技术中利用读电压脉冲和编程抑制电压脉冲的方式进行电子注入，本申请实施例可以在一个编程周期内完成对目标存储单元的充电，充电效率高。
一种三维存储器纠错方法装置

[发明专利]一种管理存储单元的方法和装置-CN202210811916.X有效
发明人：赵啟鹏 -专利权人：合肥康芯威存储技术有限公司
申请日： 2022-07-12 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：本发明提供一种管理存储单元的方法和装置，属于数据存储技术领域。方法包括：响应于确定存储设备中的一个或多个存储页发生读写错误，确定所述一个或多个存储页所归属的目标存储单元，并记录各个所述目标存储单元；响应于确定所述存储设备处于设定状态，获取每一个所述目标存储单元，执行：遍历所述目标存储单元包含的各个存储页；在判断出存在任一存储页为不可纠正的错误页的情况下，将所述目标存储单元作为错误存储单元，否则将所述目标存储单元作为可用存储单元。采用本发明，可以提高存储设备的使用时长。
一种管理存储单元方法装置

[发明专利]新型即时复制操作-CN200580047416.8无效
发明人： M·巴尼卡泽米;D·泊夫 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2005-08-31 - 公布日： 2008-02-06 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：方法和服务创建和维护存储在源存储单元中的源数据的虚拟即时副本。所述方法/服务接收至少一个创建所述源数据的即时副本的请求。但是，本发明不创建所述源数据的副本，而是在目标存储单元或由同一存储系统管理的其他存储单元中创建目标存储单元映射表。此目标存储单元映射表包含指向所述源数据的指针。此外，本发明在所述目标存储单元或由同一存储系统管理的其他存储单元中维护修改空间。所述修改空间的每个部分与给定的目标存储单元关联。所述修改空间只存储所述源数据的对相应目标存储单元唯一的更改。在将数据写入所述修改空间时，通过将所述目标存储单元映射表中的相应指针从所述源数据重定向到所述修改空间来修改所述目标存储单元映射表。
新型即时复制操作

[发明专利]编程非易失性存储器的方法及存储器系统-CN201710826510.8有效
发明人：古紹泓;林大卫;程政宪;李致维;蔡文哲 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2017-09-14 - 公布日： 2021-07-16 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：一种编程非易失性存储器的方法及一种存储器系统。非易失性存储器的多个存储单元的每一存储单元存储具有至少2位的数据。此方法包括以下步骤。提供至少一编程脉冲以编程多个存储单元的一目标存储单元。提供至少一编程验证脉冲以验证目标存储单元是否为编程成功。判断目标存储单元的阈值电压是否大于或等于编程验证电压。当目标存储单元的阈值电压大于或等于编程验证电压，设定目标存储单元为编程成功。接着，对编程成功的存储单元执行一再验证程序。再验证程序包括判断目标存储单元的阈值电压是否大于或等于一再验证电压。
编程非易失性存储器方法存储器系统

[发明专利]半导体结构的测试方法及测试装置-CN202210152844.2在审
发明人：李想;顾彦辉 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2022-02-18 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： G11C29/12 文献下载
摘要：所述半导体结构的测试方法包括如下步骤：提供存储阵列；选定目标存储单元，并对所述目标存储单元执行测试操作，所述测试操作包括如下步骤：向与所述目标存储单元连接的所述位线施加第一电压；选定与所述目标存储单元相邻的至少一存储单元作为干扰存储单元，并向与所述干扰存储单元连接的所述位线施加第二电压，且所述第二电压与所述第一电压之间的差值的绝对值大于1V；读取所述目标存储单元；判断所述目标存储单元的读取值是否为第一写入值，若否，则确认所述目标存储单元漏电本公开减少了存储单元漏电检测过程中的漏检问题。
半导体结构测试方法装置

[发明专利]预充电方法、装置、控制电路、存储器、存储系统及设备-CN202210119211.1在审
发明人：贾建权;崔莹;赵向南;王雅;刘红涛;闵园园;游开开;田瑶瑶;张安;靳磊 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2022-02-08 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： G11C16/08 文献下载
摘要：本申请实施例公开了一种预充电方法、装置、控制电路、存储器、存储系统及设备，属于存储器技术领域。该预充电方法用于对非选定存储串进行预充电，该方法包括：对非选定存储串的目标输入端施加预充电电压；将非选定存储串中位于目标输入端和目标存储单元之间的存储单元的沟道导通，位于目标输入端和目标存储单元之间的存储单元包括已编程存储单元，目标存储单元为非选定存储串中与选定字线连接的存储单元。此种预充电方式，能够使得目标存储单元的沟道中的电子被较为充分地吸引至目标输入端，从而实现对非选定存储串的较为充分地预充电，进而较大程度的降低目标存储单元受到的编程干扰。
充电方法装置控制电路存储器存储系统设备

[发明专利]分配存储单元的方法及相关设备-CN202010573182.7在审
发明人：裘雪敬;范鹏;陈东平;王洪;余冬玲;王建伟 -专利权人：中国建设银行股份有限公司
申请日： 2020-06-22 - 公布日： 2020-11-13 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：本发明提供一种分配存储单元的方法及相关设备，涉及存储资源分配领域。所述方法包括：获取用户的存储需求信息，所述存储需求信息包括：用户主机的主机信息、容量需求、带宽需求、IOPS需求；根据所述存储需求信息确定目标存储资源池；根据所述容量需求、带宽需求、IOPS需求以及所述目标资源池中存储单元的存储参数从所述目标资源池的可用存储单元中筛选出第一存储单元集合，其中，所述存储单元的存储参数包括：容量、带宽、IOPS；根据所述第一存储单元集合中存储单元的存储参数与所述存储需求的均方根误差确定目标存储单元；将所述目标存储单元分配给所述用户。本发明可为用户分配满足用户需求的最优目标存储单元，提高存储资源的使用率，降低存储成本。
分配存储单元方法相关设备

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