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[发明专利]一种异质金属固相焊界面金属间化合物演变相场模拟方法-CN202110995014.1在审
发明人：宋奎晶;罗俊睿;刘鑫泉;吕磊;季雨凯;王国平;钟志宏;吴玉程 -专利权人：合肥工业大学
申请日： 2021-08-27 - 公布日： 2021-11-26 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本发明提出了一种异质金属固相焊界面金属间化合物演变相场模拟方法，包括：建立金属间化合物演变模拟的概念模型；建立金属间化合物演变模拟的微观相场计算模型；定义金属间化合物演变模拟的初始条件；定义金属间化合物演变模拟的计算域、空间步长和边界条件；建立金属间化合物演变模拟的热力学、动力学和晶体学数据库；求解相场计算模型，获得金属间化合物演变模拟的计算结果。本发明所述模拟方法从微观尺度上研究固相焊界面金属间化合物的演变行为，对掌握焊接工艺对金属间化合物的影响规律，实现多尺度组织特征的一体化预测和调控，丰富和发展异种金属材料在复杂焊接条件下(中低温、高速大变形)的界面、扩散及相变理论具有重要意义。
一种金属固相焊界面化合物演变模拟方法

[发明专利]一种以金属间化合物为粘结相的金属陶瓷涂层的制备方法-CN201110238434.1无效
发明人：王洪涛;纪岗昌;陈枭;陈清宇 -专利权人：九江学院
申请日： 2011-08-19 - 公布日： 2011-12-28 - 主分类号： C23C24/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种以金属间化合物为粘结相的金属陶瓷涂层的结构设计与制备方法，它采用机械合金化工艺制备陶瓷硬质相高体积分数的亚稳结构金属/陶瓷复合粉末，通过冷喷涂沉涂层，并通过热处理工艺实现金属间化合物粘结相的原位生成及控制粒子界面、陶瓷硬质相与粘结相界面结合状态，获得界面结合可控的金属间化合物基金属陶瓷涂层。该方法制备的金属间化合物基金属陶瓷涂层，具有陶瓷硬质相高体积分数、分散性好、金属间化合物粘结相原位生成及粒子界面结合可控的结构特征。
一种金属化合物粘结金属陶瓷涂层制备方法

[发明专利]一种Ti-Al系金属间化合物的增韧方法-CN200910072235.0有效
发明人：武高辉;刘艳梅;修子扬;杨文澍;苏军;芶华松;陈国钦;姜龙涛;康鹏超 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2009-06-10 - 公布日： 2009-12-09 - 主分类号： C22C47/08 文献下载
摘要：一种Ti-Al系金属间化合物的增韧方法，它涉及一种金属间化合物的增韧方法。本发明解决了现有Ti-Al系金属间化合物脆性大、制备工艺复杂、成本高、以及利用长纤维增强金属间化合物存在纤维增强体和Ti-Al基体界面易生成脆性界面产物而降低性能的问题。方法：配制Ti粉或Ti-Al化合物粉末浆料；制预制件；将铝液或铝合金液用加压浸渗法或真空吸铸法浸渗到预制件中；在真空或惰性气氛保护下，将铸态复合材料加热处理，即得增韧的Ti-Al系金属间化合物。本发明工艺简单、成本低，纤维和基体的界面结合良好，且纤维和基体界面的产物也为Ti-Al系金属间化合物，材料的韧性好，脆性小。
一种 ti al 金属化合物方法

[发明专利]一种异种金属连接的界面层制备及基于界面层的焊接方法-CN202111403352.8在审
发明人：李涛涛;徐敬冯;李瑞峰;毕晓琳;张晓强 -专利权人：江苏科技大学
申请日： 2021-11-24 - 公布日： 2022-01-21 - 主分类号： B23P15/00 文献下载
摘要：本发明提供一种异种金属连接的界面层制备及基于界面层的焊接方法。第一步、采用气相沉积方法在钢表面沉积一层纳米级厚度的AlNi金属间化合物薄膜，AlNi金属间化合物为简单立方结构；第二步、沉积在钢表面的纳米级AlNi金属间化合物薄膜作为镁合金与钢连接的界面层；第三步、采用超声波点焊的方法实现镁合金/预置AlNi金属间化合物层钢的冶金连接，通过优化焊接工艺参数，获得镁合金/AlNi金属间化合物层/钢的界面连接结构。本发明通过预置界面层，控制界面层种类及厚度，与此同时促进界面层与两侧母材合金元素的冶金反应，并保持界面层的结构完整性，该方法具有界面层种类及厚度可调控的特点，便于批量生产，能够拓展应用范围。
一种金属连接界面制备基于焊接方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201110310402.8有效
发明人：陈柏智;余俊磊;姚福伟;许竣为;杨富智;蔡俊琳 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2011-10-13 - 公布日： 2017-10-13 - 主分类号： H01L29/45 文献下载
摘要：半导体结构包括第一III‑V化合物层。第二III‑V化合物层设置在第一III‑V化合物层上并且成分与第一III‑V化合物层不同。一界面被限定在第一III‑V化合物层和第二III‑V化合物层之间。栅极设置在第二III‑V化合物层上。源极部件和漏极部件设置在栅极的相对侧上。源极部件和漏极部件中的每个都包括至少部分地嵌入第二III‑V化合物层中的相应金属部件。相应金属间化合物位于每个金属部件之下。每个金属间化合物都与位于界面处的载流子通道接触。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]铜-钛-铝接合体、绝缘电路基板、带散热器的绝缘电路基板、功率或LED或热电模块-CN201880087807.X有效
发明人：寺崎伸幸 -专利权人：三菱综合材料株式会社
申请日： 2018-02-13 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H01L23/36 文献下载
摘要：在本发明的铜‑钛‑铝接合体中，由铜或铜合金构成的铜部件和由铝或铝合金构成的铝部件经由钛层而被接合，在铜部件与钛层的接合界面形成有含有Cu和Ti的金属间化合物，在铜部件与钛层的接合界面，沿着未形成有金属间化合物的金属间化合物未形成部的接合界面的长度Li的最大值为20μm以下，沿着金属间化合物未形成部的接合界面的总长度ΣLi与所述接合界面的整体长度L
接合绝缘路基散热器功率 led 热电模块

[其他]多层布线基板-CN201890000877.2有效
发明人：佐藤贵子;大菅健圣;冈本真典 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2018-05-23 - 公布日： 2020-08-21 - 主分类号： H05K3/46 文献下载
摘要：多层布线基板具备：第1绝缘层；第2绝缘层，层叠于第1绝缘层；第1导体布线层，设置于与第2绝缘层相反侧的第1绝缘层的表面；第2导体布线层，设置于第1绝缘层侧的第2绝缘层的表面；层间连接导体，在层叠方向上贯通第1绝缘层而设置为连接第1及第2导体布线层，包含金属间化合物；第1金属间化合物层，设置在第1导体布线层与层间连接导体之间，包含金属间化合物；和第2金属间化合物层，设置在第2导体布线层与层间连接导体之间，包含金属间化合物，第1及第2金属间化合物层包含的金属间化合物均具有与层间连接导体包含的金属间化合物不同的组成，第1金属间化合物层设置在层叠方向上高度与第1导体布线层和第1绝缘层的界面不同的位置。
多层布线

[发明专利]接合体、自带散热器的绝缘电路基板及散热器-CN201880067121.4有效
发明人：寺崎伸幸 -专利权人：三菱综合材料株式会社
申请日： 2018-10-25 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H01L23/36 文献下载
摘要：31)由Mg浓度被设在0.4质量％以上且7.0质量％以下的范围内而Si浓度被设为小于1质量％的铝合金构成，铝合金部件(31)与铜部件(13B)被固相扩散接合，在铝合金部件(31)与铜部件(13B)的接合界面形成有化合物层(40)，所述化合物层(40)由配设于铝合金部件(31)侧且由Cu和Al的金属间化合物的θ相构成的第一金属间化合物层(41)、配设于铜部件(13B)侧且由Cu和Al的金属间化合物的γ2相构成的第二金属间化合物层(42)及在第一金属间化合物层(41)与第二金属间化合物层(42)之间形成的Cu‑Al‑Mg层(43)构成。
接合散热器绝缘路基

[发明专利]一种Ti-Al3-CN202110836162.9有效
发明人：原梅妮;梁广;王洪林;马健;王玺栋;魏泽源;苗雨中;任晓森 -专利权人：中北大学
申请日： 2021-07-23 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： B22F7/04 文献下载
摘要：本发明涉及叠层复合板，特别涉及一种Ti‑Al3Ti金属间化合物叠层复合板，具体为一种Ti‑Al3Ti金属间化合物叠层复合板制备方法本发明为了解决现有的Ti‑Al3Ti金属间化合物叠层复合板在其界面处力学性能突变问题，提供了一种新的Ti‑Al3Ti金属间化合物叠层复合板制备方法，将Ti3AlC2引入传统Ti‑Al3Ti金属间化合物叠层复合板的界面层，经过热压烧结，Ti、Al之间互相扩散，最终在Ti与Al3Ti界面处形成含有Ti3AlC2/Al3Ti相的过渡界面层，从而解决其界面处的力学性能突变的问题，而且本发明所述制备过程工艺简单易行，适于商业化生产。
一种 ti al base sub

[发明专利]一种三维封装芯片堆叠用金属间化合物键合方法及键合结构-CN201510069934.5有效
发明人：赵宁;黄明亮;钟毅;赵建飞;许利伟;马海涛 -专利权人：大连理工大学
申请日： 2015-02-09 - 公布日： 2017-10-20 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明公开了一种三维封装芯片堆叠用金属间化合物键合方法及结构，所述方法包括对钎料和钎料两侧的金属凸点进行加热处理以进行钎焊反应形成金属间化合物的过程，所述加热处理时，在所述钎料两侧的金属凸点之间形成温度梯度利用所述方法制备的三维封装芯片堆叠用金属间化合物键合结构，所述金属凸点为单晶或具有择优取向时，所述形成的金属间化合物沿温度梯度方向具有单一取向。本发明键合时引入温度梯度促使金属原子发生热迁移，加速界面金属间化合物的形成、生长，显著提高键合效率；金属间化合物由温度相对较低的冷端向温度相对较高的热端连续生长，可有效避免形成的金属化合物中出现孔洞。
一种三维封装芯片堆叠金属化合物方法结构

[发明专利]一种可抑制焊点界面化合物生长的免清洗水基型助焊剂-CN200710009364.6有效
发明人：刘兴军;林顺茂;张炜;王翠萍;马云庆;张锦彬;黄艺雄 -专利权人：厦门大学
申请日： 2007-08-11 - 公布日： 2008-01-16 - 主分类号： B23K35/362 文献下载
摘要：一种可抑制焊点界面化合物生长的免清洗水基型助焊剂，涉及一种用于焊接的材料，尤其是涉及一种用于微电子焊接的可抑制焊点界面化合物生长的免清洗水基型助焊剂。提供一种能有效配合无铅焊料使用，焊点光亮，可阻碍金属间化合物的生长，焊接效果和界面性能好的可抑制焊点界面化合物生长的免清洗水基型助焊剂。组成及其按质量百分比的含量为：有机还原剂0.1％～0.3％，抑制金属间化合物生长剂0.01％～1％，有机活性剂0.2％～3％，表面活性剂0.1％～3％，缓蚀剂0.1％，助溶剂5％～30％，余为水。
一种可抑制界面化合物生长清洗水基型助焊剂

[发明专利]一种具有粗细晶交替的异质片层结构的高铌TiAl金属间化合物及其制备方法-CN202310072553.7有效
发明人：肖树龙;梁振泉;郑云飞;徐丽娟;薛祥;田竟;陈玉勇 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2023-01-17 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： C22C1/047 文献下载
摘要：一种具有粗细晶交替的异质片层结构的高铌TiAl金属间化合物及其制备方法，本发明涉及金属间化合物技术领域，具体为一种具有粗细晶交替的异质片层结构的高铌TiAl金属间化合物及其制备方法。本发明是要解决现有方法制备高铌TiAl金属间化合物存在高温强度、高温抗蠕变性与室温塑性难以兼顾，以及粗晶层与细晶层界面缺陷多，稳定性差的技术问题。方法：利用电子束选区熔化成形工艺制备高铌TiAl金属间化合物块体；确定合金的相变温度；固溶处理；时效处理。本发明提供的高铌TiAl金属间化合物将兼顾高温强度、高温抗蠕变性与室温塑性，具有优异的综合机械性能。本发明方法用于制备的具有粗细晶交替的异质片层结构的高铌TiAl金属间化合物。
一种具有粗细交替异质片层结构 tial 金属化合物及其制备方法

[发明专利]滑动构件-CN202080055097.X在审
发明人： R·维毕卡斯;羽根田祐磨;张毅 -专利权人：大同金属工业株式会社
申请日： 2020-06-30 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： C25D7/10 文献下载
摘要：本发明提供在轴承合金上具备被覆物的滑动构件，被覆物具有滑动面以及与轴承合金的界面，其厚度为T。被覆物具有Bi或Bi合金的基质以及金属间化合物，自滑动面起向着界面，被覆物的厚度T的70％～75％的厚度区域中的金属间化合物的体积比率为10％～70％。
滑动构件

[发明专利]纳米金属间化合物焊膏及其制备方法-CN201210411100.4有效
发明人：王春青;钟颖;杭春进 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2012-10-25 - 公布日： 2013-02-13 - 主分类号： B23K35/363 文献下载
摘要：纳米金属间化合物焊膏及其制备方法，属于材料技术领域。本发明的纳米金属间化合物焊膏按照质量比由纳米金属间化合物颗粒80～90、分散剂2～8、粘结剂2～8、稀释剂2～8和助焊剂2～8制成，具体方法为：采用共沉淀水热还原法制备纳米金属间化合物颗粒，将其与分散剂、粘结剂、稀释剂以及助焊剂混合，再利用超声波震荡、手动搅拌或机械搅拌方法使以上体系在有机溶剂中均匀一致的分散，再将多余溶剂挥发出去，制成纳米金属间化合物焊膏。该焊膏以纳米金属间化合物颗粒为固体成分，利用纳米材料的尺寸效应，实现低于块体熔点温度的互连过程，避免对元器件的高温损伤、避免连接界面的过度反应、实现长效高温服役、降低封装成本。
纳米金属化合物及其制备方法

[发明专利]铝部件与铜部件的接合结构-CN201380048500.6有效
发明人：寺崎伸幸;长友义幸 -专利权人：三菱综合材料株式会社
申请日： 2013-09-18 - 公布日： 2017-05-03 - 主分类号： B23K20/00 文献下载
摘要：在本发明所涉及的铝部件与铜部件的接合结构中，由铝或铝合金构成的铝部件(11)和由铜或铜合金构成的铜部件(12)通过固相扩散接合而接合，在铝部件(11)与铜部件(12)之间的接合界面形成有由Cu和Al构成的金属间化合物层(21)，在铜部件(12)与金属间化合物层(21)之间的界面，氧化物(27)沿着所述界面以层状分散。
部件接合结构

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