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[发明专利]采用瞬态换向电流注入电路的混合式断路器-CN201980081890.4在审
发明人：正·J·沈;元丰·周 -专利权人：伊利诺伊理工学院
申请日： 2019-05-31 - 公布日： 2021-07-30 - 主分类号： G01R31/52 文献下载
摘要：断路器包括第一电流路径和第二电流路径，第一电流路径包括机械开关，例如超快机械开关，第二电流路径与第一电流路径并联，并且第二电流路径具有与双向电力电子开关串联的电流注入器，例如瞬态换向电流注入电路。来自机械开关路径的短路故障电流通过电流注入传输到电子路径，然后中断故障电流。脉冲电流产生于第二电流路径中的电子开关，并且机械开关在脉冲电流期间被断开。在打开机械开关时，脉冲电流和电子开关减少或消除了电弧。
采用瞬态换向电流注入电路混合式断路器

[发明专利]用于CMOS信号路径的前馈电流补偿-CN202210561733.7在审
发明人：乔纳·爱德华·纳特根斯 -专利权人：商升特公司
申请日： 2020-08-18 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H03K19/003 文献下载
摘要：一种集成电路，具有耦合用于接收数据信号的CMOS信号路径。补偿电路耦合到CMOS信号路径的电源轨，用于将补偿电流注入电源轨。补偿电路可以是电荷泵，其响应于数据信号而工作，以在每次数据信号转换时将补偿电流注入电源轨。补偿电路可以是副本CMOS信号路径，以便在每次数据信号转换时将补偿电流注入电源轨。补偿电路可以是电压调节器和电流镜像，该电流镜像包括耦合到电压调节器的输入。副本CMOS信号路径从电压调节器接收工作电势。电流镜像的输出在每次数据信号变换时将补偿电流注入电源轨。
用于 cmos 信号路径馈电补偿

[发明专利]用于CMOS信号路径的前馈电流补偿-CN202010830321.X有效
发明人：乔纳·爱德华·纳特根斯 -专利权人：商升特公司
申请日： 2020-08-18 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： H03K19/003 文献下载
摘要：一种集成电路，具有耦合用于接收数据信号的CMOS信号路径。补偿电路耦合到CMOS信号路径的电源轨，用于将补偿电流注入电源轨。补偿电路可以是电荷泵，其响应于数据信号而工作，以在每次数据信号转换时将补偿电流注入电源轨。补偿电路可以是副本CMOS信号路径，以便在每次数据信号转换时将补偿电流注入电源轨。补偿电路可以是电压调节器和电流镜像，该电流镜像包括耦合到电压调节器的输入。副本CMOS信号路径从电压调节器接收工作电势。电流镜像的输出在每次数据信号变换时将补偿电流注入电源轨。
用于 cmos 信号路径馈电补偿

[发明专利]射频识别中的电流注入型混频器-CN201010581692.5有效
发明人：马和良;景一欧 -专利权人：上海华虹集成电路有限责任公司
申请日： 2010-12-09 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： H03D7/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种射频识别中的电流注入型混频器，其跨导电路包括两个电流注入管。两个电流注入管分别和第一电流路径、第二电流路径并联组成两个射频偏置电流路径，分别为第一输入跨导管和第二输入跨导管提供射频偏置电流。两个电流注入管也为两个输入跨导管，其信号输入端分别和一对射频电压差分信号相连。本发明能增加混频器的总的输入跨导和增益、能降低混频器的噪声系数。
射频识别中的电流注入混频器

[发明专利]电泵浦的半导体消逝激光器-CN201110234336.0无效
发明人： J·E·鲍尔斯;O·科亨;A·W·丰;R·琼斯;M·J·帕尼恰;H·朴 -专利权人：英特尔公司;加利福尼亚大学董事会
申请日： 2007-06-25 - 公布日： 2012-01-04 - 主分类号： H01S5/042 文献下载
摘要：穿过所述有源半导体材料而限定的电流注入路径，并且所述电流注入路径至少部分地与所述光模式交叠，使得响应于所述有源半导体材料的电泵浦、响应于沿与所述光模式至少部分交叠的所述电流注入路径的电流注入而产生光。
电泵浦半导体消逝激光器

[发明专利]电泵浦的半导体消逝激光器-CN200780019542.1有效
发明人： J·E·鲍尔斯;O·科亨;A·W·丰;R·琼斯;M·J·帕尼恰;H·朴 -专利权人：英特尔公司;加利福尼亚大学董事会
申请日： 2007-06-25 - 公布日： 2009-08-12 - 主分类号： H01S5/042 文献下载
摘要：穿过所述有源半导体材料而限定的电流注入路径，并且所述电流注入路径至少部分地与所述光模式交叠，使得响应于所述有源半导体材料的电泵浦、响应于沿与所述光模式至少部分交叠的所述电流注入路径的电流注入而产生光。
电泵浦半导体消逝激光器

[发明专利]表面发射激光器及其制造方法-CN200810131769.1有效
发明人：关口芳信 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2008-06-27 - 公布日： 2009-01-21 - 主分类号： H01S5/18 文献下载
摘要：该表面发射激光器包括：孔口部分，其是用于将电流注入活性层的路径；电流限制区域，其被提供在孔口部分的周边；以及电流注入区域，其被提供在光输出侧的相对于活性层的相对侧上，该活性层在该光输出侧和该相对侧之间，其中，在电流注入区域中的电流注入路径的直径小于孔口部分的直径。
表面发射激光器及其制造方法

[发明专利]一种变压器切换电路-CN201910834064.4在审
发明人：汪伟 -专利权人：陕西胜慧源信息科技有限公司
申请日： 2019-09-04 - 公布日： 2021-03-05 - 主分类号： H02M1/10 文献下载
摘要：电源开关、第一～第三电阻、电感、电容、升压驱动芯片和LED负载，所述第一～第三LED负载负端分别与所述第一～第三电阻一端串联，所述第四电容另一端分别与所述第一～第三电阻另一端相连然后接地；启动电路包括电流注入路径，所述电流注入路径的输出端连接到所述运算放大器的第一输入端，在启动时所述电流注入路径为所述第一电流路径提供注入电流，从而使所述第一电流路径、所述第二电流路径和所述输出电路摆脱电流为0的状态并实现启动。
一种变压器切换电路

[发明专利]自调整电流注入技术-CN201980099311.9在审
发明人： I·吉塔鲁 -专利权人：罗姆电力技术控股有限公司
申请日： 2019-07-03 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： G05F1/70 文献下载
摘要：一种方法包含提供初级、次级及电流注入绕组(102、112、120)。存在受控电压源(134)、输入电压源(104)、连接到所述初级绕组的初级开关(106)、跨越所述初级开关反射的寄生电容(110)、次级整流器构件(114)，及电流注入电路(13)，所述电流注入电路包含连接到所述电流注入绕组(120)的电流注入开关(140)，及连接到所述电流注入绕组的单向电流注入开关(132)。所述方法包含接通所述电流注入开关，以开始从所述受控电压源流动穿过所述单向电流注入开关及所述电流注入绕组的电流注入。所述电流注入反射到所述初级绕组中，从而使跨越所述初级开关反射的所述寄生电容放电，在所述电流注入开关接通之后以延迟时间(δ)接通所述初级开关，且在所述电流注入达到零幅值之后关断所述电流注入开关。
调整电流注入技术

[发明专利]氮化物发光二极管及其制作方法-CN201310010488.1有效
发明人：林文禹;叶孟欣;林科闯 -专利权人：厦门市三安光电科技有限公司
申请日： 2013-01-11 - 公布日： 2013-05-08 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种具电流注入调制层(currentmodulationlayer)的发光二极管之外延结构设计，具体的说是关于导入一种高阻值(highresistivity)的材料以改变注入电流传导路径。其主要的结构实施为分别在N型传导层或P型传导层中成长高阻值材料（如InxAlyGa1-x-yN），借由高温H2在反应炉内蚀刻（InSituEtching）直至露出部分电流传导路径，再分别成长N型或P型传导层于以覆盖而得此设计无需二次外延即可形成电流注入调制层，此法使得注入电流在N型传导层与P型传导层具一更佳之扩展路径，更有效均匀扩散注入有源区层，进而增加发光效率。
氮化物发光二极管及其制作方法

[发明专利]垂直腔面发射激光器的制备方法及垂直腔面发射激光器-CN202211690864.1在审
发明人：李峰柱;王冲 -专利权人：中芯越州集成电路制造（绍兴）有限公司
申请日： 2022-12-27 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：所述方法包括：提供依次层叠的第一导电半导体层和有源层；在有源层上外延生长第一半导体材料，并降低第一半导体材料的电导率以形成电流注入阻隔层；在电流注入阻隔层上刻蚀出具有预设尺寸的电流注入孔，电流注入孔贯穿电流注入阻隔层以暴露出有源层的上表面；在所述电流注入阻隔层上形成电流注入层，所述电流注入层填满电流注入阻隔层的所述电流注入孔；在所述电流注入层上形成第二导电半导体层。
垂直发射激光器制备方法

[发明专利]一种大电流注入探头及电磁兼容测试装置-CN201811112447.2在审
发明人：李楠;李军 -专利权人：广州市诚臻电子科技有限公司
申请日： 2018-09-21 - 公布日： 2019-01-01 - 主分类号： G01R31/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种大电流注入探头，包括本体，所述本体包括第一电流注入钳和第二电流注入钳，所述第一电流注入钳的一端与所述第二电流注入钳的一端通过铰链连接，所述第一电流注入钳的另一端上设有磁性连接件，所述第一电流注入钳的另一端通过所述磁性连接件磁性吸附在所述第二电流注入钳的另一端上本发明能够有效地提高大电流注入探头合拢时的严密度，从而提高了电磁兼容试验的准确性。本发明还提供了一种电磁兼容测试装置。
大电流探头电磁兼容测试磁性连接件电磁兼容试验合拢磁性吸附铰链连接有效地

[实用新型]一种大电流注入探头及电磁兼容测试装置-CN201821563510.X有效
发明人：李楠;李军 -专利权人：广州市诚臻电子科技有限公司
申请日： 2018-09-21 - 公布日： 2019-07-30 - 主分类号： G01R31/00 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种大电流注入探头，包括本体，所述本体包括第一电流注入钳和第二电流注入钳，所述第一电流注入钳的一端与所述第二电流注入钳的一端通过铰链连接，所述第一电流注入钳的另一端上设有磁性连接件，所述第一电流注入钳的另一端通过所述磁性连接件磁性吸附在所述第二电流注入钳的另一端上本实用新型能够有效地提高大电流注入探头合拢时的严密度，从而提高了电磁兼容试验的准确性。本实用新型还提供了一种电磁兼容测试装置。
本实用新型大电流探头电磁兼容测试磁性连接件电磁兼容试验合拢磁性吸附铰链连接有效地

[发明专利]一种半导体激光器及其制备方法-CN202211049834.2有效
发明人：杨国文;唐松 -专利权人：度亘激光技术（苏州）有限公司
申请日： 2022-08-30 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： H01S5/10 文献下载
摘要：半导体激光器包括：外延结构、电流注入区和非电流注入区。在外延结构的部分区域沿第一方向依次设置第一非电流注入区、第一电流注入区、第二电流注入区、第二非电流注入区。第一电流注入区和第二电流注入区的电流注入大小不同。上述结构设计，可降低半导体激光器腔面区域的载流子密度，从而降低腔面温度，提高光学灾变损伤阈值。进一步在第二非电流注入区设置第二限制凹槽，一方面进一步降低了前腔面区域的载流子密度，另一方面有效控制第二非电流注入区面积过大带来的损耗增加。本方案可以保持相同注入电流下光功率输出基本相同，同时降低了腔面温度，提高了半导体激光器的最高输出功率和可靠性。
一种半导体激光器及其制备方法

[发明专利]一种半导体器件和热沉键合的方法-CN202110894097.5有效
发明人：杨国文;王希敏 -专利权人：度亘激光技术（苏州）有限公司
申请日： 2021-08-05 - 公布日： 2021-10-29 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：本申请提供一种半导体器件和热沉键合的方法，涉及半导体技术领域，包括在半导体器件的外延层上形成第一金属层；外延层具有至少一个电流注入区和设在电流注入区两侧的非电流注入区，且电流注入区和非电流注入区之间具有间隔区，第一金属层覆盖电流注入区、非电流注入区和间隔区；在第一金属层上形成第二金属层，使第二金属层位于非电流注入区上；在第二金属层上形成焊料层，使焊料层覆盖第一金属层和第二金属层；将热沉和焊料层焊接。半导体器件和热沉键合时，第二金属层起到支撑作用；第二金属层设于电流注入区两侧，电流注入区不受力，焊接熔化的焊料处于自由流动状态，减小封装时对半导体器件的应力影响。
一种半导体器件热沉键合方法

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