“用硅舟 ”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果3747936个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[实用新型]一种铝饱和用预沉积筒形硅舟-CN202220832791.4有效
发明人：黄智;张灿阳;季文鹏;刘晓;李娴;汤尧 -专利权人：湖北台基半导体股份有限公司
申请日： 2022-04-12 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： H01L21/673 文献下载
摘要：本实用新型的名称是一种铝饱和用预沉积筒形硅舟，属于功率半导体器件生产设备技术领域。它主要是解决现有筒形舟极易出现裂纹、崩边等缺陷而直接导致筒形舟报废的问题。它的主要特征是：包括第一全封闭筒形硅舟、第二全封闭筒形硅舟、硅舟和全封闭筒形硅舟封板，所述第一全封闭筒形硅舟和硅舟分别位于第二全封闭筒形硅舟内的上部和下部，所述第二全封闭筒形硅舟的两端口用全封闭筒形硅舟封板封闭；所述第一全封闭筒形硅舟和第二全封闭筒形硅舟的内表面为非光滑表面。本实用新型具有加工方便、操作简单、筒形硅舟使用寿命有效提升、极大降低晶圆片在工艺过程中溅铝风险的特点，主要用于晶圆片的铝饱和预沉积扩散工艺。
一种饱和沉积筒形硅舟

[发明专利]硅片PECVD镀非晶硅用石墨舟的清洗方法-CN202010448482.2在审
发明人：张梦葛;张胜军;沈梦超;绪欣;吴智涵;顾振华;黄海冰 -专利权人：常州时创能源股份有限公司
申请日： 2020-05-25 - 公布日： 2020-08-28 - 主分类号： B08B3/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅片PECVD镀非晶硅用石墨舟的清洗方法，包括碱洗步骤：通过碱液清除石墨舟上的非晶硅。本发明采用碱液清洗硅片PECVD镀非晶硅用石墨舟，能清除石墨舟上沉积的非晶硅，避免石墨舟上沉积的非晶硅影响硅片PECVD镀非晶硅膜的效果，避免出现镀膜不均，硅片及舟壁表面爆膜、脱膜，镀膜速率下降，甚至出现无法继续镀膜的情形
硅片 pecvd 镀非晶硅用石墨清洗方法

[实用新型]一种CVD工艺用硅舟-CN202022005370.8有效
发明人：韩颖超;马志杰;李长苏 -专利权人：杭州盾源聚芯半导体科技有限公司
申请日： 2020-09-14 - 公布日： 2021-06-08 - 主分类号： H01L21/673 文献下载
摘要：本实用新型为了克服传统硅舟无法应用于CVD工艺，以及化学清洗液容易对硅舟造成结构损伤的技术问题，提供一种CVD工艺用硅舟，包括天板、法兰和沟棒，沟棒上设有沟齿，天板的一端设有第一熔接槽，法兰靠近天板的一端设有第二熔接槽，沟棒的一端设有与第一熔接槽相匹配的第一熔接头，沟棒的另一端设有与第二熔接槽相匹配的第二熔接头，第一熔接头和第一熔接槽通过热熔接固定相连，第二熔接头和第二熔接槽通过热熔接固定相连，硅舟表面设有氧化膜。所述硅舟可应用在CVD工艺中，硅舟表面的氧化膜对硅舟进行抗化学腐蚀保护，清洗操作时的化学清洗液不会对硅舟造成结构损伤，硅舟可以循环使用。
一种 cvd 工艺用硅舟

[实用新型]一种石墨舟用陶瓷环及石墨舟-CN202122280335.1有效
发明人：刘赖生;邢国强;姚骞;吴伟梁 -专利权人：通威太阳能（眉山）有限公司
申请日： 2021-09-18 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： C23C16/458 文献下载
摘要：本申请提供一种石墨舟用陶瓷环及石墨舟，陶瓷环包括陶瓷环本体，陶瓷环本体的外壁设置有沿其周向且朝其内壁凹陷的环状凹槽；石墨舟包括多根陶瓷固定柱、多个石墨舟页以及多个陶瓷环，每个石墨舟页上设置有固定通孔，陶瓷固定柱穿过每个石墨舟页的固定通孔以固定多个石墨舟页，陶瓷环套设于陶瓷固定柱上以支撑隔离相邻两个石墨舟页。环状凹槽降低非晶硅在其内部沉积的概率，减少沉积在陶瓷环表面的非晶硅的量，并将陶瓷环本体周壁沉积的非晶硅层隔断，避免陶瓷环本体周壁沉积沿其轴向连续的非晶硅，进而降低相邻两片石墨舟页导通、短路的概率，降低石墨舟页损坏的风险，使硅片的非晶硅层的沉积能正常进行，提高硅片的良率与产能。
一种石墨陶瓷

[发明专利]一种CVD工艺用硅舟及其返修清洗方法-CN202010961018.3有效
发明人：韩颖超;马志杰;李长苏 -专利权人：杭州盾源聚芯半导体科技有限公司
申请日： 2020-09-14 - 公布日： 2021-09-21 - 主分类号： C30B28/14 文献下载
摘要：本发明为了克服现有技术中硅舟在多晶硅沉积后不能循环使用的技术问题，提供一种CVD工艺用硅舟及其返修清洗方法，所述硅舟包括天板、法兰和沟棒，其特征在于，天板的端面上设有第一熔接槽，法兰靠近天板的端面上设有第二熔接槽所述硅舟中沟齿和沟棒的有效面积较小，在薄膜沉积到一定厚度时，降低剥离的薄膜颗粒对晶圆造成污染的几率，所述返修清洗方法可在有效去除表面沉积层同时，不会对硅舟基体表面带来较大的损伤和形貌变化，从而保证了硅舟可以在多晶硅薄膜沉积工艺循环使用
一种 cvd 工艺用硅舟及其返修清洗方法

[实用新型]硅舟-CN201320082841.2有效
发明人：张朝坤 -专利权人：深圳深爱半导体股份有限公司
申请日： 2013-02-22 - 公布日： 2013-08-21 - 主分类号： H01L21/673 文献下载
摘要：本实用新型提供一种硅舟，所述硅舟包括舟体，所述舟体的上沿设有容纳热偶的凹槽。该硅舟在舟体的上沿设置容纳热偶的凹槽，这样当使用该硅舟时，凹槽内可以设置热偶，硅舟被放入扩散炉内时就可以实时监控扩散炉内的温度，从而提高硅片的加工质量。
硅舟

[发明专利]纵型热处理用晶舟及使用此晶舟的硅晶片的热处理方法-CN200980112346.8有效
发明人：小林武史 -专利权人：信越半导体股份有限公司
申请日： 2009-04-09 - 公布日： 2011-03-23 - 主分类号： H01L21/22 文献下载
摘要：本发明是纵型热处理用晶舟，具备载置被处理基板的支撑辅助构件，该支撑辅助构件分别可装卸地装设在晶舟主体的支撑部上，支撑辅助构件具有：导引构件，被装设在支撑部上；板状基板支撑构件，被处理基板被载置于基板支撑构件上提供纵型热处理用晶舟及使用此晶舟的硅晶片的热处理方法，当将硅晶片等被处理基板载置在配备有支撑辅助构件的纵型热处理用晶舟上，并使用氩气等进行热处理时，能一并抑制铁污染被转印至硅晶片上及硅晶片背面的粗糙化此两种情况
热处理用晶舟使用晶片方法

[实用新型]光伏电池片生产用PECVD石墨舟-CN201920409008.1有效
发明人：马建军 -专利权人：嵊州市西格玛科技有限公司
申请日： 2019-03-28 - 公布日： 2019-12-10 - 主分类号： C23C16/458 文献下载
摘要：本实用新型涉及石墨技术领域，且公开了光伏电池片生产用PECVD石墨舟，包括卡体，所述卡体的顶部开设有数量为十个的固定槽，所述固定槽的内部固定安装有石墨舟片，所述卡体和石墨舟片正面的顶部和底部均开设有固定孔该光伏电池片生产用PECVD石墨舟，通过卡体顶部的固定槽，使石墨舟片各舟片之间的距离分布均匀，也使石墨舟片固定的更加稳定，通过固定孔使石墨舟片通过陶瓷棒进行连接，通过分距套使石墨舟片之间的距离更加精准，在硅板放入的时候，经过压板候使弹簧块收缩，放到卡块顶部的卡槽内部将其固定，再通过弹簧块带动保护板压在硅板上，将其双重固定，避免其产生摇晃，达到了镀膜均匀的目的。
石墨舟片卡体固定槽光伏电池片弹簧块固定孔石墨舟硅板本实用新型距离分布内部固定石墨技术双重固定保护板槽内部固定的陶瓷棒镀膜放入卡块压板舟片摇晃收缩生产

[实用新型]一种错位开槽硅舟-CN202121187484.7有效
发明人：徐爱民;顾标琴;缪星晔 -专利权人：江苏扬杰润奥半导体有限公司
申请日： 2021-05-31 - 公布日： 2021-11-19 - 主分类号： H01L21/673 文献下载
摘要：本实用新型属于半导体制造器具技术领域，尤其涉及一种错位开槽硅舟。硅舟内表面沿其长度方向间隔开设有若干用于放置硅片的凹槽，硅舟表面并排设置有若干通槽组，通槽组包括若干的通槽，任意两组通槽组的通槽相互错位排布设置。本实用新型用于解决硅舟结构强度不足的问题。硅舟内表面开设凹槽用于放置硅片，硅舟表面开设的通槽用于减轻硅舟整体重量，同时，错位排布的通槽使得硅舟整体强度得到保障。
一种错位开槽

[发明专利]一种硅舟组装治具及方法-CN202111485346.1在审
发明人：周波;叶天爱;李长苏 -专利权人：杭州盾源聚芯半导体科技有限公司
申请日： 2021-12-07 - 公布日： 2022-06-10 - 主分类号： H01L21/673 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅舟组装治具及方法，旨在解决硅舟组装操作不便的不足。该发明包括用于装载硅舟法兰的法兰垫块、用于装载硅舟天板的天板垫块、若干沟棒垫块，沟棒垫块置于法兰垫块和天板垫块之间，沟棒垫块上设有用于支撑硅舟沟棒的定位凹槽，沟棒垫块成列布设，每列沟棒垫块上均支撑有卧式设置的硅舟沟棒这种硅舟组装治具采用卧式组装的方式对硅舟进行组装连接，操作便捷，有利于提高工作效率，降低成本。
一种组装方法

[发明专利]一种PECVD镀多晶硅用石墨舟的清洗方法-CN202310111262.4在审
发明人：潘明翠;马红娜;王红芳;郎芳;翟金叶;孟庆超;史金超;张莉沫;王子谦 -专利权人：英利能源发展有限公司;英利能源发展（保定）有限公司
申请日： 2023-02-14 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： B08B9/08 文献下载
摘要：本发明公开一种PECVD镀多晶硅用石墨舟的清洗方法。将待清洗石墨舟置于水汽氧化炉内，于200‑300℃条件下通入水蒸气至炉内压力为10‑20个大气压，阶梯式升温至1100‑1200℃，保温3‑5h，惰性气氛下降温，得预处理石墨舟；将预处理石墨舟浸入氢氟酸溶液中进行酸洗，鼓泡水洗；然后，采用去离子水对石墨舟进行喷淋，风干，升温干燥，得清洁石墨舟。本发明提供的清洗方法，通过水汽氧化使石墨舟表面沉积的多晶硅完全转化为氧化硅，后续利用氢氟酸单一溶液进行酸洗，就可完全去除石墨舟表面沉积的多晶硅，且整个清洗工艺简单，清洗效率高，不会产生混酸和含氮酸溶液，
一种 pecvd 多晶石墨清洗方法

[发明专利]一种制结泵加热硅舟扩散炉-CN201810322086.8在审
发明人：汪昭辉;张文;李明;郭卫保 -专利权人：张家港国龙光伏科技有限公司
申请日： 2018-04-11 - 公布日： 2018-08-24 - 主分类号： H01L21/673 文献下载
摘要：本发明涉及一种制结泵加热硅舟扩散炉，其包括炉体和设置在炉体内部的硅舟、泵热机构、移动机构和净化箱，其中所述泵热机构连接在硅舟底部、所述硅舟与泵热机构一体安置在所述移动机构上。本制结泵加热硅舟在硅舟本体上小型扩散泵对硅舟本体进行扩散加热，并将整个扩散炉内的蒸发过程形成双层蒸发，扩散炉有效改善了现有的气体减压阀密封性能差的问题，该用于扩散炉的推舟装置及设有该装置的扩散炉结构设计合理简单，硅舟四周设有设有棱角结构的栅栏能够阻挡气流直接吹向硅舟内部，从技术参数的一致性，提高硅片质量，同时设有扩散炉本体内设有漏斗状抽气罩，排掉出舟时散发的大量高温有毒气体，确保作业的安全性能。
硅舟扩散炉加热移动机构高温有毒气体密封性能差气体减压阀安全性能机构连接技术参数棱角结构炉体内部蒸发过程抽气罩净化箱扩散泵漏斗状硅片炉体推舟栅栏蒸发阻挡扩散散发安置

[实用新型]扩散炉管-CN201320102132.6有效
发明人：张朝坤 -专利权人：深圳深爱半导体股份有限公司
申请日： 2013-03-06 - 公布日： 2013-09-11 - 主分类号： H01L21/673 文献下载
摘要：本实用新型提供一种扩散炉管，所述扩散炉管内设有硅舟，所述硅舟的两端设有阻挡气流吹向硅舟内部的挡片。该扩散炉管通过在硅舟两端设置阻挡气流吹向硅舟内部的挡片来减小硅舟两端的硅片受到的气流的影响，提高加工出来的硅片的技术参数的一致性，从而提高硅片质量。
扩散炉管

[实用新型]一种新型硅片用硅质舟-CN202221312598.4有效
发明人：杨莉莉;刘定冕 -专利权人：西安希朗半导体科技有限公司
申请日： 2022-05-30 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： C30B33/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种新型硅片用硅质舟，包括卡盘、滑槽、承台、卡槽、边条、栓杆、立柱，所述立柱共有四条，将两端分别嵌入两个卡盘表面的滑槽内，并使用两个边条由卡盘的左右两侧与承台先结合，将立柱封闭在滑槽内，且每个边条与承台之间均通过两个栓柱嵌入卡槽内进行固定本实用新型将现有的硅片用硅质舟替换为可调节分解模块化硅质舟，解决原有一体式硅质舟在使用前需要根据生产要求选用相应的规格，无法随时进行调节的缺点，有效提高生产效率，并避免多种规格硅质舟占用过多空间的问题，
一种新型硅片用硅质舟

[发明专利]一种石英舟清洗和饱和处理方法-CN201210315992.8有效
发明人：吴艳芬;詹国平;刘伟;陈筑;刘晓巍;蔡二辉 -专利权人：宁波尤利卡太阳能科技发展有限公司
申请日： 2012-08-31 - 公布日： 2013-01-16 - 主分类号： H01L21/673 文献下载
摘要：本发明公开了一种石英舟清洗和饱和处理方法，具体步骤：石英舟的清洗，将石英舟放入浓度为10%～25%的氢氟酸进行浸泡40min～120min后，放入喷淋槽用纯水喷淋，喷淋时间为20min～90min；干燥，用气体干燥剂吹干石英舟；石英舟的饱和，将石英舟放入炉温为800℃～900℃的管式扩散炉中，通入氧气和流量为1000～3000ml/min三氯氧磷液态源，其中氧气和三氯氧磷液态源的流量比为1:1～5；最后用10～30L/min的氮气或者氧气冷却石英舟。其优点：经过清洗后石英舟上的硅粉松动，再放入喷淋槽中喷淋，使得松动的硅粉完全清除，再通过大流量的三氯氧磷液态源和氧气饱和，使得存在‘死角’的石英舟卡槽充分吸收磷原子，硅片上不会产生卡槽印，提高电池片的合格率
一种石英清洗饱和处理方法

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 100000 条