专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种基于纳米结构之间纳米缝隙的-芯片及其制备方法-CN201810003426.0有效
  • 张俊虎;王树立;杨柏 - 吉林大学
  • 2018-01-03 - 2020-12-22 - B01L3/00
  • 一种基于纳米结构之间纳米缝隙的芯片及其制备方法,属于芯片技术领域。本发明结合传统光刻技术与胶体晶体刻蚀方法,在硅基底表面的选定位置制备几十至几百纳米的纳米结构阵列,利用纳米结构之间的纳米缝隙作为纳米通道,用以连接微孔道,形成芯片。本发明通过改变刻蚀的条件以及所用球的尺寸,可以精确地调控所制备纳米缝隙及孔道的尺寸。适用于PDMS‑硅、玻璃‑硅、PDMS‑玻璃等材质的芯片的制备。本方法制备的纳米孔道中,纳米结构本身具有很大的表面积,使得制备的纳米孔道的表面‑体积比与传统纳米孔道相比得到很大的提高,有利于对孔道表面进一步的修饰,从而进一步赋予不同的功能。
  • 一种基于纳米结构之间缝隙纳流控芯片及其制备方法
  • [发明专利]一种基于光纤的芯片流速传感器-CN202010073978.6有效
  • 张磊;张璋 - 浙江大学
  • 2020-01-22 - 2021-01-15 - B01L3/00
  • 本发明公开了一种基于光纤的芯片流速传感器,包括芯片、光纤和柔性薄膜,柔性薄膜的厚度小于等于100μm,所述柔性薄膜的折射率小于光纤的折射率;柔性薄膜包覆芯片的流体通道,并且柔性薄膜在流体通道的入口和出口处分别设有开口,流体通道的待测位置处有光纤的拉伸部分横跨流体通道,光纤的拉伸部分、拉锥过渡区以及两端未拉伸部分的局部包埋于柔性薄膜内。当流体通道中流体流动时,柔性薄膜受到压力向外弯曲,由于光纤的弯曲损耗的增加,输出光强信号随之变小,从而实现流速传感。本发明可以实现多点流速探测,并能对已存在的芯片进行流速探测,实现高灵敏度的流速传感。
  • 一种基于光纤微流控芯片流速传感器
  • [发明专利]一种芯片及其制备方法与应用-CN201911287167.X有效
  • 杨慧;郝锐;张翊 - 深圳先进技术研究院
  • 2019-12-14 - 2021-08-24 - B01L3/00
  • 一种芯片,包括至少一层通道阵列层和至少一层通道阵列层,通道阵列层和通道阵列层交替层叠设置;通道阵列层包括通道;通道阵列层包括入口单元和/或出口单元,入口单元包括入口通道阵列和入口,出口单元包括出口通道阵列和出口,入口通道阵列包括入口通道,出口通道阵列包括出口通道,入口通道和出口通道通过通道连通。上述芯片,通道可以对细胞外囊泡等具有膜结构的生物粒子进行有效的机械挤压,实现细胞外囊泡等生物粒子的膜穿孔并载入药物,并可以有效提高载药效率、维持生物活性以及提高载药过程的通量。此外,还提供一种上述芯片的制备方法以及一种载药生物粒子的制备方法。
  • 一种微纳流控芯片及其制备方法应用
  • [发明专利]嵌入式光纤拉锥光纤微芯片传感器及其制备方法-CN201110072375.5无效
  • 张磊;王攀;童利民 - 浙江大学
  • 2011-03-24 - 2011-09-14 - G01N21/01
  • 本发明公开一种嵌入式光纤拉锥光纤微芯片传感器及其制备方法。芯片设有光纤通道、进样通道、出样通道和密封胶通道。采用热拉伸法制作光纤拉锥,使其拉伸部分为光纤,将光纤拉锥嵌入微芯片的光纤通道,后用另一基片与此基片键合,形成具有密闭通道的光纤传感器。光纤通道上设有进样口、出样口和密封胶入口。芯片键合后,从密封胶通道向光纤通道注入低折射率密封胶,使光纤拉锥的未拉伸部分包埋于芯片中,避免液体泄漏和残留。光纤拉锥的拉伸部分与光纤通道的内壁存在间隙。因光纤与样品的作用距离长达厘米量级,且对样品的需求量为微升至升级量级。本发明能实现超高灵敏度和低样品消耗的生化传感。
  • 嵌入式光纤拉锥微纳光纤微芯片传感器及其制备方法
  • [发明专利]一种基于AFM的芯片制备方法-CN201811002922.0有效
  • 耿延泉;王继强;闫永达 - 哈尔滨工业大学
  • 2018-08-30 - 2020-08-28 - B81C1/00
  • 本发明公开了一种基于AFM的芯片制备方法,所述方法步骤如下:一、基于原子力显微镜的沟槽加工:应用AFM探针在金属样品表面进行纳米沟槽的加工;二、光刻法沟槽加工:采用光刻法在单晶硅基底上进行沟槽的加工;三、PDMS沟槽转印:通过PMDS两次转印得到分别带有沟槽的PDMS单片;四、PDMS片键合:采用氧等离子体清洗机对具有沟槽的PDMS单片进行键合,得到所需结构的芯片。本发明主要基于AFM的刻划加工,由于AFM刻划加工操作简便且效率高,所以采用本方法制备芯片更高效。本发明的方法制备流程相对简单,使用材料为PDMS、单晶铜片等,成本相对较低。
  • 一种基于afm微纳流控芯片制备方法

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