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[发明专利]通过多晶金刚石生长辅助的生长单晶金刚石的方法-CN202080084769.X在审
发明人： R·J·巴斯奈特;A·F·巴斯奈特;A·查尔斯埃尔南德斯;W·霍尔伯;T·C·韦德;A·J·布朗 -专利权人：普拉斯玛比利提有限责任公司
申请日： 2020-12-07 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： C30B25/16 文献下载
摘要：一种通过多晶金刚石生长辅助的生长单晶金刚石以提高单晶金刚石的尺寸和品质的方法，包括将金刚石籽晶热配合在基材支架的顶表面上，其提供用于单晶金刚石和多晶金刚石的组合的生长表面。在加工期间所述金刚石籽晶和所述基材支架之间的预定温度差连同等离子体工艺条件导致单晶金刚石生长速率与多晶生长速率相差预定量。引入工艺气体，和形成等离子体以在所述生长表面上生长单晶金刚石和多晶金刚石两者，使得邻近所述单晶金刚石生长的所述多晶金刚石保护正在生长的单晶金刚石的侧表面，从而改善跨正在生长的单晶金刚石的生长品质。
通过多晶金刚石生长辅助方法

[发明专利]嵌入多晶金刚石结构中的一个或多个单晶金刚石及其生长方法-CN201880070743.2在审
发明人： D.S.米斯拉 -专利权人：二A科技有限公司
申请日： 2018-11-02 - 公布日： 2020-09-11 - 主分类号： C30B29/04 文献下载
摘要：生长嵌入式单晶金刚石结构的方法，其包括：将单晶金刚石置于非金刚石基底上，其中所述非金刚石基底大于单晶金刚石；使用遮蔽材料遮蔽单晶金刚石的顶部；并且使用化学气相沉积（CVD）生长室，围绕所述单晶金刚石生长多晶金刚石材料，从而使单晶金刚石与多晶金刚石材料接合。
嵌入多晶金刚石结构中的一个多个单晶及其生长方法

[发明专利]单晶金刚石生长用基材及单晶金刚石基板的制造方法-CN201010226110.1有效
发明人：野口仁 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2010-07-06 - 公布日： 2011-05-04 - 主分类号： C30B29/04 文献下载
摘要：本发明提供一种单晶金刚石生长用基材及单晶金刚石基板的制造方法，可以使面积大且结晶性良好的单晶金刚石生长，且可以便宜地制造高品质的单晶金刚石基板。所述单晶金刚石生长用基材是用于使单晶金刚石生长的基材，具有单晶SiC基板和在单晶SiC基板的生长单晶金刚石的一侧异质外延生长的铱膜或铑膜。
金刚石生长基材制造方法

[发明专利]单晶金刚石层生长用基板以及单晶金刚石基板的制造方法-CN201010167218.8无效
发明人：野口仁 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2010-04-23 - 公布日： 2010-11-24 - 主分类号： C30B29/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种单晶金刚石层生长用基板以及单晶金刚石基板的制造方法。本发明的目的在于提供一种能够以良好的再现性和低成本制造均匀并且结晶性高的单晶金刚石的单晶金刚石层生长用基板以及单晶金刚石基板的制造方法。该单晶金刚石层生长用基板是用于生长单晶金刚石层的基板，其由材质为单晶金刚石的基材，以及在基材的单晶金刚石层生长侧上异质外延生长成的铱膜或铑膜形成，并且基材的单晶金刚石层生长侧的表面的周端部形成曲率半径(
金刚石生长用基板以及制造方法

[发明专利]一种生长单晶金刚石的方法及生长结构-CN201810327256.1在审
发明人：王宏兴;王艳丰;常晓慧;邵国庆;魏孔庭;张景文;卜忍安;侯洵 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2018-04-12 - 公布日： 2018-08-03 - 主分类号： C30B29/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种生长单晶金刚石的方法及生长结构。其中，一种生长单晶金刚石的方法，包括如下步骤：步骤1、在清洗过的衬底表面生长一层具有择优取向多晶金刚石层；步骤2、在择优取向多晶金刚石层上继续生长单晶金刚石，得到单晶金刚石。解决了金刚石生长尺寸小，以及生长所得单晶金刚石内部应力大的问题。
生长单晶金刚石生长多晶金刚石层单晶金刚石择优取向金刚石生长衬底表面清洗

[发明专利]单晶金刚石生长用基材及单晶金刚石基板的制造方法-CN201010226112.0无效
发明人：野口仁 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2010-07-06 - 公布日： 2011-04-27 - 主分类号： C30B29/04 文献下载
摘要：本发明提供一种单晶金刚石生长用基材及单晶金刚石基板的制造方法，可以使面积大且结晶性良好的单晶金刚石生长，且可以便宜地制造高品质的单晶金刚石基板。所述单晶金刚石生长用基材是用于使单晶金刚石生长的基材，由单晶硅基板、在单晶硅基板的生长单晶金刚石的一侧异质外延生长的MgO膜、在MgO膜上异质外延生长的铱膜或铑膜组成。
金刚石生长基材制造方法

[发明专利]一种通过异质外延保护环辅助单晶金刚石生长的方法-CN202011637468.3有效
发明人：魏强;王宏兴;陈根强;张晓凡;宋志强;王若铮 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2020-12-31 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： C30B29/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种自适应协同外延生长单晶金刚石辅助环，用于设置在单晶金刚石衬底外围一周，为异质外延结构，包括：自下而上逐层分布的非金刚石衬底、异质外延形核缓冲层和单晶金刚石形核层；单晶金刚石形核层的晶向与待生长的单晶金刚石面的晶向一致利用金刚石辅助环与同质外延单晶金刚石协同生长，提高同质外延单晶金刚石生长质量。
一种通过外延保护环辅助金刚石生长方法

[发明专利]一种MPCVD单晶金刚石的生长方法-CN202211688360.6在审
发明人：顾亚骏;蒋礼;全峰 -专利权人：深圳优普莱等离子体技术有限公司
申请日： 2022-12-28 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： C30B25/00 文献下载
摘要：本发明提供一种MPCVD单晶金刚石的生长方法，本发明提供的MPCVD单晶金刚石的生长方法，通过控制单晶金刚石籽晶生长面的粗糙度，保证碳原子快速沉积于单晶金刚石籽晶生长面上，配合循环控制的升温、保温、降温、保温的操作，在提升单晶金刚石生长速度的同时，也充分释放生长中单晶金刚石内部的应力，提升单晶金刚石的质量、降低杂质含量。
一种 mpcvd 金刚石生长方法

[发明专利]一种生产单晶金刚石的方法-CN201911369163.6有效
发明人：彭国令;黄翀 -专利权人：长沙新材料产业研究院有限公司
申请日： 2019-12-26 - 公布日： 2021-06-22 - 主分类号： C30B25/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种生产单晶金刚石的方法，包括以下步骤：S1，选择多颗单晶金刚石，将各单晶金刚石抛光，然后清洗；S2，测量各单晶金刚石的厚度，然后将各单晶金刚石摆放在真空腔体内；S3，启动金刚石生长设备；S4，测量各单晶金刚石的温度，对测量到各单晶金刚石的温度进行数据处理，判断测量到的各单晶金刚石的温度差异是否在预定范围内；若各单晶金刚石的温度差异超出了预定范围，对单晶金刚石的位置进行调整；S5，重复步骤S4，使各单晶金刚石的温度差异维持在预定范围内，直至各单晶金刚石生长完成。能够将各单晶金刚石生长时的温度差异控制在一定范围内，使各单晶金刚石生长时的温度更加均匀。本发明应用于金刚石合成技术领域。
一种生产金刚石方法

[发明专利]一种单晶金刚石紫外探测器及其制备方法-CN202110232453.7在审
发明人：王宏兴;常晓慧;闫秀良;王若铮;王艳丰 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2021-03-02 - 公布日： 2021-07-09 - 主分类号： H01L31/09 文献下载
摘要：本发明公开了一种单晶金刚石紫外探测器及其制备方法，所述单晶金刚石紫外探测器，包括：单晶金刚石衬底、金属辅助生长单晶金刚石薄膜和叉指电极；所述金属辅助生长单晶金刚石薄膜设置于所述单晶金刚石衬底上，所述叉指电极设置于所述金属辅助生长单晶金刚石薄膜上；其中，所述金属辅助生长单晶金刚石薄膜在生长过程中掺入钨金属原子。本发明能够有效抑制金刚石衬底NV色心缺陷，减少NV色心对紫外探测器中电子空穴对的捕获，提升金刚石紫外探测器的响应度。
一种金刚石紫外探测器及其制备方法

[发明专利]一种多片单晶金刚石同时扩径生长的方法-CN201910262477.X在审
发明人：任泽阳;张金风;徐佳敏;张进成;苏凯;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2019-04-02 - 公布日： 2019-07-23 - 主分类号： C30B25/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种多片单晶金刚石同时扩径生长的方法，包括：在金属托盘上分开固定设置N片第一单晶金刚石；使N片第一单晶金刚石同时生长至第一厚度，以对应形成若干N片第二单晶金刚石，且N片第二单晶金刚石的上表面所处的高度小于等于设置高度处；降低N片第二单晶金刚石的高度，使N片第二单晶金刚石的上表面所处的高度始终小于等于设置高度处，直至N片第二单晶金刚石的厚度为第二厚度。本发明将多片单晶金刚石分开固定设置在金属托盘上，避免了相邻两个单晶金刚石由于扩径生长而产生挤压的情况，避免了多晶的产生，提高了单晶金刚石的结晶质量，同时由于能够同时使多片单晶金刚石扩径生长，因此提高了生长效率，缩短了生长周期，且降低了生长成本。
单晶金刚石生长多片扩径分开固定金属托盘上表面生长周期多晶挤压

[发明专利]一种抑制金刚石衬底裂纹向外延层扩散的方法-CN202210976926.9在审
发明人：任泽阳;丁森川;张金风;苏凯;马源辰;王晗雪;张进成;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2022-08-15 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： C30B29/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种抑制金刚石衬底裂纹向外延层扩散的方法，包括：选择含裂纹单晶金刚石衬底，其表面有裂纹且晶面角度相近；对所述含裂纹单晶金刚石衬底的表面进行清洗；对清洗后的含裂纹单晶金刚石衬底进行刻蚀，以去除表面的非金刚石相；对刻蚀后的含裂纹单晶金刚石衬底进行退火处理，以消除其表面的部分残余应力；在退火后的含裂纹单晶金刚石衬底的表面周期性生长多层金刚石缓冲层组，每层金刚石缓冲层组均包括不同生长条件下生长的四层单晶金刚石；在所述金刚石缓冲层上进行无裂纹单晶金刚石同质外延生长，形成无裂纹的单晶金刚石材料。本发明的方法为同质外延单晶金刚石降低了成本，同时提高了外延金刚石的质量和成品率。
一种抑制金刚石衬底裂纹外延扩散方法

[发明专利]单晶金刚石生长用基材以及使用该基材的单晶金刚石的制造方法-CN200910253988.1无效
发明人：野口仁 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2009-12-11 - 公布日： 2010-07-14 - 主分类号： C30B25/02 文献下载
摘要：本发明涉及单晶金刚石生长用基材以及使用该基材的单晶金刚石的制造方法，更具体地说，本发明提供一种可以使结晶性高的单晶金刚石异质外延生长，且可以反复使用的单晶金刚石生长用基材，还提供一种可廉价地制造大面积的高结晶性的单晶金刚石的单晶金刚石层积体的制造方法以及单晶金刚石的制造方法本发明提供的单晶金刚石生长用基材的特征是，其至少具有由单晶构成的种基材和在该种基材上异质外延生长的薄膜，前述种基材是单晶金刚石，并且，前述薄膜是铱膜或铑膜。
金刚石生长基材以及使用制造方法

[发明专利]一种提高拼接法生长金刚石单晶拼接缝质量的方法-CN202111195819.4在审
发明人：王启亮;邹广田;李红东;吕宪义;李柳暗;李根壮 -专利权人：吉林大学;吉林大学深圳研究院
申请日： 2021-10-14 - 公布日： 2022-02-11 - 主分类号： C30B25/18 文献下载
摘要：本发明的一种提高拼接法生长金刚石单晶拼接缝质量的方法属于金刚石单晶生长技术领域，以金刚石单晶作为籽晶，将2片或多片籽晶拼接在一起得到金刚石单晶衬底；生长之前，在拼接缝处通过激光切割机均匀制造出多个缺陷；在MPCVD设备中生长金刚石单晶，人造缺陷处由于二次成核生长成为塔台状，顶端为金刚石多晶颗粒，四周为金刚石单晶台阶生长；将塔台顶端的金刚石多晶抛光，继续生长，得到完整的金刚石单晶外延层。本发明解决了拼接缝晶向不同而引起的生长弊端，接缝处能够自然平缓的弥合，得到拼接缝良好的高质量的大面积金刚石单晶片。
一种提高拼接生长金刚石单晶拼接缝质量方法

[发明专利]大单晶金刚石及其生产方法-CN201880028059.8有效
发明人： D.S.米斯拉 -专利权人：二A 科技有限公司
申请日： 2018-04-27 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： C03B29/04 文献下载
摘要：一种生产大单晶金刚石的方法，包括：(i)在金刚石生长室中将两个或更多个单晶金刚石衬底彼此相邻布置，其中每个单晶金刚石衬底包括至少两个具有不同晶体取向的相邻表面，(ii)使用金刚石生长工艺，在向上生长方向以及在横向生长方向上生长单晶金刚石衬底
大单晶金刚石及其生产方法

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